JPH0225424B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0225424B2 JPH0225424B2 JP6944484A JP6944484A JPH0225424B2 JP H0225424 B2 JPH0225424 B2 JP H0225424B2 JP 6944484 A JP6944484 A JP 6944484A JP 6944484 A JP6944484 A JP 6944484A JP H0225424 B2 JPH0225424 B2 JP H0225424B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- insulating material
- heat insulating
- thin film
- substrate
- Prior art date
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- Expired
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は金属蒸気を基板に蒸着させる蒸着装
置の熱しや閉に関するものである。
置の熱しや閉に関するものである。
従来の蒸着装置に使用されているるつぼを第1
図は示す。図において、1はるつぼ、2は金属、
3は複数の小孔、4は金属蒸気、5はフイラメン
ト、6は電源、7は電源、8はグリツド、9はフ
イラメント、10は電源、11は電源、12は加
速電極、13は基板、14は蒸着膜、15は電
源、16はシールド板、17は真空容器である。
図は示す。図において、1はるつぼ、2は金属、
3は複数の小孔、4は金属蒸気、5はフイラメン
ト、6は電源、7は電源、8はグリツド、9はフ
イラメント、10は電源、11は電源、12は加
速電極、13は基板、14は蒸着膜、15は電
源、16はシールド板、17は真空容器である。
次に動作を説明する。第1図において、フイラ
メント5は電源6によつて加熱され、電源7によ
つて与えられた電圧により電子の衝突を受けてる
つぼ1は加熱される。るつぼ1内の金属2は蒸発
し、小孔3より真空中に噴射する。噴射された金
属蒸気4はフイラメント9、電源10、グリツド
8によつて電子の衝突を受けてイオン化し、加速
電極12と電源15によつて金属蒸気4は加速さ
れ、基板13に射突し蒸着膜14を作る。この
時、るつぼ1は高温になり輻射熱が周囲に放出さ
れる。
メント5は電源6によつて加熱され、電源7によ
つて与えられた電圧により電子の衝突を受けてる
つぼ1は加熱される。るつぼ1内の金属2は蒸発
し、小孔3より真空中に噴射する。噴射された金
属蒸気4はフイラメント9、電源10、グリツド
8によつて電子の衝突を受けてイオン化し、加速
電極12と電源15によつて金属蒸気4は加速さ
れ、基板13に射突し蒸着膜14を作る。この
時、るつぼ1は高温になり輻射熱が周囲に放出さ
れる。
このため、るつぼ1の外周には輻射熱を反射さ
せるシールド板16を側面と底部に配置してお
り、上部は加速電極12を熱シールド板と共用す
る。しかし、加速電極12はるつぼ1より離れた
位置であるため金属蒸気4が広がつて通るための
開口部が大きくとられている。このためるつぼ1
の噴射面からの輻射熱は開口部通り基板13に到
達して、加熱することになるので、基板13を冷
す必要がある。
せるシールド板16を側面と底部に配置してお
り、上部は加速電極12を熱シールド板と共用す
る。しかし、加速電極12はるつぼ1より離れた
位置であるため金属蒸気4が広がつて通るための
開口部が大きくとられている。このためるつぼ1
の噴射面からの輻射熱は開口部通り基板13に到
達して、加熱することになるので、基板13を冷
す必要がある。
本発明は上記のような欠点をなくすため、るつ
ぼ1から噴出する面上の近傍に小孔3から噴出す
る金属蒸気4をさまたげない第3図に示すような
細長い長方形の穴をあけた断熱材を上面にはり付
け輻射熱が基板に直接届かないようにして、基板
の熱影響を小さくしたものである。
ぼ1から噴出する面上の近傍に小孔3から噴出す
る金属蒸気4をさまたげない第3図に示すような
細長い長方形の穴をあけた断熱材を上面にはり付
け輻射熱が基板に直接届かないようにして、基板
の熱影響を小さくしたものである。
第2図において、21は断熱材、22は断熱材
21に設けた細長い長方形の穴である。その他は
従来と同じである。
21に設けた細長い長方形の穴である。その他は
従来と同じである。
るつぼ1の小孔3から噴出する金属蒸気は、小
孔22を通るが、この穴の面積は小さく、るつぼ
1からの輻射熱のほとんどが遮へいされる。
孔22を通るが、この穴の面積は小さく、るつぼ
1からの輻射熱のほとんどが遮へいされる。
第4図は他の実施例を示すもので、断熱材23
の開口部は干鳥足状に配列され上面に向つて拡開
した円錐状の複数個の穴24で形成されている。
これによつて、るつぼの小孔間の距離を大きくで
きるので、穴明け加工が容易になる。また、蒸着
中の熱応力による割れも少なくなる。なお、穴2
4は円錐状でなく、円筒状の穴でもよい。
の開口部は干鳥足状に配列され上面に向つて拡開
した円錐状の複数個の穴24で形成されている。
これによつて、るつぼの小孔間の距離を大きくで
きるので、穴明け加工が容易になる。また、蒸着
中の熱応力による割れも少なくなる。なお、穴2
4は円錐状でなく、円筒状の穴でもよい。
この発明によると、断熱材でるつぼからの輻射
熱のほとんどが遮ぎられるので、基板に到達する
熱が非常に少なくなるため、基板への熱の影響を
低減できる。
熱のほとんどが遮ぎられるので、基板に到達する
熱が非常に少なくなるため、基板への熱の影響を
低減できる。
第1図は従来の薄膜形成装置を示す構成図、第
2図は本発明の一実施例を示す構成図、第3図は
第2図の主要部を示す斜視図、第4図はこの発明
の他の実施例を示す斜視図である。 図において、1はるつぼ、12は加速電極、1
3は基板、21は断熱材、22は穴である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
2図は本発明の一実施例を示す構成図、第3図は
第2図の主要部を示す斜視図、第4図はこの発明
の他の実施例を示す斜視図である。 図において、1はるつぼ、12は加速電極、1
3は基板、21は断熱材、22は穴である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 真空中でるつぼ内の金属を高温で溶融し、上
記るつぼ内の溶融金属の蒸気を複数個の小孔から
真空中に噴射してイオン化し、イオン化された金
属蒸気をさらに加速して基板に衝突させて上記基
板に薄膜を形成させるものにおいて、開口部をも
つた断熱材で上記るつぼの上面を被い、上記小孔
を上記断熱材の開口部に連通するように配列した
ことを特徴とする薄膜形成装置。 2 断熱材の開口部は長方形でるつぼの小孔が複
数個配列されていることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の薄膜形成装置。 3 断熱材の開口部は干鳥足状に配置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6944484A JPS60211067A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6944484A JPS60211067A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211067A JPS60211067A (ja) | 1985-10-23 |
| JPH0225424B2 true JPH0225424B2 (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=13402812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6944484A Granted JPS60211067A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211067A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745711B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1995-05-17 | 株式会社日立製作所 | 高指向性蒸着装置 |
| JP2701363B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1998-01-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそれに使用する薄膜形成装置 |
| DE102014200739B4 (de) * | 2014-01-16 | 2025-10-02 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Lochblende mit optimiertem thermischem Emissionsverhalten |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6944484A patent/JPS60211067A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211067A (ja) | 1985-10-23 |
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