JPS60185288A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60185288A JPS60185288A JP59039740A JP3974084A JPS60185288A JP S60185288 A JPS60185288 A JP S60185288A JP 59039740 A JP59039740 A JP 59039740A JP 3974084 A JP3974084 A JP 3974084A JP S60185288 A JPS60185288 A JP S60185288A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- bubble
- magnetic domain
- gap
- piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/24—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリ装置に関し、特にそのバブル
磁区転送パターンの形状に関するものである。
磁区転送パターンの形状に関するものである。
従来技術と問題点
従来よりバブル磁区を転送させるバブル磁区転送ツクタ
ーンにはハーフディスク型パターン（第１図ａ参照）、
非対称シェブロン型パターン等が用いられてきた。しか
し最近の情報量の増加や装置の小型化のためバブルメモ
リ素子の高密度化をはかる場合、ハーフディスク或は非
対称シェブロンを相似縮小しても主として光露光技術の
限界によシ転送周期の限界は６μｍ程度にとどまシ、例
えば４メガビツトチツプでは寸法が１メガビツトチツプ
の約１０■角に対し約１５制角と大きくなるため駆動電
力の増大ヤウエハからとれるチップ数が減少し、コスト
アップ等の問題が生ずる。ところが近年ベル研究所のが
−ペックによシ第２図ａに示す如き形状をしたワイドギ
ャップパターンと呼ばれる新し込転送ノ４ターンが発表
された。これは従来のハーフディスクパターン等が第１
図（、）及び（ｂ）に示すように、・母ターン１．２間
のギャップ３において深いポテンシャル４を発生させ、
バブル５をストレッチさせながらパターン１からパター
ン２へ転送させるのに対し、第２図（、）及び（ｂ）に
示すように、パターン１の先端部Ａとパターン２の足部
Ｂの間に生じる磁界勾配に沿ってバブル５を移動させる
ものでありハーフディスク型パターンの約２倍のギャッ
プ余裕度を有していることから高密度化に対し有望な・
母ターンであると期待された。
ーンにはハーフディスク型パターン（第１図ａ参照）、
非対称シェブロン型パターン等が用いられてきた。しか
し最近の情報量の増加や装置の小型化のためバブルメモ
リ素子の高密度化をはかる場合、ハーフディスク或は非
対称シェブロンを相似縮小しても主として光露光技術の
限界によシ転送周期の限界は６μｍ程度にとどまシ、例
えば４メガビツトチツプでは寸法が１メガビツトチツプ
の約１０■角に対し約１５制角と大きくなるため駆動電
力の増大ヤウエハからとれるチップ数が減少し、コスト
アップ等の問題が生ずる。ところが近年ベル研究所のが
−ペックによシ第２図ａに示す如き形状をしたワイドギ
ャップパターンと呼ばれる新し込転送ノ４ターンが発表
された。これは従来のハーフディスクパターン等が第１
図（、）及び（ｂ）に示すように、・母ターン１．２間
のギャップ３において深いポテンシャル４を発生させ、
バブル５をストレッチさせながらパターン１からパター
ン２へ転送させるのに対し、第２図（、）及び（ｂ）に
示すように、パターン１の先端部Ａとパターン２の足部
Ｂの間に生じる磁界勾配に沿ってバブル５を移動させる
ものでありハーフディスク型パターンの約２倍のギャッ
プ余裕度を有していることから高密度化に対し有望な・
母ターンであると期待された。
事実このワイドギヤ、プパターン（第２図）は直径が約
２μｍのバブルを用いパターン配列周期Ｐが８μｍでギ
ャップ３が２μｍとした場合、周期Ｐとギャップ３が同
寸法のハーフディスクパターン（第１図）に比べ約２倍
の４００ｅ三角波駆動において約３０００のバイアスマ
ージン幅を持つことが確認されてｂる。
２μｍのバブルを用いパターン配列周期Ｐが８μｍでギ
ャップ３が２μｍとした場合、周期Ｐとギャップ３が同
寸法のハーフディスクパターン（第１図）に比べ約２倍
の４００ｅ三角波駆動において約３０００のバイアスマ
ージン幅を持つことが確認されてｂる。
ところが第２図に示したワイドギャップパターンは４メ
ガビツトチツプを得るためノ４ターン配列周期Ｐを４μ
ｍ１ギャッゾ３ｆ：１μｍ程度に縮小していくと、ギャ
ップ部のポテンシャルが極めて浅くなるためバブルがＡ
からＢへ渡シはじめる時非常に不安定な状態となシ充分
な転送マージンが得られなりという欠点があった。
ガビツトチツプを得るためノ４ターン配列周期Ｐを４μ
ｍ１ギャッゾ３ｆ：１μｍ程度に縮小していくと、ギャ
ップ部のポテンシャルが極めて浅くなるためバブルがＡ
からＢへ渡シはじめる時非常に不安定な状態となシ充分
な転送マージンが得られなりという欠点があった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、ワイドギャッゾノやタ
ーンの７４ターンギヤツプに生ずる強い磁界勾配を保っ
たままギャップ部のポテンシャル全体を深くし高密度化
に適するようにしたペブル磁区転送路を具備した磁気バ
ブルメモリ素子を提供することを目的とするものである
。
ーンの７４ターンギヤツプに生ずる強い磁界勾配を保っ
たままギャップ部のポテンシャル全体を深くし高密度化
に適するようにしたペブル磁区転送路を具備した磁気バ
ブルメモリ素子を提供することを目的とするものである
。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によ、れば、バブル磁区の転送
を行なうため軟磁性材料で形成され、バブルの進行方向
にパターンギャップをはさんで入口側素片と出口側素片
を有し、該出口側素片が該入口側素片よシ細くかつ知〈
なった非対称構造のバブル磁区転送パターンが配列され
たペブル磁区転送路を有し、該バブル磁区転送路は、そ
のバブル磁区転送・母ターンの入口側素片と出口側素片
の長さの差が該転送パターン高さの１０係以上２５ｅＪ
６以下の寸法を持ち、かつ入口側素片の７４タ一ン幅が
／４’ターン配列周期のＢ０係以上４０チ以下であり、
かつ該転送パターンの高さがパターン配列周期の５０％
以上１００％以下の寸法を持、ったバブル磁区転送パタ
ーンが０．５μｍ以上１．２μｍ以下のパターンギャッ
プをはさみ８μｍ以下３．５μｍ以上の一定の配列周期
で配列されて成ることを特徴とする磁気パズルメモリ素
子を提供することによって達成される。
を行なうため軟磁性材料で形成され、バブルの進行方向
にパターンギャップをはさんで入口側素片と出口側素片
を有し、該出口側素片が該入口側素片よシ細くかつ知〈
なった非対称構造のバブル磁区転送パターンが配列され
たペブル磁区転送路を有し、該バブル磁区転送路は、そ
のバブル磁区転送・母ターンの入口側素片と出口側素片
の長さの差が該転送パターン高さの１０係以上２５ｅＪ
６以下の寸法を持ち、かつ入口側素片の７４タ一ン幅が
／４’ターン配列周期のＢ０係以上４０チ以下であり、
かつ該転送パターンの高さがパターン配列周期の５０％
以上１００％以下の寸法を持、ったバブル磁区転送パタ
ーンが０．５μｍ以上１．２μｍ以下のパターンギャッ
プをはさみ８μｍ以下３．５μｍ以上の一定の配列周期
で配列されて成ることを特徴とする磁気パズルメモリ素
子を提供することによって達成される。
また前記バブル磁区転送路が、そのバブル磁区転送パタ
ーンの入口側素片のパターン幅を復路はＡ１往路はＣと
し、出口側素片のノやターン幅を復路はＢ１往路をＤと
したとき、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃであ夛、かつＣ＞Ａ≧Ｂ＞Ｄ
であることを特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供す
ることによって達成される。
ーンの入口側素片のパターン幅を復路はＡ１往路はＣと
し、出口側素片のノやターン幅を復路はＢ１往路をＤと
したとき、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃであ夛、かつＣ＞Ａ≧Ｂ＞Ｄ
であることを特徴とする磁気バブルメモリ素子を提供す
ることによって達成される。
発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面によって詳述する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ素子におけるバ
ブル磁区転送パターンとしてのワイドギャップパターン
の基本形状を説明するだめの図であシ、同図において、
１０．１１は３２００Ｘ〜３４００１程度の膜厚のパー
マロイからなるバブル磁区転送パターン、１２はその出
口側素片、１３は入口側素片、ａは入口側素片の・４タ
一ン幅、ｇはギャップ幅、ＨＦｉパターン高さ、ｈは入
口側素片と出口側素片の高さの差、ＰはＡ？ターン配列
周期、矢印Ｑはノ々プルの転送方向、矢印Ｒはバブルを
安定に静止させるためのホールド磁界の方向をそれぞれ
示している。
ブル磁区転送パターンとしてのワイドギャップパターン
の基本形状を説明するだめの図であシ、同図において、
１０．１１は３２００Ｘ〜３４００１程度の膜厚のパー
マロイからなるバブル磁区転送パターン、１２はその出
口側素片、１３は入口側素片、ａは入口側素片の・４タ
一ン幅、ｇはギャップ幅、ＨＦｉパターン高さ、ｈは入
口側素片と出口側素片の高さの差、ＰはＡ？ターン配列
周期、矢印Ｑはノ々プルの転送方向、矢印Ｒはバブルを
安定に静止させるためのホールド磁界の方向をそれぞれ
示している。
尚、・ヤターン１０，１１は・々プル情報を記憶するマ
イナーループ転送路を構成するパターンで、直径が１．
２〜１．４μｍ程度のバブル磁区を与える磁性ガーネッ
トからなるバブル結晶（Ｙ Ｓｍ ＬｕＣａ Ｇｅ Ｉ
Ｇ組成からなる結晶等）上に被着された１２００Ｘ〜
１４００Ｘの８１０２スペーサの上に形成され、該バブ
ル結晶表面にはノ・−トノ々プル抑制のため４〜６ Ｘ
１０１３Ｎｅ＋（５０ＫｅＶ ）の条件でイオン注入
が施される。また図示矢印の１７１゜１１２．２１１は
該バブル結晶の（１１１）面の場合の結晶方向を示して
いる。
イナーループ転送路を構成するパターンで、直径が１．
２〜１．４μｍ程度のバブル磁区を与える磁性ガーネッ
トからなるバブル結晶（Ｙ Ｓｍ ＬｕＣａ Ｇｅ Ｉ
Ｇ組成からなる結晶等）上に被着された１２００Ｘ〜
１４００Ｘの８１０２スペーサの上に形成され、該バブ
ル結晶表面にはノ・−トノ々プル抑制のため４〜６ Ｘ
１０１３Ｎｅ＋（５０ＫｅＶ ）の条件でイオン注入
が施される。また図示矢印の１７１゜１１２．２１１は
該バブル結晶の（１１１）面の場合の結晶方向を示して
いる。
本実施例は第３図に示す如く入口側素片１３と出口側素
片１２とを有し、その出口側素片１２が２２点をできる
だけ磁気的に中立な状態になる様入口側素片１３に比べ
細く（出口側素片１２の中央部で約７０〜９０チ細い）
かつ浅い屈曲を持つた非対称形状である。
片１２とを有し、その出口側素片１２が２２点をできる
だけ磁気的に中立な状態になる様入口側素片１３に比べ
細く（出口側素片１２の中央部で約７０〜９０チ細い）
かつ浅い屈曲を持つた非対称形状である。
本実施例のギャップ部における磁界勾配の強さ及びポテ
ンシャルの深さなど動作特性に影９を与える形状パラメ
ータはギヤツブ幅ｇ１人口側素片１３の２１点と出口側
素片１２のＰ２点間の距離、入口側素片１３のパターン
幅ａ及びパターン高さＨである。
ンシャルの深さなど動作特性に影９を与える形状パラメ
ータはギヤツブ幅ｇ１人口側素片１３の２１点と出口側
素片１２のＰ２点間の距離、入口側素片１３のパターン
幅ａ及びパターン高さＨである。
ギャップ幅ｇは広すぎると動作特性が劣化し逆に狭すぎ
ると露光、エツチング技術等の制約によシ素子作製が困
難となるため１２μｍから０５μｍの範囲が適当である
。
ると露光、エツチング技術等の制約によシ素子作製が困
難となるため１２μｍから０５μｍの範囲が適当である
。
第４図はパターン周期Ｐで規格化した入口側素片１３の
ノ＃ターン幅ａとバイアスマージンΔＨＢの ゛関係を
示したものである。入口側素片１３のパターン幅ａは細
い相磁極が２１点に集中しＰｌ−２２間の磁界勾配は強
くなると考えられるが、あまり細くするとバブルを入口
側素片に沿ってＰｌからＰ３へ移動する場合の駆動力が
減少し、特性が劣化する。一方ａ’ｒ６ｔｊｌ）広くす
ると入口側素片先端部で磁極が分散し磁界勾配が弱くな
る。従って第４図からも分るように入口側素片１３のパ
ターン幅ａはパターン周期Ｐに対し３０％〜４０チの範
囲が特性上良好である。
ノ＃ターン幅ａとバイアスマージンΔＨＢの ゛関係を
示したものである。入口側素片１３のパターン幅ａは細
い相磁極が２１点に集中しＰｌ−２２間の磁界勾配は強
くなると考えられるが、あまり細くするとバブルを入口
側素片に沿ってＰｌからＰ３へ移動する場合の駆動力が
減少し、特性が劣化する。一方ａ’ｒ６ｔｊｌ）広くす
ると入口側素片先端部で磁極が分散し磁界勾配が弱くな
る。従って第４図からも分るように入口側素片１３のパ
ターン幅ａはパターン周期Ｐに対し３０％〜４０チの範
囲が特性上良好である。
第５図は入口側素片１３と出口側素片１２の高さの差り
をパターン高さＨで規格化した値とバイアスマージン幅
ΔＨＢの関係を示したものである。
をパターン高さＨで規格化した値とバイアスマージン幅
ΔＨＢの関係を示したものである。
ｈが小さくなる程Ｐｉ−Ｐ、２間距離が短くなシ磁界勾
配が強くなってくるが小さくなりすぎると２２点の磁極
が強くなシすぎ逆に磁界勾配の劣化を招く。従って第５
図からも分るように入口側素片１３と出口側素片１２の
高さの差りはパターン高さＨに対し１０％〜２５チの範
囲が特性上良好である。
配が強くなってくるが小さくなりすぎると２２点の磁極
が強くなシすぎ逆に磁界勾配の劣化を招く。従って第５
図からも分るように入口側素片１３と出口側素片１２の
高さの差りはパターン高さＨに対し１０％〜２５チの範
囲が特性上良好である。
更に第６図は・ぐターン周期Ｐで規格化したＡ？ターン
高さＨとバイアスマージン幅ΔＨＢの関係を示したもの
である。Ｈが小さくなると形状異方性の減少によ、ＱＰ
Ｉ点の磁極が弱まシ磁界勾配の低下が起こる。逆に高す
ぎるとセルサイズが増大し記憶密度が減小する。従って
パターン高さＨにパターン周期Ｐに対し５０％〜１００
チの範囲が適当である。
高さＨとバイアスマージン幅ΔＨＢの関係を示したもの
である。Ｈが小さくなると形状異方性の減少によ、ＱＰ
Ｉ点の磁極が弱まシ磁界勾配の低下が起こる。逆に高す
ぎるとセルサイズが増大し記憶密度が減小する。従って
パターン高さＨにパターン周期Ｐに対し５０％〜１００
チの範囲が適当である。
第７図は以上の結果から最適化されたワイドギャップパ
ターンの実際例を説明するための図であり、（、）は・
ぐターン寸法、（ｂ）はその動作マージン特性を示す。
ターンの実際例を説明するための図であり、（、）は・
ぐターン寸法、（ｂ）はその動作マージン特性を示す。
本ノ４ターンはギャップ幅ｇが０．９μｍＸ入口側素片
のパターン幅ａはパターン周期４μｍに対し３７チ、入
口側素片と出口側素片の高さの差りはノＲターン高さＨ
に対し１７係、パターン高さＨはツクターン周期Ｐに対
し８７チである。このｚ４ ター ｙ（７）動作マージ
ン特性はｂ図に示す如く最少駆動磁ン、バイアスマージ
ン幅４００ｅ（７００ｅ三角波駆動、バブル径が約１゜
３μｍ）と極めて良好な特性を示した。
のパターン幅ａはパターン周期４μｍに対し３７チ、入
口側素片と出口側素片の高さの差りはノＲターン高さＨ
に対し１７係、パターン高さＨはツクターン周期Ｐに対
し８７チである。このｚ４ ター ｙ（７）動作マージ
ン特性はｂ図に示す如く最少駆動磁ン、バイアスマージ
ン幅４００ｅ（７００ｅ三角波駆動、バブル径が約１゜
３μｍ）と極めて良好な特性を示した。
第８図は同様に最適化した８μｍ周期のワイドギャップ
パターンの実際例を説明するための図であり、（ａ）は
・母ターン寸法、（ｂ）は動作マージン特性を示す。本
パターンは、ギヤツノ幅ｇが１．０μｍ１μｍ１人口側
源ターン幅ａはパターン周期Ｐに対し３５チ、入口側素
片と出口側素片の高さの差りはｉ４ターン高さＨの１８
係、パターン高さＨはＡ’ターン周期Ｐに対し７０％で
ある。このパターンの動作マージン特性はｂ図に示す如
く最小駆動磁界３５０ｓ 、バイアスマージン幅４．５
０ｅ（７００ｅ三角波駆動、１．３μｍ径バブル）と良
好な特性を示した。尚、本８μｍ周期パターンは不良ル
ープ情報を記憶するだめのプートループや、マイナール
ープに対しバブルの書込み／読出しを行なうメジャーラ
インの転送用パターンとして有効である。
パターンの実際例を説明するための図であり、（ａ）は
・母ターン寸法、（ｂ）は動作マージン特性を示す。本
パターンは、ギヤツノ幅ｇが１．０μｍ１μｍ１人口側
源ターン幅ａはパターン周期Ｐに対し３５チ、入口側素
片と出口側素片の高さの差りはｉ４ターン高さＨの１８
係、パターン高さＨはＡ’ターン周期Ｐに対し７０％で
ある。このパターンの動作マージン特性はｂ図に示す如
く最小駆動磁界３５０ｓ 、バイアスマージン幅４．５
０ｅ（７００ｅ三角波駆動、１．３μｍ径バブル）と良
好な特性を示した。尚、本８μｍ周期パターンは不良ル
ープ情報を記憶するだめのプートループや、マイナール
ープに対しバブルの書込み／読出しを行なうメジャーラ
インの転送用パターンとして有効である。
次に本発明の他の実施例を説明する。
第９図に示すワイドギャップパターンを用いてマイナー
ループを構成するときは矢印■の方向の転送路（往路）
と矢印■の方向の転送路（復路）が必要である。このよ
うな往復の転送路においては往路と復路の特性が異なる
ものである。例えば転送路■のパターンの入口側素片の
幅をＡ１出口側素片の幅をＢとし、転送路■のパターン
の入口側素片の幅をＣ１出口側素片の幅をＤとしたとき
、Ｂ／Ａ＝１）／Ｃ、Ｃ＝Ａ＞Ｂ＝Ｄ、即ち転送路■と
■のパターンが全く同じであると第１０図ａの特性図に
示す如く転送路■のマージン幅が転送路■よ勺も狭くな
り全体のマージン幅が狭くなる。
ループを構成するときは矢印■の方向の転送路（往路）
と矢印■の方向の転送路（復路）が必要である。このよ
うな往復の転送路においては往路と復路の特性が異なる
ものである。例えば転送路■のパターンの入口側素片の
幅をＡ１出口側素片の幅をＢとし、転送路■のパターン
の入口側素片の幅をＣ１出口側素片の幅をＤとしたとき
、Ｂ／Ａ＝１）／Ｃ、Ｃ＝Ａ＞Ｂ＝Ｄ、即ち転送路■と
■のパターンが全く同じであると第１０図ａの特性図に
示す如く転送路■のマージン幅が転送路■よ勺も狭くな
り全体のマージン幅が狭くなる。
また、Ｂ／ＡさＤ／Ｃ，ＣユＡ＞Ｂ＞Ｄ、即ち前者よシ
Ｄを小さくするとその特性は第１０図すに示す如く転送
路■の特性が下方に移動し、全体のマージン幅が狭くな
る。
Ｄを小さくするとその特性は第１０図すに示す如く転送
路■の特性が下方に移動し、全体のマージン幅が狭くな
る。
また、Ｂ／Ａ（Ｄ／Ｃ、ＣさＡΣＢ ）Ｄ、即ち転送路
■のＤ／Ｃを小さくすると、その特性は第１０図Ｃの如
く転送路■の駆動磁界が上り、やはり全体のマージンが
劣化する。
■のＤ／Ｃを小さくすると、その特性は第１０図Ｃの如
く転送路■の駆動磁界が上り、やはり全体のマージンが
劣化する。
そこで本実施例においては、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃ２Ｃ）Ａ≧
Ｂ）Ｄとしたのである。即ちＡ、Ｂに対してＣは大きく
Ｄは小さく、かつ入口側素片と川口側素片の比は転送路
■が転送路■よシ大である。
Ｂ）Ｄとしたのである。即ちＡ、Ｂに対してＣは大きく
Ｄは小さく、かつ入口側素片と川口側素片の比は転送路
■が転送路■よシ大である。
このように構成された本実施例は第１１図に示す如く転
送路■と転送路■の特性が近似し、且つ全体のマージン
幅も大とな力良好な結果が得られる。
送路■と転送路■の特性が近似し、且つ全体のマージン
幅も大とな力良好な結果が得られる。
この際幅Ａ、Ｂ、ＣＩＤの関係は当然上記本発明の実施
例による４μｍ周期パターン或は８μｎ１周期・ぐター
ンにおける定められた寸法内で調整する。
例による４μｍ周期パターン或は８μｎ１周期・ぐター
ンにおける定められた寸法内で調整する。
尚、本実施例においてホールド磁界は第９図（第３ｐ７
ｓ８図でも同様）に矢印Ｒで示す方向に印加することが
好ましい。その理由は矢印Ｒ方向以外の方向では実際に
素子に印加される磁界ベクトルによる駆動力がマージン
劣化に、より顕著に影響するためである。
ｓ８図でも同様）に矢印Ｒで示す方向に印加することが
好ましい。その理由は矢印Ｒ方向以外の方向では実際に
素子に印加される磁界ベクトルによる駆動力がマージン
劣化に、より顕著に影響するためである。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明による磁気バブルメ
モリ素子はそのバブル磁区転送路のノやターン形状を、
・クターンギャップに生ずる強い磁界勾配を保った壕ま
ギャップ部のポテンシャル全体を深くすることによって
・ぐターンの小型化が可能となシ高密度化が実現される
といった効果大なるものである。 。
モリ素子はそのバブル磁区転送路のノやターン形状を、
・クターンギャップに生ずる強い磁界勾配を保った壕ま
ギャップ部のポテンシャル全体を深くすることによって
・ぐターンの小型化が可能となシ高密度化が実現される
といった効果大なるものである。 。
第１図及び第２図は従来のバブル磁区転送パターンの動
作原理を説明するための図、第３図乃至第６図は本発明
による磁気バブルメモリ素子におけるバブル磁区転送ｉ
４ターンを説明するための図、第７図及び第８図は本発
明の詳細な説明するための図、第９図乃至第１１図は本
発明による他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０，１１はバブル磁区転送パターン、
１２はバブル磁区転送パターンの出口側素片、１３はバ
ブル磁区転送パターンの入口側素片をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 。。） 朗゛図 第２弱 （ｂ） 鴨３図 箒４０ Ｏｌｐｘｌｏｏｏｌｏ 愼５囚 （ｈＩＨ）×１０００１０ 鴨６図 （Ｈ／ Ｐ ） −１００’／。 第７図 （ｂ） 駆動磁界Ｈｏ（Ｏｅ） 嬶８０ （Ｑ） Ｃ，− 駆動磁界ＨＯ（’Ｏｅ ） 嘆９０ ０く− 駆動磁界ＨＤ＜。） 駆動磁界ＨＤ 駆動磁界ＨＤ
作原理を説明するための図、第３図乃至第６図は本発明
による磁気バブルメモリ素子におけるバブル磁区転送ｉ
４ターンを説明するための図、第７図及び第８図は本発
明の詳細な説明するための図、第９図乃至第１１図は本
発明による他の実施例を説明するための図である。 図面において、１０，１１はバブル磁区転送パターン、
１２はバブル磁区転送パターンの出口側素片、１３はバ
ブル磁区転送パターンの入口側素片をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １） 幸 男 弁理士 山 口 昭 之 。。） 朗゛図 第２弱 （ｂ） 鴨３図 箒４０ Ｏｌｐｘｌｏｏｏｌｏ 愼５囚 （ｈＩＨ）×１０００１０ 鴨６図 （Ｈ／ Ｐ ） −１００’／。 第７図 （ｂ） 駆動磁界Ｈｏ（Ｏｅ） 嬶８０ （Ｑ） Ｃ，− 駆動磁界ＨＯ（’Ｏｅ ） 嘆９０ ０く− 駆動磁界ＨＤ＜。） 駆動磁界ＨＤ 駆動磁界ＨＤ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 バブル磁区の転送を行なうため軟磁性劇料で形成
され、パズルの進行方向にノｊターンギャッｆｆｚはさ
んで入口側素片と川口側素片を有し、該出口側素片が該
入口側素片より細くかつ短くなった非対称構造のバブル
磁区転送パターンが配列されたバブル磁区転送路を有し
、該バブル磁区転送路は、そのバブル磁区転送・やター
ンの入口側素片と出口側素片の長さの差が該転送パター
ン高さの１０係以上２５係以下の寸法を持ち、かつ入口
側素片のパターン幅がパターン配列周期の３０％以上４
０チ以下であり、かつ該転送ｚｆターンの高さが７４タ
一ン配列周期の５０チ以上１００％以下の寸法を持った
バブル磁区転送パターンが０．５μｍ以上１，２μｍ以
下のパターンギャップをはさみ８μｍ以下３．５μｍ以
上の一定の配列周期で配列されて成ることを特徴とする
磁気バブルメモリ素子。 ２、バブル磁区の転送を行なうため軟磁性材料で形成さ
れ、パズルの進行方向にパターンギャッ７″をはさんで
入口側素片と出口側素片を有し、該出口側素片が該入口
側素片より細くかつ短くなった非対称構造のバブル磁区
転送・ぐターンが配列されたバブル磁区転送路を有し、
該バブル磁区転送路は、そのバブル磁区転送Ａ？ターン
の入口側素片のパターン幅を復路はＡ１往路はＣとし、
出口側素片のパターン幅を復路はＢ、往路′をＤとした
とき、Ｂ／Ａ＞Ｄ／Ｃであり、かつＣ＞Ａ辷Ｂ＞Ｄであ
るとと全特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039740A JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
| CA000475170A CA1238111A (en) | 1984-03-03 | 1985-02-26 | Magnetic bubble memory device |
| US06/706,611 US4698786A (en) | 1984-03-03 | 1985-02-28 | Magnetic bubble memory device |
| EP85400392A EP0155212A3 (en) | 1984-03-03 | 1985-03-01 | Magnetic bubble memory device |
| KR1019850001354A KR850007152A (ko) | 1984-03-03 | 1985-03-02 | 자기 버블 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59039740A JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185288A true JPS60185288A (ja) | 1985-09-20 |
| JPS6336074B2 JPS6336074B2 (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=12561359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59039740A Granted JPS60185288A (ja) | 1984-03-03 | 1984-03-03 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698786A (ja) |
| EP (1) | EP0155212A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60185288A (ja) |
| KR (1) | KR850007152A (ja) |
| CA (1) | CA1238111A (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137575A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-27 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory |
| US4355373A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory |
| JPS57501803A (ja) * | 1980-11-24 | 1982-10-07 | ||
| JPS5853081A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-29 | Nec Corp | 磁気バブル閉ル−プ転送回路 |
| JPS5916189A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-01-27 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| US4514827A (en) * | 1983-04-11 | 1985-04-30 | Intel Corporation | Method for selecting propagation elements for magnetic bubble memory |
-
1984
- 1984-03-03 JP JP59039740A patent/JPS60185288A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-26 CA CA000475170A patent/CA1238111A/en not_active Expired
- 1985-02-28 US US06/706,611 patent/US4698786A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-03-01 EP EP85400392A patent/EP0155212A3/en not_active Withdrawn
- 1985-03-02 KR KR1019850001354A patent/KR850007152A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6336074B2 (ja) | 1988-07-19 |
| CA1238111A (en) | 1988-06-14 |
| EP0155212A3 (en) | 1989-03-15 |
| EP0155212A2 (en) | 1985-09-18 |
| KR850007152A (ko) | 1985-10-30 |
| US4698786A (en) | 1987-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100218755B1 (ko) | 폴팁 트리밍용 상부 폴 구조물 및 그 제조방법 | |
| JPS5911988B2 (ja) | イオン打込み方法 | |
| JP2006252756A (ja) | 磁気再生記録ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS60185288A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| US6466415B1 (en) | Thin film magnetic head including a first pole portion having a depressed portion for receiving a coil | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| JP2524242B2 (ja) | 薄膜ヘッド形成方法 | |
| JPS6029997A (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPH0355910B2 (ja) | ||
| JPS607682A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6369091A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5987690A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JP2000011320A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2000048317A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS62192088A (ja) | ハイブリツド技術の磁気バブルメモリ | |
| US7065859B2 (en) | Method for manufacturing a thin film magnetic head | |
| JPS5990289A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6218612A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0668420A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS636950B2 (ja) | ||
| JPS59132486A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS5897119A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6076079A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6040591A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6341158B2 (ja) |