JPS5987690A - 磁気バブル転送回路 - Google Patents
磁気バブル転送回路Info
- Publication number
- JPS5987690A JPS5987690A JP57196016A JP19601682A JPS5987690A JP S5987690 A JPS5987690 A JP S5987690A JP 57196016 A JP57196016 A JP 57196016A JP 19601682 A JP19601682 A JP 19601682A JP S5987690 A JPS5987690 A JP S5987690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic bubble
- bubble transfer
- transfer circuit
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブル転送回路、特にバイアス磁界マージ
ンを向上させた磁気バブル転送パターンの構造に関する
ものである。
ンを向上させた磁気バブル転送パターンの構造に関する
ものである。
磁気バブル転送回路として、現在パーマロイ方式と称さ
れる磁気バブル転送方式が主流として実用化されている
。これ線、パーマロイ薄Ｍ を−ｃッチングして形成し
たパターンを、パターン面内で回転する外部から加えた
磁界で磁化することによシ、磁気バブルを転送する方式
であシ、本発明は仁の方式の転送回路に関するものであ
る。
れる磁気バブル転送方式が主流として実用化されている
。これ線、パーマロイ薄Ｍ を−ｃッチングして形成し
たパターンを、パターン面内で回転する外部から加えた
磁界で磁化することによシ、磁気バブルを転送する方式
であシ、本発明は仁の方式の転送回路に関するものであ
る。
第１図（ａ） 、 （→はパーマロイ方式の磁気バブル
転送回路の一例を示したものである。同図において、１
ａ＊１ｂｉｊパーマロイ薄膜をエツチングして形成され
た非対称シェブロンパターン、ボーベックパターンであ
シ、これら同一種の各パターン１ａ＋１ｂが所定ギャッ
プｆを有し、多数個配列して形成されて磁気バブル転送
回路１が植成されている。
転送回路の一例を示したものである。同図において、１
ａ＊１ｂｉｊパーマロイ薄膜をエツチングして形成され
た非対称シェブロンパターン、ボーベックパターンであ
シ、これら同一種の各パターン１ａ＋１ｂが所定ギャッ
プｆを有し、多数個配列して形成されて磁気バブル転送
回路１が植成されている。
このようにオｉり成された磁気バブル転送回路１は、外
部から回転磁界）ｉｎが反時計廻ｐに回転して加えられ
ると、磁気バブルは左から右方向へ、つまシ矢印Ｐ方向
へ転送される。この場合、回転（磁界Ｈａが１回転する
と、磁気バブルは各基本パターン１ａ。
部から回転磁界）ｉｎが反時計廻ｐに回転して加えられ
ると、磁気バブルは左から右方向へ、つまシ矢印Ｐ方向
へ転送される。この場合、回転（磁界Ｈａが１回転する
と、磁気バブルは各基本パターン１ａ。
１ｂを１周期λ分転送される。また、同図（ａ）に示す
磁気バブル転送回路１を構成する非対称シェブロンパタ
ーン１ａはこのパターン１ａの相互間ギャップを部分の
方向Ｑが磁気バブル転送方向Ｐに対して直間して形成さ
れている。これに対して同図（ｂ）に示す磁気バブル転
送回路１はパターン１ｂの相互間ギャップ２部分の方向
が磁気バブル転送方向Ｐに対して斜交して形成されてい
る点にｑ！ｊ徴を有している。すなわち、この同図（ｂ
）に示す転送回路１のパターン１ｂは最小パターンの設
計ルールであるギャップ２の・大きさを、同図（ｂ）の
ギ〜Ｖツブ２の約２倍の寸法に大きくできる点に特徴が
あり、同図（）Ｌ）のパターン１ａの場合、最小パター
ンの設計ルールであるギャップ２を周期λの１／８に設
定する必要があるが、同図（ｂ）のパターン１ｂの１含
はギャップｆｚ（１／４）λに設定すれば良いことにな
る。
磁気バブル転送回路１を構成する非対称シェブロンパタ
ーン１ａはこのパターン１ａの相互間ギャップを部分の
方向Ｑが磁気バブル転送方向Ｐに対して直間して形成さ
れている。これに対して同図（ｂ）に示す磁気バブル転
送回路１はパターン１ｂの相互間ギャップ２部分の方向
が磁気バブル転送方向Ｐに対して斜交して形成されてい
る点にｑ！ｊ徴を有している。すなわち、この同図（ｂ
）に示す転送回路１のパターン１ｂは最小パターンの設
計ルールであるギャップ２の・大きさを、同図（ｂ）の
ギ〜Ｖツブ２の約２倍の寸法に大きくできる点に特徴が
あり、同図（）Ｌ）のパターン１ａの場合、最小パター
ンの設計ルールであるギャップ２を周期λの１／８に設
定する必要があるが、同図（ｂ）のパターン１ｂの１含
はギャップｆｚ（１／４）λに設定すれば良いことにな
る。
しかしながら、このような特徴を有している同図（１）
）に示す磁気バブル転送回路１は、磁気バブルメモリ素
子の高集積、高密度化の要請に対してパターン１ｂの周
期λを小さくしてゆくと、磁気バブル転送特性が劣化し
、バイアス磁界マージンが減少するという問題があった
。
）に示す磁気バブル転送回路１は、磁気バブルメモリ素
子の高集積、高密度化の要請に対してパターン１ｂの周
期λを小さくしてゆくと、磁気バブル転送特性が劣化し
、バイアス磁界マージンが減少するという問題があった
。
したがって本発明の目的は、基本パターン相互間のギャ
ップｆの方向Ｑが磁気バブル転送方向Ｐに対して斜交し
た磁気バブル転送回路において、基本パターンの周期λ
を縮小しても、実用上充分なバイアスマージンの得られ
る磁気バブル転送回路を提供することにある。
ップｆの方向Ｑが磁気バブル転送方向Ｐに対して斜交し
た磁気バブル転送回路において、基本パターンの周期λ
を縮小しても、実用上充分なバイアスマージンの得られ
る磁気バブル転送回路を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
転送パターンの高さＨと周期λとの比Ｖλを０．７以上
としたものである。以下図面を用いて本発明の詳細な説
明する。
転送パターンの高さＨと周期λとの比Ｖλを０．７以上
としたものである。以下図面を用いて本発明の詳細な説
明する。
第２図は本発明による磁気バブル転送回路の一例を示す
要部平面図であシ、第１図と同記号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、パターン１ｂの
磁気バブル転送方向Ｐの配列周期をλとし、このパター
ン１ｂの磁気バブル転送方向Ｐと直交する方向のパター
ン高さをＨとしたとき、このパターン高さＨとパターン
周期λとの比Ｈ＝ Ｖλを、従来の０．５から１．０ま
で変化させると、第３図に示すようにバイアス磁界マー
ジン幅ΔＨＢが大きくなることが発明者らの実験の結果
明らかとなった。したがって本発明はパターン１ｂがＲ
≧０．７となるように磁気バブル転送回路を（１ζ成し
たものである。
要部平面図であシ、第１図と同記号は同一要素となるの
でその説明は省略する。同図において、パターン１ｂの
磁気バブル転送方向Ｐの配列周期をλとし、このパター
ン１ｂの磁気バブル転送方向Ｐと直交する方向のパター
ン高さをＨとしたとき、このパターン高さＨとパターン
周期λとの比Ｈ＝ Ｖλを、従来の０．５から１．０ま
で変化させると、第３図に示すようにバイアス磁界マー
ジン幅ΔＨＢが大きくなることが発明者らの実験の結果
明らかとなった。したがって本発明はパターン１ｂがＲ
≧０．７となるように磁気バブル転送回路を（１ζ成し
たものである。
このような結成において、Ｒを０．７以上としたことに
よって、第３図から明らかなように従来のＲ＝０．５に
対して２倍以上と実用上充分に大きいバイアス磁界マー
ジンΔＨｓを得ることができる。
よって、第３図から明らかなように従来のＲ＝０．５に
対して２倍以上と実用上充分に大きいバイアス磁界マー
ジンΔＨｓを得ることができる。
である。
以上説すＪしたように本発明によれは、磁気バブルメモ
リ素子の高集積、高密度化に対応してパターン周期が小
さくなっても、実用上充分な磁気バブル転送特性が得ら
れるという極めて崎れた効果が得られる。
リ素子の高集積、高密度化に対応してパターン周期が小
さくなっても、実用上充分な磁気バブル転送特性が得ら
れるという極めて崎れた効果が得られる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来の磁気バブル転送回路
の一例を示す図、第２図は本発明による磁気バブル転送
回路の一例を示す図、第３図は第２図に示す磁気バブル
転送回路のパターン高さ）Ｉとパターン周期λとの比Ｈ
＝ ）ｋλに対するバイアス磁界マージン幅ΔＨＢの関
係を示す特性図である。 １・・・・磁気バブル転送回路、１ｂ・・・・パターン
。 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 ６
の一例を示す図、第２図は本発明による磁気バブル転送
回路の一例を示す図、第３図は第２図に示す磁気バブル
転送回路のパターン高さ）Ｉとパターン周期λとの比Ｈ
＝ ）ｋλに対するバイアス磁界マージン幅ΔＨＢの関
係を示す特性図である。 １・・・・磁気バブル転送回路、１ｂ・・・・パターン
。 第１図 （ｂ） 第２図 第３図 ６
Claims (1)
- 磁気バブル転送パターン相互間のギャップ方向が磁気バ
ブル転送方向に対して料量する磁気バブル転送回路にお
いて、前記パターンのかＡ気バブル転送方向と直間する
方向の畠さをＨとし該パターンの磁気バブル転送方向の
周期をλとしたとき、該パターンの篩さＨと周期λとの
比■ンλを０．７以上としたことを特徴とする磁気バブ
ル転送回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196016A JPS5987690A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブル転送回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196016A JPS5987690A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブル転送回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987690A true JPS5987690A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16350822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196016A Pending JPS5987690A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | 磁気バブル転送回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258790A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP57196016A patent/JPS5987690A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258790A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
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