JPS60185743A - ヒドロキシベンゾフエノン類の製造法 - Google Patents
ヒドロキシベンゾフエノン類の製造法Info
- Publication number
- JPS60185743A JPS60185743A JP59042770A JP4277084A JPS60185743A JP S60185743 A JPS60185743 A JP S60185743A JP 59042770 A JP59042770 A JP 59042770A JP 4277084 A JP4277084 A JP 4277084A JP S60185743 A JPS60185743 A JP S60185743A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- group
- catalyst
- benzoyl
- phenylbenzoate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸性イオン交換樹脂の存在下においてフェニル
ベンゾエートまたはその置換体を加熱し、結合するベン
ゾイル基をフェニル基側に転位させてヒドロキシベンゾ
フェノン類IJ造するか、あるいは酸性イオン交換樹脂
の存在下においてフェノールまたはその置換体および塩
化ベンゾイルを反応させ、そ第1.それのベンゾエート
を形成させたのち、継続して結合するベンゾイル基をフ
ェニル基側に転位させてヒドロキシペンゾフエノノf、
0 k製造する方法に関するものである。
ベンゾエートまたはその置換体を加熱し、結合するベン
ゾイル基をフェニル基側に転位させてヒドロキシベンゾ
フェノン類IJ造するか、あるいは酸性イオン交換樹脂
の存在下においてフェノールまたはその置換体および塩
化ベンゾイルを反応させ、そ第1.それのベンゾエート
を形成させたのち、継続して結合するベンゾイル基をフ
ェニル基側に転位させてヒドロキシペンゾフエノノf、
0 k製造する方法に関するものである。
従来、本反応はフリース反応として利用されており、フ
ァインケミカル工業における重要な反応で、その生成物
は床几な用途を有している。同反応は主として無水塩化
アルミニウムを触媒として処理されるが、その際使用さ
れる塩化アルミニウムの量は基質のベンゾエートに対し
て化学量論量が必要であり、実際には当該必要量よりも
過剰に用いる処理法が常法となっている。そのため大規
模な製造を行う場合、塩化アルミニウムは反応試剤と対
等の存在となり、その強い吸温性のもたらす活性の低下
あるいは反応終了後の廃酸処岬など操業上不利益な間鵬
を生ずる難点がある。
ァインケミカル工業における重要な反応で、その生成物
は床几な用途を有している。同反応は主として無水塩化
アルミニウムを触媒として処理されるが、その際使用さ
れる塩化アルミニウムの量は基質のベンゾエートに対し
て化学量論量が必要であり、実際には当該必要量よりも
過剰に用いる処理法が常法となっている。そのため大規
模な製造を行う場合、塩化アルミニウムは反応試剤と対
等の存在となり、その強い吸温性のもたらす活性の低下
あるいは反応終了後の廃酸処岬など操業上不利益な間鵬
を生ずる難点がある。
本発明者らはこれらの問題点を克服するために鋭意研究
を重ねた結果、乾燥した不活性ガスの流通下において酸
性イオン交換樹脂を触媒としてフェニルベンゾエートま
たはその置換体を加熱処理すれば転位反応が進行し、能
率よく所期のヒドロキノベンゾフェノン類を生成させる
ことができ、しかも使用したイオン交換樹脂も反応後に
回収でられるような問題点は発生せずに目的物が得られ
る事実を確認し/乙。
を重ねた結果、乾燥した不活性ガスの流通下において酸
性イオン交換樹脂を触媒としてフェニルベンゾエートま
たはその置換体を加熱処理すれば転位反応が進行し、能
率よく所期のヒドロキノベンゾフェノン類を生成させる
ことができ、しかも使用したイオン交換樹脂も反応後に
回収でられるような問題点は発生せずに目的物が得られ
る事実を確認し/乙。
本反応は不活性ガスの非流通下においても進行するが、
乾燥し/こ不活性ガス(窒素ガス、ヘリウムガス)の流
通d:副反応の防電、目的物の収率向−にに役立ち、本
発明において有益な手段である。
乾燥し/こ不活性ガス(窒素ガス、ヘリウムガス)の流
通d:副反応の防電、目的物の収率向−にに役立ち、本
発明において有益な手段である。
本発明において使用する基質としては、芳香核に電子求
引性置換基のみを有する構造の化合物を除くフェノール
類またはそれらのベンゾエートが含まれ、また触媒とし
てはフッ素化スルホン酸樹脂のほかポリスチレンスルホ
ン酸系樹脂を用いることができる。
引性置換基のみを有する構造の化合物を除くフェノール
類またはそれらのベンゾエートが含まれ、また触媒とし
てはフッ素化スルホン酸樹脂のほかポリスチレンスルホ
ン酸系樹脂を用いることができる。
本反応の終了後、触媒は反応生成物を適描な溶媒(たと
えばエタノール)に溶解して分離できる。
えばエタノール)に溶解して分離できる。
次にその分離した触媒樹脂を水洗し、乾燥すれば再び触
媒として同一反応に使用することが可能ですることが可
能であるが、基質に対して化学址論量以下でよく、0.
05〜02当量比でも十分に活性を示す。
媒として同一反応に使用することが可能ですることが可
能であるが、基質に対して化学址論量以下でよく、0.
05〜02当量比でも十分に活性を示す。
以下、実施例により詳細に説明する。
実施例1
気密かくけん装置内で乾燥窒素ガスを通しながう、レゾ
ルソンモノベンゾエート64gおよびフッ素化スルホン
酸樹脂(Nafion XR,) 15 Elを急速に
かくけんし160℃に昇温しで4時間加熱する。その後
冷却してエタノール200Iを加え熱濾過して樹脂を分
離し、続いてエタノールを蒸留回収する。得られた生成
物を熱りグロインで洗浄して不純物全除去し、最後に3
5チエタノールから再結晶−j−レバ2 、4−ジヒド
ロキシベンゾフェノン46Iが得られる。
ルソンモノベンゾエート64gおよびフッ素化スルホン
酸樹脂(Nafion XR,) 15 Elを急速に
かくけんし160℃に昇温しで4時間加熱する。その後
冷却してエタノール200Iを加え熱濾過して樹脂を分
離し、続いてエタノールを蒸留回収する。得られた生成
物を熱りグロインで洗浄して不純物全除去し、最後に3
5チエタノールから再結晶−j−レバ2 、4−ジヒド
ロキシベンゾフェノン46Iが得られる。
また、乾燥窒素ガスの代わりに乾燥ヘリウムガした装置
、操作に従ってかくけんしながらII(1’にに昇温し
て1晶化ベンゾイル42gを滴下する。次に同実施例の
条件で処理すれば、レノ゛ル/ンモノベンゾエ−1・生
成後継続してフリース転位に移行し2.4−)ヒドロギ
/ベノゾフエノン44gが(8らオし る。
、操作に従ってかくけんしながらII(1’にに昇温し
て1晶化ベンゾイル42gを滴下する。次に同実施例の
条件で処理すれば、レノ゛ル/ンモノベンゾエ−1・生
成後継続してフリース転位に移行し2.4−)ヒドロギ
/ベノゾフエノン44gが(8らオし る。
実/lfQ例3
実施例1に記載した製造方法において触媒樹脂にAmb
erlite 200 C18gを使用し、処理条件を
145°C16時間として反応させる。その他同実施例
の操作に従って処理すれば2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノン40gが得られる。
erlite 200 C18gを使用し、処理条件を
145°C16時間として反応させる。その他同実施例
の操作に従って処理すれば2,4−ジヒドロキシベンゾ
フェノン40gが得られる。
捷た、Amberlite 200 Cの代わりにAm
ber]、1te2 0 0 C1’、B 1o−Ra
d Ml’−5Q、Amberlyst 1 5 、A
、mberlite 252を使用する場合も2,4−
ジヒドロキシベンゾフェノンが得られる。収量はそれぞ
、れ40!?、40I、381.35I(上述の触媒と
同111)。
ber]、1te2 0 0 C1’、B 1o−Ra
d Ml’−5Q、Amberlyst 1 5 、A
、mberlite 252を使用する場合も2,4−
ジヒドロキシベンゾフェノンが得られる。収量はそれぞ
、れ40!?、40I、381.35I(上述の触媒と
同111)。
実施例4
実施例2に記載した製造方法において触媒樹脂にAmb
erlite 200 CI 8 g f使用し、その
他同実施例の操作に従い、塩化ベンゾイル滴下後の処理
条件を145℃、6時間として反応させると2.4−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン37gが得られる。
erlite 200 CI 8 g f使用し、その
他同実施例の操作に従い、塩化ベンゾイル滴下後の処理
条件を145℃、6時間として反応させると2.4−ジ
ヒドロキシベンゾフェノン37gが得られる。
また、Amberlite2(IQc (7)代わりに
Amberlite200 C’l”、 Bio−Ra
d MP−50、Amberlyst、 l 5、Am
berllte252を使用する場合覗2,4−ジヒド
ロキ/ベンゾフェノンが得られる。収鼠はそれぞれ;う
5g、35,9.35g、3:3&(l二連の触媒と同
順)。
Amberlite200 C’l”、 Bio−Ra
d MP−50、Amberlyst、 l 5、Am
berllte252を使用する場合覗2,4−ジヒド
ロキ/ベンゾフェノンが得られる。収鼠はそれぞれ;う
5g、35,9.35g、3:3&(l二連の触媒と同
順)。
実施例5
実施例1に記載1〜だ製造方法においてレゾル/ンモノ
ヘンゾエ−1・の代ワりにm−クレジルベンゾニー ト
ロ 3 g′f!:(’JL用し、反応時間を6時間と
してその他同様に処理する。最後に13〜+ 4 mm
11gで減圧蒸留し210〜220 ”にの留分を捕集
す第1ば2−メータレジルベ/ゾエー)63gを使用し
、その他同様の操作で処理する。得られた粗生成物を3
係水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、濾過後塩酸で再沈
殿する。最後に05%エタノールから再結晶すわば2−
ヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン33.9がイ(
すられる。
ヘンゾエ−1・の代ワりにm−クレジルベンゾニー ト
ロ 3 g′f!:(’JL用し、反応時間を6時間と
してその他同様に処理する。最後に13〜+ 4 mm
11gで減圧蒸留し210〜220 ”にの留分を捕集
す第1ば2−メータレジルベ/ゾエー)63gを使用し
、その他同様の操作で処理する。得られた粗生成物を3
係水酸化ナトリウム水溶液に溶解し、濾過後塩酸で再沈
殿する。最後に05%エタノールから再結晶すわば2−
ヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン33.9がイ(
すられる。
実施例7
実施例5に記載した製造方法において基質に〇−クレジ
ルベンゾエート63Iを使用し、反応温度を175℃と
して、その他同様の条件で操作する。
ルベンゾエート63Iを使用し、反応温度を175℃と
して、その他同様の条件で操作する。
最後に12〜1.5 mmJQで減圧蒸留し245〜2
55℃の留分を捕集すれば3−メチル−4〜ヒトロキ7
ペンゾフエノン30pがイ4すられる。
55℃の留分を捕集すれば3−メチル−4〜ヒトロキ7
ペンゾフエノン30pがイ4すられる。
実施例8
実施例1に記載した製造方法においてレゾル7ンモノヘ
ンソ工−トノ代ワリにフェニルベンツエート59gを使
用し、その他同様の操作に従って処理する。最後に20
〜23 mmr−tlで減圧蒸留し205〜2’50℃
)留分全捕集すればヒドロキシベンツ゛フェノン34.
9が得られる。得られた生成物dガスクロマトグラフィ
ーによる分析の結果、4−ヒドロキシへ7171775
9%、2−ヒトロキ7ベンゾフエノン41%からなるこ
とを確認した。
ンソ工−トノ代ワリにフェニルベンツエート59gを使
用し、その他同様の操作に従って処理する。最後に20
〜23 mmr−tlで減圧蒸留し205〜2’50℃
)留分全捕集すればヒドロキシベンツ゛フェノン34.
9が得られる。得られた生成物dガスクロマトグラフィ
ーによる分析の結果、4−ヒドロキシへ7171775
9%、2−ヒトロキ7ベンゾフエノン41%からなるこ
とを確認した。
実施例9
実施例1に記載した製造方法において基質にピロガロー
ルモノベンゾエート69.9i1[L、その他同様の操
作に従って処理する。最後に粗生成物を25%エタノー
ルから再結晶す第1.ば2.3.4−トリヒドロギンベ
ンゾフェノ755gが得られる。
ルモノベンゾエート69.9i1[L、その他同様の操
作に従って処理する。最後に粗生成物を25%エタノー
ルから再結晶す第1.ば2.3.4−トリヒドロギンベ
ンゾフェノ755gが得られる。
実施例10
実施例2に記載した・μs造方法においてレゾルノンの
代わりにピロカロール38g?:使用し、塩化ベンゾイ
ルを滴トする際の温要を135 ”(:として、その他
同実施例の条件で処理1する。最後に得られた粗生成物
を25%エタノールからCJ結晶すれば2゜3 、4−
トリヒドロキノベンゾフェノン51.9が得られる。
代わりにピロカロール38g?:使用し、塩化ベンゾイ
ルを滴トする際の温要を135 ”(:として、その他
同実施例の条件で処理1する。最後に得られた粗生成物
を25%エタノールからCJ結晶すれば2゜3 、4−
トリヒドロキノベンゾフェノン51.9が得られる。
p //fli例11
実施例2に記載し、た製造方法においてレゾルノンの代
わりにカテコール33gを使用し、反応温度を+ 70
”(:として、その他同様に処理する。最後に粗生成
物を15係エタノールから再結晶すれば3 、4−−−
ジヒドロキ/ベンゾフェノン16gが得う第1る。
わりにカテコール33gを使用し、反応温度を+ 70
”(:として、その他同様に処理する。最後に粗生成
物を15係エタノールから再結晶すれば3 、4−−−
ジヒドロキ/ベンゾフェノン16gが得う第1る。
実施例12
実施例11に記載した仰造方法においてカテコールの代
わりにハイドロキノン33gを使用し、反応温度を18
0°C1反応時間を10時間とし2て、その他同様の操
作に従って処理する。最後に得られた粗生成物を35%
エタノールから再結晶すオしば2゜5−ジヒドロキ/ベ
ンゾフェノン9gが得られる。
わりにハイドロキノン33gを使用し、反応温度を18
0°C1反応時間を10時間とし2て、その他同様の操
作に従って処理する。最後に得られた粗生成物を35%
エタノールから再結晶すオしば2゜5−ジヒドロキ/ベ
ンゾフェノン9gが得られる。
実施例13゜
実施例1に記載した製造方法において基:gt VC3
−メチル−490ロフエニルベンゾエート749を使用
し、反応温度f:175°C1反応時間を6時間として
、その他同様の操作に従って処理するっ最後に粗生成物
を95係エタノールから用結晶すれば2−ヒドロキシ−
4−メチル−5−クロロベンゾフェノン34〃が得られ
る。
−メチル−490ロフエニルベンゾエート749を使用
し、反応温度f:175°C1反応時間を6時間として
、その他同様の操作に従って処理するっ最後に粗生成物
を95係エタノールから用結晶すれば2−ヒドロキシ−
4−メチル−5−クロロベンゾフェノン34〃が得られ
る。
実施例I4
実施例2に記載した製造方法においてレゾルノンの代わ
りにチモール45 ’&を使用し、反応温1現を175
°Cとして、その他同様に処理する。最後に粗生成物を
ベンゼンから再結晶すgば2−メチル−4−ヒドロキシ
−5−イソプロビルベンシフエノン23gが得られる。
りにチモール45 ’&を使用し、反応温1現を175
°Cとして、その他同様に処理する。最後に粗生成物を
ベンゼンから再結晶すgば2−メチル−4−ヒドロキシ
−5−イソプロビルベンシフエノン23gが得られる。
実施例15゜
実施例I4に記載した製造方法においてチモールの代わ
りにカルバクロール45gを使用し、その地回様に処理
する。最後に粗生成物をベンゼンから町結晶すれば2−
イソプロピル−4−ヒドロキソ−5−メチルベ/シフエ
ノン21.9がVlられる。
りにカルバクロール45gを使用し、その地回様に処理
する。最後に粗生成物をベンゼンから町結晶すれば2−
イソプロピル−4−ヒドロキソ−5−メチルベ/シフエ
ノン21.9がVlられる。
Claims (2)
- (1)不活性カスの流通Fにおいて酸性イオン交換樹脂
を触媒とし、フェニルベンゾエートまfコ&iIg7換
フェニルベンゾエート(たfrlシ、電子求引性基のみ
を置換基として廟する化合物を除く)全加熱してそのベ
ンゾイル基をフェニル基側に転位させることを特徴とす
るヒトaキ/べ/シフエノン類の製造法。 - (2) 不活性ガスの流通下において酸性イオン交換樹
lIi′Tを触媒と(〜、フェノール捷たは置換フェノ
ール(ただし、電子求引性基のみを置換基とし、て七す
る化合物を除く)および、塩化ベンゾイル基ル熱してそ
れぞれのベンゾエートをLl−成させ、さらに継続して
それらのベンゾイル基をフェニル基11111に転位さ
せることを特徴とするヒト゛ロギシベンゾフエノン類の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042770A JPS60185743A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | ヒドロキシベンゾフエノン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042770A JPS60185743A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | ヒドロキシベンゾフエノン類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185743A true JPS60185743A (ja) | 1985-09-21 |
| JPH0460979B2 JPH0460979B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12645204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042770A Granted JPS60185743A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | ヒドロキシベンゾフエノン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185743A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49251A (ja) * | 1972-04-17 | 1974-01-05 | ||
| JPS4988844A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-24 |
-
1984
- 1984-03-06 JP JP59042770A patent/JPS60185743A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49251A (ja) * | 1972-04-17 | 1974-01-05 | ||
| JPS4988844A (ja) * | 1972-12-29 | 1974-08-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460979B2 (ja) | 1992-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |