JPS60187047A - 厚膜回路基板の製造方法 - Google Patents
厚膜回路基板の製造方法Info
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- JPS60187047A JPS60187047A JP59043422A JP4342284A JPS60187047A JP S60187047 A JPS60187047 A JP S60187047A JP 59043422 A JP59043422 A JP 59043422A JP 4342284 A JP4342284 A JP 4342284A JP S60187047 A JPS60187047 A JP S60187047A
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビジョン受像機やビデオテープレコーダな
どの一般電子機器に用いられる厚膜回路基板の製造方法
に関するものである。
どの一般電子機器に用いられる厚膜回路基板の製造方法
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、電子機器の１軽薄短小」化や高性能化をはかるこ
とを目的として、それらの電子回路の構成に厚膜回路基
板を用いた混成集積回路モジュールが多く使用されるよ
うになってきた。このモジュールにつかわれる回路基板
としてはフェノール樹脂やエポキシ樹脂などから成る合
成樹脂基板が使われているがこれらの回路基板では十分
な特性が得られず従って厚膜回路基板の多くは、アルミ
ナなどのセラミック基板の表面に主として銀−ノζラジ
ウム系の金属により導体回路を構成し、その同一面上に
酸化ルテニウム系の材料により抵抗体を構成したもので
あるが、昨今はモジュールの小型高密度化をはかること
を狙いとしてセラミック絶縁基板の表裏両面を利用して
回路導体層と抵抗体層を形成し、表裏の配線回路をアル
ミナ基板にあけた貫通孔に導体層を形成することにより
接続したものである。
とを目的として、それらの電子回路の構成に厚膜回路基
板を用いた混成集積回路モジュールが多く使用されるよ
うになってきた。このモジュールにつかわれる回路基板
としてはフェノール樹脂やエポキシ樹脂などから成る合
成樹脂基板が使われているがこれらの回路基板では十分
な特性が得られず従って厚膜回路基板の多くは、アルミ
ナなどのセラミック基板の表面に主として銀−ノζラジ
ウム系の金属により導体回路を構成し、その同一面上に
酸化ルテニウム系の材料により抵抗体を構成したもので
あるが、昨今はモジュールの小型高密度化をはかること
を狙いとしてセラミック絶縁基板の表裏両面を利用して
回路導体層と抵抗体層を形成し、表裏の配線回路をアル
ミナ基板にあけた貫通孔に導体層を形成することにより
接続したものである。
このような両面厚膜回路基板は一般に第１図Ａ〜Ｄに示
す製造工程を経て作られている。
す製造工程を経て作られている。
すなわち、第１図Ａに示すようにセラミック絶縁基板１
に貫通孔２をあけ、次いで第１図Ｂに示すようにセラミ
ック絶縁基板１０表裏両面に銀−パラジウムなどの貴金
属粉末をガラスフリットと樹脂バインダーで混合した導
体ペーストをそれぞれ配線回路状に塗布するとともに、
貫通孔２の中にもこの導体ペーストを充填して高温焼成
することによシ回路導体層３，３′を形成し、さらに第
１図Ｃに示すように回路導体層の一方の面に酸化ルテニ
ウムから成るグレーズ系の抵抗ペーストを塗布し、高温
焼成することによシ抵抗層４を形成し、しかる後に第１
図りに示すように抵抗層４と回路導体層３，３′の一部
にガラス絶縁ペーストを塗布して絶縁体層６，６′それ
ぞれ形成する工程を経て作られたものである。
に貫通孔２をあけ、次いで第１図Ｂに示すようにセラミ
ック絶縁基板１０表裏両面に銀−パラジウムなどの貴金
属粉末をガラスフリットと樹脂バインダーで混合した導
体ペーストをそれぞれ配線回路状に塗布するとともに、
貫通孔２の中にもこの導体ペーストを充填して高温焼成
することによシ回路導体層３，３′を形成し、さらに第
１図Ｃに示すように回路導体層の一方の面に酸化ルテニ
ウムから成るグレーズ系の抵抗ペーストを塗布し、高温
焼成することによシ抵抗層４を形成し、しかる後に第１
図りに示すように抵抗層４と回路導体層３，３′の一部
にガラス絶縁ペーストを塗布して絶縁体層６，６′それ
ぞれ形成する工程を経て作られたものである。
ところがこのような製造方法による厚膜回路基板では、
セラミック絶縁基板に設け／＋１．貫通孔内に導体ペー
ストをスクリーン印刷法により充填するが、この方法で
は貫通孔へ確実に導体ペーストを充すことが極めて困難
であるためその修正作業に大きな労力を要し、かつ接続
が不安定になりやすいことからスルーホール接続の信頼
性が乏しいという欠点があった。
セラミック絶縁基板に設け／＋１．貫通孔内に導体ペー
ストをスクリーン印刷法により充填するが、この方法で
は貫通孔へ確実に導体ペーストを充すことが極めて困難
であるためその修正作業に大きな労力を要し、かつ接続
が不安定になりやすいことからスルーホール接続の信頼
性が乏しいという欠点があった。
また一方、このような方法により得られる厚膜回路基板
では、その導体材料に主として銀−パラジウムを使わな
ければならないが、これらの貴金属材料は極めて高価に
つくとともに、銀糸導体材料特有の問題点として、この
厚膜回路基板を使ってモジュールを構成してゆくだめの
はんだづけ工程でいわゆ２銀が溶融したはんだに喰われ
るいわゆる銀喰われ不良や、湿中負荷による銀導体のマ
イグレーションが起り、回路導体間の短絡不良が発生し
やすいなどの欠点があった。
では、その導体材料に主として銀−パラジウムを使わな
ければならないが、これらの貴金属材料は極めて高価に
つくとともに、銀糸導体材料特有の問題点として、この
厚膜回路基板を使ってモジュールを構成してゆくだめの
はんだづけ工程でいわゆ２銀が溶融したはんだに喰われ
るいわゆる銀喰われ不良や、湿中負荷による銀導体のマ
イグレーションが起り、回路導体間の短絡不良が発生し
やすいなどの欠点があった。
発明の目的
本発明の目的は、前記欠点に鑑み、スルーホール接続が
確実にできてその接続の信頼性が極めてすぐれ、かつ回
路導体層の特性にもすぐれた厚膜回路基板の製造方法を
提供することである。
確実にできてその接続の信頼性が極めてすぐれ、かつ回
路導体層の特性にもすぐれた厚膜回路基板の製造方法を
提供することである。
発明の構成
前記目的を達成するだめに本発明は、セラミック絶縁基
板の所定の位置に貫通孔をあけて活性化処理を行い、こ
のセラミック絶縁基板の表裏両面に所望の回路図形状に
グレーズ系の導電ペーストと、必要により少くともその
一方の主面上にグレーズ系の抵抗体ペーストを塗布し、
高温焼成することにより、導体層と、抵抗体層をそれぞ
れ形成する工程、貫通孔と導体層の一部分が露出するよ
うに他の面に耐めっき性を有する絶縁性レジスト層を形
成する工程、露出した貫通孔内壁部と回路導体層の一部
に無電解めっき法により導電金属層を形成する工程を経
て作るものである。
板の所定の位置に貫通孔をあけて活性化処理を行い、こ
のセラミック絶縁基板の表裏両面に所望の回路図形状に
グレーズ系の導電ペーストと、必要により少くともその
一方の主面上にグレーズ系の抵抗体ペーストを塗布し、
高温焼成することにより、導体層と、抵抗体層をそれぞ
れ形成する工程、貫通孔と導体層の一部分が露出するよ
うに他の面に耐めっき性を有する絶縁性レジスト層を形
成する工程、露出した貫通孔内壁部と回路導体層の一部
に無電解めっき法により導電金属層を形成する工程を経
て作るものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例における厚膜回路基板
の製造方法を説明するための主要製造工程図である。
の製造方法を説明するための主要製造工程図である。
第２図において、６はセラミック絶縁基板、７は貫通孔
、８は活性化層、９，９′は厚ｎ々回路導体層１０は厚
膜抵抗体層、１１．１１’は絶縁レジスト層、１２は導
電金属層である。
、８は活性化層、９，９′は厚ｎ々回路導体層１０は厚
膜抵抗体層、１１．１１’は絶縁レジスト層、１２は導
電金属層である。
以上のように構成された厚膜回路基板について以下その
実施例を詳細に述べることにする。
実施例を詳細に述べることにする。
本実施例による厚膜回路基板は先づ第２図Ａに示すよう
に、アルミナなどのセラミック絶縁基板６の必要個所に
レーザーや、アルミナを生シートの状態で金型を用いて
貫通孔７をあけ高温焼成したセラミック絶縁基板を用い
て、これを塩化第１スズと、塩化パラジウムの塩酸酸性
溶液に順次浸漬することにより、第２図Ｂに示すように
貫通孔γを含むセラミック絶縁基板の全面に金属パラジ
ウムの微粒子核から成る活性化層８を付着した。
に、アルミナなどのセラミック絶縁基板６の必要個所に
レーザーや、アルミナを生シートの状態で金型を用いて
貫通孔７をあけ高温焼成したセラミック絶縁基板を用い
て、これを塩化第１スズと、塩化パラジウムの塩酸酸性
溶液に順次浸漬することにより、第２図Ｂに示すように
貫通孔γを含むセラミック絶縁基板の全面に金属パラジ
ウムの微粒子核から成る活性化層８を付着した。
そして、第２図Ｃに示すように、活性処理を施こしたセ
ラミック絶縁基板６の表裏両面に銅、銀。
ラミック絶縁基板６の表裏両面に銅、銀。
銀−白金、銀−パラジウムの微粉末をガラスフリソトと
樹脂バインダーに混合してペースト状とした導電ペース
トを用いてスクリーン印刷法によシ所望の配線回路図形
状にそれぞれ塗布し、ＳＯＯ〜８６０℃の高温で焼成す
ることにより厚膜回路導体層９，９′を形成した。
樹脂バインダーに混合してペースト状とした導電ペース
トを用いてスクリーン印刷法によシ所望の配線回路図形
状にそれぞれ塗布し、ＳＯＯ〜８６０℃の高温で焼成す
ることにより厚膜回路導体層９，９′を形成した。
この場合、導電ペーストを高温焼成する際、活性化処理
により付着した金属パラジウムの微粒子核から成る活性
化層８は何ら影響なく、むしろ熱処理によりセラミック
絶縁基板６との密着性が向することが明らかとなった。
により付着した金属パラジウムの微粒子核から成る活性
化層８は何ら影響なく、むしろ熱処理によりセラミック
絶縁基板６との密着性が向することが明らかとなった。
次に、第２図りに示すように、厚膜回路導体層９．９′
を形成したセラミック絶縁基板６の少くとも一方の面に
、酸化ルテニウムをガラス７リツトと樹脂バインダーで
混合した抵抗ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
、これをＳＯＯ〜８５０℃の高温焼成することにより厚
膜抵抗体層１０を形成した。
を形成したセラミック絶縁基板６の少くとも一方の面に
、酸化ルテニウムをガラス７リツトと樹脂バインダーで
混合した抵抗ペーストをスクリーン印刷法により塗布し
、これをＳＯＯ〜８５０℃の高温焼成することにより厚
膜抵抗体層１０を形成した。
この場合、厚膜抵抗体層の下面には金属パラジウムの微
粒子核から成る活性化層８が残存しているがこれによる
抵抗体への影響は特にない。また厚膜抵抗体１０は、そ
の抵抗値の調整をレーザートリミング技術を利用して行
った。このようにして、セラミック絶縁基板６の表裏両
面に厚膜回路導体層９，９′と、一方の面に厚膜抵抗体
層１゜を形成したものを、第２図Ｅに示すように、貫通
孔７とその周辺部の厚膜回路導体層９，９′の一部が露
出するように、絶縁性レジスト１１，１１′をセラミッ
ク絶縁基板の表裏両面にスクリーン印刷法によってそれ
ぞれ塗布乾燥した後で、この基板を無電解めっき液に浸
漬し、第２図下に示すように、貫通孔７の内壁面とその
周辺部に露出した厚膜回路導体層面９，９′に導電金属
層１２を析出させることにより、セラミック絶縁基板６
０表裏面に形成した厚膜回路導体層９，９′を貫通孔７
を通して電気的に接続したいわゆる両面厚膜回路基板を
作った。
粒子核から成る活性化層８が残存しているがこれによる
抵抗体への影響は特にない。また厚膜抵抗体１０は、そ
の抵抗値の調整をレーザートリミング技術を利用して行
った。このようにして、セラミック絶縁基板６の表裏両
面に厚膜回路導体層９，９′と、一方の面に厚膜抵抗体
層１゜を形成したものを、第２図Ｅに示すように、貫通
孔７とその周辺部の厚膜回路導体層９，９′の一部が露
出するように、絶縁性レジスト１１，１１′をセラミッ
ク絶縁基板の表裏両面にスクリーン印刷法によってそれ
ぞれ塗布乾燥した後で、この基板を無電解めっき液に浸
漬し、第２図下に示すように、貫通孔７の内壁面とその
周辺部に露出した厚膜回路導体層面９，９′に導電金属
層１２を析出させることにより、セラミック絶縁基板６
０表裏面に形成した厚膜回路導体層９，９′を貫通孔７
を通して電気的に接続したいわゆる両面厚膜回路基板を
作った。
なお、第２図Ｅの工程で使用する絶縁レジスト１１．１
１’ としては耐薬品性を有し、無電解めっきに対して
十分に耐えることが必要であるが、その他に厚膜抵抗体
層１０に悪影響をおよＩ！さないことが必要不可欠であ
るが、このような目的に合致する絶縁レジタ）１１．１
１’ として本実施例では、エポキシ樹脂やアクリル樹
脂、シリコン樹脂、環化ゴム系ポリブタジェン樹脂など
の有機系材料の他にガラスなどの無機質系の材料も使用
した。また−１方、この工程で使用する絶縁レジスト１
１として他の実施例では、無電解めっき後に容易にはく
離除去ができる性質のレジスト材料を用いた。そして無
電解めっき後にレジスト１１を除去してから厚膜抵抗体
層１０の抵抗値をレーザートリミング法で行ない、最終
的に樹脂系の永久絶縁レジタ、ト層を形成した。無電解
めっきについては、本実施例ではニッケルと銅の無電解
めっきさらにはニッケルと銅の２層のめっきを行なった
が、いずれの導電金属層１２も厚膜回路導体層９゜９′
と一貫通孔内壁面の活性化層８との密着性は極めて良好
であった。
１’ としては耐薬品性を有し、無電解めっきに対して
十分に耐えることが必要であるが、その他に厚膜抵抗体
層１０に悪影響をおよＩ！さないことが必要不可欠であ
るが、このような目的に合致する絶縁レジタ）１１．１
１’ として本実施例では、エポキシ樹脂やアクリル樹
脂、シリコン樹脂、環化ゴム系ポリブタジェン樹脂など
の有機系材料の他にガラスなどの無機質系の材料も使用
した。また−１方、この工程で使用する絶縁レジスト１
１として他の実施例では、無電解めっき後に容易にはく
離除去ができる性質のレジスト材料を用いた。そして無
電解めっき後にレジスト１１を除去してから厚膜抵抗体
層１０の抵抗値をレーザートリミング法で行ない、最終
的に樹脂系の永久絶縁レジタ、ト層を形成した。無電解
めっきについては、本実施例ではニッケルと銅の無電解
めっきさらにはニッケルと銅の２層のめっきを行なった
が、いずれの導電金属層１２も厚膜回路導体層９゜９′
と一貫通孔内壁面の活性化層８との密着性は極めて良好
であった。
なお、本実施例においては、パラジウムの微粒子核から
成る活性化層８は全てセラミック絶縁基板上に最後まで
残存するが、たとえ活性化層８が残存しても、その絶縁
特性には何ら影響ないことが確認できた。
成る活性化層８は全てセラミック絶縁基板上に最後まで
残存するが、たとえ活性化層８が残存しても、その絶縁
特性には何ら影響ないことが確認できた。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明による厚膜回路
基板は、セラミック絶縁基板に貫通孔をあけ、活性化処
理を行ってから、セラミック絶縁基板の表裏両面に厚膜
回路導体層と一方の面に厚膜抵抗体層を形成し、必要な
部分に耐無電解めっき性のレジスト層を形成した後で無
電解めっきを行うことにより、貫通孔内壁面と厚膜回路
導体層の一部に導電金属層を析出させる方法により作ら
れたものである。
基板は、セラミック絶縁基板に貫通孔をあけ、活性化処
理を行ってから、セラミック絶縁基板の表裏両面に厚膜
回路導体層と一方の面に厚膜抵抗体層を形成し、必要な
部分に耐無電解めっき性のレジスト層を形成した後で無
電解めっきを行うことにより、貫通孔内壁面と厚膜回路
導体層の一部に導電金属層を析出させる方法により作ら
れたものである。
従って、本発明による厚膜回路基板は無電解めつき法に
よりスルーホールめっきを行うために、セラミック絶縁
基板表裏の厚膜回路導体間の接続を確実に行うことがで
きその接続の信頼性は極めて高く、さらには表面に露出
する厚膜回路導体層は無電解めっきで析出した導電金属
層により構成されるため、はんだづけによる銀〈われや
耐湿角＼ 穂による銀のマクブレーションなど、従来例で使用した
銀至導体材料の欠点は全て解消できるなどの効果が得ら
れた。
よりスルーホールめっきを行うために、セラミック絶縁
基板表裏の厚膜回路導体間の接続を確実に行うことがで
きその接続の信頼性は極めて高く、さらには表面に露出
する厚膜回路導体層は無電解めっきで析出した導電金属
層により構成されるため、はんだづけによる銀〈われや
耐湿角＼ 穂による銀のマクブレーションなど、従来例で使用した
銀至導体材料の欠点は全て解消できるなどの効果が得ら
れた。
第１図Ａ−Ｄは従来例による厚膜回路基板の製造工程図
、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例における厚膜回路基
板の製造方法を示す製造工程図である。 ６・・・・・・セラミック絶縁基板、７・・・・・・貫
通孔、８・・・・・・活性化層、 ９ 、９’・・・・
・・厚膜回路導体層、１０・・・・・・厚膜抵抗体層、
１１．１１’・・・・・・絶縁レジスト層、１２・・・
・・・導電金属層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５′３′
、第２図Ａ−Ｆは本発明の一実施例における厚膜回路基
板の製造方法を示す製造工程図である。 ６・・・・・・セラミック絶縁基板、７・・・・・・貫
通孔、８・・・・・・活性化層、 ９ 、９’・・・・
・・厚膜回路導体層、１０・・・・・・厚膜抵抗体層、
１１．１１’・・・・・・絶縁レジスト層、１２・・・
・・・導電金属層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５′３′
Claims (2)
- （１） セラミック絶縁基板の所定の位置に貫通孔をあ
け、前記セラミック絶縁基板に活性化処理を行う工程、
前記セラミック絶縁基板の表裏両面に所望の回路図形状
にグレーズ系の導電ペーストと、必要により少くともそ
の一方の主面上にグレーズ系の抵抗体ペーストをそれぞ
れ塗布し、高温焼成することにより導体層と抵抗体をそ
れぞれ形成する工程、前記貫通孔と導体層の一部が露出
するように他の面に耐めっき性を有する絶縁レジスト層
を形成する工程、前記露出した貫通孔内壁部と回路導体
層の一部に無電解めっき法により導電金属層を形成する
工程から成る厚膜回路基板の製造方法。 - （２）耐めっき性のレジストとして容易に剥離可能なレ
ジストを使用する特許請求の範囲第１項記載の厚膜回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59043422A JPS60187047A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59043422A JPS60187047A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60187047A true JPS60187047A (ja) | 1985-09-24 |
Family
ID=12663260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59043422A Pending JPS60187047A (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 厚膜回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60187047A (ja) |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59043422A patent/JPS60187047A/ja active Pending
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