JPS601882A - 半導体光集積回路 - Google Patents
半導体光集積回路Info
- Publication number
- JPS601882A JPS601882A JP58109975A JP10997583A JPS601882A JP S601882 A JPS601882 A JP S601882A JP 58109975 A JP58109975 A JP 58109975A JP 10997583 A JP10997583 A JP 10997583A JP S601882 A JPS601882 A JP S601882A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- optical integrated
- integrated circuit
- semiconductor optical
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体光集積回路に関するものである。
従来より汎く用いられている光増幅回路を第１図に示す
。第１図の回路は発光素子、受光素子、１４Ｔ等の個々
の素子より構成されている。そのため素子全体のザイズ
は大きく、重１１１：も重い。実用上軽量コンパクト化
が望まれ、これを実現するには集積化が必要である。
。第１図の回路は発光素子、受光素子、１４Ｔ等の個々
の素子より構成されている。そのため素子全体のザイズ
は大きく、重１１１：も重い。実用上軽量コンパクト化
が望まれ、これを実現するには集積化が必要である。
本発明は、上記の課題を解決する半導体光集積回路の４
１４造を提供するものであり、光増幅機能をそなえた光
集積回路である。
１４造を提供するものであり、光増幅機能をそなえた光
集積回路である。
本発明は、同一半導体基板」−に１個の発光素子と２個
のＦＥＴを形成し、上記ＦＥＴＱ内第１０ＦＥＴは所定
の電流を発光素子に流すドライバーとして用い、この第
１０Ｆ’ＥＴと並列接続にある第２のＦＥＴを受光器か
つ増幅器とした構造を有する光集積回路である。
のＦＥＴを形成し、上記ＦＥＴＱ内第１０ＦＥＴは所定
の電流を発光素子に流すドライバーとして用い、この第
１０Ｆ’ＥＴと並列接続にある第２のＦＥＴを受光器か
つ増幅器とした構造を有する光集積回路である。
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第２図は本発明の光集積素子の構造を示丈。
まず１ｎＰ半絶縁基板ｌ」二にｐ−ＩｎＰクラッド層２
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｎ−１ｎＰクラッド層
１、からなる半導体レーザを形成し、その上にＩ ｎＧ
ａＡｓ 動作層５、ｐ−ＩｎＰ ）’ｈ ”を有し、ソ
ースＳ＋７＋ゲートＧ１９、ドレインＤ＋１２ からな
る第１の接合型ＦＥＴを形成し、そしてソース５２１０
．ゲー）Ｇｇ、１１． ドレインＤ２１３からなる第２
の接合型ＦＥＴを形成する。
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｎ−１ｎＰクラッド層
１、からなる半導体レーザを形成し、その上にＩ ｎＧ
ａＡｓ 動作層５、ｐ−ＩｎＰ ）’ｈ ”を有し、ソ
ースＳ＋７＋ゲートＧ１９、ドレインＤ＋１２ からな
る第１の接合型ＦＥＴを形成し、そしてソース５２１０
．ゲー）Ｇｇ、１１． ドレインＤ２１３からなる第２
の接合型ＦＥＴを形成する。
第１の接合型ＦＥＴは半導体レーザに所定の電流を流す
ドライバーであり、所定の電流例えばレーザ発振しきい
値電流量が得られるようにゲー１−Ｇｘ９に電圧を印加
しておく。他方第２の接合型ＦＥＴにはゲー）Ｇ２１．
１に適当な電圧例えば電流がピンチオフされる電圧を印
加しておき、ゲー）Ｇｇｌｌ近くに外部から光信号を入
射することによりゲー）Ｇ２１１下のＮ−１ｎＧａＡｓ
動作層５内空乏層が変調々 を聯１１、第２の接合型ＦＥＴに光信号により増ｒｌＪ
された電流が流れるようにする。その結果半導体レーザ
にレーザ発振しきい値電流以上の電流が流れれても良い
。
ドライバーであり、所定の電流例えばレーザ発振しきい
値電流量が得られるようにゲー１−Ｇｘ９に電圧を印加
しておく。他方第２の接合型ＦＥＴにはゲー）Ｇ２１．
１に適当な電圧例えば電流がピンチオフされる電圧を印
加しておき、ゲー）Ｇｇｌｌ近くに外部から光信号を入
射することによりゲー）Ｇ２１１下のＮ−１ｎＧａＡｓ
動作層５内空乏層が変調々 を聯１１、第２の接合型ＦＥＴに光信号により増ｒｌＪ
された電流が流れるようにする。その結果半導体レーザ
にレーザ発振しきい値電流以上の電流が流れれても良い
。
以上の本発明の説明においては、説明上接合型ＦＥＴを
用いたが、シコトキー型ＦＥＴでも同様の効果が得られ
、この場合ｐ−ＩｎＰｆｆ４８を除去した構造となる。
用いたが、シコトキー型ＦＥＴでも同様の効果が得られ
、この場合ｐ−ＩｎＰｆｆ４８を除去した構造となる。
又発光素子として、半導体レーゾ“を用いたが、発光ダ
イオードの場合も同様であり、レーザ発振しきい値電流
以下て使用すれば発光ダイオードになる。
イオードの場合も同様であり、レーザ発振しきい値電流
以下て使用すれば発光ダイオードになる。
以上述べた如く、本発明に従えば、同−半絶縁性半導体
基板上に１個の発光素子と２個のＦＥＴを形成し、その
内１個のＦＥＴに受光器かつ増幅器の機能を持たせるこ
とにより、光増幅機能をそなえた光集積回路であり、光
増幅器の軽Ｉｉ）、コンバクＩ・化を実現させることが
可能である。
基板上に１個の発光素子と２個のＦＥＴを形成し、その
内１個のＦＥＴに受光器かつ増幅器の機能を持たせるこ
とにより、光増幅機能をそなえた光集積回路であり、光
増幅器の軽Ｉｉ）、コンバクＩ・化を実現させることが
可能である。
又この構造は他の半導体材料であるＧａ ｌ −Ｘ Ａ
ｊ’ｘＡｓ系、Ｉｎ１−ｘＧａ）（Ａｓｈ−ｙＳｂｙ系
、Ｇａ１−ｘ／ＶｘＡｓ＋ −ｙ Ｓｂｙ系等にも適用
でき容易に類推可能である。１
ｊ’ｘＡｓ系、Ｉｎ１−ｘＧａ）（Ａｓｈ−ｙＳｂｙ系
、Ｇａ１−ｘ／ＶｘＡｓ＋ −ｙ Ｓｂｙ系等にも適用
でき容易に類推可能である。１
第１図は従来の光増ｒｌｊ回路を示す図であり、第２図
は本発明の光集積素子構造を示す図である。 図中、 １・・・ＩｎＰ半絶縁基板 ２・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３ ・・・ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５− ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ 動作層 ６・・・ｐ側ＡｕＺｎ 電極 ７・・・ソース電極（Ｓｌ） ８・・・ｐ−ＩｎＰ層 ９・・・ゲート電極（Ｇｌ） １０・・・ソース電極（Ｓ２） １１・・・ゲート電極（Ｇ２） １２ ・・・ ドレイン電極（Ｄｌ） １３ ・・・ ドレイン電極（Ｄ２） 第１回 第２図
は本発明の光集積素子構造を示す図である。 図中、 １・・・ＩｎＰ半絶縁基板 ２・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３ ・・・ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ４ ・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰクラッド層５− ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓ 動作層 ６・・・ｐ側ＡｕＺｎ 電極 ７・・・ソース電極（Ｓｌ） ８・・・ｐ−ＩｎＰ層 ９・・・ゲート電極（Ｇｌ） １０・・・ソース電極（Ｓ２） １１・・・ゲート電極（Ｇ２） １２ ・・・ ドレイン電極（Ｄｌ） １３ ・・・ ドレイン電極（Ｄ２） 第１回 第２図
Claims (1)
- （１）半導体光集積回路において、 （ａ）同一半絶縁性半導体基板上に１個の発光素子と２
個の電界効果型トランジスク（ＦＥＴ ）を形成し、 （ｂ）第］のＦＥＴは所定の電流を発光素子に流すドラ
イバーとして用い、 （ｃ）第２のＦＥＴは、その動作層のバンドギャップエ
ネルギーを受光の光子エネルギーよりも小さく取ること
により、受光器かつ増ｒｌｊ器として用い、（ｄ）前記
第１、第２０ＦＥＴは互いに並列に接続し、発光素子に
対し直列に接２続した構造を有するようにしたことを特
徴とする半導体光集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109975A JPS601882A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109975A JPS601882A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601882A true JPS601882A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14523894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109975A Pending JPS601882A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58109975A patent/JPS601882A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422900A (en) * | 1994-04-28 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Company | Integrated laser module |
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