JPH047873A - 光電子集積回路 - Google Patents
光電子集積回路Info
- Publication number
- JPH047873A JPH047873A JP10915690A JP10915690A JPH047873A JP H047873 A JPH047873 A JP H047873A JP 10915690 A JP10915690 A JP 10915690A JP 10915690 A JP10915690 A JP 10915690A JP H047873 A JPH047873 A JP H047873A
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- inp
- substrate
- integrated circuit
- electronic device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野ｊ
本発明は光電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）の改良に関す
るものである。
るものである。
ｒ従来の技術」
光電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）に関する公知文献の一
つに、ＣＬＥＯ°８Ｂ／ＴＵＥＳＤＡＹ ＡＦＴＥＲＮ
ＯＯＮ／１５２があり、この文献（７）ＴＵＶ２に、Ｎ
、５ＵＺＵＫＩらによるＩｎＰ系光電光電子集積回路告
がみられる。
つに、ＣＬＥＯ°８Ｂ／ＴＵＥＳＤＡＹ ＡＦＴＥＲＮ
ＯＯＮ／１５２があり、この文献（７）ＴＵＶ２に、Ｎ
、５ＵＺＵＫＩらによるＩｎＰ系光電光電子集積回路告
がみられる。
かかる公知技術の場合、光電子集積回路の電子デバイス
として、ＭＥＳＦＥＴを用いているが、ＦＥＴごとき電
子デバイスでは、基板側へのリーク電流を抑制するため
に、半絶縁性の基板を用いねばならない。
として、ＭＥＳＦＥＴを用いているが、ＦＥＴごとき電
子デバイスでは、基板側へのリーク電流を抑制するため
に、半絶縁性の基板を用いねばならない。
「発明が解決しようとする課題Ｊ
上述した半絶縁性基板は、導電性基板に比べ、Ｅ Ｐ
Ｄ ［Ｅｔｃｈ Ｐｉｔ Ｄｅｒｃｓｉｔｙ（ｃｒ３）
］が２〜３桁程度高い。
Ｄ ［Ｅｔｃｈ Ｐｉｔ Ｄｅｒｃｓｉｔｙ（ｃｒ３）
］が２〜３桁程度高い。
光電子集積回路において、このようなＥＰＤの高い基板
を用いる場合は、基板からの転位の伝播を無視すること
ができず、発光素子の信頼性が大きく損なわれてしまう
。
を用いる場合は、基板からの転位の伝播を無視すること
ができず、発光素子の信頼性が大きく損なわれてしまう
。
本発明はかかる技術的課題に鑑み、信頼性の高い光電子
集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）を提供しようとするものであ
る。
集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）を提供しようとするものであ
る。
ｒｇ題を解決するための手段Ｊ
本発明に係る光電子集積回路は、所期の目的を達成する
ため、導電性の基板上に電子デバイスと発光デバイスと
を含む素子群が設けられており、少なくとも、電子デバ
イスと基板との間にエピタキシャル膜からなる半絶縁性
層が介在されていることを特徴とする。
ため、導電性の基板上に電子デバイスと発光デバイスと
を含む素子群が設けられており、少なくとも、電子デバ
イスと基板との間にエピタキシャル膜からなる半絶縁性
層が介在されていることを特徴とする。
ｒ作用ｊ
本発明に係る光電子集積回路の場合、導電性基板のＥＰ
Ｄが低いので、基板からの転位の伝播が無視できる程度
に小さくなり、しかも、電子デバイスと導電性基板との
間、あるいは、各素子群と基板との間に半絶縁性のエピ
タキシャル膜が介在されているので、基板側へのリーク
電流をも抑制することができる。
Ｄが低いので、基板からの転位の伝播が無視できる程度
に小さくなり、しかも、電子デバイスと導電性基板との
間、あるいは、各素子群と基板との間に半絶縁性のエピ
タキシャル膜が介在されているので、基板側へのリーク
電流をも抑制することができる。
したがって、本発明の場合、光電子集積回路の信頼性が
高まり、ひいては、当該光電子集積回路の長期にわたる
安定したライフスパンを確保することができる。
高まり、ひいては、当該光電子集積回路の長期にわたる
安定したライフスパンを確保することができる。
ｒ実 施 例Ｊ
第１図〜第３図は、本発明の一実施例における光電子集
積回路を、これの製作工程順に示したものである。
積回路を、これの製作工程順に示したものである。
第１図において、導電性の基板１はｎ−ＩｎＰからなり
、この基板１の上には、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層２
．ｎ−ＩｎＰ層３、Ｈ−１１ＧａＡｓＰ層４が、エピタ
キシャル成長法により順次形成される。
、この基板１の上には、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層２
．ｎ−ＩｎＰ層３、Ｈ−１１ＧａＡｓＰ層４が、エピタ
キシャル成長法により順次形成される。
第２図において、Ｆｅドープ） ＩｎＰ半絶縁層２、ｎ
−ＩｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層４の一部が、導電
性基板１における表面側の一部をも含んで、乾式または
湿式のケミカルエツチング法によりニー２チングされ、
かくて、導電性基板１上にはエツチング部５が形成され
る。
−ＩｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層４の一部が、導電
性基板１における表面側の一部をも含んで、乾式または
湿式のケミカルエツチング法によりニー２チングされ、
かくて、導電性基板１上にはエツチング部５が形成され
る。
この場合のエツチングは、周知の通り、エツチング部５
以外の部分をマスクすることにより行なわれる。
以外の部分をマスクすることにより行なわれる。
第３図において、導電性基板ｌ上のエツチング部５には
、ｎ−１ｎＰクラッド層Ｂ 、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層
７、ｐ−１ｎＰクラッド層８ 、ＴｎＧａＡｓＰキ＋−
／ブ層９が、エピタキシャル成長法により順次形成され
る。
、ｎ−１ｎＰクラッド層Ｂ 、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層
７、ｐ−１ｎＰクラッド層８ 、ＴｎＧａＡｓＰキ＋−
／ブ層９が、エピタキシャル成長法により順次形成され
る。
上記において、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層２．ｎ−Ｉ
ｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層４などを含む部分は、
ＦＥＴなどの電子デバイスを設けるための領域となり、
この領域には、図示しないＡｕおよび／またはＡｕ合金
系のソース、ドレイン、ゲート （いずれも公知ないし
周知）などが設けられて所要の電子デバイスｌＯが備え
られる。
ｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層４などを含む部分は、
ＦＥＴなどの電子デバイスを設けるための領域となり、
この領域には、図示しないＡｕおよび／またはＡｕ合金
系のソース、ドレイン、ゲート （いずれも公知ないし
周知）などが設けられて所要の電子デバイスｌＯが備え
られる。
上記において、ｎ−１ｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層？、ｐ−１ｎＰクラッド層８ 、 ＩｎＧａＡ
ｓＰキ’ｒ −／プ層８などを含む部分は、ＬＤ、ＬＥ
Ｄなどの発光デバイスを設けるための領域となり、この
領域には、ＬＤなどの発光デバイス１１が備えられる。
Ｐ活性層？、ｐ−１ｎＰクラッド層８ 、 ＩｎＧａＡ
ｓＰキ’ｒ −／プ層８などを含む部分は、ＬＤ、ＬＥ
Ｄなどの発光デバイスを設けるための領域となり、この
領域には、ＬＤなどの発光デバイス１１が備えられる。
さらに、電子デバイス１０１発光デバイス１１などの素
子相互は、たとえば、Ａｕのごとき配線を介して電気的
に接続される。
子相互は、たとえば、Ａｕのごとき配線を介して電気的
に接続される。
第４図〜第６図は、本発明の信実流側における光電子集
積回路を、これの製作工程順に示したものである。
積回路を、これの製作工程順に示したものである。
第４図において、導電性の基板１はｎ−ＧａＡｓからな
り、この基板ｌの上には、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層
２．ｎ−１ｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓＰ活性層７
、ｐ−１ｎＰクラッド層８、ＩｎＧａＡｓＰキー？−／
ブ層９が、エピタキシャル成長法を介して順次形成され
る。
り、この基板ｌの上には、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層
２．ｎ−１ｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓＰ活性層７
、ｐ−１ｎＰクラッド層８、ＩｎＧａＡｓＰキー？−／
ブ層９が、エピタキシャル成長法を介して順次形成され
る。
第５図において、ｎ−１ｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層７、ｐ−ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＣａＡｓ
Ｐキ＋ ツブ層３の一部が、ＦｅドープトＩｎＰ半絶縁
層２における表面側の一部をも含んで、既述のケミカル
エツチング法によりニー２チングされ、かくて、Ｆｅド
ープトＩｎＰ半絶縁層２上にはエツチング部５″が形成
される。
ｓＰ活性層７、ｐ−ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＣａＡｓ
Ｐキ＋ ツブ層３の一部が、ＦｅドープトＩｎＰ半絶縁
層２における表面側の一部をも含んで、既述のケミカル
エツチング法によりニー２チングされ、かくて、Ｆｅド
ープトＩｎＰ半絶縁層２上にはエツチング部５″が形成
される。
第６図において、Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層２のエツ
チング部５′には、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層４が、エピタキシャル成長法により順次形成される
。
チング部５′には、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層４が、エピタキシャル成長法により順次形成される
。
上記において、エツチング部５′の両側に隣接する各領
域には、既述の電子デバイス１０、既述の発光デバイス
１１がそれぞれ備えられ、かつ、電子デバイス１０、発
光デバイス１１などの素子相互は、配線を介して電気的
に接続される。
域には、既述の電子デバイス１０、既述の発光デバイス
１１がそれぞれ備えられ、かつ、電子デバイス１０、発
光デバイス１１などの素子相互は、配線を介して電気的
に接続される。
これら各実施例の光電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）は、
電子機能と光学機能とが複合された化合物半導体デバイ
スとして、光電子機器に適用される。
電子機能と光学機能とが複合された化合物半導体デバイ
スとして、光電子機器に適用される。
ｒ発明の効果Ｊ
以上説明した通り、本発明に係る光電子集積回路は、所
定の基板上に電子デバイスと発光デバイスとが設けられ
たものにおいて、少なくとも、電子デバイスと導電性基
板との間に、半絶縁性のエピタキシャル膜が介在されて
いるので、基板からの転位の伝播を無視できる程度に抑
制して、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
定の基板上に電子デバイスと発光デバイスとが設けられ
たものにおいて、少なくとも、電子デバイスと導電性基
板との間に、半絶縁性のエピタキシャル膜が介在されて
いるので、基板からの転位の伝播を無視できる程度に抑
制して、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
第１図〜第３図は本発明における光電子集積回路の一実
施例をその製作工程順に示した説明図、第４図〜第６図
は本発明における光電子集積回路の信実流側をその製作
工程順に示した説明図である。 １・・・・・・・・導電性の基板 ２・・・・・・・・Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層３・・
・・・・・・ｎ−１ｎＰ層 ４・・・・・・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層５・・・・・
・・・エッチンク部 ５′ ・・・・・・エッチンク部 ８・・・・・・・・ｎ−１ｎＰクラッド層？・・・・・
・・・Ｉｒ＋ＧａＡＳＰ活性層８・・・・・・・・ｐ−
１ｎＰクラッド層８・・・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰキ
ャップ層１０・・・・・・・・電子デバイス １１・・・・・・・・発光デバイス
施例をその製作工程順に示した説明図、第４図〜第６図
は本発明における光電子集積回路の信実流側をその製作
工程順に示した説明図である。 １・・・・・・・・導電性の基板 ２・・・・・・・・Ｆｅドープ）ＩｎＰ半絶縁層３・・
・・・・・・ｎ−１ｎＰ層 ４・・・・・・・・ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層５・・・・・
・・・エッチンク部 ５′ ・・・・・・エッチンク部 ８・・・・・・・・ｎ−１ｎＰクラッド層？・・・・・
・・・Ｉｒ＋ＧａＡＳＰ活性層８・・・・・・・・ｐ−
１ｎＰクラッド層８・・・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰキ
ャップ層１０・・・・・・・・電子デバイス １１・・・・・・・・発光デバイス
Claims (1)
- 導電性の基板上に電子デバイスと発光デバイスとを含
む素子群が設けられており、少なくとも、電子デバイス
と基板との間にエピタキシャル膜からなる半絶縁性層が
介在されていることを特徴とする光電子集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915690A JPH047873A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 光電子集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10915690A JPH047873A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 光電子集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047873A true JPH047873A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14503059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10915690A Pending JPH047873A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 光電子集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047873A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010157691A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-15 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
| JP2011114146A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10915690A patent/JPH047873A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010157691A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-07-15 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
| JP2011114146A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
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