JPH0547983B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0547983B2 JPH0547983B2 JP58214156A JP21415683A JPH0547983B2 JP H0547983 B2 JPH0547983 B2 JP H0547983B2 JP 58214156 A JP58214156 A JP 58214156A JP 21415683 A JP21415683 A JP 21415683A JP H0547983 B2 JPH0547983 B2 JP H0547983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- conductor
- gate
- drain
- supply conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は櫛型構造を有するGaAs FET等のマ
イクロ波トランジスタに関するものである。
イクロ波トランジスタに関するものである。
GaAs FET等のマイクロ波トランジスタでは
その出力を増大するために櫛型の構造をもつたも
のが多い。第１図Ａに従来の櫛型構造を有するマ
イクロ波GaAs FETのパターンの一例を示す。
第１図Ａに於いて１はゲートボンデイング用パツ
ド（入力端子）、２はドレインボンデイング用パ
ツド（出力端子）、３はソースボンデイング用パ
ツドを示している。Ａ，Ｂはそれぞれ一個のゲー
ト、ドレイン、ソースから形成される単位トラン
ジスタを示しており個々の単位トランジスタはゲ
ート給電用導体６、ドレイン給電用導体７及びソ
ース給電用導体８によつて並列接続され更にゲー
ト給電用導体は接続用導体９によつてゲートボン
デイング用パツド１に接続されている。第１図Ｂ
は第１図Ａに於けるＸ−X′断面を示す。第１図
Ｂに於いて１ａはゲートＡ１、２ａはドレイン
（AuGe）、３ａはソース（AuGe）を示し且つ４
はｎ型GaAsエピタキシヤル層、５は半絶縁性
GaAs基板である。
その出力を増大するために櫛型の構造をもつたも
のが多い。第１図Ａに従来の櫛型構造を有するマ
イクロ波GaAs FETのパターンの一例を示す。
第１図Ａに於いて１はゲートボンデイング用パツ
ド（入力端子）、２はドレインボンデイング用パ
ツド（出力端子）、３はソースボンデイング用パ
ツドを示している。Ａ，Ｂはそれぞれ一個のゲー
ト、ドレイン、ソースから形成される単位トラン
ジスタを示しており個々の単位トランジスタはゲ
ート給電用導体６、ドレイン給電用導体７及びソ
ース給電用導体８によつて並列接続され更にゲー
ト給電用導体は接続用導体９によつてゲートボン
デイング用パツド１に接続されている。第１図Ｂ
は第１図Ａに於けるＸ−X′断面を示す。第１図
Ｂに於いて１ａはゲートＡ１、２ａはドレイン
（AuGe）、３ａはソース（AuGe）を示し且つ４
はｎ型GaAsエピタキシヤル層、５は半絶縁性
GaAs基板である。
ところが第１図Ａ，Ｂに示すごときトランジス
タによつてマイクロ波動作を行なわせるとパター
ン中の単位トランジスタＡ、単位トランジスタＢ
とゲートボンデイング用パツド１との距離がそれ
ぞれ異なるため電気的長さが異なり単位トランジ
スタＡと単位トランジスタＢとの間に位相差が生
じ利得あるいは出力電力において本来出るべき値
より小さい値しか得られないという欠点がある。
タによつてマイクロ波動作を行なわせるとパター
ン中の単位トランジスタＡ、単位トランジスタＢ
とゲートボンデイング用パツド１との距離がそれ
ぞれ異なるため電気的長さが異なり単位トランジ
スタＡと単位トランジスタＢとの間に位相差が生
じ利得あるいは出力電力において本来出るべき値
より小さい値しか得られないという欠点がある。
なお各単位トランジスタ群を分割してゲートボ
ンデイング用パツドと電気的長さの等しい接続用
導体にて接続する技術に関しては実開昭56−
112954号公報に開示されている。該公報に開示さ
れた技術は単位トランジスタ群を複数の群に分割
して各群を長さの等しい接続用導体でボンデイン
グ用パツドに接続しているため群同志による閉回
路が形成されてしまい、低い周波数の自己発振が
発生しやすく出力電力や利得の低下を招くという
欠点がある。
ンデイング用パツドと電気的長さの等しい接続用
導体にて接続する技術に関しては実開昭56−
112954号公報に開示されている。該公報に開示さ
れた技術は単位トランジスタ群を複数の群に分割
して各群を長さの等しい接続用導体でボンデイン
グ用パツドに接続しているため群同志による閉回
路が形成されてしまい、低い周波数の自己発振が
発生しやすく出力電力や利得の低下を招くという
欠点がある。
本発明の目的は櫛型構造マイクロ波トランジス
タに於いて単位トランジスタ間の位相差をなくし
出力電力、利得の低下を防止する給電方法を提供
することにある。
タに於いて単位トランジスタ間の位相差をなくし
出力電力、利得の低下を防止する給電方法を提供
することにある。
本発明はドレイン電極、ソース電極およびこれ
らに挟まれたゲート電極を有する単位トランジス
タが、前記ソース、ドレインおよびゲート電極の
長手方向とは直角方向に複数個隣接して形成され
ており、該複数個の単位トランジスタのゲート電
極およびドレイン電極およびソース電極がそれぞ
れゲート給電用導体、ドレイン給電用導体、ソー
ス給電用導体によつてボンデイングパツドに接続
されてなる櫛型構造のマイクロ波トランジスタに
おいて、前記単位トランジスタのゲートもしくは
ドレイン電極の少なくとも一方は隣接する電極同
志を共通に接続する共通接続用導体に接続し、前
記共通接続導体に接続される前記ゲート給電用導
体もしくはドレイン給電用導体は、前記ボンデイ
ングパツドに接続される側で１本に収束されると
ともに、前記共通接続導体に接続される側におい
てはその先端が複数本に分割されている分岐を有
することで前記複数の単位トランジスタの各々か
ら前記ボンデイングパツドまでの給電用導体長を
近似した位相差を少なくするようにしたものであ
る。
らに挟まれたゲート電極を有する単位トランジス
タが、前記ソース、ドレインおよびゲート電極の
長手方向とは直角方向に複数個隣接して形成され
ており、該複数個の単位トランジスタのゲート電
極およびドレイン電極およびソース電極がそれぞ
れゲート給電用導体、ドレイン給電用導体、ソー
ス給電用導体によつてボンデイングパツドに接続
されてなる櫛型構造のマイクロ波トランジスタに
おいて、前記単位トランジスタのゲートもしくは
ドレイン電極の少なくとも一方は隣接する電極同
志を共通に接続する共通接続用導体に接続し、前
記共通接続導体に接続される前記ゲート給電用導
体もしくはドレイン給電用導体は、前記ボンデイ
ングパツドに接続される側で１本に収束されると
ともに、前記共通接続導体に接続される側におい
てはその先端が複数本に分割されている分岐を有
することで前記複数の単位トランジスタの各々か
ら前記ボンデイングパツドまでの給電用導体長を
近似した位相差を少なくするようにしたものであ
る。
以下本発明にかかる半導体装置の実施例を示
す。第２図に12個の単位トランジスタよりなる櫛
型構造GaAs FETを示す。１１はゲートボンデ
イング用パツド、１２はドレインボンデイング用
パツド、１３はソースボンデイング用パツドであ
る。
す。第２図に12個の単位トランジスタよりなる櫛
型構造GaAs FETを示す。１１はゲートボンデ
イング用パツド、１２はドレインボンデイング用
パツド、１３はソースボンデイング用パツドであ
る。
本実施例では各単位トランジスタ１８ａ，１８
ｂ，…１８１のドレイン電極、ソース１極および
ゲート電極は、その長手方向とは直角に複数個隣
接して形成され、単位トランジスタのゲート電
極、ドレイン電極およびソース電極はそれぞれゲ
ート給電用導体、ドレイン給電用導体、およびソ
ース給電用導体によつてそれぞれのボンデイング
用パツド１１，１２，１３に接続されている。本
実施例においては１個のゲートボンデイングパツ
ド１１から給電される12個の単位トランジスタ１
８ａ，１８ｂ，…，１８１がそれぞれ６個の単位
トランジスタよりなる群１４ａ，１４ｂに分割さ
れ分割された群の接続される共通導体１５ｃの分
割された群に接続される部分の略中間の位置から
接続用導体１５ａ，１５ｂによつてゲートボンデ
イング用パツド１１への接続がなされている。
ｂ，…１８１のドレイン電極、ソース１極および
ゲート電極は、その長手方向とは直角に複数個隣
接して形成され、単位トランジスタのゲート電
極、ドレイン電極およびソース電極はそれぞれゲ
ート給電用導体、ドレイン給電用導体、およびソ
ース給電用導体によつてそれぞれのボンデイング
用パツド１１，１２，１３に接続されている。本
実施例においては１個のゲートボンデイングパツ
ド１１から給電される12個の単位トランジスタ１
８ａ，１８ｂ，…，１８１がそれぞれ６個の単位
トランジスタよりなる群１４ａ，１４ｂに分割さ
れ分割された群の接続される共通導体１５ｃの分
割された群に接続される部分の略中間の位置から
接続用導体１５ａ，１５ｂによつてゲートボンデ
イング用パツド１１への接続がなされている。
第２図のごとき構造とすることにより同図にお
ける例えば単位トランジスタ１８ｄと単位トラン
ジスタ１８ｆとの位相差を小さくすることができ
るのみならず給電用導体と電極の接続部は共通接
続用の導体によつて共通に接続されているため単
位トランジスタ間の不要な寄生発振を発生するこ
ともなく本来の高周波特性を容易に引き出すこと
が可能である。
ける例えば単位トランジスタ１８ｄと単位トラン
ジスタ１８ｆとの位相差を小さくすることができ
るのみならず給電用導体と電極の接続部は共通接
続用の導体によつて共通に接続されているため単
位トランジスタ間の不要な寄生発振を発生するこ
ともなく本来の高周波特性を容易に引き出すこと
が可能である。
他の実施例を第３図に示す。第３図に於いて２
１はゲートボンデイング用パツド、２２はドレイ
ンボンデイング用パツド、２３はソースボンデイ
ング用パツドである。本実施例では並列接続され
た共通接続部２５ｃに接続された16個の単位トラ
ンジスタが８個の領域に分割され、分割されたそ
れぞれの単位トランジスタ領域２４の共通接続部
の中間の位置から接続用導体２５によつてゲート
ボンデイング用パツド２１への接続がなされてい
る。
１はゲートボンデイング用パツド、２２はドレイ
ンボンデイング用パツド、２３はソースボンデイ
ング用パツドである。本実施例では並列接続され
た共通接続部２５ｃに接続された16個の単位トラ
ンジスタが８個の領域に分割され、分割されたそ
れぞれの単位トランジスタ領域２４の共通接続部
の中間の位置から接続用導体２５によつてゲート
ボンデイング用パツド２１への接続がなされてい
る。
尚、第２図の実施例に於いては並列接続された
複数個の単位トランジスタを２分割しゲートボン
デイング用パツド１１からの接続を接続用導体１
５ａ，１５ｂによつて行なつたがドレインボンデ
イング用パツドへの接続を分割して行なつても同
様の効果が期待できることは勿論である。又、分
割数も２分割に限定されるものでないことは勿論
である。実施例ではゲート及びドレインボンデイ
ング用パツドはそれぞれ１個ずつであるがボンデ
イング用パツドが複数の場合にも同様の効果が得
られることは明白である。
複数個の単位トランジスタを２分割しゲートボン
デイング用パツド１１からの接続を接続用導体１
５ａ，１５ｂによつて行なつたがドレインボンデ
イング用パツドへの接続を分割して行なつても同
様の効果が期待できることは勿論である。又、分
割数も２分割に限定されるものでないことは勿論
である。実施例ではゲート及びドレインボンデイ
ング用パツドはそれぞれ１個ずつであるがボンデ
イング用パツドが複数の場合にも同様の効果が得
られることは明白である。
以上詳細に説明したごとく、本発明によれば極
めて簡単なパターン構成により、パターン各部に
おける電気的位相差を小さくできるのみならず、
単位トランジスタのすべてが共通接続用の導体に
よつて共通接続されているため寄生発振による出
力電力の減少を避けることができるため、櫛型構
造を有するマイクロ波トランジスタにおいて本発
明の効果は頗る大である。
めて簡単なパターン構成により、パターン各部に
おける電気的位相差を小さくできるのみならず、
単位トランジスタのすべてが共通接続用の導体に
よつて共通接続されているため寄生発振による出
力電力の減少を避けることができるため、櫛型構
造を有するマイクロ波トランジスタにおいて本発
明の効果は頗る大である。
第１図は従来構造を有する半導体装置の１例、
第２図は本発明にかゝる半導体装置の１実施例、
第３図は本発明にかゝる半導体装置の他の実施例
を示す。 図面において１１，２１はゲートボンデイング
用パツド、１２，２２はドレインボンデイング用
パツド、１３，２３はソースボンデイング用パツ
ド、１５ａ，１５ｂ，２５は接続用導体、１６，
１７，２４は単位トランジスタ領域、１５ｃおよ
び２５ｃは共通接続用導体をそれぞれ示す。
第２図は本発明にかゝる半導体装置の１実施例、
第３図は本発明にかゝる半導体装置の他の実施例
を示す。 図面において１１，２１はゲートボンデイング
用パツド、１２，２２はドレインボンデイング用
パツド、１３，２３はソースボンデイング用パツ
ド、１５ａ，１５ｂ，２５は接続用導体、１６，
１７，２４は単位トランジスタ領域、１５ｃおよ
び２５ｃは共通接続用導体をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ドレイン電極、ソース電極およびこれらに挟
まれたゲート電極を有する単位トランジスタが、
前記ソース、ドレインおよびゲート電極の長手方
向とは直角方向に複数個隣接して形勢されてお
り、該複数個の単位トランジスタのゲート電極、
ドレイン電極およびソース電極がそれぞれゲート
給電用導体、ドレイン給電用導体、ソース給電用
導体によつてボンデイングパツドに接続されてな
る櫛型構造のマイクロ波トランジスタにおいて、 前記単位トランジスタのゲート電極もしくはド
レイン電極の少なくとも一方は隣接する電極同志
を共通に接続する共通接続用導体に接続し、 前記共通接続用導体に接続されるゲート給電用
導体もしくはドレイン給電用導体は、前記ボンデ
イングパツドに接続される側で１本に収束される
とともに、前記共通用導体に接続される側ではそ
の先端が複数本に分割されている分岐を有するこ
とで、前記複数の単位トランジスタの各々から前
記ボンデイングパツド迄の給電用導体長を近似さ
せる樹枝状構造としたことを特徴とするマイクロ
波トランジスタ。 ２ 前記樹枝状構造の給電用導体は前記１本に収
束された側から派生してその先端が分割される多
岐を多段階に繰り返してなり、該ボンデイングパ
ツドから該複数個の単位トランジスタの各々迄の
導体長を全てについて等しく構成したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214156A JPS60107868A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214156A JPS60107868A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107868A JPS60107868A (ja) | 1985-06-13 |
| JPH0547983B2 true JPH0547983B2 (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=16651150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214156A Granted JPS60107868A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107868A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6328074A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Nec Corp | マイクロ波電界効果トランジスタ |
| JPH07120677B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | マイクロ波スイツチ |
| US6530068B1 (en) * | 1999-08-03 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device modeling and characterization structure with multiplexed pads |
| WO2016042861A1 (ja) * | 2014-09-17 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | 化合物半導体電界効果トランジスタ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6228788Y2 (ja) * | 1980-01-29 | 1987-07-23 |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP58214156A patent/JPS60107868A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60107868A (ja) | 1985-06-13 |
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