JPS6269568A - 半導体カラ−センサ - Google Patents
半導体カラ−センサInfo
- Publication number
- JPS6269568A JPS6269568A JP60209542A JP20954285A JPS6269568A JP S6269568 A JPS6269568 A JP S6269568A JP 60209542 A JP60209542 A JP 60209542A JP 20954285 A JP20954285 A JP 20954285A JP S6269568 A JPS6269568 A JP S6269568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- diode
- amorphous
- color sensor
- semiconductor color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、短波長側の゛検出波長領域を広げ、かつ赤外
光のカット効果を兼ね備えた半導体カラーセンサに関す
る。
光のカット効果を兼ね備えた半導体カラーセンサに関す
る。
（従来の技術）
従来の半導体カラーセンサは、第６図に示すように、Ｓ
ｉ単結晶中にＰＮＰ構造を作り、積層した２つのホトダ
イオードの分光感度特性の相違を利用して入射光の波長
を検出する構造であった。
ｉ単結晶中にＰＮＰ構造を作り、積層した２つのホトダ
イオードの分光感度特性の相違を利用して入射光の波長
を検出する構造であった。
図において、ａは半導体基板、ｂは絶縁膜、Ｃは一方の
ホトダイオードｄの電極（アノード）、ｅは他方のホト
ダイオードｆの電極（アノード）、ｇは共通電極（カソ
ード）、ｈ、ｔ、ｊは各電極端子である。
ホトダイオードｄの電極（アノード）、ｅは他方のホト
ダイオードｆの電極（アノード）、ｇは共通電極（カソ
ード）、ｈ、ｔ、ｊは各電極端子である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記した構造の半導体カラーセンサでは
、短波長側に感度を持った一方のホトダイオードｄがＳ
ｉ単結晶中に形成されているため、接合深さを極めて浅
くし、かつ、表面再結合損失の改善をプレーナ技術の改
良により行った場合でも、検出可能な波長領域の下限は
約４５００人程度が限界であり、青〜紫の感度を改善す
ることができなかった。
、短波長側に感度を持った一方のホトダイオードｄがＳ
ｉ単結晶中に形成されているため、接合深さを極めて浅
くし、かつ、表面再結合損失の改善をプレーナ技術の改
良により行った場合でも、検出可能な波長領域の下限は
約４５００人程度が限界であり、青〜紫の感度を改善す
ることができなかった。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体カラーセンサは、分光感度特性の異なる
２つのホトダイオードを積層することにより構成される
半導体カラーセンサにおいて、一方のホトダイオードが
アモルファスＳｉ層に形成され、他方のホトダイオード
が単結晶Ｓｉ層に形成されてなるものである。
２つのホトダイオードを積層することにより構成される
半導体カラーセンサにおいて、一方のホトダイオードが
アモルファスＳｉ層に形成され、他方のホトダイオード
が単結晶Ｓｉ層に形成されてなるものである。
（作用）
アモルファスＳｉ層に形成された一方のホトダイオード
を短波長領域の光検出用として使用することにより、半
導体カラーセンサの検出波長領域が短波長側で大幅に向
上する。
を短波長領域の光検出用として使用することにより、半
導体カラーセンサの検出波長領域が短波長側で大幅に向
上する。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第５図を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図は、Ｓｉホトダイオード１の上にアモルファスＳ
ｉホトダイオード２を積層することにより半導体カラー
センサＡを構成した例を示している。
ｉホトダイオード２を積層することにより半導体カラー
センサＡを構成した例を示している。
Ｓｉホトダイオード１は単結晶Ｓｉ基板３上にプレーナ
技術によってプレーナ拡散形のホトダイオードとして形
成され、アモルファスＳｉホトダイオード２は前記Ｓｉ
ホトダイオード１の上にアモルファスＳｉ形のホトダイ
オードとして形成されている。第１図において、４は絶
縁膜、５はＳｉホトダイオード１のアノード電極、６は
アモルファスＳｉホトダイオード２のアノード電極、７
は両ホトダイオード１．２に共通使用されるカソード電
極、８，９．１０は各電極端子である。
技術によってプレーナ拡散形のホトダイオードとして形
成され、アモルファスＳｉホトダイオード２は前記Ｓｉ
ホトダイオード１の上にアモルファスＳｉ形のホトダイ
オードとして形成されている。第１図において、４は絶
縁膜、５はＳｉホトダイオード１のアノード電極、６は
アモルファスＳｉホトダイオード２のアノード電極、７
は両ホトダイオード１．２に共通使用されるカソード電
極、８，９．１０は各電極端子である。
なお、第２図は第１１図に示す半導体カラーセンサの平
面パターンを示し、第３図は等価回路を示している。
面パターンを示し、第３図は等価回路を示している。
上記した２つのホトダイオード１，２の分光感度特性は
第４図に示すように相違し、Ｓｉホトダイオード１は長
波長側に、アモルファスＳｉホトダイオード２は短波長
側にそれぞれ感度のピークを持った一山特性となる。ま
た、光を照射した時のＳｉホトダイオード１の光電流１
ｓｃ、およびアモルファスＳｉホトダイオード２の光電
流Ｉ ＳＯ２の出力比Ｔ ＳＣ＋ ／ Ｉ ＳＣｇと入
射光波長λとの関係は、第５図に示す曲線になり、波長
λの識別が可能である。したがって、アモルファスＳｉ
ホトダイオード２を短波長領域の光検出用として使用す
ることにより、半導体カラーセンサの検出波長領域が短
波長側（４５００Å以下の領域）で大幅に向上する。
第４図に示すように相違し、Ｓｉホトダイオード１は長
波長側に、アモルファスＳｉホトダイオード２は短波長
側にそれぞれ感度のピークを持った一山特性となる。ま
た、光を照射した時のＳｉホトダイオード１の光電流１
ｓｃ、およびアモルファスＳｉホトダイオード２の光電
流Ｉ ＳＯ２の出力比Ｔ ＳＣ＋ ／ Ｉ ＳＣｇと入
射光波長λとの関係は、第５図に示す曲線になり、波長
λの識別が可能である。したがって、アモルファスＳｉ
ホトダイオード２を短波長領域の光検出用として使用す
ることにより、半導体カラーセンサの検出波長領域が短
波長側（４５００Å以下の領域）で大幅に向上する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、検出波長領域が
４５００Å以下の短波長側の領域で大幅に向上し、青〜
紫の色の識別が可能な半導体カラーセンサを提供するこ
とができる。
４５００Å以下の短波長側の領域で大幅に向上し、青〜
紫の色の識別が可能な半導体カラーセンサを提供するこ
とができる。
第１図ないし第５図は、本発明の半導体カラーセンサの
一実施例を示し、第１図は縦断面図、第２図は平面パタ
ーンを示す図、第３図は等価回路、第４図は各ホトダイ
オードの分光感度特性を示す図、第５図は出力比Ｉ Ｓ
ＣＩ ／ Ｉ ｓｃｚと入射光波長λとの関係を示す図
、第６図は従来の半導体カラーセンサの縦断面図である
。 １・・・Ｓｉホトダイオード ２・・・アモルファスＳｉホトダイオード３・・・単結
晶Ｓｉ基板 ４・・・絶縁膜 Ａ・・・半導体カラーセンサ 第１図 第３図 １２、。 第２図 第４図 第５図 第６図 ｊ ｂ ｄｃ ｇ ｊ皮４（人 （ｎｍ〕
一実施例を示し、第１図は縦断面図、第２図は平面パタ
ーンを示す図、第３図は等価回路、第４図は各ホトダイ
オードの分光感度特性を示す図、第５図は出力比Ｉ Ｓ
ＣＩ ／ Ｉ ｓｃｚと入射光波長λとの関係を示す図
、第６図は従来の半導体カラーセンサの縦断面図である
。 １・・・Ｓｉホトダイオード ２・・・アモルファスＳｉホトダイオード３・・・単結
晶Ｓｉ基板 ４・・・絶縁膜 Ａ・・・半導体カラーセンサ 第１図 第３図 １２、。 第２図 第４図 第５図 第６図 ｊ ｂ ｄｃ ｇ ｊ皮４（人 （ｎｍ〕
Claims (1)
- １）分光感度特性の異なる２つのホトダイオードを積層
することにより構成される半導体カラーセンサにおいて
、一方のホトダイオードがアモルファスＳｉ層に形成さ
れ、他方のホトダイオードが単結晶Ｓｉ層に形成されて
なることを特徴とする半導体カラーセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209542A JPS6269568A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体カラ−センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209542A JPS6269568A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体カラ−センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269568A true JPS6269568A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16574529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209542A Pending JPS6269568A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 半導体カラ−センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284883A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Sharp Corp | 受光装置 |
| WO2012011448A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | 光センサ及び該光センサを備えた半導体装置 |
| JP2013068606A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60209542A patent/JPS6269568A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284883A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-16 | Sharp Corp | 受光装置 |
| WO2012011448A1 (ja) * | 2010-07-21 | 2012-01-26 | シャープ株式会社 | 光センサ及び該光センサを備えた半導体装置 |
| JP2013068606A (ja) * | 2011-08-19 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
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