JPS6018982A - 半導体レ−ザ駆動方式 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動方式Info
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- JPS6018982A JPS6018982A JP12732783A JP12732783A JPS6018982A JP S6018982 A JPS6018982 A JP S6018982A JP 12732783 A JP12732783 A JP 12732783A JP 12732783 A JP12732783 A JP 12732783A JP S6018982 A JPS6018982 A JP S6018982A
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は１元出力の一部をモニタし、このモニタ出力レ
ベルにより半導体レーザ（以下ＬＤと称す）のパルス電
流及び、バイアス電流を制御し温度がかわっても自動的
に光出力のヒ゛−り値が一定になるよう制御するＬＤ強
度俊調回路に係り、回路規模が小さくかつ各温度におけ
る）くイアスミ流を最適値に制御出来るＬＤ駆動方式に
関する０（ｂ） 技術の背景 第１図は、温度が変化した場合のＬＤに流れる電流（Ｉ
）と光出力（Ｐ）との関係を示す特性図、第２図は各温
度に分ける最適バイアス電流（Ｉ ｎ 、）とパルス電
流（Ｉｐ）との関係を示す特性図である。
ベルにより半導体レーザ（以下ＬＤと称す）のパルス電
流及び、バイアス電流を制御し温度がかわっても自動的
に光出力のヒ゛−り値が一定になるよう制御するＬＤ強
度俊調回路に係り、回路規模が小さくかつ各温度におけ
る）くイアスミ流を最適値に制御出来るＬＤ駆動方式に
関する０（ｂ） 技術の背景 第１図は、温度が変化した場合のＬＤに流れる電流（Ｉ
）と光出力（Ｐ）との関係を示す特性図、第２図は各温
度に分ける最適バイアス電流（Ｉ ｎ 、）とパルス電
流（Ｉｐ）との関係を示す特性図である。
温度が変化するとＬＤの閾値電流は第１図の如く変化す
るし又光出力（Ｐ）の微分量子化効率（ＬＤ印加電流の
変化に対する光出力の変化の割合）も第１図Ｑこ示す如
く変化する。この為Ｌ Ｄ強度変調回路ではＡ Ｐ Ｃ
（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）
回路を用い温度が変化しても、ブ０出力のピーク値が第
１図のイに示す如く一定になるよう制御している。この
一定値にした時のＬＤの電流値は第１図の例に示す如く
、０℃の場合は２６ｍＡ、２５℃の場合は３０ｍＡ、５
０℃の場合は４８ｍＡとなる。通常バイアス電流は最適
値として、閾値電流よジ一定値低い値又は閾値電流に対
し一定割合になるよう定められる。第１図では闇値電流
は０℃で１１ｍＡ、２５℃で１６ｍＡ、５０℃で２９ｍ
Ａとなっている。そこで最適バイアス電流金例えば１ｍ
Ａ低い値とするとバイアス電流は０℃で１０ｍＡ、２５
℃で１５ｍＡ、５０℃で２８ｍＡとなる。従ってＬＤの
電流（Ｉ）よジバイアス電流（ＩＢ）’（ｒ引いた値０
℃で１６ｍＡ、２５℃で１５ｍＡ、５０℃で２０ｍＡが
パルス電流（Ｉｐ）となる。このバイアス電流（Ｉ ｎ
）とパルス電流（ＩＩ））の関係を示したのが第２ｉ
ＬｆＡ）である。
るし又光出力（Ｐ）の微分量子化効率（ＬＤ印加電流の
変化に対する光出力の変化の割合）も第１図Ｑこ示す如
く変化する。この為Ｌ Ｄ強度変調回路ではＡ Ｐ Ｃ
（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）
回路を用い温度が変化しても、ブ０出力のピーク値が第
１図のイに示す如く一定になるよう制御している。この
一定値にした時のＬＤの電流値は第１図の例に示す如く
、０℃の場合は２６ｍＡ、２５℃の場合は３０ｍＡ、５
０℃の場合は４８ｍＡとなる。通常バイアス電流は最適
値として、閾値電流よジ一定値低い値又は閾値電流に対
し一定割合になるよう定められる。第１図では闇値電流
は０℃で１１ｍＡ、２５℃で１６ｍＡ、５０℃で２９ｍ
Ａとなっている。そこで最適バイアス電流金例えば１ｍ
Ａ低い値とするとバイアス電流は０℃で１０ｍＡ、２５
℃で１５ｍＡ、５０℃で２８ｍＡとなる。従ってＬＤの
電流（Ｉ）よジバイアス電流（ＩＢ）’（ｒ引いた値０
℃で１６ｍＡ、２５℃で１５ｍＡ、５０℃で２０ｍＡが
パルス電流（Ｉｐ）となる。このバイアス電流（Ｉ ｎ
）とパルス電流（ＩＩ））の関係を示したのが第２ｉ
ＬｆＡ）である。
第２ｍ（Ａ）ケ見れば判る如くこの関係は直線でなく温
度の低い方でパルス電流（Ｉｐ）は−Ｆ方に曲っている
。又ＬＤの特性によってはバイアス電１（Ｉｎ）とパル
ス電流（Ｉｐ）の関係が第２図（Ｂ）１こ示す如く高温
で増加量の少ないものもある。従って温度が変化しても
光出力のピーク値を一定に制御する場合、バイアス電流
（Ｉｎ）を最適値にする【こはパルス電流を第２図（Ａ
） （Ｂ ）の特性をこ合うよう温度の変化をこ応じ
て変化せねばならない。これはバイアス電流を闇値電流
に対しくｃ） 従来技術と問題点 従来、上記の制御を行うために温度センサを用いて、パ
ルス電流及びバイアス電流を独立に最適値になるよう制
御する方式があるがこの方式では別に温ＩＷセンサ及び
パルス電流及びバイアス電流を制御する回路が夫々れ必
要となり回路規模が大きくなる欠点がある。尚又以下説
明する方式もあるが、これも以下説明する欠点がある。
度の低い方でパルス電流（Ｉｐ）は−Ｆ方に曲っている
。又ＬＤの特性によってはバイアス電１（Ｉｎ）とパル
ス電流（Ｉｐ）の関係が第２図（Ｂ）１こ示す如く高温
で増加量の少ないものもある。従って温度が変化しても
光出力のピーク値を一定に制御する場合、バイアス電流
（Ｉｎ）を最適値にする【こはパルス電流を第２図（Ａ
） （Ｂ ）の特性をこ合うよう温度の変化をこ応じ
て変化せねばならない。これはバイアス電流を闇値電流
に対しくｃ） 従来技術と問題点 従来、上記の制御を行うために温度センサを用いて、パ
ルス電流及びバイアス電流を独立に最適値になるよう制
御する方式があるがこの方式では別に温ＩＷセンサ及び
パルス電流及びバイアス電流を制御する回路が夫々れ必
要となり回路規模が大きくなる欠点がある。尚又以下説
明する方式もあるが、これも以下説明する欠点がある。
第３図は従来例のＬＤ強度変両［９１路の回路図、第４
図は第３図の回路のバイアス奄、流（Ｉｎ）とパルス電
流（Ｉｐ）との関係を示す特性図である。
図は第３図の回路のバイアス奄、流（Ｉｎ）とパルス電
流（Ｉｐ）との関係を示す特性図である。
第３図中ｌはＬＤ、Ｒ，〜■尤７は抵抗、Ｌはチョーク
、Ｔｒ、〜Ｔｒｓはトランジスタ、Ｖ ｃ １１一定電
圧、−■は負の直流電圧を示す。
、Ｔｒ、〜Ｔｒｓはトランジスタ、Ｖ ｃ １１一定電
圧、−■は負の直流電圧を示す。
第３図の電圧Ｖａは、ＡＰＣ回路で光出力を一定とする
為に、ＬＤＩの出力をヴ：−ｔ’を素子で受け、比較器
で基準電圧と比較した出力電圧であり、ＬＤｌの光出力
が低下すると電圧Ｖａは大きくなる。
為に、ＬＤＩの出力をヴ：−ｔ’を素子で受け、比較器
で基準電圧と比較した出力電圧であり、ＬＤｌの光出力
が低下すると電圧Ｖａは大きくなる。
この電圧Ｖａｔこ比例して、トランジスタ１゛ｒ４を流
れるＬＤＩのバイアス電流Ｉｅ及びトランジスタＴｒｓ
を流れるパルス電流Ｉｐは変化する。
れるＬＤＩのバイアス電流Ｉｅ及びトランジスタＴｒｓ
を流れるパルス電流Ｉｐは変化する。
ＡＰＣ回路で、光出力を第１図（イ）に示す一定値とす
ると、ＬＤＩを流れる電流（Ｉ）は温度が上る程前に説
明せる如く大きくなる。（５０℃４８ｍＡ、２５℃３０
ｍＡ、０℃２６ｍＡ）この電流Ｉを、例えば５０℃では
最適バイアス電流（Ｉｎ）２８ｍＡとパルス電流（Ｉｐ
＋２０／ｍＡとなるよう分割し又温度が変化［７た時第
２図に示した特性的＠ｉこ合うよう抵抗Ｒ８〜Ｒｇ 、
Ｒ７を調整したとすると、この第３図の回路では、バイ
アス電流（Ｉｎ）とパルス′亀流Ｉｐは電圧Ｖａをこ比
例するので、バイアス電流（ＩＴＩ）とパルス電流（Ｉ
ｐ）の関係は第４図ｔこ示す如く比例関係となり、第２
図（Ａ）に比し、低温度（例えば０℃）でパルス電流は
小さくなり、バイアス電流は最適値とはならず、また第
２図（Ｒ）に比し、高温でパルス電流は大きくなり最適
値とはならない。
ると、ＬＤＩを流れる電流（Ｉ）は温度が上る程前に説
明せる如く大きくなる。（５０℃４８ｍＡ、２５℃３０
ｍＡ、０℃２６ｍＡ）この電流Ｉを、例えば５０℃では
最適バイアス電流（Ｉｎ）２８ｍＡとパルス電流（Ｉｐ
＋２０／ｍＡとなるよう分割し又温度が変化［７た時第
２図に示した特性的＠ｉこ合うよう抵抗Ｒ８〜Ｒｇ 、
Ｒ７を調整したとすると、この第３図の回路では、バイ
アス電流（Ｉｎ）とパルス′亀流Ｉｐは電圧Ｖａをこ比
例するので、バイアス電流（ＩＴＩ）とパルス電流（Ｉ
ｐ）の関係は第４図ｔこ示す如く比例関係となり、第２
図（Ａ）に比し、低温度（例えば０℃）でパルス電流は
小さくなり、バイアス電流は最適値とはならず、また第
２図（Ｒ）に比し、高温でパルス電流は大きくなり最適
値とはならない。
第３図の回路の場合はこのような欠点がある。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点なこ鑑み、回路規模が小さく
て、かつ各温度−こおけるバイアス電流を最適値に制御
可能なＬＤ駆動方式の提供ｔこある。
て、かつ各温度−こおけるバイアス電流を最適値に制御
可能なＬＤ駆動方式の提供ｔこある。
（ｅ） 発明の禍成
本発明は上記の目的を達成するために、光出力のピーク
値が一定になるよう制御するＬＤ強度変調回路において
、パルス電流をバイアス電流に比例した成分と反比例し
た成分との合成’ＩｔｉＮ ＋こなるようにする手段を
設は温度の変化に対してバイアス電流を最適値ｌこ制御
出来るようにしたことを特徴とする。
値が一定になるよう制御するＬＤ強度変調回路において
、パルス電流をバイアス電流に比例した成分と反比例し
た成分との合成’ＩｔｉＮ ＋こなるようにする手段を
設は温度の変化に対してバイアス電流を最適値ｌこ制御
出来るようにしたことを特徴とする。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図に従って説明する。第５
図は本発明の実施例のＬＤ強度変調回路の回路図、第６
図は第５図の回路のバイアス電流（ＩＢ）とパルス電流
（工、）との関係を示′１−特性図である。
図は本発明の実施例のＬＤ強度変調回路の回路図、第６
図は第５図の回路のバイアス電流（ＩＢ）とパルス電流
（工、）との関係を示′１−特性図である。
第５図中第３図と同一機能のものは同−記・号で示す。
” ｒｓ ＋ Ｔ ｒ６はトランジス、Ｒａ〜Ｒ＋ｏは
抵抗でこれ等て差動増１コ器を構成している。ヌＲ３′
−４，’ 、Ｒ７’は抵抗、Ｖｒｅｆは参＠ 電圧を示
す。
抵抗でこれ等て差動増１コ器を構成している。ヌＲ３′
−４，’ 、Ｒ７’は抵抗、Ｖｒｅｆは参＠ 電圧を示
す。
トランジスタＴｒ４を流れるバイアス電流（Ｉ Ｂ）と
トランジスタＴ ｒ ｓを流れる電流Ｉｐ１とは先Ｑこ
説明した電圧Ｖａと比例関係にあり、バイアス電流（Ｉ
ｎ）と電流ＩＰ＋ との関係は第６図（Ａ）（Ｂ）のＩ
ｐｌ）こ示す如く比例関係となる。又トランジスタ’ｒ
ｒ ５を流れる電流Ｉｐ２と、電圧Ｖａより参照電圧
Ｖｒｅｆを差引いた電圧々の関係は差引いた電圧が小さ
い間は変化しないが其れ以上となると逆比例関係となる
。即ちバイアス電流−（Ｉｎ）とも上記と同じ関係とな
る。参照電位Ｖｒｅｆを変化さして第２図（Ａ）（Ｂ）
の特性【こ合うようにした場合の関係を第６図（Ａ）（
Ｂ）のＩｐ。
トランジスタＴ ｒ ｓを流れる電流Ｉｐ１とは先Ｑこ
説明した電圧Ｖａと比例関係にあり、バイアス電流（Ｉ
ｎ）と電流ＩＰ＋ との関係は第６図（Ａ）（Ｂ）のＩ
ｐｌ）こ示す如く比例関係となる。又トランジスタ’ｒ
ｒ ５を流れる電流Ｉｐ２と、電圧Ｖａより参照電圧
Ｖｒｅｆを差引いた電圧々の関係は差引いた電圧が小さ
い間は変化しないが其れ以上となると逆比例関係となる
。即ちバイアス電流−（Ｉｎ）とも上記と同じ関係とな
る。参照電位Ｖｒｅｆを変化さして第２図（Ａ）（Ｂ）
の特性【こ合うようにした場合の関係を第６図（Ａ）（
Ｂ）のＩｐ。
に示している。パルス電流Ｉｐは祐、流Ｉｐ＋ と電流
ＩＰｙの和であるので、第６図（Ａ）の場合はバイアス
電流が大きい間（温度が高い時）はパルス電流ＩＴＩは
バイアス電流【こ比例するが、電流ＩＴ’ｔが０のなる
付近でパルス電流ＩＬＩは傾きが変化しバイアス電流が
これ以下になると、パルス電流Ｉｐ＋とＩｐｔ との和
となり、第２図（Ａ）に示す最適バイアス電流とパルス
電流との関係ｔこ近似する。
ＩＰｙの和であるので、第６図（Ａ）の場合はバイアス
電流が大きい間（温度が高い時）はパルス電流ＩＴＩは
バイアス電流【こ比例するが、電流ＩＴ’ｔが０のなる
付近でパルス電流ＩＬＩは傾きが変化しバイアス電流が
これ以下になると、パルス電流Ｉｐ＋とＩｐｔ との和
となり、第２図（Ａ）に示す最適バイアス電流とパルス
電流との関係ｔこ近似する。
又第６図（Ｂ）の場合では、バイアス電流が小さい間は
パルス電流Ｉｐはバイアス電流に比例するが、大きくな
ると増加量が減少し、第２図（Ｂ）に示す最適バイアス
電流とパルス電流の関係蔽こ近似する。従ってこの特性
を利用し、抵抗Ｒ３’〜Ｒ６′。
パルス電流Ｉｐはバイアス電流に比例するが、大きくな
ると増加量が減少し、第２図（Ｂ）に示す最適バイアス
電流とパルス電流の関係蔽こ近似する。従ってこの特性
を利用し、抵抗Ｒ３’〜Ｒ６′。
Ｒ７′及び抵抗Ｒ８〜■１１ｏ、参照電圧Ｖｒｅｆを第
２図（Ａ）又は（Ｂ）の特性ｌこ合うようＬＤ毎に決定
しておけは、光出力のピーク値を一定昏こ制御する場合
、温度が変化しても各温度におけるバイアス電流を最適
値に制御出来る。仁の第５図の回路は第３図の回路Ｇこ
差動増巾器を追加したのみであり温度上ン丈を用いる従
来の回路より回路規模は小さい。
２図（Ａ）又は（Ｂ）の特性ｌこ合うようＬＤ毎に決定
しておけは、光出力のピーク値を一定昏こ制御する場合
、温度が変化しても各温度におけるバイアス電流を最適
値に制御出来る。仁の第５図の回路は第３図の回路Ｇこ
差動増巾器を追加したのみであり温度上ン丈を用いる従
来の回路より回路規模は小さい。
（ｇ） 発明の効果
以上詳細曇こ説明せる如く本発明昏こよれば、温度が変
化してもうｔ出力のピーク値を一定に制御する場合、回
路規模が小さくかつ各温度ｔこおけるバイアス電流を最
適値に制御出来る効果がある。
化してもうｔ出力のピーク値を一定に制御する場合、回
路規模が小さくかつ各温度ｔこおけるバイアス電流を最
適値に制御出来る効果がある。
第１図は温度が変化した場合の半導体レーザーこ流れる
電流と光出力との関係を示す特性図、第２図は各温度に
おける最適バイアス電流とパルス電流との関係を示す特
性図、第３図は従来例の半導体レーザ強Ｊｌｌｌ［変調
回路の回路図、第４図は第３図の回路のバイアス電流と
パルス電流との関係を示す特性図、第５図は本発明の実
施例の半導体レーザ強度変調回路の回路図、第６図は第
５図の回路のバイアス電流とパルス電流との関係を示す
特性図である。 図中１は半導体レーザ、Ｒ＋ −Ｒｈｏ ＋ Ｒｓ’
〜ＲＢ’＋Ｒ７’は抵抗、Ｔｒｙ−Ｔｒ６はトランジス
タ、Ｌはチョークを示す。 晃 １１２１ −１．。を七□２″４ ベイ７ス′６ＬげＬ（ｘ穀− ／ｖ４７λ′電流＝１８ 第３ 図 ４４ 困 ハ′イアスｔ５龜（１８） 男 ５図 第 ６ 図 ハ゛イアヌ′此３九〇ａ）− ０バイアス電ｊｔ（Ｉａ）−
電流と光出力との関係を示す特性図、第２図は各温度に
おける最適バイアス電流とパルス電流との関係を示す特
性図、第３図は従来例の半導体レーザ強Ｊｌｌｌ［変調
回路の回路図、第４図は第３図の回路のバイアス電流と
パルス電流との関係を示す特性図、第５図は本発明の実
施例の半導体レーザ強度変調回路の回路図、第６図は第
５図の回路のバイアス電流とパルス電流との関係を示す
特性図である。 図中１は半導体レーザ、Ｒ＋ −Ｒｈｏ ＋ Ｒｓ’
〜ＲＢ’＋Ｒ７’は抵抗、Ｔｒｙ−Ｔｒ６はトランジス
タ、Ｌはチョークを示す。 晃 １１２１ −１．。を七□２″４ ベイ７ス′６ＬげＬ（ｘ穀− ／ｖ４７λ′電流＝１８ 第３ 図 ４４ 困 ハ′イアスｔ５龜（１８） 男 ５図 第 ６ 図 ハ゛イアヌ′此３九〇ａ）− ０バイアス電ｊｔ（Ｉａ）−
Claims (1)
- 光出力の一部をモニタし、このモニタ出力レベルによジ
半導体レーザのノくパルス電流及びノ（イアスミ流を制
御し温度がかわっても自動的に光出力のピーク値が一定
Ｏこなるよう制御する半導体レーザ強度変調回路におい
て、該〕（ルス電流を、該）くイアス霜、流に比例した
成分と反比例した成分との合成電流になるようにする手
段を設け、各温度Ｇこおけるバイアス電流を最適値をこ
制御出来るようにしたことを特徴とする半導体レーザ駆
動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12732783A JPS6018982A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体レ−ザ駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12732783A JPS6018982A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体レ−ザ駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018982A true JPS6018982A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14957184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12732783A Pending JPS6018982A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 半導体レ−ザ駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018982A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5412675A (en) * | 1991-12-26 | 1995-05-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical source capable of compensating for temperature-induced variation of laser oscillation threshold |
| US5732096A (en) * | 1995-11-16 | 1998-03-24 | Fujitsu Limited | Control circuit for supplying a driving current to a laser diode |
| US5966395A (en) * | 1996-11-29 | 1999-10-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device and image recording device |
| US5987044A (en) * | 1992-01-10 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor light source system having an optimized setting for driving a laser diode |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12732783A patent/JPS6018982A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5412675A (en) * | 1991-12-26 | 1995-05-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor optical source capable of compensating for temperature-induced variation of laser oscillation threshold |
| US5987044A (en) * | 1992-01-10 | 1999-11-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor light source system having an optimized setting for driving a laser diode |
| US5732096A (en) * | 1995-11-16 | 1998-03-24 | Fujitsu Limited | Control circuit for supplying a driving current to a laser diode |
| US5966395A (en) * | 1996-11-29 | 1999-10-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device and image recording device |
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