JPS60254783A - レ−ザダイオ−ドの駆動方式 - Google Patents
レ−ザダイオ−ドの駆動方式Info
- Publication number
- JPS60254783A JPS60254783A JP11137784A JP11137784A JPS60254783A JP S60254783 A JPS60254783 A JP S60254783A JP 11137784 A JP11137784 A JP 11137784A JP 11137784 A JP11137784 A JP 11137784A JP S60254783 A JPS60254783 A JP S60254783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- resistor
- current
- ratio
- resistance value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザダイオードの駆動方式、特に埋め込み型
レーザダイオードの駆動方式の改良に関する。
レーザダイオードの駆動方式の改良に関する。
近年に至って、埋め込み型レーザダイオードが開発され
、その発振闇値の低下が図られ、その消費電力も低電力
化されている。
、その発振闇値の低下が図られ、その消費電力も低電力
化されている。
このようなレーザダイオードにおいても、動作温度によ
り特性が変化する。そして、レーザダイオードを駆動す
る場合、良好な光出力特性を保ちつつその動作温度を広
範囲にしたいという要請がレーザダイオードを使用する
分野からめられるに至っている。
り特性が変化する。そして、レーザダイオードを駆動す
る場合、良好な光出力特性を保ちつつその動作温度を広
範囲にしたいという要請がレーザダイオードを使用する
分野からめられるに至っている。
上述のような埋め込み型レーザダイオードには、発振後
の光出力対駆動電流の比（微分効率）が高温側において
低下する特性があるため、埋め込み型レーザダイオード
の開発初期におけるその駆動手段として、パルス電流を
一定にし且つバイアス電流を可変にしてこれらの電流を
レーザダイオードの駆動に用い、その光出力を一定にす
るオートパワーコントロール回路（以下、ＡＰＣ回路と
称する。）が用いられていたが、上述の如くレーザダイ
オードの闇値が低下されて来ると、パルス電流の一定性
が禍して良好な光出力特性が得られなくなる。
の光出力対駆動電流の比（微分効率）が高温側において
低下する特性があるため、埋め込み型レーザダイオード
の開発初期におけるその駆動手段として、パルス電流を
一定にし且つバイアス電流を可変にしてこれらの電流を
レーザダイオードの駆動に用い、その光出力を一定にす
るオートパワーコントロール回路（以下、ＡＰＣ回路と
称する。）が用いられていたが、上述の如くレーザダイ
オードの闇値が低下されて来ると、パルス電流の一定性
が禍して良好な光出力特性が得られなくなる。
そこで、第３図に示すようなＡＰＣ回路が新たに開発さ
れた。この回路はレーザダイオードＬＤに流れるバイア
ス電流をトランジスタＱ２を経て流し、パルス電流を差
動増幅器ＤＡ、トランジスタＱ、を経て流すように構成
されており、これら両電流の比は一定にされている。な
お、差動増幅器ＤＡはゲー）Ｇを経て供給されるゲート
パルスによってパルス電流をレーザダイオードＬＤに流
したり、遮断したりするためのものである。ＯＰはモニ
タ用ダイオードＰＤの出力値をモニタし、レーザダイオ
ードＬＤに所定の光出力を発生せしめるための演算増幅
器である。
れた。この回路はレーザダイオードＬＤに流れるバイア
ス電流をトランジスタＱ２を経て流し、パルス電流を差
動増幅器ＤＡ、トランジスタＱ、を経て流すように構成
されており、これら両電流の比は一定にされている。な
お、差動増幅器ＤＡはゲー）Ｇを経て供給されるゲート
パルスによってパルス電流をレーザダイオードＬＤに流
したり、遮断したりするためのものである。ＯＰはモニ
タ用ダイオードＰＤの出力値をモニタし、レーザダイオ
ードＬＤに所定の光出力を発生せしめるための演算増幅
器である。
第３図に示される回路の如くパルス電流とバイアス電流
との比を一定にして置くという技法は、レーザダイオー
ドの動作温度が一定にある場合にはその所期の目的は達
成されるのであるが、レーザダイオードはその動作温度
が変わって来ると所定の光出力を発生するのに要する上
述比に変化を生せしめるので、レーザダイオードを広い
動作温度範囲で動作させ得なくなる。
との比を一定にして置くという技法は、レーザダイオー
ドの動作温度が一定にある場合にはその所期の目的は達
成されるのであるが、レーザダイオードはその動作温度
が変わって来ると所定の光出力を発生するのに要する上
述比に変化を生せしめるので、レーザダイオードを広い
動作温度範囲で動作させ得なくなる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、レーザダイオードの所望の光出力特性を広い
動作温度範囲に亘って維持し得るレーザダイオードの駆
動方式を提供するもので、その手段はレーザダイオード
を駆動する方式において、該レーザダイオードを駆動す
るパルス電流とバイアス電流との比を前記レーザダイオ
ードの動作温度に応じた値に設定し、これら両電流の合
計値を、前記レーザダイオードの予め決められた光出力
を一定にするように制御するようにしたものである。
動作温度範囲に亘って維持し得るレーザダイオードの駆
動方式を提供するもので、その手段はレーザダイオード
を駆動する方式において、該レーザダイオードを駆動す
るパルス電流とバイアス電流との比を前記レーザダイオ
ードの動作温度に応じた値に設定し、これら両電流の合
計値を、前記レーザダイオードの予め決められた光出力
を一定にするように制御するようにしたものである。
本発明方式によれば、レーザダイオードを駆動するため
のバイアス電流とパルス電流との比はその動作温度に応
じて決まる予め決められた値に設定され、それら両電流
の合計値は予め決められた光出力を一定に保つように制
御される。従って、し、−ザダイオードの動作温度に応
じたバイアス電流とパルス電流との比が維持されること
となり、良好な光出力特性を広い動作温度範囲に亘って
得ることができる。
のバイアス電流とパルス電流との比はその動作温度に応
じて決まる予め決められた値に設定され、それら両電流
の合計値は予め決められた光出力を一定に保つように制
御される。従って、し、−ザダイオードの動作温度に応
じたバイアス電流とパルス電流との比が維持されること
となり、良好な光出力特性を広い動作温度範囲に亘って
得ることができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の詳細な説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す。この実施例は上述従
来のＡＰＣ回路のトランジスタＱ２のエミッタ回路の抵
抗Ｒ”２を、抵抗Ｒ２とこれに直列接続される並列接続
の抵抗Ｒ３及びサーミスタＴＨとに変更したことに本発
明の特徴部分がある。
来のＡＰＣ回路のトランジスタＱ２のエミッタ回路の抵
抗Ｒ”２を、抵抗Ｒ２とこれに直列接続される並列接続
の抵抗Ｒ３及びサーミスタＴＨとに変更したことに本発
明の特徴部分がある。
この構成により、パルス電流ＩＰＵＬＳとバイアス電流
Ｉｎｃとの比を とすることができる。但し、上式において、ＲＥｌは抵
抗Ｒ７の抵抗値、ＲＥ２は抵抗Ｒ２の抵抗値、ＲＥ３は
抵抗Ｒ３の抵抗値、ＲＴＨはサーミスタの抵抗値である
。
Ｉｎｃとの比を とすることができる。但し、上式において、ＲＥｌは抵
抗Ｒ７の抵抗値、ＲＥ２は抵抗Ｒ２の抵抗値、ＲＥ３は
抵抗Ｒ３の抵抗値、ＲＴＨはサーミスタの抵抗値である
。
従って、埋め込み型レーザダイオードの駆動電流対光出
力電力特性（以下、Ｉ−Ｌ特性と略称する。）が第２図
に示すような温度特性を有していたとしても、その温度
特性に左右されることな（良好な光出力特性をレーザダ
イオードに持たせることができる。
力電力特性（以下、Ｉ−Ｌ特性と略称する。）が第２図
に示すような温度特性を有していたとしても、その温度
特性に左右されることな（良好な光出力特性をレーザダ
イオードに持たせることができる。
即ち、第２図は下表を表したものであり〔上表中のピー
ク電流値は光出力を１．５１にするのに要する電流であ
り、パルス電流は直流バイアス電流を闇値電流と同じ値
に設定した場合に光出力のピーク値を１．５ｍＷにする
のに要するパルス電流である。〕、この表によれば所定
の光ピーク出力を発生されるためには、パルス電流とバ
イアス電流との比を動作温度によって変える必要性が分
かるが、このような電流比の温度依存性は上述のサーミ
スタの温度依存性の利用で具現化されるからである。つ
まり、レーザダイオードＬＤの動作温度が下降する場合
には、サーミスタＴＨの抵抗値が増大してＲＥ３／／Ｒ
ＴＨを小さくするので、上述のＩＰＵＬＳとＩｐｃとの
比は大きくされるのに対して、レーザダイオードＬＤの
動作温度が上昇する場合には、サーミスタＴＨの抵抗値
は減少してＲＲ３／／ ＲＴＨを大きくするので、上述
のＩＰＵＬＳとＩＤＣとの比は小さくされることとなり
、結果として、上述電流比に要求される温度依存性は満
足される故、上述したような良好な光出力特性が得られ
る。
ク電流値は光出力を１．５１にするのに要する電流であ
り、パルス電流は直流バイアス電流を闇値電流と同じ値
に設定した場合に光出力のピーク値を１．５ｍＷにする
のに要するパルス電流である。〕、この表によれば所定
の光ピーク出力を発生されるためには、パルス電流とバ
イアス電流との比を動作温度によって変える必要性が分
かるが、このような電流比の温度依存性は上述のサーミ
スタの温度依存性の利用で具現化されるからである。つ
まり、レーザダイオードＬＤの動作温度が下降する場合
には、サーミスタＴＨの抵抗値が増大してＲＥ３／／Ｒ
ＴＨを小さくするので、上述のＩＰＵＬＳとＩｐｃとの
比は大きくされるのに対して、レーザダイオードＬＤの
動作温度が上昇する場合には、サーミスタＴＨの抵抗値
は減少してＲＲ３／／ ＲＴＨを大きくするので、上述
のＩＰＵＬＳとＩＤＣとの比は小さくされることとなり
、結果として、上述電流比に要求される温度依存性は満
足される故、上述したような良好な光出力特性が得られ
る。
なお、上記実施例においては、ＩＰＵＬＳとＩＤＣとの
比に上述の如き温度依存性を付与するのに、温度補償手
段としてサーミスタを用いた例について説明したが、可
変抵抗の値をレーザダイオードの動作温度に応じてマイ
コン制御するようにしてもよい。
比に上述の如き温度依存性を付与するのに、温度補償手
段としてサーミスタを用いた例について説明したが、可
変抵抗の値をレーザダイオードの動作温度に応じてマイ
コン制御するようにしてもよい。
以上説明したように本発明によれば、レーザダイオード
の動作温度に応じたパルス電流とバイアス電流との比を
レーザダイオード駆動電流に現出せしめているから、レ
ーザダイオードの良好な光出力特性を広い動作範囲に亘
って得ることができる。
の動作温度に応じたパルス電流とバイアス電流との比を
レーザダイオード駆動電流に現出せしめているから、レ
ーザダイオードの良好な光出力特性を広い動作範囲に亘
って得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は埋め込み
型レーザダイオードのＩ−Ｌ特性を示′す図、第３図は
従来のＡＰＬ回路を示す図である。 図中、ＬＤはレーザダイオード、ＤＡは差動増幅器、Ｇ
はゲート、Ｑｌ 、Ｑ２はトランジスタ、Ｒ１゜Ｒａ、
Ｒ３は抵抗、ＴＨはサーミスタ、ＰＤはモニタ用ダイオ
ード、ＯＰは演算増幅器である。 特許出願人 富士通株式会社 第１因 第２図 第３図
型レーザダイオードのＩ−Ｌ特性を示′す図、第３図は
従来のＡＰＬ回路を示す図である。 図中、ＬＤはレーザダイオード、ＤＡは差動増幅器、Ｇ
はゲート、Ｑｌ 、Ｑ２はトランジスタ、Ｒ１゜Ｒａ、
Ｒ３は抵抗、ＴＨはサーミスタ、ＰＤはモニタ用ダイオ
ード、ＯＰは演算増幅器である。 特許出願人 富士通株式会社 第１因 第２図 第３図
Claims (1)
- レーザダイオードを駆動するための駆動回路において、
該レーザダイオードを駆動するパルス電流とバイアス電
流との比を前記レーザダイオードの動作温度に応じた値
に設定し、これら両型流値を、前記レーザダイオードの
光出力を一定にするように制御することを特徴とするレ
ーザダイオードの駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137784A JPS60254783A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | レ−ザダイオ−ドの駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137784A JPS60254783A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | レ−ザダイオ−ドの駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254783A true JPS60254783A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14559641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11137784A Pending JPS60254783A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | レ−ザダイオ−ドの駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254783A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01304792A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| US5761230A (en) * | 1995-05-22 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Laser-diode driving circuit with temperature compensation |
| US6242870B1 (en) | 1997-10-16 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Light emitting device driving circuit |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11137784A patent/JPS60254783A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01304792A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| US5761230A (en) * | 1995-05-22 | 1998-06-02 | Nec Corporation | Laser-diode driving circuit with temperature compensation |
| US6242870B1 (en) | 1997-10-16 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Light emitting device driving circuit |
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