JPS6018983B2 - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS6018983B2 JPS6018983B2 JP50060004A JP6000475A JPS6018983B2 JP S6018983 B2 JPS6018983 B2 JP S6018983B2 JP 50060004 A JP50060004 A JP 50060004A JP 6000475 A JP6000475 A JP 6000475A JP S6018983 B2 JPS6018983 B2 JP S6018983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light transmitting
- mask
- pitch
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細パターン特にスト・ライブ状の微細パタ
ーンを露光する場合に適用して好適な露光方法に関する
。
ーンを露光する場合に適用して好適な露光方法に関する
。
例えば蓄積管のターゲットに於ては、第１図に示すよう
に管体のフェースプレート１の内面に例えばシリコン（
Ｓｉ）層より成る鰭極＝２を配し、その表面を酸化させ
て形成したＳｉ０２よりなる絶縁体層３を形成し、この
絶縁体層３を・７オトェッチングによって電極２の一部
が露出するようにストライプ状（ビーム走査線方向と交
わる方向に平行に延長される）に形成して構成されるも
のがある。
に管体のフェースプレート１の内面に例えばシリコン（
Ｓｉ）層より成る鰭極＝２を配し、その表面を酸化させ
て形成したＳｉ０２よりなる絶縁体層３を形成し、この
絶縁体層３を・７オトェッチングによって電極２の一部
が露出するようにストライプ状（ビーム走査線方向と交
わる方向に平行に延長される）に形成して構成されるも
のがある。
又、図示せざるも、フェースプーノートの内面に全面的
に被着された導電層よりなるターゲット電極上に全面に
Ｓｉ０２の如き絶縁体層を介してビーム走査線方向に交
わる方向に平行に延長する複数のストライプ状電極を櫛
歯状に形成した第１及び第２の電極群を被着して構成さ
れるターゲットもある。かかるストライプ状の絶縁体層
３又はストライプ状の電極群はいずれもフオトェッチン
グ技術を用いて形成するものであるが、そのストライプ
の線中及びピッチが極めて微細であるため、即ち１例と
してストライプの線中が５り、ピッチが１０ムと極めて
細かく、為に之をフオトェッチングによって形成する際
のフオトマスクの作製は困難を極めている。
に被着された導電層よりなるターゲット電極上に全面に
Ｓｉ０２の如き絶縁体層を介してビーム走査線方向に交
わる方向に平行に延長する複数のストライプ状電極を櫛
歯状に形成した第１及び第２の電極群を被着して構成さ
れるターゲットもある。かかるストライプ状の絶縁体層
３又はストライプ状の電極群はいずれもフオトェッチン
グ技術を用いて形成するものであるが、そのストライプ
の線中及びピッチが極めて微細であるため、即ち１例と
してストライプの線中が５り、ピッチが１０ムと極めて
細かく、為に之をフオトェッチングによって形成する際
のフオトマスクの作製は困難を極めている。
一方、ストライプパターンのマスクの作製法として、例
えば第２図に示す反復露光装置４を利用した作製法が提
案されている。
えば第２図に示す反復露光装置４を利用した作製法が提
案されている。
これは、ストライプパターンが微細な場合、原図を高倍
率（１０００〜２００び音）で作成し、この原図から縮
写して第３図示すような数本〜数十本のストライプ状の
光透過部６〔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ〕を有する原光学マスク（
マスターレティクル）５を設ける。この原光学マスク５
を第２図の装億４に固定し、又原光学マスク５に対向し
て配されたステージ７上に写真乾板８を固定戦直し、ス
テージ７を原光学マスク５の光透過部６の長手方向即ち
Ｘ方向（第３図参照）に一軸連続移動させその間はシャ
ッター９を開放にして光量を一定とした光源１０よりの
光で露光する。光源１０としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプを用い、之よりの光を集光レンズ１１を介してオプ
チカルフアイバ−１２に導き、さらにオプチカルフアィ
バー１２よりの光を集光レンズ１３を通して原光学マス
ク５に照射するようになす。１４は縮写レンズである。
率（１０００〜２００び音）で作成し、この原図から縮
写して第３図示すような数本〜数十本のストライプ状の
光透過部６〔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ〕を有する原光学マスク（
マスターレティクル）５を設ける。この原光学マスク５
を第２図の装億４に固定し、又原光学マスク５に対向し
て配されたステージ７上に写真乾板８を固定戦直し、ス
テージ７を原光学マスク５の光透過部６の長手方向即ち
Ｘ方向（第３図参照）に一軸連続移動させその間はシャ
ッター９を開放にして光量を一定とした光源１０よりの
光で露光する。光源１０としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプを用い、之よりの光を集光レンズ１１を介してオプ
チカルフアイバ−１２に導き、さらにオプチカルフアィ
バー１２よりの光を集光レンズ１３を通して原光学マス
ク５に照射するようになす。１４は縮写レンズである。
次にＸ方向の一樹露光が終る毎に、写真乾板８を原光学
マスク５の光透過部６の延長方向と直交する方向、即ち
Ｙ方向に原光学マスク５の寸法（光透過部６の全体を含
む中ａに相当）づっ移動し再びＸ方向の露光を行う。全
露光工程が終った後、現像処理すれば第４図に示すよう
に多数のストライプ状の光透過部１５及び遮光部１６か
らなるパターンのマスク１７が得られる。然るに、この
場合ステージ７の移動によってマスク５をマスク５の寸
法づつＹ方向に移動させるが、ステージ７の位置決め精
度の影響によって第４図に示す如く第１の露光位鷹と第
２の蕗光位鷹との継目部分１８に当るピッチに誤差を生
ずる。
マスク５の光透過部６の延長方向と直交する方向、即ち
Ｙ方向に原光学マスク５の寸法（光透過部６の全体を含
む中ａに相当）づっ移動し再びＸ方向の露光を行う。全
露光工程が終った後、現像処理すれば第４図に示すよう
に多数のストライプ状の光透過部１５及び遮光部１６か
らなるパターンのマスク１７が得られる。然るに、この
場合ステージ７の移動によってマスク５をマスク５の寸
法づつＹ方向に移動させるが、ステージ７の位置決め精
度の影響によって第４図に示す如く第１の露光位鷹と第
２の蕗光位鷹との継目部分１８に当るピッチに誤差を生
ずる。
Ｐ，はマスク５内の光透過部１５間のピッチ、Ｐ２は継
目部分１８の光透過部１５間のピッチを示す。ステージ
７の位置決め精度は現状では０．２一〜０．３ムであり
、従ってこのピッチむらによって例えばこのような露光
によって作製したマスクを用も、て蓄積管のターゲット
を形成しテレビ画像を得たとき、継目部分が縞状になっ
て現れ画質が劣下する。本発明は、斯る点に鑑み第２図
の反復露光装置４を利用するも特にピッチの偏差を０．
１ム以下に抑えてピッチむらのないストライプパタ−ン
を得る場合の露光方法を提供するものである。
目部分１８の光透過部１５間のピッチを示す。ステージ
７の位置決め精度は現状では０．２一〜０．３ムであり
、従ってこのピッチむらによって例えばこのような露光
によって作製したマスクを用も、て蓄積管のターゲット
を形成しテレビ画像を得たとき、継目部分が縞状になっ
て現れ画質が劣下する。本発明は、斯る点に鑑み第２図
の反復露光装置４を利用するも特にピッチの偏差を０．
１ム以下に抑えてピッチむらのないストライプパタ−ン
を得る場合の露光方法を提供するものである。
以下、本発明による露光方法を第５図以下を用いて説明
しよう。
しよう。
本発明は、第５図に示す如く、互に等しい線中ｄを有す
る複数本のストライプ状の光透過部２１を等しいピッチ
Ｐｏで平行に配列し、且つ光透過部２１の長さそを光透
過部２１の配列方向（Ｙ方向）の中Ｗに関してその中央
位遣る（１／２Ｗ）で最大とし、之より両端乙，Ｚに向
って直線的に変化し両端乙，Ｚで零となる原光学マスク
２２を設ける。
る複数本のストライプ状の光透過部２１を等しいピッチ
Ｐｏで平行に配列し、且つ光透過部２１の長さそを光透
過部２１の配列方向（Ｙ方向）の中Ｗに関してその中央
位遣る（１／２Ｗ）で最大とし、之より両端乙，Ｚに向
って直線的に変化し両端乙，Ｚで零となる原光学マスク
２２を設ける。
第５図の原光学マスク２２は、光透過部２１の全体を含
むパターン即ち光透過静鰭羊２３が菱形となるように形
成した場合である。この原光学マスク２２を第２図の反
復露光装置４に固定すると共に、之と対向するステージ
７上に被露光体例えば最終的に光学マスクとなる写真乾
板８を載贋固定する。次いで例えば長いストライプパタ
ーンであればステージ７と共に写真乾板８を×方向に一
樹連続移動させ、その間シャツ夕９を開放させて露光す
る。次に×方向の露光が終った毎に写真乾板をＹ方向に
ある条件の送りピッチで移動し再びＸ方向の露光を行い
、この操作を繰返えす。送りピッチは、例えば第６図に
示すように原光学マスク２２の光透過剤頚羊２３が半分
だけ重なるように光透過部群２３のＹ方向の中Ｗの１／
２のピッチに選定する。すなわち、この場合原光学マス
ク２２は、移動前及び移動後の互に重り合う２つの光透
過部２１の長さその和が丁度中央の光透過部２１ａの最
大長いこなるように１／２Ｗの送りピッチでＹ方向に移
動する。なお、光透過部２１の本数、ピッチ及び線中等
によって互に重り合う２つの光透過部２長さその和は、
中央の光透過部２１ａの長さＬに必ずしも一致するとは
限ぎらないが、しかし極めて近似した長さとなる。かく
して、第６図の送りピッチの場合、Ｙ方向に関しては中
央の光透過部２１を通しての露光を除いて他部では夫々
異なる光透過部２１を通して２回露光を行う。このとき
異なる光透過部２１の長さその和が中央の光透過部２１
の長さと一致又は極めて近似するために第７図に示すよ
うに２回の露光で各光透過部２１に対応した光透過部２
４は夫々同一の露光量をもって露光される。全露光工程
が終った後、現像すれば第７図の露光部２４が光透過部
として成る目的のマスクが得られる。
むパターン即ち光透過静鰭羊２３が菱形となるように形
成した場合である。この原光学マスク２２を第２図の反
復露光装置４に固定すると共に、之と対向するステージ
７上に被露光体例えば最終的に光学マスクとなる写真乾
板８を載贋固定する。次いで例えば長いストライプパタ
ーンであればステージ７と共に写真乾板８を×方向に一
樹連続移動させ、その間シャツ夕９を開放させて露光す
る。次に×方向の露光が終った毎に写真乾板をＹ方向に
ある条件の送りピッチで移動し再びＸ方向の露光を行い
、この操作を繰返えす。送りピッチは、例えば第６図に
示すように原光学マスク２２の光透過剤頚羊２３が半分
だけ重なるように光透過部群２３のＹ方向の中Ｗの１／
２のピッチに選定する。すなわち、この場合原光学マス
ク２２は、移動前及び移動後の互に重り合う２つの光透
過部２１の長さその和が丁度中央の光透過部２１ａの最
大長いこなるように１／２Ｗの送りピッチでＹ方向に移
動する。なお、光透過部２１の本数、ピッチ及び線中等
によって互に重り合う２つの光透過部２長さその和は、
中央の光透過部２１ａの長さＬに必ずしも一致するとは
限ぎらないが、しかし極めて近似した長さとなる。かく
して、第６図の送りピッチの場合、Ｙ方向に関しては中
央の光透過部２１を通しての露光を除いて他部では夫々
異なる光透過部２１を通して２回露光を行う。このとき
異なる光透過部２１の長さその和が中央の光透過部２１
の長さと一致又は極めて近似するために第７図に示すよ
うに２回の露光で各光透過部２１に対応した光透過部２
４は夫々同一の露光量をもって露光される。全露光工程
が終った後、現像すれば第７図の露光部２４が光透過部
として成る目的のマスクが得られる。
なお、このようにして得たマスクをマスクーマスクとし
て、周知の技術（例えばフオトェツチング技術等）を用
いてさらに同一パターンのマスクを作製することもでき
る。上述の本発明による露光方法によれば、反復露光装
置のステージの移動ピッチに誤差があっても、その誤差
は各露光部２４間で平均的にふり分けられ、隣り合うピ
ッチ間でのピッチ偏差は非常に小さくなる。
て、周知の技術（例えばフオトェツチング技術等）を用
いてさらに同一パターンのマスクを作製することもでき
る。上述の本発明による露光方法によれば、反復露光装
置のステージの移動ピッチに誤差があっても、その誤差
は各露光部２４間で平均的にふり分けられ、隣り合うピ
ッチ間でのピッチ偏差は非常に小さくなる。
すなわち、第８図に示すように２回露光に於て１回目及
び２回目の露光が同一位置で行なわれたときの露光部２
４′と、１回目と２回目の露光位置がずれたときの総合
された露光部２４＾とのずれを、各露光部２４′及び２
４″の中心線０′及び０″のずれ△○として考えると、
このずれ△０は２回目の露光量に関係し、２回目の露光
量が多ければ△０は大きく、露光量が少なければ△０は
４・さいくなる。従って第６図の露光方法に於てはマス
ク２２の光透過部２１の長さ〆が中央よりＹ方向に向っ
て漸次４・となっているために、１回目の露光時の露光
部を基準とした場合移動後の２回目の露光のときの露光
量は１回目の露光量とは逆に中央より端部に向って漸次
多くなる。従って、１回目及び２回目の総合された露光
による露光部の中心線の１回目の露光部の中心線に対す
るずれは中央より端部に向って漸次多くなるも、各隣り
合う露光部間でのずれの偏差は少なく、即ち反復露光装
置４のステージ７の移動ピッチの誤差を△ｄとし、マス
ク２２の光透過部２１の本数（１回目の露光部に重り合
う本数）をｎとすれば△ｄ／ｎとなる。従ってステｍジ
７を１′２Ｗのピッチで移動したときの１回目の露光で
の中央の光透過部２１ａを通して得られる露光部と２回
目（移動後）の露光での中央の光透過部２１ａを通して
得られる露光部間での総合したピッチ偏差は△ｄである
も、各隣り合うピッチ偏差は△ｄ／ｎとなり極めて小さ
くなる。なお、第６図ではマスク２２を１′２Ｗの中づ
つ移動して２回露光するようにしたが、第９図に示す如
くマスク２２を１／４Ｗの中づつ移動して４回露光する
こともでき、さらに１／８Ｗ，１／１６Ｗ…・・・等の
１／２Ｗの倍数の移動ピッチでの多重露光も可能である
。
び２回目の露光が同一位置で行なわれたときの露光部２
４′と、１回目と２回目の露光位置がずれたときの総合
された露光部２４＾とのずれを、各露光部２４′及び２
４″の中心線０′及び０″のずれ△○として考えると、
このずれ△０は２回目の露光量に関係し、２回目の露光
量が多ければ△０は大きく、露光量が少なければ△０は
４・さいくなる。従って第６図の露光方法に於てはマス
ク２２の光透過部２１の長さ〆が中央よりＹ方向に向っ
て漸次４・となっているために、１回目の露光時の露光
部を基準とした場合移動後の２回目の露光のときの露光
量は１回目の露光量とは逆に中央より端部に向って漸次
多くなる。従って、１回目及び２回目の総合された露光
による露光部の中心線の１回目の露光部の中心線に対す
るずれは中央より端部に向って漸次多くなるも、各隣り
合う露光部間でのずれの偏差は少なく、即ち反復露光装
置４のステージ７の移動ピッチの誤差を△ｄとし、マス
ク２２の光透過部２１の本数（１回目の露光部に重り合
う本数）をｎとすれば△ｄ／ｎとなる。従ってステｍジ
７を１′２Ｗのピッチで移動したときの１回目の露光で
の中央の光透過部２１ａを通して得られる露光部と２回
目（移動後）の露光での中央の光透過部２１ａを通して
得られる露光部間での総合したピッチ偏差は△ｄである
も、各隣り合うピッチ偏差は△ｄ／ｎとなり極めて小さ
くなる。なお、第６図ではマスク２２を１′２Ｗの中づ
つ移動して２回露光するようにしたが、第９図に示す如
くマスク２２を１／４Ｗの中づつ移動して４回露光する
こともでき、さらに１／８Ｗ，１／１６Ｗ…・・・等の
１／２Ｗの倍数の移動ピッチでの多重露光も可能である
。
この場合には移動ピッチの誤差による各露光部の線中の
変化も相殺され各露光部とも均一な線中となり、ピッチ
及び線中とも，に偏差の少ないパターンが得られる。こ
のように特殊の原光学マスクを用い最大長の光透過部に
対応した露光部を除く他の全ての露光部に対して同一回
数の多重露光を行う，ことによって、総合で各露光部に
平均した露光量［を与え、そのピッチ偏差及び線中の偏
差の極めて少ないストライプ群が得られる。
変化も相殺され各露光部とも均一な線中となり、ピッチ
及び線中とも，に偏差の少ないパターンが得られる。こ
のように特殊の原光学マスクを用い最大長の光透過部に
対応した露光部を除く他の全ての露光部に対して同一回
数の多重露光を行う，ことによって、総合で各露光部に
平均した露光量［を与え、そのピッチ偏差及び線中の偏
差の極めて少ないストライプ群が得られる。
なお、露光開始と露光終了とにおいて多重露光が行なわ
れない部分が生ずるも、この部分は不要部分として有効
領域から削除すればよい。因みに、第６図において菱形
パターンのマスク２２の最大中Ｗを８側（０．８肋）、
最大長Ｌを３０胸（３柳）、光透過部２１の線中ｄを５
０〃，（５０ム）ピッチＰｄを１００一（１０仏）とし
た原光学マスクを用い、通常の反復露光装置４にて露光
を行い、総数約２０００本（１本の露光部の長さ２０舷
）のストライプ状パターンのマスクを作製した。
れない部分が生ずるも、この部分は不要部分として有効
領域から削除すればよい。因みに、第６図において菱形
パターンのマスク２２の最大中Ｗを８側（０．８肋）、
最大長Ｌを３０胸（３柳）、光透過部２１の線中ｄを５
０〃，（５０ム）ピッチＰｄを１００一（１０仏）とし
た原光学マスクを用い、通常の反復露光装置４にて露光
を行い、総数約２０００本（１本の露光部の長さ２０舷
）のストライプ状パターンのマスクを作製した。
上記中Ｗ、長さＬ、線中ｄ及びピッチＰｏのカッコ内の
数値は縮写レンズ１４を通して写真乾板８上に二役影さ
れたときの実寸法である。またこのときのステージ７の
Ｘ方向の移送は約２６側（ステージのスピード２．２７
肌／ｓｅｃ）、Ｙ方向の移動ピッチは０．２側である。
以上のようにして作製したストライプ状パターンはピッ
チ及び線中共に偏差０．１一以内であるを認めた。なお
、移送方向を９０ｏ回転して重ねれば網目状パターンの
作製も可能である。尚、原光学マスクとしては、第５図
に示す菱形のマスク２２の他、例えば第１０図に示すよ
うに光透過部群２３のパターンを三角形状としたマスク
２５、或いは第１１図に示すように光透過部群２３のパ
ターンを斜方形状としたマスク２６等を用いることもで
きる。
数値は縮写レンズ１４を通して写真乾板８上に二役影さ
れたときの実寸法である。またこのときのステージ７の
Ｘ方向の移送は約２６側（ステージのスピード２．２７
肌／ｓｅｃ）、Ｙ方向の移動ピッチは０．２側である。
以上のようにして作製したストライプ状パターンはピッ
チ及び線中共に偏差０．１一以内であるを認めた。なお
、移送方向を９０ｏ回転して重ねれば網目状パターンの
作製も可能である。尚、原光学マスクとしては、第５図
に示す菱形のマスク２２の他、例えば第１０図に示すよ
うに光透過部群２３のパターンを三角形状としたマスク
２５、或いは第１１図に示すように光透過部群２３のパ
ターンを斜方形状としたマスク２６等を用いることもで
きる。
さらに第５図、第１０図及び第１１図に示す夫々のマス
ク２２，２５及び２６では中央位置に最大長の光透過部
２１ａを配した構成であるが、第１２図に示すように中
央を挟む位置で夫々最大長の光透過部２１ａを配した構
成としてもよい。上述せる如く、本発明による露光方法
は、その露光部のピッチ及び線中の偏差を極めて小さく
することができるもので、微細パターンを必要とする蓄
積管のターゲットの形成用マスクの作成に適用できる他
、同様のストライプパターンを必要とする各種のマスク
の作製に適用して好適ならしめるものである。
ク２２，２５及び２６では中央位置に最大長の光透過部
２１ａを配した構成であるが、第１２図に示すように中
央を挟む位置で夫々最大長の光透過部２１ａを配した構
成としてもよい。上述せる如く、本発明による露光方法
は、その露光部のピッチ及び線中の偏差を極めて小さく
することができるもので、微細パターンを必要とする蓄
積管のターゲットの形成用マスクの作成に適用できる他
、同様のストライプパターンを必要とする各種のマスク
の作製に適用して好適ならしめるものである。
第１図は本発明の説明に供する蓄積管のターゲットの一
例を示す断面図、第２図は本発明の説明に供する反復露
光装置の一例を示す配置図、第３図は従来の露光方法で
用いた原光学マスクを示す平面図、第４図は従来の露光
方法による露光状態を示す平面図、第５図は本発明の露
光方法に用いられる原光学マスクの平面図、第６図は本
発明の蕗光方法の一例を示す原光学マスクの相対的な移
動状態を示す動作図、第７図は本発明による露光状態を
示す平面図、第８図は本発明の説明に供する線図、第９
図は本発明の露光方の他の例を示す原光学マスクの相対
的な移動状態図、第１０図乃至第１２図は夫々本発明の
原光学マスクの他の例を示す平面図である。 ４は反復露光装置、５は原光学マスク、７はステージ、
８は写真乾板、２１は光透過部、２２は原光学マスク、
２３は光透過新鶴羊、２４は露光部分である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
例を示す断面図、第２図は本発明の説明に供する反復露
光装置の一例を示す配置図、第３図は従来の露光方法で
用いた原光学マスクを示す平面図、第４図は従来の露光
方法による露光状態を示す平面図、第５図は本発明の露
光方法に用いられる原光学マスクの平面図、第６図は本
発明の蕗光方法の一例を示す原光学マスクの相対的な移
動状態を示す動作図、第７図は本発明による露光状態を
示す平面図、第８図は本発明の説明に供する線図、第９
図は本発明の露光方の他の例を示す原光学マスクの相対
的な移動状態図、第１０図乃至第１２図は夫々本発明の
原光学マスクの他の例を示す平面図である。 ４は反復露光装置、５は原光学マスク、７はステージ、
８は写真乾板、２１は光透過部、２２は原光学マスク、
２３は光透過新鶴羊、２４は露光部分である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (1)
- １ 互に平行する複数のストライプ状の光透過部を有し
、該光透過部の長さが中央又は中央を挾む位置で最大と
なり、該位置より上記光透過部の配列方向の両端に向つ
て直線的に変化し該両端で零となる光学マスクを用い、
該光学マスクを上記光透過部の配列方向に所定ピツチづ
つ移動して露光せしめるようにしたことを特徴とする露
光方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50060004A JPS6018983B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 露光方法 |
| US05/686,804 US4021239A (en) | 1975-05-20 | 1976-05-17 | Method of exposing parallel stripe-like areas on photosensitive member |
| GB20295/76A GB1520586A (en) | 1975-05-20 | 1976-05-17 | Method of exposing stripe like areas to light |
| DE2622064A DE2622064C2 (de) | 1975-05-20 | 1976-05-18 | Verfahren zum Belichten einer großen Anzahl streifenartiger Bereiche auf der Oberfläche eines lichtempfindlichen Materials durch eine Originalphotomaske |
| NL7605422A NL7605422A (nl) | 1975-05-20 | 1976-05-20 | Werkwijze voor het belichten volgens een vooraf bepaald patroon van een oppervlak van een licht- gevoelig orgaan. |
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