JPH01188857A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPH01188857A JPH01188857A JP63013007A JP1300788A JPH01188857A JP H01188857 A JPH01188857 A JP H01188857A JP 63013007 A JP63013007 A JP 63013007A JP 1300788 A JP1300788 A JP 1300788A JP H01188857 A JPH01188857 A JP H01188857A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- constituted
- periodicity
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造のフォトリングラフィ工程に
使用するホトマスクの構造に関する。
使用するホトマスクの構造に関する。
半導体装置製造プロセス等の分野で従来よりパ・ターン
を形成するには、半導体基板上に塗布形成された感光性
樹脂膜上にホトマスクを介して光学的にマスクパターン
を転写する方法が専ら用いられている。転写方法として
は、マスクと半導体基板を密着させる方法や、マスクと
半導体基板間に屈折レンズを入れて縮小投影させる方法
がある。
を形成するには、半導体基板上に塗布形成された感光性
樹脂膜上にホトマスクを介して光学的にマスクパターン
を転写する方法が専ら用いられている。転写方法として
は、マスクと半導体基板を密着させる方法や、マスクと
半導体基板間に屈折レンズを入れて縮小投影させる方法
がある。
半導体基板上に形成したいパターンとマスクパターンと
は前者の方法では合同であり、また後者では相似であり
、一般に相似比は１：１〜１：１０程度である。
は前者の方法では合同であり、また後者では相似であり
、一般に相似比は１：１〜１：１０程度である。
」ユ述した従来の方法において、パターン方法が転写装
置あるいは感光性樹脂膜等で制約される解像寸法の限界
に近くなると、マスクパターンと転写パターンの相似性
がくずれ、製造不良に至らしめる場合がある０例えば第
３図の様な長方形状の遮光部１が周期的に配列されたパ
ターンを有するホトマスク３を用いて転写されたパター
ンは第４図の様になる。第４図°において、４は感光性
樹脂膜が存在している部分、５は感光性樹脂膜が存在し
ていない部分である。これは、マスクパターンが周期的
に配列されているためＡ部では、マスクを通過した光の
回折、あるいは感光性樹脂膜下の基板からの反射光によ
る影響などで、配列されたパターン間に光の干渉が発生
し一定の露光量を得ているのに対し、Ｂ部ではパターン
の周期性がくずれている゛端部にあるため、光の干渉に
よる効果がなく、Ａ部に比べて相対的に単位面積当りの
露光量が小さくなっていることに起因しているものと考
えられる。
置あるいは感光性樹脂膜等で制約される解像寸法の限界
に近くなると、マスクパターンと転写パターンの相似性
がくずれ、製造不良に至らしめる場合がある０例えば第
３図の様な長方形状の遮光部１が周期的に配列されたパ
ターンを有するホトマスク３を用いて転写されたパター
ンは第４図の様になる。第４図°において、４は感光性
樹脂膜が存在している部分、５は感光性樹脂膜が存在し
ていない部分である。これは、マスクパターンが周期的
に配列されているためＡ部では、マスクを通過した光の
回折、あるいは感光性樹脂膜下の基板からの反射光によ
る影響などで、配列されたパターン間に光の干渉が発生
し一定の露光量を得ているのに対し、Ｂ部ではパターン
の周期性がくずれている゛端部にあるため、光の干渉に
よる効果がなく、Ａ部に比べて相対的に単位面積当りの
露光量が小さくなっていることに起因しているものと考
えられる。
本発明のホトマスクは、周期的に配列したパターンの配
列方向に対して直交する方向における周期性を失う領域
のパターンを鈍角又は曲線のみで構成することを特徴と
している。
列方向に対して直交する方向における周期性を失う領域
のパターンを鈍角又は曲線のみで構成することを特徴と
している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すホトマスクの平面
図である。１−１５の縮小投影露光を用いて０．８μｍ
幅の長方形を０．８μｍ間隔で形成する場合、４μｍ幅
の長方形を４μｍ間隔で形成したホトマスクを用いる０
本実施例においては、長方形状の遮光部１の９０°の角
を全て斜めの直線で削り取り、例えば１２０°と１５０
°の角、すなわち鈍角のみで構成されたパターンでホト
マスク３を構成している。
図である。１−１５の縮小投影露光を用いて０．８μｍ
幅の長方形を０．８μｍ間隔で形成する場合、４μｍ幅
の長方形を４μｍ間隔で形成したホトマスクを用いる０
本実施例においては、長方形状の遮光部１の９０°の角
を全て斜めの直線で削り取り、例えば１２０°と１５０
°の角、すなわち鈍角のみで構成されたパターンでホト
マスク３を構成している。
このような構成にすると、パターンの端部において露光
量の不足が生じないのでほぼ長方形状の転写パターンを
得ることができる。
量の不足が生じないのでほぼ長方形状の転写パターンを
得ることができる。
第２図は本発明の第２の実施例を示す平面図である。第
１の実施例の場合と同様に、１１５の縮小投影露光を用
いて０．８μｍ幅の長方形を０．８μｎ１間隔で形成す
る場合である。この実施例では、９０”の角を全て曲率
半径２μｍの曲線で丸めたパターンでマスクを構成して
いる。この実施例でも第１の実施例と同様の効果が得ら
れる。なお、以上の実施例では長方形状のパターンを有
する場合について述べたが、これに限定されるものでは
ない。
１の実施例の場合と同様に、１１５の縮小投影露光を用
いて０．８μｍ幅の長方形を０．８μｎ１間隔で形成す
る場合である。この実施例では、９０”の角を全て曲率
半径２μｍの曲線で丸めたパターンでマスクを構成して
いる。この実施例でも第１の実施例と同様の効果が得ら
れる。なお、以上の実施例では長方形状のパターンを有
する場合について述べたが、これに限定されるものでは
ない。
以上説明したように本発明は、光学的のパターンを転写
する際、周期的に配列したパターンの配列方向に対して
直交する方向において、周期性を失う領域のパターンを
鈍角又は曲線のみで構成するマスクを用いているのでマ
スクパターンと転写パターンの相似性が失われることに
よりパターン形成不良を防ぐ効果がある。
する際、周期的に配列したパターンの配列方向に対して
直交する方向において、周期性を失う領域のパターンを
鈍角又は曲線のみで構成するマスクを用いているのでマ
スクパターンと転写パターンの相似性が失われることに
よりパターン形成不良を防ぐ効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示すホトマスクのパタ
ーンの円ｊ面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す
ホトマスクパターンの平面図、第３図は従来のホトマス
クパターンの平面図、第４図は第３図のマスクパターン
が光学的に転写され、形成された感光性樹脂膜のパター
ンを示す平面図である。 １・・・マスクの進光部、２・・・マスクの光透過部、
３・・・ホトマスク、４・・・感光性樹脂膜が存在して
いる部分、５・・・感光性樹脂膜が存在していない部分
。
ーンの円ｊ面図、第２図は本発明の第２の実施例を示す
ホトマスクパターンの平面図、第３図は従来のホトマス
クパターンの平面図、第４図は第３図のマスクパターン
が光学的に転写され、形成された感光性樹脂膜のパター
ンを示す平面図である。 １・・・マスクの進光部、２・・・マスクの光透過部、
３・・・ホトマスク、４・・・感光性樹脂膜が存在して
いる部分、５・・・感光性樹脂膜が存在していない部分
。
Claims (1)
- 周期的に配列したパターンの配列方向に対して直交す
る方向における周期性を失う領域のパターンを鈍角又は
曲線のみで構成することを特徴とするホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013007A JPH01188857A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013007A JPH01188857A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01188857A true JPH01188857A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11821116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013007A Pending JPH01188857A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01188857A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239152A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Sony Corp | 光露光用マスク |
| WO2007069305A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
| DE10229976B4 (de) * | 2002-07-03 | 2007-06-28 | T-Mobile Deutschland Gmbh | Verfahren zur Ver- und Entschlüsselung von nach dem Verfahren der priorisierten Pixelübertragung übertragenen oder gespeicherten digitalen Daten |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013007A patent/JPH01188857A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239152A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Sony Corp | 光露光用マスク |
| DE10229976B4 (de) * | 2002-07-03 | 2007-06-28 | T-Mobile Deutschland Gmbh | Verfahren zur Ver- und Entschlüsselung von nach dem Verfahren der priorisierten Pixelübertragung übertragenen oder gespeicherten digitalen Daten |
| WO2007069305A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Fujitsu Limited | 半導体装置とその製造方法 |
| US7859045B2 (en) | 2005-12-14 | 2010-12-28 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7964288B2 (en) | 2005-12-14 | 2011-06-21 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0126234B1 (ko) | 미세 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| JPH11202472A5 (ja) | レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置 | |
| JPS61292643A (ja) | ホトマスク | |
| US5922495A (en) | Mask for use in stitching exposure process | |
| JPH10284377A5 (ja) | ||
| JPH01188857A (ja) | ホトマスク | |
| JPH06275492A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100522028B1 (ko) | 분할 노광방법과 분할 노광마스크 | |
| JPS59192248A (ja) | レテイクル | |
| JPH10161297A (ja) | 半導体装置製造用マスク | |
| KR960016312B1 (ko) | 패턴 근접 효과를 제어하는 포토마스크 | |
| JPS6245026A (ja) | 半導体集積回路の写真製版方法 | |
| JPS6161375B2 (ja) | ||
| JPH0833651B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2685872B2 (ja) | レジストパターンの製造方法 | |
| JP2001102277A (ja) | 濃度フィルタ、露光装置及び露光方法 | |
| JPH02135343A (ja) | マスク | |
| JPS63163855A (ja) | フオトリソグラフイ用マスク | |
| JPS59135468A (ja) | 露光用マスク | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| JP2892014B2 (ja) | 光露光用マスク及び露光方法 | |
| JPH02213122A (ja) | レジストパターンの製造方法 | |
| JPS5821740A (ja) | 投影露光用フオトマスク | |
| JP2791757B2 (ja) | 半導体マスク及びその製造方法 | |
| JPH09213609A (ja) | 半導体装置の製造方法 |