JPS60189928A - 減圧気相成長装置 - Google Patents

減圧気相成長装置

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JPS60189928A
JPS60189928A JP59047489A JP4748984A JPS60189928A JP S60189928 A JPS60189928 A JP S60189928A JP 59047489 A JP59047489 A JP 59047489A JP 4748984 A JP4748984 A JP 4748984A JP S60189928 A JPS60189928 A JP S60189928A
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JP
Japan
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reaction
gas
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vapor phase
substrate
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JP59047489A
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Yoshimi Shiotani
喜美 塩谷
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
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    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　発明の技術分野 本発明は減圧気相成長装置に係り、特に減圧反応容器内
に反応ガスを噴射する噴射ヘッドの構造に関する。
（１））　従来技術と問題点 従来の減圧気相成長装置について第１図に示す。
同図において、１は反応容器、２は反応ガス導入管、３
は該ガス導入管に設けられたガス噴射口、４は被処理基
板、５は基板載置台、６は該基板載置台に設けられた加
熱ヒータ、７は排気管を示しており、例えばボンベ８よ
り六弗化タングステン（ＷＦａ　）　トモノシラン（５
ｉｆ（４）とのガスがパルプ９．マスフローコントロー
ラｌＯを通って反応ガス４人管２に供給される。
かくして、図から明らかなように従来の減圧気相成長装
置においては所望の複数種類の反応ガスが同一導入管２
を介して噴射口８より反応容器１内に所定の真空度にな
るように噴射し、加熱ヒータ６ｖｃよって所望温度に加
熱された被処理基板４Ｅに所望の破着膜を気相成長させ
ていた。
しかしながら気相成長映の種類によっては気相反応しや
すい複数ｔａ類の反応ガスを用いる場合があり、かかる
場合においては、従来装置における反応ガスの導入機構
においては導入管、或は噴射口において気相反応が起り
、該導入管、或は噴射口に破着膜が形成され、形成され
た破着膜が剥離して被処理基＃ｔｉ、Ｅに落下してビン
ボールなどの原因となり膜質に惑い影響を与え、史には
噴射口が目づまりして均一な反応ガスの供給が行なわれ
ないなどの問題点がおった。
（Ｃ）＠明の目的 本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたもので、気
相反応しやすい複数棟類の反応ガスを用いて、減圧気相
成長する場合においても、ガス導入管及び噴射口におけ
る気相成長を出来るｋけ少すくシ、均一な反応ガスの供
給によって良好な膜質の気相成長を行なうことが可能な
減圧気相成長装置の提供にある。
（Ｃ１）　発明の構成 その目的を達成するため本発明は複数個のガス噴射口を
有し、かつ異種類の反応ガスがそれぞれ異なる噴射口か
ら噴射されて、減圧反応容器内で複数種類の反応ガスが
混きされるようにした噴射ヘッドが設けられたことを特
徴とする。
（ｅ）　発明の実施例 以Ｆ本発明の夾／７ｍ例について図面を参照して説明す
る。第２図は本発明の第１の実施例の減圧式４月成長装
置の模式的概略構成図である。
同図において１１は反応容器、１２は第１の反応ガス導
入管、１３は第２の反応ガス導入管、１４は噴射ヘッド
、１５は該噴射ヘッドの中央部に設けられた複数の噴射
口、１６は同じく該噴射ヘッドの周囲部に設けられた複
数の噴射口、１７は被処理基板、１８は基板載置台、１
９は該基板載置台に設けられた加熱ヒータ、２０は排気
管で、也の第１図と同一部材には同一記号が付しである
。
と記のように構成された減圧気相成長装置を用いて、気
相反応しやすい複数種類の反応ガス、たトエハ六弗化タ
ングステン（ＷＦ６　）とモノシランガス（５ｌｌ（４
）によって被処理基板たとえば半導体基板１７Ｊ：にタ
ングステンシリサイド（ＷＳ：１２）の破着膜を形成す
る場合には、基板載置台１８ｋに半・４に基板１７を載
置し、反応容にｇｌｌ内を排気管２０より真空に排気し
た蛍、六弗化タングステンのソース容器（図示せず）よ
り気化された六弗化タングステンの反応ガス７ｆｃｇｌ
のガス導入管１２より又モノシランガスを第２のガス導
入管１３よりそれぞれ尋人し、噴射ヘッド１４の中央部
及び周囲部にそれぞれ設けられた噴射口１４・１５より
、反応容器１１内に別個に噴射されて該反応−４器１１
内で均一に混合される。この場合真′！！！度は約０．
５’ｒｏｒｒに調整され、基板載置台１１ｊｈの半導−
ウェーハ１７は加熱ヒータ１９によって所定温度約４０
０℃に加熱され、前記六弗化タングステンとモノシラン
の反応ガスが反応し気相成長して半導体ウェーハ１７に
、にタングステンシリサイドの被Ｍ膜が形成される。
かかる場合においてはと述したように反応しやすいＡ種
類の反応ガスがそれぞれ異なる？ｌＩ数個の噴射口から
シャワー状に噴射されて、減圧反応容器で均一に混合さ
れるため、４入管及び噴射口に気相成長することが少な
く、被処理基板とに良質の破着膜を形成することが可能
である。
次に！ｇ２の実施例として、第３図に要部断面図を示し
、面図と同等の部分については同一符号を付している。
図から明らかなように第１のガス導入管１２及び第２の
導入管１３より異種類の反応ガスが導入てれた噴射ヘッ
ド３１において、多数の噴射口から異種類の反応ガスが
交互にシャワー状に噴射されるようにした噴射口８２・
８３が設けられている。かかる構剋Ｖこおいても前述し
た効果を侮ることができる。
又第３の実施例として、第４図に要部断面図を示し、面
図と同等の部分については同一符号を付している。
同図において第１のガス導入管１２及び第２のガス導入
管１８より異種類の反応ガスが導入された噴射ヘッド４
１において噴射口を有する平面に対して平行に反応ガス
が噴射し、かつ中央部に設けた噴射口４２と周囲部に設
けた噴射口４３とより異種類の反応ガスがシャワー状に
噴射されるように構成されている。
かかる構成においても前述した効果を得ることは勿論で
ある。
ぼ）発明の詳細 な説明したごとく本発明によれば、複数個のガス噴射口
を有し、かつ異種類の反応ガスがそれぞれ異なる噴射口
から噴射されて、減圧反応容器内で傾数櫨類の反Ｊ、ぶ
ガスが混合されるようにした噴射ヘッドを設けることに
より、被処理基板上に良質の被着膜を形成することが可
能となり、品質向丘に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の模式的概略構成図、第２図は本発明
の第１の実施例の模式的概略構成図、第３図及び第４図
は同じく本発明の第２及び第３の実７Ｎ例の要部Ｗｒ面
図である。 図に訃いて１１は反応容Ｐｇ、１２ｆｌ第１の反応ガス
導入管、１３は第２の反応ガス導入管、１４・８１・４
１は噴射ヘッド、１５・１６・８２・３３・４２・４３
は噴射口、１７は仮処理基板、１８は基板載置台、１９
は加熱ヒータ、２０は排気管を示す。 第３［２Ｉ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）複数個のガス噴射口を有し、かつ異種類の反応ガ
    スがそれぞれ異なる噴射口から噴射されて、減圧反応容
    器内で複数ｍ類の反応ガスが混合されるようにした噴射
    ヘッドが設けられたことを特徴とする減圧気相成長装置
    。
  2. （２）　Ｊ＝記噴射ヘッドにおいて、中央部に設けた噴
    射口と周囲部に設けた噴射口とより異種類の反応ガスが
    噴射されるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の減圧気相成長装置。
  3. （３）上記噴射ヘッドにおいて多数の噴射口から異種類
    の反応ガスが交互に噴射されるようにしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の減圧気相成長装置。
  4. （４）ト記噴射ヘッドにおいて、噴射口を有する平面に
    対して平行に反応ガスが噴射し、かつ中央部に設けた噴
    射口と周囲部に設けた噴射口とより異種類の反応ガスが
    噴射されるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の減圧気相成長装置。
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