JPS6019122A - 薄膜表示素子 - Google Patents
薄膜表示素子Info
- Publication number
- JPS6019122A JPS6019122A JP12624283A JP12624283A JPS6019122A JP S6019122 A JPS6019122 A JP S6019122A JP 12624283 A JP12624283 A JP 12624283A JP 12624283 A JP12624283 A JP 12624283A JP S6019122 A JPS6019122 A JP S6019122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- bso
- display element
- polycrystal
- annealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/0305—Constructional arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
発明の枝ネ１１分骨
本発明は薄膜表示素子に関する。特にライトバルブ（す
なわち、光空間変調素子）として有用な薄膜表示素子に
関する。この表示素子は、ポッケルス効果金利用しｒｒ
−Ｆ ＲＯＭ （Ｐｏｃｋｅｌｓ Ｒ，ｅａｄＯｕｔ
Ｍ’ｏｄｕｌａｔｏｒ ） ｔｙ）高解像イヒならびに
大型化を目的２する。 技術の背景 ライトバルブは、周知の通り、光源から一定強度で放射
された光線束を、入力信号に応じて１部分的に反射又は
透過することにより、投写画像を得るデバイスである。 かかるデバイスには、油膜や金属膜の表面を電子的手段
で変形させ、これとシュリーレン光学系を組み合わせた
ものや、１＃品。 電気光学結晶等と偏光板を組み合わせたものなどがある
。例えば、以下に問題とするところのＢｉ、２Ｓ１０２
ｏ（以下、Ｂｏｏと記す）諧結晶を用いたライトバルブ
は、それに高電界を印加した後。 青色光の照射による現像で情報を書き込み、そして次に
、偏光板の使用下、赤色光を透過させることによってそ
の透過光から情報を読み取ることを特徴とする。 従来技術と問題点 従来、液晶ライドパ、ルプが多く用いられている。 しかしながら、このタイプのライトバルブは、商品（ヒ
されているにもかかわらず％製作が困難でかつコストが
高くつくため、せいぜい約５ｔＭどま、す（量大口径で
）である。 液晶に代るものとして１例えばＫＤＰやＢＳ０などの単
結晶を利用することも試みられている。 しかしながら、前者は、高価であるばかりでなく。 例えば−６０〜−７０℃の低温下でなければ十分な特性
を発揮することができない。さらに、ＫＤＰ。 Ｂ８０単結晶は、先ず結晶成長、スライス加工、研摩等
の工程を要し、特にスライス加工、研摩等の機械加工が
大型化への障壁となっている。２またこれらの素子の分
解能は結晶の厚さに依存し、一般に薄い程高分解能にな
る傾向がある。従って従来の素子においてはスライス、
研摩等の機械加工の限界によって素子性能がおさえられ
ていた。従来の素子の厚さは約１００μｍのオーダーで
あるため、せいぜい５０〜５００本／咽の分解能しか得
られない。 発明の目的 本発明の目的は、上記したような従来技術の問題点に立
脚して、大口径
なわち、光空間変調素子）として有用な薄膜表示素子に
関する。この表示素子は、ポッケルス効果金利用しｒｒ
−Ｆ ＲＯＭ （Ｐｏｃｋｅｌｓ Ｒ，ｅａｄＯｕｔ
Ｍ’ｏｄｕｌａｔｏｒ ） ｔｙ）高解像イヒならびに
大型化を目的２する。 技術の背景 ライトバルブは、周知の通り、光源から一定強度で放射
された光線束を、入力信号に応じて１部分的に反射又は
透過することにより、投写画像を得るデバイスである。 かかるデバイスには、油膜や金属膜の表面を電子的手段
で変形させ、これとシュリーレン光学系を組み合わせた
ものや、１＃品。 電気光学結晶等と偏光板を組み合わせたものなどがある
。例えば、以下に問題とするところのＢｉ、２Ｓ１０２
ｏ（以下、Ｂｏｏと記す）諧結晶を用いたライトバルブ
は、それに高電界を印加した後。 青色光の照射による現像で情報を書き込み、そして次に
、偏光板の使用下、赤色光を透過させることによってそ
の透過光から情報を読み取ることを特徴とする。 従来技術と問題点 従来、液晶ライドパ、ルプが多く用いられている。 しかしながら、このタイプのライトバルブは、商品（ヒ
されているにもかかわらず％製作が困難でかつコストが
高くつくため、せいぜい約５ｔＭどま、す（量大口径で
）である。 液晶に代るものとして１例えばＫＤＰやＢＳ０などの単
結晶を利用することも試みられている。 しかしながら、前者は、高価であるばかりでなく。 例えば−６０〜−７０℃の低温下でなければ十分な特性
を発揮することができない。さらに、ＫＤＰ。 Ｂ８０単結晶は、先ず結晶成長、スライス加工、研摩等
の工程を要し、特にスライス加工、研摩等の機械加工が
大型化への障壁となっている。２またこれらの素子の分
解能は結晶の厚さに依存し、一般に薄い程高分解能にな
る傾向がある。従って従来の素子においてはスライス、
研摩等の機械加工の限界によって素子性能がおさえられ
ていた。従来の素子の厚さは約１００μｍのオーダーで
あるため、せいぜい５０〜５００本／咽の分解能しか得
られない。 発明の目的 本発明の目的は、上記したような従来技術の問題点に立
脚して、大口径
【すなわち、大面積】で。
膜厚が薄くかつ均一で、製造が簡便かつ低コストで、し
かも特性的に寸ぐれたライトパルプ、すなわち、Ｒ，膜
表示素子を提供することにある。 発明の構成 上記した目的は２本発明によれに、透明電極の中間にサ
ンドイッチされた誘電体薄膜を含む薄膜表示素子であっ
て、前記誘電体薄膜がＢＳＯ薄膜であシ、かつアニーリ
ングによって成長せしめられたＢＳＯ多結晶薄膜である
ことを特徴とする薄膜表示素子によって達成することが
できる。 すなわち、本発明によれば、透明基板上に透明電極を形
成した後、スパッタリング、イオンブレーティング等の
薄膜技術によシ多結晶状態のＢＳＯ薄膜を形成し１次い
で、アニーリングによって多結晶の結晶粒塊を成長させ
る。結晶粒塊が成長し。 局部的に見た場合に８８０単結晶と同程度の配向を有す
る大型のＢ８０素子が生成する。゛大型のＢＳＯ素子の
形成後、絶縁層及び透明電極’ｋ ７１＠次形成して所
望の薄膜表示素子を得る。 発明の実施例 次に、添付の図面を参照しながら本発明ケ説明する。こ
こでは、透過型ＢＳＯ薄膜ライトパルプの製造について
説明する。 先ず％第１図に示されるように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ透明電極２を約２０００への膜厚で形成する。とこで
、透明基板として使用するガラス基鈑け、それ上に施さ
れるべき透明電極が極く薄いので、できるかぎシ平滑で
なければならない。 反射型のライトバルブを製作する場合には、ガラス基鈑
に代えてアルミニウム基板、シリコン基板などを使用す
ることができる。ここで使用したＩＴＯ透明電極は液晶
ディスプレイにおいてよく用いられている。 引き続いて、透明電極２上に例えばスパッタリング、イ
オンブレーティング、Ｅガンなどによって８８０’ｉ蒸
着してＢＳＯ多結晶膜３を形成する（第２図、＠照）。 ＢＳＯ多結晶膜３の形成は１例えば、極く小さいＢ８０
単結晶の粒子に電子ビームをあててＢＳＯ原子をたたき
出し、これを透明電極２上にイ」着せしめることによっ
て行なうことができる。この多結晶膜の膜厚は、数μｍ
、好ましくは可視光波長の数倍程度が望ましい。この場
合のＢＳＯ結晶粒子の粒径は約数１０〜数１０００人の
範囲内である。なお、ＢＳＯの蒸着にイオンブレーティ
ングを使用すると、得られるＢＳＯ膜の結晶性をよシ高
めることができる。 引き続いて、形成されたＢＳＯ多結晶膜を第３図に示さ
れるようにアニーリングして成長Ｒ８Ｏ多結晶膜５′
を形成する。この成長膜３′ は、各結晶粒の配向がそ
ろっており、結晶粒界による不整合は巨視的に見た場合
には十分無祈できるものとなる。アニーリングは、特に
制限をれるものでなくかつ、先に形成した透明電極２を
破壊しないかぎり、この技術分野において一般に用いら
れ、ている条件の下で任意に行なうことができる。例え
ば、酔素雰囲気中において約３００〜４５０℃で約３０
分間にわたってアニーリングを行なうのが有利である。 なお、このアニーリングの時点で。 適肖な磁界をかけて結晶の方向性を整え、よって。 結晶性を高めることが推奨される。 引き続いて、絶縁破壊を防止するため、形成された成長
ＢＳＯ多結晶膜３／上に絶縁膜４を扱環する（第４図参
照）。この絶縁膜として、例えば８１０２が有用である
。なぜなら・ ８ｉ０２は・その下方の８ＳＯのＳｉと
の相容性がよく、絶縁膜としても適している。 湿・後に、第５図に示されるように、第１図と同析にＬ
７てＩＴＯ透明電極２′ を形成する。このようにして
、４層構造の層からなる所望の薄膜素子がイ０られる。 発明の効果 本発明によれば、上記説明から理解されるように、従来
のＢＳＯ単結晶ライトパルプと同様な特性をもった。し
かもそれよりも大口径の薄膜表示素子が比較的容易に得
られる。この表示素子は実際、Ａ４ザイズの大型のもの
が可能である。この表示素子は、さらに、従来のものに
較べて２桁以上も薄く、オた、ＢＳＯ素子の特徴として
薄くあればあるほど高い記録密度を有するので、従来の
もの（分解能約１００〜５００本／、）に較べて格別に
高い約１ｏｏｏｏ本／利のオーダーの分解能を呈示する
ことができる。この表示素子は、さらに、従来のように
８８０単結晶をスライスして製造することがないので、
膜厚の変イヒが極く僅がである（例えばＡ５サイズの場
合、膜厚の変体を±０．１μｍのオーダーにおさえるこ
とができる〕。 本発明の薄膜表示素子は、製造工程が簡便であるので、
もちろん低コストである。 本発明による薄膜表示素子は、上記したようにかなシ高
い分解能を有するので、ポログラノ・媒体として有利に
応用することができる。ぢらｒ（、現像が不要であり、
書き込み後直ちに電子的に読１み出すことができるので
、コンピー−ターのターミナルに応用することができる
。
かも特性的に寸ぐれたライトパルプ、すなわち、Ｒ，膜
表示素子を提供することにある。 発明の構成 上記した目的は２本発明によれに、透明電極の中間にサ
ンドイッチされた誘電体薄膜を含む薄膜表示素子であっ
て、前記誘電体薄膜がＢＳＯ薄膜であシ、かつアニーリ
ングによって成長せしめられたＢＳＯ多結晶薄膜である
ことを特徴とする薄膜表示素子によって達成することが
できる。 すなわち、本発明によれば、透明基板上に透明電極を形
成した後、スパッタリング、イオンブレーティング等の
薄膜技術によシ多結晶状態のＢＳＯ薄膜を形成し１次い
で、アニーリングによって多結晶の結晶粒塊を成長させ
る。結晶粒塊が成長し。 局部的に見た場合に８８０単結晶と同程度の配向を有す
る大型のＢ８０素子が生成する。゛大型のＢＳＯ素子の
形成後、絶縁層及び透明電極’ｋ ７１＠次形成して所
望の薄膜表示素子を得る。 発明の実施例 次に、添付の図面を参照しながら本発明ケ説明する。こ
こでは、透過型ＢＳＯ薄膜ライトパルプの製造について
説明する。 先ず％第１図に示されるように、ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ透明電極２を約２０００への膜厚で形成する。とこで
、透明基板として使用するガラス基鈑け、それ上に施さ
れるべき透明電極が極く薄いので、できるかぎシ平滑で
なければならない。 反射型のライトバルブを製作する場合には、ガラス基鈑
に代えてアルミニウム基板、シリコン基板などを使用す
ることができる。ここで使用したＩＴＯ透明電極は液晶
ディスプレイにおいてよく用いられている。 引き続いて、透明電極２上に例えばスパッタリング、イ
オンブレーティング、Ｅガンなどによって８８０’ｉ蒸
着してＢＳＯ多結晶膜３を形成する（第２図、＠照）。 ＢＳＯ多結晶膜３の形成は１例えば、極く小さいＢ８０
単結晶の粒子に電子ビームをあててＢＳＯ原子をたたき
出し、これを透明電極２上にイ」着せしめることによっ
て行なうことができる。この多結晶膜の膜厚は、数μｍ
、好ましくは可視光波長の数倍程度が望ましい。この場
合のＢＳＯ結晶粒子の粒径は約数１０〜数１０００人の
範囲内である。なお、ＢＳＯの蒸着にイオンブレーティ
ングを使用すると、得られるＢＳＯ膜の結晶性をよシ高
めることができる。 引き続いて、形成されたＢＳＯ多結晶膜を第３図に示さ
れるようにアニーリングして成長Ｒ８Ｏ多結晶膜５′
を形成する。この成長膜３′ は、各結晶粒の配向がそ
ろっており、結晶粒界による不整合は巨視的に見た場合
には十分無祈できるものとなる。アニーリングは、特に
制限をれるものでなくかつ、先に形成した透明電極２を
破壊しないかぎり、この技術分野において一般に用いら
れ、ている条件の下で任意に行なうことができる。例え
ば、酔素雰囲気中において約３００〜４５０℃で約３０
分間にわたってアニーリングを行なうのが有利である。 なお、このアニーリングの時点で。 適肖な磁界をかけて結晶の方向性を整え、よって。 結晶性を高めることが推奨される。 引き続いて、絶縁破壊を防止するため、形成された成長
ＢＳＯ多結晶膜３／上に絶縁膜４を扱環する（第４図参
照）。この絶縁膜として、例えば８１０２が有用である
。なぜなら・ ８ｉ０２は・その下方の８ＳＯのＳｉと
の相容性がよく、絶縁膜としても適している。 湿・後に、第５図に示されるように、第１図と同析にＬ
７てＩＴＯ透明電極２′ を形成する。このようにして
、４層構造の層からなる所望の薄膜素子がイ０られる。 発明の効果 本発明によれば、上記説明から理解されるように、従来
のＢＳＯ単結晶ライトパルプと同様な特性をもった。し
かもそれよりも大口径の薄膜表示素子が比較的容易に得
られる。この表示素子は実際、Ａ４ザイズの大型のもの
が可能である。この表示素子は、さらに、従来のものに
較べて２桁以上も薄く、オた、ＢＳＯ素子の特徴として
薄くあればあるほど高い記録密度を有するので、従来の
もの（分解能約１００〜５００本／、）に較べて格別に
高い約１ｏｏｏｏ本／利のオーダーの分解能を呈示する
ことができる。この表示素子は、さらに、従来のように
８８０単結晶をスライスして製造することがないので、
膜厚の変イヒが極く僅がである（例えばＡ５サイズの場
合、膜厚の変体を±０．１μｍのオーダーにおさえるこ
とができる〕。 本発明の薄膜表示素子は、製造工程が簡便であるので、
もちろん低コストである。 本発明による薄膜表示素子は、上記したようにかなシ高
い分解能を有するので、ポログラノ・媒体として有利に
応用することができる。ぢらｒ（、現像が不要であり、
書き込み後直ちに電子的に読１み出すことができるので
、コンピー−ターのターミナルに応用することができる
。
第１図、第２図、第３図、第４図及び第５図は、それぞ
れ、本発明による薄膜表示素子の製造工程を順を追って
断面で示したものである。 図中、１は透明基板、２及び２′は透明電極。 ３はＢＳＯ多結晶膜、３′は成長Ｆ３ｓｏ多結晶膜。 そして４は絶縁層である。 第５図 隘孟子銀
れ、本発明による薄膜表示素子の製造工程を順を追って
断面で示したものである。 図中、１は透明基板、２及び２′は透明電極。 ３はＢＳＯ多結晶膜、３′は成長Ｆ３ｓｏ多結晶膜。 そして４は絶縁層である。 第５図 隘孟子銀
Claims (1)
- １、透明電極の中間にサンドイツチされた誘電体薄膜を
含む薄膜表示素子であって、前記誘電体薄膜がＢ Ｓ
（、）薄膜であり、かつアニーリングによって成長せし
められ７’（ＢＳＯ多結晶薄膜であることを特徴とする
薄膜表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12624283A JPS6019122A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 薄膜表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12624283A JPS6019122A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 薄膜表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6019122A true JPS6019122A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14930308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12624283A Pending JPS6019122A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 薄膜表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02245721A (ja) * | 1989-03-18 | 1990-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 画像変換素子及びそれを用いたｘ線画像検知方法 |
| JPH0384518A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Ngk Insulators Ltd | 光部品及びその製造法 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12624283A patent/JPS6019122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02245721A (ja) * | 1989-03-18 | 1990-10-01 | Ngk Insulators Ltd | 画像変換素子及びそれを用いたｘ線画像検知方法 |
| JPH0384518A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Ngk Insulators Ltd | 光部品及びその製造法 |
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