JPS6019154B2 - 光導電性硫化カドミウムの製造方法 - Google Patents
光導電性硫化カドミウムの製造方法Info
- Publication number
- JPS6019154B2 JPS6019154B2 JP50133405A JP13340575A JPS6019154B2 JP S6019154 B2 JPS6019154 B2 JP S6019154B2 JP 50133405 A JP50133405 A JP 50133405A JP 13340575 A JP13340575 A JP 13340575A JP S6019154 B2 JPS6019154 B2 JP S6019154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cadmium sulfide
- firing
- weight
- particle size
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真材料として好適な光導電性硫化カドミ
ウム粉末の新規な製造方法に関するものである。
ウム粉末の新規な製造方法に関するものである。
さらに詳しくいえば、本発明は沈澱法等で得られる高純
度硫化カドミウム粉末を原料として用い、１回の焼成処
理で品質の良好な光導電性硫化カドミウム粉末を製造す
る方法に関するものである。光導電性硫化カドミウム粉
末は、合成樹脂等をバインダーとしてこれを電極作用を
もつ基体上に数１０仏の厚さに積層し、さらにその上に
透明性高絶縁体を競層した形の電子写真用感光材料とし
て広く用いられている。
度硫化カドミウム粉末を原料として用い、１回の焼成処
理で品質の良好な光導電性硫化カドミウム粉末を製造す
る方法に関するものである。光導電性硫化カドミウム粉
末は、合成樹脂等をバインダーとしてこれを電極作用を
もつ基体上に数１０仏の厚さに積層し、さらにその上に
透明性高絶縁体を競層した形の電子写真用感光材料とし
て広く用いられている。
ところで、これまでこの光導電性硫化カドミウム粉末を
製造するには、先ず硫化カドミウムに融剤と活性剤を加
えて一次焼成し、次いでこの生成物を粉砕し水洗したの
ち硫黄含有雰囲気中で二次焼成する二段成法、あるいは
さらに一次焼成を２回に分解した形式の三段焼成法など
が行なわれている。
製造するには、先ず硫化カドミウムに融剤と活性剤を加
えて一次焼成し、次いでこの生成物を粉砕し水洗したの
ち硫黄含有雰囲気中で二次焼成する二段成法、あるいは
さらに一次焼成を２回に分解した形式の三段焼成法など
が行なわれている。
しかしながら、こられの方法は製造工程数が多いため得
られる光導電性硫化カドミウムの品質にバラッキを生じ
、歩留りの低下をもたらし、コスト高の原因となってい
た。特に、一次焼成と二次焼成もしくは二次焼成と三次
焼成の間で行なわれる粉砕工程はいったん生じた結晶を
著しく歪ませい光導電性に著しい影響を与えるために、
製品にバラッキを生じる大きな原因となっていた。また
、高感度の光導電性硫化カドミウムを得るには、いわゆ
る時抵抗が低くすぎたり、高すぎたりしないような好適
範囲にくるように、焼成その他の工程を制御する必要が
あるが、従来の製造方法では、工程数が多くて条件の制
御が困難な上に、例えば粉砕工程のようにコントロール
不可能な要因を含むため、脂抵抗を好適範囲にバランス
タできない場合がいまいまみられた。さらに、バインダ
ーにより層状に形成された感光体の光感度は光導電性や
階抵抗以外に硫化カドミウム粉末の粒径や粒度分布と関
係があり、粒径は２ｒ程度、分布幅は小さいものが好ま
しいとさ０れているため、従来方法においては粉砕工程
と水洗後のデカンテーション工程によりこれらの調整を
行ってきたが、本来これらの操作はコントロールが困難
なためほとんど完全な調整が達せられず、光感度の低下
や性能のバラッキを免れること夕はできなかった。
られる光導電性硫化カドミウムの品質にバラッキを生じ
、歩留りの低下をもたらし、コスト高の原因となってい
た。特に、一次焼成と二次焼成もしくは二次焼成と三次
焼成の間で行なわれる粉砕工程はいったん生じた結晶を
著しく歪ませい光導電性に著しい影響を与えるために、
製品にバラッキを生じる大きな原因となっていた。また
、高感度の光導電性硫化カドミウムを得るには、いわゆ
る時抵抗が低くすぎたり、高すぎたりしないような好適
範囲にくるように、焼成その他の工程を制御する必要が
あるが、従来の製造方法では、工程数が多くて条件の制
御が困難な上に、例えば粉砕工程のようにコントロール
不可能な要因を含むため、脂抵抗を好適範囲にバランス
タできない場合がいまいまみられた。さらに、バインダ
ーにより層状に形成された感光体の光感度は光導電性や
階抵抗以外に硫化カドミウム粉末の粒径や粒度分布と関
係があり、粒径は２ｒ程度、分布幅は小さいものが好ま
しいとさ０れているため、従来方法においては粉砕工程
と水洗後のデカンテーション工程によりこれらの調整を
行ってきたが、本来これらの操作はコントロールが困難
なためほとんど完全な調整が達せられず、光感度の低下
や性能のバラッキを免れること夕はできなかった。
本発明者らは、これらの従来方法のもつ欠点を改善し、
光感度の高い光導電性硫化カドミウム粉末の品質のバラ
ッキなしに製造する方法を開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、特定の予備処理を施こした高純度硫化カドミウム
粉末を原料として用いることにより、ただ１回の焼成工
程で、しかも粉砕工程や水洗、デカンテーションの工程
を必要とせずに光感度の高い光導電性硫化カドミウム粉
末が得られることを見出し、この知見に基いて本発明を
なすに至った。
光感度の高い光導電性硫化カドミウム粉末の品質のバラ
ッキなしに製造する方法を開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、特定の予備処理を施こした高純度硫化カドミウム
粉末を原料として用いることにより、ただ１回の焼成工
程で、しかも粉砕工程や水洗、デカンテーションの工程
を必要とせずに光感度の高い光導電性硫化カドミウム粉
末が得られることを見出し、この知見に基いて本発明を
なすに至った。
すなわち、本発明方法に従えば、先ず高純度硫化カドミ
ウム粉末を、酸素含有不活性ガス雰囲気中、３００ｑｏ
〜５０００のこおいて熱処理したのち、これに金属ハロ
ゲン化物の中から選ばれた融剤、銀塩及び銅塩の中から
選ばれた活性剤及び０．００２〜０．１重量％という徴
量の硫黄を加え、不活性ガス中で焼成することにより、
良質の光導電性硫化カドミウムを製造することができる
。
ウム粉末を、酸素含有不活性ガス雰囲気中、３００ｑｏ
〜５０００のこおいて熱処理したのち、これに金属ハロ
ゲン化物の中から選ばれた融剤、銀塩及び銅塩の中から
選ばれた活性剤及び０．００２〜０．１重量％という徴
量の硫黄を加え、不活性ガス中で焼成することにより、
良質の光導電性硫化カドミウムを製造することができる
。
ここで不活性ガスとは、８００午０までの温度において
硫化カドミウムと直接又は間接にほとんど反応しないガ
ス例えば窒素、ヘリウム、アルゴンなどを意味する。
硫化カドミウムと直接又は間接にほとんど反応しないガ
ス例えば窒素、ヘリウム、アルゴンなどを意味する。
本発明方法において原料として用いられる高純度硫化カ
ドミウム粉末には、例えば沈澱法により得られる純度９
９．９８％以上のものがある。
ドミウム粉末には、例えば沈澱法により得られる純度９
９．９８％以上のものがある。
これは通常０．４ｒ〜１．５仏程度の粉末の形で用いら
れる。また、融剤として用いられる金属ハロゲン化物の
例には、塩化カドミウム、塩化亜鉛、塩化カリウム、塩
化ナトリウム、塩化バリウム、塩化リチウム、などをあ
げることができる。活性剤として用いられる銀塩、銅塩
の例としては塩化銀、塩化鋼、硫酸鋼、硫化銀、硫化鋼
、などをあげることができる。
３本発明方法におてし、ては、原料として用い
る高純度硫化カドミウム粉末にあらかじめ所定の熱処理
を施こすことが必要であるが、この熱処理は、硫化カド
ミウム粉末を、３００℃〜５００午０に保持した、酸素
含有不活性ガス雰囲気中に１０〜６０分間層３〈ことに
よって行うのが有利である。この際、不活性ガス雰囲気
中の酸素含有量は５〜６咳容量％の範囲が適当である。
本発明を好適に実施するには、前記のようにして処理さ
れた高純度硫化カドミウム粉末に０．００２４〜０．１
重量％という徴量の硫黄を加え、さらに常法に従って融
剤と活性剤の適量を均一に加え、不活性ガス例えば窒素
、アルゴン、ヘリウムなどの中で、５５０ｑ○〜８００
００において２０〜６０分間焼成したのち、融剤などの
未反応物質を水洗除去し、最後に乾燥して目的物を得る
。
れる。また、融剤として用いられる金属ハロゲン化物の
例には、塩化カドミウム、塩化亜鉛、塩化カリウム、塩
化ナトリウム、塩化バリウム、塩化リチウム、などをあ
げることができる。活性剤として用いられる銀塩、銅塩
の例としては塩化銀、塩化鋼、硫酸鋼、硫化銀、硫化鋼
、などをあげることができる。
３本発明方法におてし、ては、原料として用い
る高純度硫化カドミウム粉末にあらかじめ所定の熱処理
を施こすことが必要であるが、この熱処理は、硫化カド
ミウム粉末を、３００℃〜５００午０に保持した、酸素
含有不活性ガス雰囲気中に１０〜６０分間層３〈ことに
よって行うのが有利である。この際、不活性ガス雰囲気
中の酸素含有量は５〜６咳容量％の範囲が適当である。
本発明を好適に実施するには、前記のようにして処理さ
れた高純度硫化カドミウム粉末に０．００２４〜０．１
重量％という徴量の硫黄を加え、さらに常法に従って融
剤と活性剤の適量を均一に加え、不活性ガス例えば窒素
、アルゴン、ヘリウムなどの中で、５５０ｑ○〜８００
００において２０〜６０分間焼成したのち、融剤などの
未反応物質を水洗除去し、最後に乾燥して目的物を得る
。
上記の焼成温度は使用する融剤の種類や量などによって
若干変化する。本発明方法においては、従来の二段焼成
法又は三段焼成法における硫黄の使用量すなわち０．１
〜２重量％に比べて著しく微量であり、このように硫黄
の使用量を徴量にした結果低照度における光感度の向上
をもたらすことができたのである。しかしながら、この
ように従来方法では考えられない徴量の硫黄の添加で著
しい光感度の向上を可能にするには、原料として用いる
高純度硫化カドミウム粉末を使用に先立って酸素含有不
活性ガス中で熱処理することが不可欠であり、これを行
なわない場合には上記の目的を達成することができない
。以上のように、本発明方法によると、粉砕やデカンテ
ーションの工程を省くことができ、かつ焼成工程も１回
であるため、従来方法に比べ工程数を著しく減少するこ
とができ、またコントロールの困難な工程を含まないた
め品質の葵定した製品を高収率で得ることができる。
若干変化する。本発明方法においては、従来の二段焼成
法又は三段焼成法における硫黄の使用量すなわち０．１
〜２重量％に比べて著しく微量であり、このように硫黄
の使用量を徴量にした結果低照度における光感度の向上
をもたらすことができたのである。しかしながら、この
ように従来方法では考えられない徴量の硫黄の添加で著
しい光感度の向上を可能にするには、原料として用いる
高純度硫化カドミウム粉末を使用に先立って酸素含有不
活性ガス中で熱処理することが不可欠であり、これを行
なわない場合には上記の目的を達成することができない
。以上のように、本発明方法によると、粉砕やデカンテ
ーションの工程を省くことができ、かつ焼成工程も１回
であるため、従来方法に比べ工程数を著しく減少するこ
とができ、またコントロールの困難な工程を含まないた
め品質の葵定した製品を高収率で得ることができる。
従来方法においては最終焼成工程において０．１〜２重
量％という比較的多量の硫黄を加える必要があり、この
ような多量の硫黄の存在が光感度を低下させる原因にな
っていた。しかるに、本発明方法においては、この硫黄
の使用量を徴量にすることができたため、１ルックス・
秒の低照度における光感度を従来の５〜６倍に改善する
ことができる。また、粉砕やデカンテーションの工程を
含まないため粒度は焼成温度と融剤の量によって完全に
コントロールすることができ、平均粒度付近にシャープ
な分布をもたらすことができる。これにより粉砕及びデ
カンテーションを含む従来の方法では粒度分布が広く、
好ましくないとされている粒径１り以下の微粒子が３０
％前後も生ずるのに対し、本発明方法では平均粒度２．
５一としてコントロールしたとき、ｌｒ以下の微粒子の
量は数％以下にすることができる。次に実施例により本
発明をさらに詳細に説明する。
量％という比較的多量の硫黄を加える必要があり、この
ような多量の硫黄の存在が光感度を低下させる原因にな
っていた。しかるに、本発明方法においては、この硫黄
の使用量を徴量にすることができたため、１ルックス・
秒の低照度における光感度を従来の５〜６倍に改善する
ことができる。また、粉砕やデカンテーションの工程を
含まないため粒度は焼成温度と融剤の量によって完全に
コントロールすることができ、平均粒度付近にシャープ
な分布をもたらすことができる。これにより粉砕及びデ
カンテーションを含む従来の方法では粒度分布が広く、
好ましくないとされている粒径１り以下の微粒子が３０
％前後も生ずるのに対し、本発明方法では平均粒度２．
５一としてコントロールしたとき、ｌｒ以下の微粒子の
量は数％以下にすることができる。次に実施例により本
発明をさらに詳細に説明する。
実施例 １
高純度硫化カドミウム２００ｇを石英ルッボにとり、ル
ッボ内に酸素２の容量％を含む窒素混合ガスを導入した
。
ッボ内に酸素２の容量％を含む窒素混合ガスを導入した
。
次にこのルッボを電気炉に移し、３５０００で４０分間
熱処理した。このように処理した硫化カドミウ１００重
量部、塩化カリウム４重量部、塩化鋼０．０丸重量部、
硫黄粉末０．０ａ重量部及び水１０の重量部をかきまぜ
機付容器に入れ、８０００で４時間、減圧乾燥したのち
、ルッボに移し窒素ガスを導入し、窒素ガス雰囲気中、
７００００で４び分間焼成した。
熱処理した。このように処理した硫化カドミウ１００重
量部、塩化カリウム４重量部、塩化鋼０．０丸重量部、
硫黄粉末０．０ａ重量部及び水１０の重量部をかきまぜ
機付容器に入れ、８０００で４時間、減圧乾燥したのち
、ルッボに移し窒素ガスを導入し、窒素ガス雰囲気中、
７００００で４び分間焼成した。
次いで冷却後内容物を取り出し、脱イオン水で十分に洗
浄し、水溶性成分を除いたのち、３５０メッシュのふる
いで粗大粒子を除き、乾燥した。このようにして粒度分
布において１仏以上３仏以下の区分が８５％を占め、１
仏以下の区分４％の光導電性硫化カドミウム粒子を得た
。実施例 ２ 高純度硫化カドミウム２０雌を石英ルッボにと・り、乾
燥空気５庇容量％を含む窒素ガスを導入し、ｏ．１１／
分でルッボ内に流通しながら、４００００において２０
分間熱処理した。
浄し、水溶性成分を除いたのち、３５０メッシュのふる
いで粗大粒子を除き、乾燥した。このようにして粒度分
布において１仏以上３仏以下の区分が８５％を占め、１
仏以下の区分４％の光導電性硫化カドミウム粒子を得た
。実施例 ２ 高純度硫化カドミウム２０雌を石英ルッボにと・り、乾
燥空気５庇容量％を含む窒素ガスを導入し、ｏ．１１／
分でルッボ内に流通しながら、４００００において２０
分間熱処理した。
このように熱処理した硫化カドミウム１０の重量部に対
し、塩化カドミウム１重量部、塩化鋼０．０１重量部、
硫黄０．０１重量部及び水１００重量部を加え、混合機
で均一に混合したのち、８０ｑｏにおいて十分に減圧乾
燥した。
し、塩化カドミウム１重量部、塩化鋼０．０１重量部、
硫黄０．０１重量部及び水１００重量部を加え、混合機
で均一に混合したのち、８０ｑｏにおいて十分に減圧乾
燥した。
次いでこれを石英ルッボに入れ、窒素ガスを導入したの
ち、５７０３０において２既ふ間焼成した。このように
して得た焼成物を脱イオン水で十分に洗浄し、乾燥する
ことにより平均粒度２．８〆、２ｖないし３仏の粒度区
分が５６％、３仏ないし４山の粒度区分が３５％、１山
以下の粒度区分が５％の光導電性硫化カドミウムが得ら
れた。比較のために、従来の二段焼成法（袴公昭４７−
２０７５４号公報実施例１）に従って、高純度硫化カド
ミウムを予備処理を施こさずに焼成処理した。
ち、５７０３０において２既ふ間焼成した。このように
して得た焼成物を脱イオン水で十分に洗浄し、乾燥する
ことにより平均粒度２．８〆、２ｖないし３仏の粒度区
分が５６％、３仏ないし４山の粒度区分が３５％、１山
以下の粒度区分が５％の光導電性硫化カドミウムが得ら
れた。比較のために、従来の二段焼成法（袴公昭４７−
２０７５４号公報実施例１）に従って、高純度硫化カド
ミウムを予備処理を施こさずに焼成処理した。
得られた光導電性硫化カドミウムを４０回デカンテーシ
ョンしたとき流出した粒径１ム以下の区分の割合は全体
に対して２６％であった。また、デカンテーション後の
平均粒度は２．４仏であり、粒度分布はｌｒないし３仏
の粒度区分が７４％、１ム以下の粒度区分は８％であっ
た。参考例 実施例１で得た光導電性硫化カドミウム粉末１０の重量
部に対し、バインダーとして酢酸ビニル樹脂８重量部を
加え、メチルエチルケトンノアセトン混合溶剤に溶解さ
せ、アルミニウムはく上に塗布し厚さ約６０＃の層を形
成させた。
ョンしたとき流出した粒径１ム以下の区分の割合は全体
に対して２６％であった。また、デカンテーション後の
平均粒度は２．４仏であり、粒度分布はｌｒないし３仏
の粒度区分が７４％、１ム以下の粒度区分は８％であっ
た。参考例 実施例１で得た光導電性硫化カドミウム粉末１０の重量
部に対し、バインダーとして酢酸ビニル樹脂８重量部を
加え、メチルエチルケトンノアセトン混合溶剤に溶解さ
せ、アルミニウムはく上に塗布し厚さ約６０＃の層を形
成させた。
次いでこの層の上にさらに厚さ１６ムのポルェチレンテ
レフタレートフィルムを積層し、３層構造の電子写真用
感光板を製造した。次に実施例２の比較実験で得た従来
法による光導電性硫化カドミウムを用い、参考例１と全
く同様にして３層構造の電子写真用感光板を製造した。
レフタレートフィルムを積層し、３層構造の電子写真用
感光板を製造した。次に実施例２の比較実験で得た従来
法による光導電性硫化カドミウムを用い、参考例１と全
く同様にして３層構造の電子写真用感光板を製造した。
前記の２種の感光板をそれぞれ、コロナ放電を施す１次
帯電工程、次に前記帯電とは逆極性のコロナ放電を施す
と同時に記録すべき被写体の光の明暗像を照射する第２
工程、さらに均一光線を照射する第３工程から構成され
る電子写真法に適用して、上記感光板上に形成される静
電潜像の特性を調べることによって本発明の効果を確認
した。
帯電工程、次に前記帯電とは逆極性のコロナ放電を施す
と同時に記録すべき被写体の光の明暗像を照射する第２
工程、さらに均一光線を照射する第３工程から構成され
る電子写真法に適用して、上記感光板上に形成される静
電潜像の特性を調べることによって本発明の効果を確認
した。
すなわち、上記感光板に対し十６０００Ｖ‘こコロナ放
電を施し、次に暗所において−６０００Ｖのコロナ放電
を施し、さらに均一光線を照射することにより被写体の
光像暗部に対応する電位を計測し、次に上記感光板に対
し、十６０００Ｖのコ。ナ放電を施し、次に−６０００
Ｖのコロナ放電を施すと同時に均一光線を照射し、さら
に均一光線を照射することにより被写体の光像明部に対
応する電位を計測した。上述のようにして得られた２つ
の電位の差はコントラストボルテージと称せられており
、その差が静露潜像の強度を決定する。図面は、前述し
た電子写真法において負極性のコロナ放電と同時に照射
される均一の光線の照射量と、そのときに得られるコン
トラスボルテージとの関係を示している。曲線Ａは本発
明に係るｃ船粉末を用いて形成された感光板を使用した
場合であり、曲線Ｂは従来のｃｄｓ粉末を用いて形成さ
れた感光板を使用した場合に得られた曲線である。図面
から明らからように、本発明に係るｃｄｓ粉タ末は、電
子写真法に適用したときに従来のｃｄｓ粉末に比して強
度の静蚕潜像を形成することができ、さらに低照度領域
における感光板の感度を著しく改善し得るという格別の
効果を有するものである。
電を施し、次に暗所において−６０００Ｖのコロナ放電
を施し、さらに均一光線を照射することにより被写体の
光像暗部に対応する電位を計測し、次に上記感光板に対
し、十６０００Ｖのコ。ナ放電を施し、次に−６０００
Ｖのコロナ放電を施すと同時に均一光線を照射し、さら
に均一光線を照射することにより被写体の光像明部に対
応する電位を計測した。上述のようにして得られた２つ
の電位の差はコントラストボルテージと称せられており
、その差が静露潜像の強度を決定する。図面は、前述し
た電子写真法において負極性のコロナ放電と同時に照射
される均一の光線の照射量と、そのときに得られるコン
トラスボルテージとの関係を示している。曲線Ａは本発
明に係るｃ船粉末を用いて形成された感光板を使用した
場合であり、曲線Ｂは従来のｃｄｓ粉末を用いて形成さ
れた感光板を使用した場合に得られた曲線である。図面
から明らからように、本発明に係るｃｄｓ粉タ末は、電
子写真法に適用したときに従来のｃｄｓ粉末に比して強
度の静蚕潜像を形成することができ、さらに低照度領域
における感光板の感度を著しく改善し得るという格別の
効果を有するものである。
０図面の簡単な説明
図面は本発明方法により得られた光導電性硫化カドミウ
ムと従来法により得られた光導電性硫化カドミウムの電
子写真特性を示すグラフである。
ムと従来法により得られた光導電性硫化カドミウムの電
子写真特性を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 高純度硫化カドミウム粉末を酸素含有不活性ガス雰
囲気中、３００℃〜５００℃において熱処理したのち、
これに金属ハロゲン化物の中から選ばれた融剤、銀塩と
銅塩の中から選ばれた活性剤及び前記硫化カドミウム粉
末の重量当り０．００２〜０．１重量％の割合の硫黄を
加え、焼成することを特徴とする光導電性硫化カドミウ
ムの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50133405A JPS6019154B2 (ja) | 1975-11-06 | 1975-11-06 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
| DE2648890A DE2648890C2 (de) | 1975-11-06 | 1976-10-28 | Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Cadmiumsulfid |
| US05/736,502 US4090983A (en) | 1975-11-06 | 1976-10-28 | Photoconductive cadmium sulfide and process for producing same |
| NLAANVRAGE7612314,A NL183061C (nl) | 1975-11-06 | 1976-11-05 | Werkwijze voor het bereiden van foto-geleidend cadmiumsulfide en gevormde voortbrengselen die dit omvatten. |
| FR7633484A FR2331069A1 (fr) | 1975-11-06 | 1976-11-05 | Sulfure de cadmium photoconducteur et procede de production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50133405A JPS6019154B2 (ja) | 1975-11-06 | 1975-11-06 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5257793A JPS5257793A (en) | 1977-05-12 |
| JPS6019154B2 true JPS6019154B2 (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=15103974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50133405A Expired JPS6019154B2 (ja) | 1975-11-06 | 1975-11-06 | 光導電性硫化カドミウムの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4090983A (ja) |
| JP (1) | JPS6019154B2 (ja) |
| DE (1) | DE2648890C2 (ja) |
| FR (1) | FR2331069A1 (ja) |
| NL (1) | NL183061C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184575U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-28 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5695242A (en) * | 1979-12-28 | 1981-08-01 | Canon Inc | Manufacture of electrophotographic cadmium sulfide |
| US4415643A (en) * | 1980-09-03 | 1983-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing photoconductive cadmium sulfide |
| JPS57129825A (en) * | 1981-01-28 | 1982-08-12 | Canon Inc | Manufacture of photoconductive cadmium sulfide |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1179649A (en) * | 1916-01-26 | 1916-04-18 | Holder Perkins Company | Pneumatic bed for leather-working machines. |
| GB1148487A (en) * | 1965-06-11 | 1969-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | A method of producing photoconductive materials containing cadmium sulphide |
| US3895943A (en) * | 1967-06-08 | 1975-07-22 | Canon Camera Co | Method for the preparation of CdS or CdSe powder for electrophotography |
| GB1179649A (en) * | 1967-08-22 | 1970-01-28 | Katsuragawa Denki Kk | Method of Preparing Electrophotosensitive Materials and Photosensitive Elements Utilizing the Same |
| JPS5531633B1 (ja) * | 1970-12-26 | 1980-08-19 | ||
| US3694201A (en) * | 1971-01-06 | 1972-09-26 | Xerox Corp | Method for photoconductive powder |
-
1975
- 1975-11-06 JP JP50133405A patent/JPS6019154B2/ja not_active Expired
-
1976
- 1976-10-28 DE DE2648890A patent/DE2648890C2/de not_active Expired
- 1976-10-28 US US05/736,502 patent/US4090983A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-11-05 NL NLAANVRAGE7612314,A patent/NL183061C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-11-05 FR FR7633484A patent/FR2331069A1/fr active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184575U (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2331069A1 (fr) | 1977-06-03 |
| FR2331069B1 (ja) | 1982-02-19 |
| NL7612314A (nl) | 1977-05-10 |
| DE2648890C2 (de) | 1982-10-28 |
| NL183061C (nl) | 1988-07-01 |
| JPS5257793A (en) | 1977-05-12 |
| US4090983A (en) | 1978-05-23 |
| DE2648890A1 (de) | 1977-05-12 |
| NL183061B (nl) | 1988-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0245661B2 (ja) | ||
| US4205098A (en) | Selenium pellets for use in vacuum-deposition and method of producing such pellets | |
| US2866878A (en) | Photoconducting devices | |
| US2876202A (en) | Photoconducting powders and method of preparation | |
| US3060134A (en) | Photoconductive zinc oxide pigment | |
| US3966470A (en) | Photo-conductive coating containing Ge, S, and Pb or Sn | |
| US4090983A (en) | Photoconductive cadmium sulfide and process for producing same | |
| US4170476A (en) | Layered photoconductive element having As and/or Te doped with Ga, In or Tl intermediate to Se and insulator | |
| DE2808757B1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| US3801316A (en) | Bicharge zinc oxide | |
| JPH0760270B2 (ja) | セレン材料の調製方法 | |
| JPS63216057A (ja) | 光導電性粉末の製造方法 | |
| US3541028A (en) | Photoconductive insulating materials | |
| JPS603176B2 (ja) | 光導電性粉末の製造方法 | |
| US3170886A (en) | Method for treating photoconductive cadmium sulfide cell | |
| SU266559A1 (ru) | Носитель для электрографического сухого проявителя | |
| DE2040163A1 (de) | Elektrophotographisches,lichtempfindliches Element | |
| SU639906A1 (ru) | Способ получени цветного цинкового пигмента | |
| JPS60252353A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 | |
| JPS60210527A (ja) | 電子写真用硫化カドミウム粉体の再生方法 | |
| DE1522603A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Materials fuer die Elektrophotographie | |
| DE2518073A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines fotoempfindlichen elementes sowie das fotoelement | |
| JP2636946B2 (ja) | 光導電素子用非晶質セレン膜の製造方法 | |
| JPS60102644A (ja) | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 |