JPS60195987A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔５技術分野〕 本発明は電子装置、特に円筒状あるいは両端部に向かう
につれて徐々に細くなる太鼓状等のパッケージの両端中
央からリードを穿出させたディスクＩＪ−）４品を面装
着によって配線基板に固定した混成集積回路装置尋の電
子装置に関する。

〔背景技術〕

混成集積回図装置（ハイブリッドＩＣ）はモノリ、シッ
クＩＣでは適用出来ない技術分野に多用されている。た
とえば、マイコン等に直流安定化電圧を供給する用途等
圧使われるスイッチング方式を用いた直流安定化電源用
ノ・イブリッドＩＣを例にとると、このＩＣは１００Ｖ
のＡＣ（又流）を両波整流する機能、又その電圧をスイ
ッチし、出力電圧を安定化するためのスイッチの機能を
有する。このため、このＩＣは整流回路および電源の出
力電圧を安定化するためのスイッチトランジスタ、スイ
ッチトランジスタを駆動する駆動部等からなる。

一部、本発明者の検討によると、前記スイッチトランジ
スタをオン、オフすると、負荷トランスのインダクタン
ス成分によって逆起電力が生じ、この逆起電力を考慮す
ると、この回路に使われる一部のダイオードの耐圧は６
００Ｖ以上なければならないことが分かった。６００■
もの高耐圧ダイオードは、シリコンを用いたチップ型ダ
イオードでは形成できず、たとえば、°電子材料、１９
７７年６月号、１５６頁、写真４に示すようなガラスモ
ール°ドダイオード（同写真にはＤＣ２０ｋＶ。

ＩＡ、３Ａの３種類の製品が示されている）のようなデ
ィスクリート部品を用いるしかない。

他方、混成集積回路装置においても他の半導体装置と同
様に高密度化が要請されている結果、所定箇所に半田な
被着させておいた配線基板上面圧電子部品を載置し、そ
の後半田のりフローを行って電子部品を配線基板２上付
ける、高密度化が図り易い面寒装技術が採用されている
。

そして、前記のようなディスクリート部品を配線基板に
固定した例として、たとえば、電子材料。

１９７９年、３月号、３２頁、写真２で示されるような
構造がある。この場合、円柱状のパッケージの両端中央
から突出しかつ途中で下方に折り曲げられたリードは、
途中でさらに同−側方に折り曲げられ、この側方に延在
する部分（配線基板と平行となる部分）が半田によって
配線基板の導体層に固定されている。

ところで、本出願人にあっては前述のように、直流安定
化電源用ハイブリッドＩＣの組立において、前述の３Ａ
タイプのような中央部が太く、両端に向かうにつれて急
激に細くなる太鼓状のガラスモールド型のダイオードを
用いている。そして、纂１図に示すように、ガラスモー
ルド型のダイオード１は前記文献で示されると同様な面
実装構造で配線基板２に固定されている。ダイオード１
は太鼓状のパッケージ３０両端中央からり−ド４を突出
させている。これらリード４は途中で斜め下方に折れ曲
がり、さらに側方（配線基板と平行となる方向）に延在
し、この側方延在部５を介して配線基［２１７）導体層
。に半田７によって固定されている。半田固定において
は、導体層６の表面にあらかじめ半田ペーストが塗布さ
れていて、ダイオード１を配線基板２上面に位置決め載
置した後の一時的な加熱による半田リフロー処理により
て行われる。

しかし、このような実装方法は以下のような理由によっ
て高密度化ができ難いことが本発明者によってあきらか
にされた。すなわち、ディスクリート部品を多数使用す
る場合、そめ実装面積な□゛できるだけ小さくしてハイ
゛ブ″゛リッドＩＣの実装密度−ドの長さをできるだけ
短く°する必要がある。このため、リード４′はパック
」ジ゛３の付は根近傍で折り曲げられるとともＫ、導体
層６の上面に載る側方延在部５の長さ□も短くなって、
ダイオード１は全体的に軽くなり、半田リフロ一時の溶
けた半田の′裏”面張力によって浮かび易くなる。ダイ
オード１はパッケージ３が□断面的に見て円形であ□る
とともに、リード４が同一方向に延在していて左右（Ｉ
Ｉ方）方向の重量バランスが取れていないことか゛ら、
浮かんだ状態では回転し易くなり、リード４の先端が導
体層６から外れ易くなる。また、ダイオード１のリード
４の長□さは高密度化を高めるために短くなっているこ
と、およ′びパラゲージ３は中間部が太く両端部に向か
うにつれて急激に細くなるいわゆる太鼓型となっている
ことから、パッケージ３の軸方向のバランスも取れ難く
なり、半田の表面張力も働いて一部のリード４ｇａが浮
き、導体層６から外れてしまい易くなる。

このようなことから、ダイオード１のリード４の長さを
短くすると、高密度化は達成できるか歩留りは低くなり
、逆に歩留りを向上させようとすると高密度化が低くな
るという難点がある。

〔発明の目的〕　”′ 本発明の目的は実装時転動し易い構造のディスクリート
部品を実装した混成集積回路装置の高密　′度化を図る
ことにある−０ 本発明の他の目的は実装時転動し易い構造のディスクリ
ート部品を実装した混成集積回路装置の歩留り向上を図
ることにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のと゛おりである。

すなわち、本発明の混成集積回路装置は、その製造にお
いて組み込まれる転動し易いディスクリート部品にあっ
て、ディスクリート部品が半田リフロ一時に転動しない
よう忙、パッケージの両端中央から突出するリードをパ
ッケージの側方斜め下方に、かつそれぞれ逆方向に延在
させ、さらにリード先端がパッケージの下縁と略一致す
るような長さにして、リードの先端をストッパーとして
利用し、パッケージの円周方向および軸方向の変動を防
ぐことによって実装の歩留りを向上させるとともに、リ
ードをパッケージの近傍で折り曲げかつその先端をパッ
ケージの最外側縁よりも内側に位置させることによって
実装面積の縮小化を図り高密度化を達成するものである
。

〔実施例〕

第２図は本発明の一実施例による直流安定化電源用ハイ
ブリッドＩＣの一部を切り、欠いた状態の斜視図、第３
図は同じくガラスモールドダイオードの配線基板に対す
る取付ヅ状態、を示す斜、挽回、第４図は同じくガラス
モールドダイオードの配線５１ 基板に対する概念的な側面状態を示す概略図である。

この実施例による直流、７安、走化電源用ハイブリッド
ＩＣは、第２図に示すように、箱型のパッケージ本体８
内のセラミック等からなる配線基板２上に、ディスクリ
ート部品９やチップ等の組み込み、および必要箇所間の
ワイヤ接続等が行われた後、樹脂（レジン）が注入され
、かつキャップ１．０が取付けられることによって製造
される。また、同図ではディスクリート部品９として太
鼓状のパッケージ３を有するガラスモールドダイオード
（以下単にダイオード１とも称する）が示されている。

そして、このダイオード１はパッケージ３の両端中央か
らそれぞれ突出させたり−ド４を介して配線基板２の導
体層６に接触させ、かつ半田７によって、固定されてい
る。また、パッケージ本体８の一側面からはり−ド１１
が複数平行に突出している。これらリード１１はパッケ
ージ本体８の一側、の低い縁上からパッケージ本体８の
内側に延在している。また、リード１１はパッケージ本
体８の低い縁の部分に取付けられた絶縁性のリード押さ
え１２によって挾ま糺固定されている。なお、リード１
１の内端部は屈曲しその先端は配線基板２の導体層６に
半田７によって接続され℃いる。

つぎに、第３図および第４図を参照しながら、太鼓状の
パッケージ３を有するガラスモールドダイオード１の実
装状態について説明する。このダ・　イオード１は、こ
れらの図に示されているように、太鼓状のパッケージ３
の両端中央から突出したり−ド４は、パッケージ３の付
は根近傍でパッケージ３の相互に異なる側方斜め下方に
向かって延在している。両リード４は相互に逆となる方
向に延゛゛　在し、たとえば、配線基板２の垂直線（第
３図において示す一点鎖１１）Ｋ対して略±α（たとえ
ば、±４５度程度）の方向圧延在している。また、この
リード４は第４図で示されているように、その先端はパ
ッケージ３の最下端と同一あるいは僅かに長くなるとと
もに、パッケージ３の最側縁から突出しないようＫなっ
ている。

前記リード４のパッケージ３の近傍での折り曲げ、およ
び両リード４の先端がパッケージ３の最大＠ａ内に納ま
る構造は、ダイオード１の小型化薯なり、実装面積の縮
小化となる。

また、一対のり−ド４がそれぞれ逆となる方向に延在し
、かつリード４の先端がパッケージ３の最下端と同程゛
度の位置に位置することは、平坦面にダイオード１を載
置した際、ダイオード１が転勤（ローリング）するのを
防ぐストッパーとなる。

また、一対のり−ド４の先端がパッケージ３を挾６位置
で、かつそれぞれパッケージ３の最下縁に達することは
、リード４の先端およびパッケージ′３の最下端の３点
が配線基板２上に１接あるいは導体層６上に載ることを
意味し、ダイオード１のパッケージ３軸方向における配
線基板２に対する平行度を維持できることとなり、ピッ
チングを生じなくなる。したがって、半田リフローによ
るダイオード１のｉ線基板２への固定はダイオード°１
のバランスが取れていることから、正確かつ確実に行わ
れることになる。

〔効　果〕

１、本発明のハイブリッドＩＣは、その構成部品にディ
スクリート部品があっても、そのディスクリート部品は
実装時変動し難い構造となっていることから、実装の歩
留りおよび信頼度が向上する。

すなわち、転動し易いパッケージ３０両端からリード４
を突出させるダイオードｌにおいて、この一対のり−ド
４はそれぞれ相互に異なる側方でかつ斜め下方に突出さ
せていることから、パッケージ３の回転のストッパーお
よびパッケージ３の軸方向のストッパーとして作用し、
半田リフロ一時溶けた半田の浮力によってもピッチング
、ローリングは起きず、正確かつ確実な実装が行えるこ
とＫなる。

２、本発明のハイブリッドＩＣは、その構成部品にディ
スクリート部品があっても、そのディスクリート部品は
実装面積が小さくなるように形成されていることから、
ハイブリッドＩＣの実装密度を向上させることができる
。すなわち、パッケージ３の両端中央からり−ド４を突
出させるダイオードｌのようなディスクリート部品忙あ
っては、リード４はパッケージ３の付は根で折り曲げら
れかつリード４の先端はパッケージ３０側万に突出しな
いように形成しであることから、小型となり、実装面積
が小さくなり、ハイブリッドＩＣの高密度化が達成でき
る。

３、本発明のハイブリッドＩＣは、その製造時リードの
成型状態が変わるだけであり、製造設備としては何等変
化を必要゛としない。このため、本発明の適用によった
ハイブリッドＩＣの製造コストが高くなるようなことは
なく、上記１および２とも相俟ってハイブリッドＩＣの
製造コストの軽減が達成できるという相乗効果が得られ
る。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、ガラスモール
ドダイオード以外の抵抗、コンデンサ等の転動し易い構
造の電子部品の実装技術にも適用することができる。

〔利用分野〕

以上の説明では王として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるハイグリッドＩＣ製
造技術に適用した場、合について説明したが、それに限
定登れるものではなく、たとえは、ディスクリート部品
を組み込む光電子装置等の製造技術などに適用で、きる
。

本発明は少なくとも実装時動き易い電子部品を鴨 実装する電子装置には適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のガラスモールドダイオードの実装状態を
示す一部の斜視図、 第２図は本発明の一実施例による［流安定化電源供給用
ハイブリッドＩＣの一部を切り欠いた状態の斜視図、 第３図は同じくガラスモールドダイオードの配線基板に
対する取付は状態を示す斜視図、第４図は同じ（ガラス
モールドダイオードの配線基板に対する概念的な側面状
態を示す概略図である。 １・・・ダイオード、２・・・配線基板、３・・・パッ
ケージ、４・・・リード、５・・・側方延在部、６・・
・導体層、７・・・半田、８・・・パッケージ本体、９
・・・グイスクリード部品、１０・・・キャップ、１１
・・・リード、１２・・・リード押さえ。 第　１　図 第２図 第３図 第　４　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、転動し易い構造のパッ、ケージと、このパッケージ
   の一端中央から突出しかつ途中で折り曲プられたリード
   と、からなるディスクリート部品が、半田によりて両リ
   ードを介して配線基板の導体層に固定されてなる電子装
   置であって、前記両リードは相互に逆となる側方の斜め
   下方向に折り曲げられていることを特徴とする電子装置
   。　、。 ２、前椰ＩＪ−ドの先端はパッケージの最外側縁から張
   り出さず内＠に位置していることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の電子装置。