JPS60197367A - 鏡面ウエハの製造方法 - Google Patents
鏡面ウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPS60197367A JPS60197367A JP59053040A JP5304084A JPS60197367A JP S60197367 A JPS60197367 A JP S60197367A JP 59053040 A JP59053040 A JP 59053040A JP 5304084 A JP5304084 A JP 5304084A JP S60197367 A JPS60197367 A JP S60197367A
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- JP
- Japan
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- wafer
- mirror
- clockwise
- polishing
- revolution
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- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は両面ボリシング装置による鏡面ウェハの製造方
法の改良に関する。
法の改良に関する。
従来、シリコン等のウェハの鏡面ボリシングは通常片面
ポリシング装置により行なわれている。
ポリシング装置により行なわれている。
これは、第1図に示す如く、貼付用のプレートlにウェ
ハ2をワックスあるいは貼付用の吸着パッドを用いて貼
付け、これを加圧ヘッド3に装着し、回転しているポリ
ラングテーブル4表面の研磨布5によって片面ポリシン
グするものである。
ハ2をワックスあるいは貼付用の吸着パッドを用いて貼
付け、これを加圧ヘッド3に装着し、回転しているポリ
ラングテーブル4表面の研磨布5によって片面ポリシン
グするものである。
しかし、この方法では加圧ヘッド3の貼付用プレート1
との接触面における加圧状態、貼付用プレートlの平坦
度、ウェハ2の貼付精度あるいはポリシングテーブル4
の平坦度及びその温度変形などがポリシングしたウェハ
の鏡面精度に影響し、ウェハを高精度に加工することが
困難である。また、これらを技術的に改善できたとして
も、ウェハの鏡面精度には限界があり、特にウェハの大
口径化に対応することができない。
との接触面における加圧状態、貼付用プレートlの平坦
度、ウェハ2の貼付精度あるいはポリシングテーブル4
の平坦度及びその温度変形などがポリシングしたウェハ
の鏡面精度に影響し、ウェハを高精度に加工することが
困難である。また、これらを技術的に改善できたとして
も、ウェハの鏡面精度には限界があり、特にウェハの大
口径化に対応することができない。
一方、高精度加工装置として両面ポリシング装置が注目
されてきている。これは下定盤と上定盤との間で太陽ギ
アとインターナルギアとに噛合して回転するキャリアに
ウェハを保持させて挟み、ウェハ両面を同時にボリシン
グするものである。
されてきている。これは下定盤と上定盤との間で太陽ギ
アとインターナルギアとに噛合して回転するキャリアに
ウェハを保持させて挟み、ウェハ両面を同時にボリシン
グするものである。
しかし、この方法で製造された両面ミラーウェハは、デ
バイス製造工程における熱処理時にウェハ同志が接着す
るという問題があり、ユーザー側のニーズにマツチした
ものではなく、例外的なものを除いては商品としての価
値はなかった。
バイス製造工程における熱処理時にウェハ同志が接着す
るという問題があり、ユーザー側のニーズにマツチした
ものではなく、例外的なものを除いては商品としての価
値はなかった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、大口径
で、かつ高精度の片面鏡面ウェノ\を製造し得る方法を
提供しようとするものである。
で、かつ高精度の片面鏡面ウェノ\を製造し得る方法を
提供しようとするものである。
すなわち本発明の鏡面ウェハの製造方法は、互いに逆方
向に回転する下定盤と上定盤との間にウェハを挟んでボ
リシングすることにより鏡面ウェハを製造するにあたり
、前記ウェハの一面と他面とのポリシング速度に差を与
え、−面を鏡面に、他面を半光沢面にすることを特徴と
するものである。
向に回転する下定盤と上定盤との間にウェハを挟んでボ
リシングすることにより鏡面ウェハを製造するにあたり
、前記ウェハの一面と他面とのポリシング速度に差を与
え、−面を鏡面に、他面を半光沢面にすることを特徴と
するものである。
このような方法によれば、ウェハが大口径化しても、従
来の片面ポリシング装置を用いて製造された片面鏡面ウ
ェハと外観的には変らず、しかも高精度なウェハを製造
することができる。
来の片面ポリシング装置を用いて製造された片面鏡面ウ
ェハと外観的には変らず、しかも高精度なウェハを製造
することができる。
以下、本発明の実施例を第2図を参照して説明する。
第2図は両面ボリシング装置の断面図である。
図中11は下定盤であり、この下定盤11の中央開口に
は回転軸12が挿入されている。この回転軸12の上端
部12aには上定盤13の中央開口が嵌合される。また
、回転軸12外周の下定盤11との間には太陽ギアi4
が配設されている。
は回転軸12が挿入されている。この回転軸12の上端
部12aには上定盤13の中央開口が嵌合される。また
、回転軸12外周の下定盤11との間には太陽ギアi4
が配設されている。
また、下足5111の外周にはインターナルギア15が
配設されている。更に、下定盤11上には太陽ギア14
とインターナルギア15とに噛合する複数のキャリア1
6.・・・が蔵置され、これらキャリア16、・・・に
よってウェハ17、・・・が保持される。
配設されている。更に、下定盤11上には太陽ギア14
とインターナルギア15とに噛合する複数のキャリア1
6.・・・が蔵置され、これらキャリア16、・・・に
よってウェハ17、・・・が保持される。
上記両面ボリシング装置を用いて、例えばインターナル
ギア15の回転数を時計回りに12rpm、太陽ギア1
4の回転数を時計回りにl Orpmとすると、キャリ
ア16、・・・は時計回りに10.9rp履の回転数で
公転する。この状態で下足!111の回転数を時計回り
に11 rptn 、上定盤13の回転数を反時計回り
に5 Orpmとしてウェハのポリシングを行なった。
ギア15の回転数を時計回りに12rpm、太陽ギア1
4の回転数を時計回りにl Orpmとすると、キャリ
ア16、・・・は時計回りに10.9rp履の回転数で
公転する。この状態で下足!111の回転数を時計回り
に11 rptn 、上定盤13の回転数を反時計回り
に5 Orpmとしてウェハのポリシングを行なった。
上記の条件下でキャリア16、・・・の公転速度をウェ
ハ17、・・・の速度と考えると、ウニ/\17上面−
上定盤13間の速度差とウニ/\17下面−下定盤11
間の速度差との比は510:lとなる。
ハ17、・・・の速度と考えると、ウニ/\17上面−
上定盤13間の速度差とウニ/\17下面−下定盤11
間の速度差との比は510:lとなる。
加工中の雰囲気は上下等しいので、上記速度差の比はウ
ェハ17、・・・の上下両面の加工速度の比とほぼ等し
くなる。この結果、ウニ/\17、・・・の上面だけを
鏡面とし、下面を半光沢面とすることができる。
ェハ17、・・・の上下両面の加工速度の比とほぼ等し
くなる。この結果、ウニ/\17、・・・の上面だけを
鏡面とし、下面を半光沢面とすることができる。
したがって、ウェハ17、・・・が大口径化しても、従
来の片面鏡面ウェハと外観的には同様な片面鏡面ウェハ
を高精度で製造することができる。
来の片面鏡面ウェハと外観的には同様な片面鏡面ウェハ
を高精度で製造することができる。
例えば、加工温度30℃、圧力300 g 7cm2で
、回転速度等は上記したのと同一の条件として125f
f1m径のウェハをボリシングしたところ、ポリシング
速度の大きい上面は20#Lmポリシングされて鏡面と
なり、下面は0.04Ji、mボリシングされただけで
半光沢面であった。
、回転速度等は上記したのと同一の条件として125f
f1m径のウェハをボリシングしたところ、ポリシング
速度の大きい上面は20#Lmポリシングされて鏡面と
なり、下面は0.04Ji、mボリシングされただけで
半光沢面であった。
上述した平坦度規格が厳しい125mm径のウェハの場
合、例えば平坦度3pm以内の規格内の鏡面ウェハを1
0枚得るには、従来の片面ボリシング装置を用いる方法
では50〜60枚の加工枚数を必要としたが、上記実施
例の方法では加工枚数は10〜15枚ですむようになっ
た。また、両面ボリシング装置を用いることにより、鏡
面ウェハの平坦度のレベルは30〜40%向上した。更
に、従来は高精度の貼付技術を必要としていたが、本発
明方法ではこうした必要もなくなる。
合、例えば平坦度3pm以内の規格内の鏡面ウェハを1
0枚得るには、従来の片面ボリシング装置を用いる方法
では50〜60枚の加工枚数を必要としたが、上記実施
例の方法では加工枚数は10〜15枚ですむようになっ
た。また、両面ボリシング装置を用いることにより、鏡
面ウェハの平坦度のレベルは30〜40%向上した。更
に、従来は高精度の貼付技術を必要としていたが、本発
明方法ではこうした必要もなくなる。
なお、上記実施例のようにボリシング速度比を510:
lとした場合、ウェハの赤外線透過率は10%、表面粗
さはRmax表示で0.5〜1.0 JLtaであるが
、上記ボリシング速度比は20:1以上であればよい。
lとした場合、ウェハの赤外線透過率は10%、表面粗
さはRmax表示で0.5〜1.0 JLtaであるが
、上記ボリシング速度比は20:1以上であればよい。
これは、従来の片面鏡面ウェハの赤外線透過率が50%
以下、表面粗さがR+sax表示で0.1〜2.0gm
であるため、この範囲とするためにはボリシング速度比
を20:1以上にすればよいからである・ また、以−Lの説明ではウェハの上面を鏡面とし、下面
を半光沢面とする場合について説明したが、下面を鏡面
、上面を半光沢面としてもよい。
以下、表面粗さがR+sax表示で0.1〜2.0gm
であるため、この範囲とするためにはボリシング速度比
を20:1以上にすればよいからである・ また、以−Lの説明ではウェハの上面を鏡面とし、下面
を半光沢面とする場合について説明したが、下面を鏡面
、上面を半光沢面としてもよい。
以上詳述した如く本発明の鏡面ウェハの製・遣方法によ
れば、大口径かつ高精度の片面鏡面ウェハを高能率で製
造することができる等極めて顕著な効果を奏するもので
ある。
れば、大口径かつ高精度の片面鏡面ウェハを高能率で製
造することができる等極めて顕著な効果を奏するもので
ある。
第1図は従来の片面ボリシング装置の正面図、第2図は
本発明の実施例において使用される両面ポリシング装置
の断面図である。 11・・・下定盤、12・・・回転軸、13・・・上定
盤、14・・・太陽ギア、15・・・インターナルギア
、16・・・キャリア、17・・・ウェハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
本発明の実施例において使用される両面ポリシング装置
の断面図である。 11・・・下定盤、12・・・回転軸、13・・・上定
盤、14・・・太陽ギア、15・・・インターナルギア
、16・・・キャリア、17・・・ウェハ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図
Claims (4)
- (1)互いに逆方向に回転する下定盤と上定盤との間に
ウェハを挟んでポリシングすることにより鏡面ウェハを
製造するにあたり、前記ウェハの一面と他面とのポリシ
ング速度に差を与え、−面を鏡面に、他面を半光沢面に
することを特徴とする鏡面ウェハの製造方法。 - (2)ポリシング速度の比を20:1以上とする特許請
求の範囲第1項記載の鏡面ウェハの製造方法。 - (3)ウェハの半光沢面の赤外線透過率を50%以下と
する特許請求の範囲第1項記載の鏡面ウェハの製造方法
。 - (4)ウェハの半光沢面の表面粗さをRmax表示で0
.1〜2.0 gmとする特許請求の範囲第1項記載の
鏡面ウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053040A JPS60197367A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 鏡面ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053040A JPS60197367A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 鏡面ウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60197367A true JPS60197367A (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=12931772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053040A Pending JPS60197367A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 鏡面ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60197367A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222144A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nkk Corp | 半導体ウエーハ及びその製造方法 |
| JPH02299232A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Nkk Corp | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| WO2005055301A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| US7589023B2 (en) | 2000-04-24 | 2009-09-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method of manufacturing semiconductor wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526197A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-18 | Kotobuki Kiko Kk | Surface lap planing equipment |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59053040A patent/JPS60197367A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526197A (en) * | 1975-07-02 | 1977-01-18 | Kotobuki Kiko Kk | Surface lap planing equipment |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222144A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nkk Corp | 半導体ウエーハ及びその製造方法 |
| JPH02299232A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Nkk Corp | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
| US7589023B2 (en) | 2000-04-24 | 2009-09-15 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| US8283252B2 (en) | 2000-04-24 | 2012-10-09 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method of manufacturing semiconductor wafer |
| WO2005055301A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| CN100435289C (zh) * | 2003-12-01 | 2008-11-19 | 胜高股份有限公司 | 硅晶片的制造方法 |
| US7645702B2 (en) | 2003-12-01 | 2010-01-12 | Sumco Corporation | Manufacturing method of silicon wafer |
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