JPS60259372A - 両面ポリツシング方法 - Google Patents
両面ポリツシング方法Info
- Publication number
- JPS60259372A JPS60259372A JP59114100A JP11410084A JPS60259372A JP S60259372 A JPS60259372 A JP S60259372A JP 59114100 A JP59114100 A JP 59114100A JP 11410084 A JP11410084 A JP 11410084A JP S60259372 A JPS60259372 A JP S60259372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- workpiece
- holding hole
- work
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は高密度磁気ディスク基板やシリコンウェハの両
面を精密に仕上げる場合の平担度および微少ピッチうね
り特性の改善に関する。
面を精密に仕上げる場合の平担度および微少ピッチうね
り特性の改善に関する。
〈従来例〉
近年、磁気ディスク装置の記録の高密度化に伴ない、デ
ィスク基板の表面機械精度は、平担度ｓｐｍ／面（４”
）、微少ビ、テうねり０．１ ｐｍ／ ４ ｍｍ程度の
精度が要求されている。また従来片面のみしか利用され
ていなかったシリコンウェハも両面を精密に仕上げ、そ
の両面に電子部品を搭載することによシリコンウェハの
有効利用をはかることが考えられている。
ィスク基板の表面機械精度は、平担度ｓｐｍ／面（４”
）、微少ビ、テうねり０．１ ｐｍ／ ４ ｍｍ程度の
精度が要求されている。また従来片面のみしか利用され
ていなかったシリコンウェハも両面を精密に仕上げ、そ
の両面に電子部品を搭載することによシリコンウェハの
有効利用をはかることが考えられている。
第４図は従来から用いられているディスク基板の両面ポ
リ、シンク方法を示す平面図である。第４図において、
１は太陽ギヤ、２はインターナル４枚）岬間隔に配置さ
れている。キャリア４には円板状の被加工物保持孔（以
下保持孔という）７が複数個（図では４個）等間隔に設
けられ、その保持孔７のそれぞれに円板状の被加工物８
が遊嵌されている。なお、キャリア４の上には下定盤３
とハホ同面積の上定盤（図示せず）が被せられる。
リ、シンク方法を示す平面図である。第４図において、
１は太陽ギヤ、２はインターナル４枚）岬間隔に配置さ
れている。キャリア４には円板状の被加工物保持孔（以
下保持孔という）７が複数個（図では４個）等間隔に設
けられ、その保持孔７のそれぞれに円板状の被加工物８
が遊嵌されている。なお、キャリア４の上には下定盤３
とハホ同面積の上定盤（図示せず）が被せられる。
上記構成において、例えば上下定盤が互いに逆方向に所
定の回転数で回転し、イ１．ンターナルギャが矢印入方
向に回転すると、キャリア４は矢印Ｃ方向に自転しなが
ら矢印ｄ方向に太陽ギヤの周りを公転し、上下定盤に取
シ付けられたポリシャ（図示せず）により挾持された被
加工物８がボリッシェされる。
定の回転数で回転し、イ１．ンターナルギャが矢印入方
向に回転すると、キャリア４は矢印Ｃ方向に自転しなが
ら矢印ｄ方向に太陽ギヤの周りを公転し、上下定盤に取
シ付けられたポリシャ（図示せず）により挾持された被
加工物８がボリッシェされる。
ところで上記構成の両面ポリッシング方法においては、
保持孔７と被加工物８がいずれも円板状をしておυ、か
つ被加工物８が保持孔７に遊嵌された状態にあるので、
第５図に示す如く、被加工物８は矢印ｄ方向に移動しつ
つ矢印Ｂ方向に保持孔７内で回転する。その結果、被加
工物８の内周側と外周側で周速の差によるボリッシェ量
のバラツキが生じ、例えば第６図に断面図にて示す如く
、被加工物８の外周部Ｆで示した部分が先細の状態とな
り、平坦度が悪くなると共に微少ピッチうねりの原因と
もなっていた。
保持孔７と被加工物８がいずれも円板状をしておυ、か
つ被加工物８が保持孔７に遊嵌された状態にあるので、
第５図に示す如く、被加工物８は矢印ｄ方向に移動しつ
つ矢印Ｂ方向に保持孔７内で回転する。その結果、被加
工物８の内周側と外周側で周速の差によるボリッシェ量
のバラツキが生じ、例えば第６図に断面図にて示す如く
、被加工物８の外周部Ｆで示した部分が先細の状態とな
り、平坦度が悪くなると共に微少ピッチうねりの原因と
もなっていた。
保持孔の中で被加工物の回転を防止する従来方法として
は、例えば第７図に示す如く、円板状の被加工物２０の
一部を切り落し、保持孔２１を被加工物２０よりわずか
に大きな形状の相似形とし、被加工物２０が保持孔２１
の中で回転しないようにしたものがある。しかしながら
、上記の如き円板の一部を切り落したものは、例えば磁
気ディスクとしては用いることができず、また電子部品
を搭載するシリコンウェハに用いた場合、比較的大きな
面積が無駄になるという欠点がある。
は、例えば第７図に示す如く、円板状の被加工物２０の
一部を切り落し、保持孔２１を被加工物２０よりわずか
に大きな形状の相似形とし、被加工物２０が保持孔２１
の中で回転しないようにしたものがある。しかしながら
、上記の如き円板の一部を切り落したものは、例えば磁
気ディスクとしては用いることができず、また電子部品
を搭載するシリコンウェハに用いた場合、比較的大きな
面積が無駄になるという欠点がある。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたもので、平坦度
および微少ピッチリねシのない平面加工を実現すること
を目的とする。
および微少ピッチリねシのない平面加工を実現すること
を目的とする。
〈発明の構成〉
この目的を達成する本発明の構成は、上下定盤と、これ
らの定盤間においてインターナルギヤおよび太陽ギヤと
かみ合うキャリアとを備え、前記キャリアを自転および
公転させ、前記キャリアに保持された円板状の被加工物
を前記上下定盤で挾持してポリ、シンクする方法におい
て、前記キャリアの保持孔の内周に少々くとも一つの突
起部を設けると共に、前記円板状に被加工物にノツチを
設け、前記突起部に前記ノツチを係合させてポリ、シン
クすることを構成上の特徴とするものである。
らの定盤間においてインターナルギヤおよび太陽ギヤと
かみ合うキャリアとを備え、前記キャリアを自転および
公転させ、前記キャリアに保持された円板状の被加工物
を前記上下定盤で挾持してポリ、シンクする方法におい
て、前記キャリアの保持孔の内周に少々くとも一つの突
起部を設けると共に、前記円板状に被加工物にノツチを
設け、前記突起部に前記ノツチを係合させてポリ、シン
クすることを構成上の特徴とするものである。
〈実施例〉
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を示す平面
図である。第１図（ａ）、 （ｂ）において１０はキャ
リアであシ、１３はキャリア１０に複数個（図では４個
）設けられた保持孔、１１は保持孔１３の内周に設けら
れた突起部、１４は被加工物、１５はノツチで、このノ
ツチ１５は突起部１１よりもわずかに大きく加工される
〇第２図はキャリア１０の保持孔１３に被加工物１４を
遊嵌した状態を示す平面図である。第２図によれば、キ
ャリア１０の保持孔１３の内周に設けた突起部１１に、
被加工物１４に設けたノツチ１５が係合して遊嵌される
ので、キャリア１０が矢印ｄ方向に自転および公転運動
を行々っても保持孔１３の中で被加工物１４が回転する
ことがない。
図である。第１図（ａ）、 （ｂ）において１０はキャ
リアであシ、１３はキャリア１０に複数個（図では４個
）設けられた保持孔、１１は保持孔１３の内周に設けら
れた突起部、１４は被加工物、１５はノツチで、このノ
ツチ１５は突起部１１よりもわずかに大きく加工される
〇第２図はキャリア１０の保持孔１３に被加工物１４を
遊嵌した状態を示す平面図である。第２図によれば、キ
ャリア１０の保持孔１３の内周に設けた突起部１１に、
被加工物１４に設けたノツチ１５が係合して遊嵌される
ので、キャリア１０が矢印ｄ方向に自転および公転運動
を行々っても保持孔１３の中で被加工物１４が回転する
ことがない。
なお、上記実施例においては保持孔の内周に突起を１個
設け、被加工物にこの突起に係合するノツチを１個設け
たが、ノツチは１個に限らず複数個設けてもよい。この
ノツチは例えば被加工物１４を磁気ディスク基板として
用いる場合は、第３図に断面図にて示す如く、このノツ
チをオプチカルセンサ４０等で検出しインデックス情報
や、セクター情報の取シ出し用として利用することも可
能である。また本実施例においては被加工物を磁気ディ
スクの基板やシリコンウニノーをボリツシニする場合に
ついて説明したが、本例に限るものではないＯ 〈発明の効果〉 以上、実施例と共に具体的に説明したように、本発明に
よれば、保持孔の中で被加工物が回転することがないの
で、平坦度が高く、微少ピッチうねりのない両面ポリ、
シンクが実現できる。
設け、被加工物にこの突起に係合するノツチを１個設け
たが、ノツチは１個に限らず複数個設けてもよい。この
ノツチは例えば被加工物１４を磁気ディスク基板として
用いる場合は、第３図に断面図にて示す如く、このノツ
チをオプチカルセンサ４０等で検出しインデックス情報
や、セクター情報の取シ出し用として利用することも可
能である。また本実施例においては被加工物を磁気ディ
スクの基板やシリコンウニノーをボリツシニする場合に
ついて説明したが、本例に限るものではないＯ 〈発明の効果〉 以上、実施例と共に具体的に説明したように、本発明に
よれば、保持孔の中で被加工物が回転することがないの
で、平坦度が高く、微少ピッチうねりのない両面ポリ、
シンクが実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を示すキャ
リアおよび被加工物の平面図、第２図はキャリアの保持
孔に被加工物を遊嵌した状態を示す平面図、第３図は被
加工物を磁気ディスクに用いた場合の断面図、第４図に
１第５図は従来例を示す平面図第６図は従来例によって
ボリッシェした被加工物の仕上がり状態を示す断面図、
第７図は従来の被加工物回転防止例を示す平面図である
。 １０・・・キャリア、１１・・・突起部、１３・・・被
加工物保持孔、１４・・・被加工物、１５・・・ノツチ
。
リアおよび被加工物の平面図、第２図はキャリアの保持
孔に被加工物を遊嵌した状態を示す平面図、第３図は被
加工物を磁気ディスクに用いた場合の断面図、第４図に
１第５図は従来例を示す平面図第６図は従来例によって
ボリッシェした被加工物の仕上がり状態を示す断面図、
第７図は従来の被加工物回転防止例を示す平面図である
。 １０・・・キャリア、１１・・・突起部、１３・・・被
加工物保持孔、１４・・・被加工物、１５・・・ノツチ
。
Claims (1)
- 上下定盤と、これらの定盤間においてインターナルギヤ
および太陽ギヤとかみ合うキャリアとを備え、前記キャ
リアを自転および公転させ、前記キャリアに保持された
円板状の被加工物を前記上へ 下定盤で挾持してポリ、
シンクする方法において、前記キャリアの被加工物保持
孔の内周に少なくとも一つの突起部を設けると共に、前
記円板状の被加工物にノツチを設け、前記突起部に前記
ノツチを係合させてポリッシングすることを特徴とする
ポリッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114100A JPS60259372A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 両面ポリツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114100A JPS60259372A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 両面ポリツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60259372A true JPS60259372A (ja) | 1985-12-21 |
Family
ID=14629112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114100A Pending JPS60259372A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 両面ポリツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60259372A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960548A (en) * | 1986-08-06 | 1990-10-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing molded wooden product |
| WO2000069597A1 (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-23 | Kashiwara Machine Mfg. Co., Ltd. | Method and device for polishing double sides |
| EP0947300A3 (en) * | 1998-04-01 | 2002-04-24 | Nippei Toyama Corporation | An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus |
| KR100373503B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2003-02-25 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 기판 연마장치 및 반도체 기판의 연마방법 |
| WO2009141961A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 信越半導体株式会社 | 両頭研削装置及びウェーハの製造方法 |
| JP2011161611A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | キャリア取り付け方法 |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP59114100A patent/JPS60259372A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960548A (en) * | 1986-08-06 | 1990-10-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing molded wooden product |
| EP0947300A3 (en) * | 1998-04-01 | 2002-04-24 | Nippei Toyama Corporation | An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus |
| KR100373503B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2003-02-25 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 기판 연마장치 및 반도체 기판의 연마방법 |
| WO2000069597A1 (en) * | 1999-05-17 | 2000-11-23 | Kashiwara Machine Mfg. Co., Ltd. | Method and device for polishing double sides |
| US8002610B2 (en) | 1999-05-17 | 2011-08-23 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Double side polishing method and apparatus |
| WO2009141961A1 (ja) * | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 信越半導体株式会社 | 両頭研削装置及びウェーハの製造方法 |
| JP2009279704A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 両頭研削装置及びウェーハの製造方法 |
| CN102026774A (zh) * | 2008-05-22 | 2011-04-20 | 信越半导体股份有限公司 | 两头磨削装置及芯片的制造方法 |
| US8562390B2 (en) | 2008-05-22 | 2013-10-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Double-disc grinding apparatus and method for producing wafer |
| JP2011161611A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | キャリア取り付け方法 |
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