JPS6243145A - 半導体素子製造装置 - Google Patents
半導体素子製造装置Info
- Publication number
- JPS6243145A JPS6243145A JP60184409A JP18440985A JPS6243145A JP S6243145 A JPS6243145 A JP S6243145A JP 60184409 A JP60184409 A JP 60184409A JP 18440985 A JP18440985 A JP 18440985A JP S6243145 A JPS6243145 A JP S6243145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- turntable
- drive mechanism
- machined
- fluid
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、膜塗布あるいはエツチング等に用いる半導
体素子製造装置に関するものである。
体素子製造装置に関するものである。
第２図は従来の半導体素子製造装置の一例を示す概要図
で、１は被加工物を真空吸着により固定したのち回転さ
せるターンテーブル、２は前記ター／テーズル１０回転
軸、３は前記ターンテーブル１を回転軸２を介して回転
させる駆動機構であるＯ 次に、この半導体素子製造装置の動作について説明する
。ターンテーブル１に固定された被加工物上に、ディス
ペンスもしくはその他の方法を用いて流体７滴下したの
ち、ターンテーブル１！！：回転させることＫよって、
この流体を被加工物全面にゆきわたらせる。これによっ
て、膜形成、現像あるいはエツチングなどのパターン形
成を行う。
で、１は被加工物を真空吸着により固定したのち回転さ
せるターンテーブル、２は前記ター／テーズル１０回転
軸、３は前記ターンテーブル１を回転軸２を介して回転
させる駆動機構であるＯ 次に、この半導体素子製造装置の動作について説明する
。ターンテーブル１に固定された被加工物上に、ディス
ペンスもしくはその他の方法を用いて流体７滴下したの
ち、ターンテーブル１！！：回転させることＫよって、
この流体を被加工物全面にゆきわたらせる。これによっ
て、膜形成、現像あるいはエツチングなどのパターン形
成を行う。
上記のような従来の半導体素子製造装置では、滴下され
た流体の受ける遠心力がターンテーブル１の中心付近と
周辺付近では異なるため、形成された膜あるいはパター
ンが中心付近と周辺付近では異なり、この傾向は被加工
物の大きさが大きくなるＫつれ顕著になるという問題点
があった。
た流体の受ける遠心力がターンテーブル１の中心付近と
周辺付近では異なるため、形成された膜あるいはパター
ンが中心付近と周辺付近では異なり、この傾向は被加工
物の大きさが大きくなるＫつれ顕著になるという問題点
があった。
この発明は、かかる問題点ケ解決するため罠なされたも
ので、被加工物上に均一な膜およびパターンを形成する
ことができる半導体素子製造装置を得ることを目的とす
る。
ので、被加工物上に均一な膜およびパターンを形成する
ことができる半導体素子製造装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る半導体素子製造装置は、被加工物を固定
する第１のターンテーブルと、この第１のターンテーブ
ルを回転させる第１の駆動機構と！を第２のターンテー
ブル上にその回転軸からずらして搭載し、このＷＪ２の
ターンテーブルを第２の駆動機構によって回転させるよ
うに構成したものである。
する第１のターンテーブルと、この第１のターンテーブ
ルを回転させる第１の駆動機構と！を第２のターンテー
ブル上にその回転軸からずらして搭載し、このＷＪ２の
ターンテーブルを第２の駆動機構によって回転させるよ
うに構成したものである。
この発明においては、被加工物上の流体が第１のターン
テーブルによる遠心力以外Ｋ、第２のターンテーブルに
よる遠心力も受ける。
テーブルによる遠心力以外Ｋ、第２のターンテーブルに
よる遠心力も受ける。
第１図はこの発明の半導体素子製造装置の一実施例を示
す概要図で、１１は被加工物を固定する第１のターンテ
ーブル、１２は第１の回転軸、１３は前記第１のターン
テーブル１１を第１の回転軸１２を介して回転させる第
１の駆動機構、１４は前記第１の駆動機構１３．第１の
回転軸１２および第１のターンテーブル１１１ｆをその
回転軸からすらして搭載した第２のターンテーブル、１
５は第２の回転軸、１６はＮ記第２の回転軸１５馨介し
てＷＩＪ２のターンテーブル１４を回転させる第２の駆
動機構である。
す概要図で、１１は被加工物を固定する第１のターンテ
ーブル、１２は第１の回転軸、１３は前記第１のターン
テーブル１１を第１の回転軸１２を介して回転させる第
１の駆動機構、１４は前記第１の駆動機構１３．第１の
回転軸１２および第１のターンテーブル１１１ｆをその
回転軸からすらして搭載した第２のターンテーブル、１
５は第２の回転軸、１６はＮ記第２の回転軸１５馨介し
てＷＩＪ２のターンテーブル１４を回転させる第２の駆
動機構である。
この発明の半導体素子製造装置においては、第１のター
ンテーブル１１上の図示しない被加工物上に流体を滴下
したのち、第１のターンテーブル１１および第２のター
ンテーブル１４Ｙそれぞれの回転周期の比が整数比とな
らないように回転させる。すると、第１のターンテーブ
ル１１に固定された被加工物上の流体には常に異なる方
向の力が加わり、流体は均一に分布するようになる。
ンテーブル１１上の図示しない被加工物上に流体を滴下
したのち、第１のターンテーブル１１および第２のター
ンテーブル１４Ｙそれぞれの回転周期の比が整数比とな
らないように回転させる。すると、第１のターンテーブ
ル１１に固定された被加工物上の流体には常に異なる方
向の力が加わり、流体は均一に分布するようになる。
なお、この発明の半導体素子製造装置の構成は、フォト
マスクなどのパターン形成装置や、その他プＶ−す技術
を用いたパターン形成装置に応用してもよい。さらに、
２つの回転軸１２．１５がそれぞれ独立に逆回転も可能
な機構を有すれば、より均一性を増すことが可能である
。
マスクなどのパターン形成装置や、その他プＶ−す技術
を用いたパターン形成装置に応用してもよい。さらに、
２つの回転軸１２．１５がそれぞれ独立に逆回転も可能
な機構を有すれば、より均一性を増すことが可能である
。
この発明は以上説明したとおり、被加工物を固定する第
１のターンテーブルと、この第１のターンテーブルを回
転させる第１の駆動機構とを第２のターンテーブル上に
その回転軸からずらして搭載し、この第２のターンテー
ブルを第２の駆動機構によって回転させるように構成し
たので、被加工物上に均一な膜およびパターンを形成す
ることができるという効果がある。
１のターンテーブルと、この第１のターンテーブルを回
転させる第１の駆動機構とを第２のターンテーブル上に
その回転軸からずらして搭載し、この第２のターンテー
ブルを第２の駆動機構によって回転させるように構成し
たので、被加工物上に均一な膜およびパターンを形成す
ることができるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体素子製造装置の一実施例を示
す概要図、第２図は従来の半導体素子製造装置の一例を
示す概要図である。 図において、１１は第１のターンテーブル、１２は第１
の回転軸、１３は＠１の駆動機構、１４は第２のターン
テーブル、１５は第２の回転軸、１６は第２の駆動機構
である。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １１１
・事件の表示 特願昭６０−１８４４０９号２・発
明の名称 半導体素子製造装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第３頁２〜８行の「被加工物を・・・・・
・構成したものである。」を下記のように補正する。 「被加工物を固定するターンテーブルと、このターンテ
ーブルに自転を与える第１の駆動機構と、ターンテーブ
ルに公転を享える第２の駆動機構とを有するものである
。」 （３）同じく第３頁１０〜１２行の「第１のターンテー
ブル・・・・・・受ける。」を下記のように補正する。 「ターンテーブルの自転による遠心力以外に、公転によ
る遠心力も受ける。」 （４）同じく第５頁１〜５行の「第１のターンテーブル
と、・・・・・・構成したので、」を下記のように補正
する。 「ターンテーブルと、このターンテーブルに自転を′ｊ
える第１の駆動機構と、ターンテーブルに公転を学える
第２の駆動機構とを備えたので」以上 ２、特許請求の範囲 被加工物を固定す且−ンテーブルと、こＬｌ−ンテーブ
ル区１藍土立入る第１の駆動機構と工飢↓ターンテーブ
ルに公転を与える第２の駆動機構とを有することを特徴
とする半導体素子製造装置。
す概要図、第２図は従来の半導体素子製造装置の一例を
示す概要図である。 図において、１１は第１のターンテーブル、１２は第１
の回転軸、１３は＠１の駆動機構、１４は第２のターン
テーブル、１５は第２の回転軸、１６は第２の駆動機構
である。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 第２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １１１
・事件の表示 特願昭６０−１８４４０９号２・発
明の名称 半導体素子製造装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第３頁２〜８行の「被加工物を・・・・・
・構成したものである。」を下記のように補正する。 「被加工物を固定するターンテーブルと、このターンテ
ーブルに自転を与える第１の駆動機構と、ターンテーブ
ルに公転を享える第２の駆動機構とを有するものである
。」 （３）同じく第３頁１０〜１２行の「第１のターンテー
ブル・・・・・・受ける。」を下記のように補正する。 「ターンテーブルの自転による遠心力以外に、公転によ
る遠心力も受ける。」 （４）同じく第５頁１〜５行の「第１のターンテーブル
と、・・・・・・構成したので、」を下記のように補正
する。 「ターンテーブルと、このターンテーブルに自転を′ｊ
える第１の駆動機構と、ターンテーブルに公転を学える
第２の駆動機構とを備えたので」以上 ２、特許請求の範囲 被加工物を固定す且−ンテーブルと、こＬｌ−ンテーブ
ル区１藍土立入る第１の駆動機構と工飢↓ターンテーブ
ルに公転を与える第２の駆動機構とを有することを特徴
とする半導体素子製造装置。
Claims (1)
- 被加工物を固定する第１のターンテーブルと、この第１
のターンテーブルを回転させる第１の駆動機構と、この
第１の駆動機構および前記第１のターンテーブルをその
回転軸からずらして搭載する第２のターンテーブルと、
この第２のターンテーブルを回転させる第２の駆動機構
とを有することを特徴とする半導体素子製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184409A JPS6243145A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体素子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60184409A JPS6243145A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体素子製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243145A true JPS6243145A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16152660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60184409A Pending JPS6243145A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 半導体素子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6243145A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027977A1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-19 | Etec Systems, Inc. | Epicyclic stage |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60184409A patent/JPS6243145A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027977A1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-04-19 | Etec Systems, Inc. | Epicyclic stage |
| US6279490B1 (en) | 1999-10-08 | 2001-08-28 | Etec Systems, Inc. | Epicyclic stage |
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