JPS60200530A - 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法 - Google Patents

半導体ウエ−ハのエツチング停止方法

Info

Publication number
JPS60200530A
JPS60200530A JP59055979A JP5597984A JPS60200530A JP S60200530 A JPS60200530 A JP S60200530A JP 59055979 A JP59055979 A JP 59055979A JP 5597984 A JP5597984 A JP 5597984A JP S60200530 A JPS60200530 A JP S60200530A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
tub
wafers
wafer holder
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59055979A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Yoshitomi
吉富 強一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Electronic Metals Co Ltd filed Critical Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority to JP59055979A priority Critical patent/JPS60200530A/ja
Publication of JPS60200530A publication Critical patent/JPS60200530A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00Etching of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体ウェーハ(以下ウェーハという)、特
にシリコンウェーハのエツチング終了時のエツチング反
応を急速に停止する方法に関する。
従来、ウェーハのエツチングを終了し、工、ンチング反
応を停止する場合は、第1図に示すごとく・1′ツチン
グ槽1中に、例え+f、HNO3−HF系のエツチング
液約2Lを入れ、ウェーハを約20枚装慎したホルダー
2を該エツチング槽1中に入れ、ホルダー2を手動で上
下に揺動して、エツチング反応を進め、所定の時間が経
過し、所定のウェーハ表面の取代が得られた後、エツチ
ング反応の停止を行なうため、5〜6tの純水の入った
水槽を両手で抱えて、エツチング槽1の上から急激に注
水し、反応の停止を行なっていた。
然しなから、このような工、ツテング停止方法ではエツ
チング槽1の土から手動で一度に急激に水を注入するた
めに、注入できる水のfK限度があり、安定した反応停
止を行なうためには、一度にエツチングできるウェーハ
は最大20枚で直径は3“以下に限られる。多(のウェ
ーハをエツチングするときは、何回もエツチングをする
必要かあるため、エツチング液作成作粟、反応停止作業
を反覆する必要があり、作業能率が低下し、又疲労が甚
しくなる。
本発明の目的は、前記のごとき従来技術の欠点を解決し
、大径のウェーハを一度に人世にエツチング処理し、急
速確実にエツチング反応停止を行うことにある。
本発明は、エツチングを終了したエツチング槽を、水槽
中に急速に沈下させること洸より、エツチング反応を急
速に停止させることを要旨とするものである。
以下、本発明を図面で示す一実施例に従って、詳細に説
明する。
第2図、第3図および第4図は、本発明によるエツチン
グ反応急速停止の一実施例を示す図である。第2図はエ
ツチング槽11を水槽7ににセリトシた状態を示す斜視
図であり、第3図は第2図A−A断面にウェーッ・ホル
ダ6、腕9、自動揺動装置8をセットした図であり、エ
ンチング反応中を示している。
第4図は同じく反応停止状態を示している。
エツチング槽ll中に、例えばNHO3+ HF系のエ
ツチング液4を15を入れ、ウェーハ5を充填した通常
のウェーハホルダー6を浸漬して、純水を入れた水槽7
に浮べる。該エツチング槽11は半円筒形であり、エツ
チング液は約15を入り、ウェーハ直径は5又は6 が
可能であり、一度にエツチングできるウェーッ・枚数は
約100枚である。次に、ウェーハを装填したウェーハ
ホルダー6は自動揺動装置8(機構は図示せず)に接続
し、上下に自動揺動を行ない、エツチング反応を進める
。所定のウェーハ表面の取代が得られた後、自動揺動装
置8に取付けられている腕9を伸ばす。腕9を伸ばす方
法として、例えば腕9を細棒とパイプの組合せとし、途
中にフックを設けておいて、エツチング時間に合わせた
タイマーにより、エツチング終了時に、自動的にフック
を外し、細棒をバイア中より延出させることにより、腕
9を伸ばすことができる。この結果、ウェーハホルダ6
がエツチング槽11の底部を押し、ストッパー10が外
ね、エツチング槽11およびウェーハを装填したウェー
ハホルダ6が水槽7中に沈下する。
第4図はこのようにして沈下した状態を示している。
かくして、エツチング反応を急速に停止させることがで
きる。
本実施例では腕9を伸ばすことによりストッパー10を
外したか、ストッパー10を手動又は所定エツチング時
間終了に合わせたタイマーにより自動的に外すことによ
り、エツチング反応を急速に停止することもできる。
又、腕9をウェーハホルダー6と自動揺動機8に固定と
し、エツチング終了後、ストッパーを手動もしくはタイ
マーにより自動的に外し、エツチング[11のみを水槽
7中に沈下させ、ウェーハホルダー6およびウェー)S
 5の位置をそのま〜として、エツチング反応を急速に
停止させることも可能である。
岡、ストッパー10のエツチング槽11とは反対側にバ
ランスを持たせるためのlす13を設置しである。
以上の各方法により種々実験の結果、前述のごと(直径
5又は60ウェーッ・を一度に約100枚エツチングす
ること、およびエツチングの急速な停止をすることか可
能となり、従来より大径で大量のウェーハのエツチング
作業ができるようになり、又、良好なウェーッ・表面か
安定して得られるようになった。
閘、大量のエツチング作業を行なう場合、作業効率が格
段に向上し、安全で、作業の疲労も軽減することができ
るようになった。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来実施されているエツチング反応停止装置の
概念図。第2図は本発明による一実施例の部分斜視図。 第3図第4図は本発明による一実施例の部分断面図。 4・・・・・・・・・エツチング液、5・・・・・・・
・・ウェーハ、6・・・・・・ウェーハホルダー、7・
・・・・・水槽8・・・・・・自動揺動機、9・・・・
・・腕、10・・・・・・ストツバ−111・・・・・
・エツチング種、12・・・・・・回転支持棒 特許出願人 小松電子金九株式会社 第7 図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ウェーハのエツチング反応を終了し、該エツ
    チング反応を停止させる方法において、エツチング槽を
    水槽中に急速に沈下することにより、該エツチング反応
    を急速に停止させることを特徴とするエツチング反応停
    止方法。 2、腕9を伸はすことにより、ストッパー10を外し、
    エツチング4111およびウェーハホルダー6を水槽7
    中に急速に沈下させることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項のエツチング反応停止方法。 3、腕9をタイマーにより、自動的に伸ばすことにより
    、ストッパー10を外し、エツチング槽11およびウェ
    ーハホルダー6を水41#7中に急速に沈下させること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項のエツチング停止装
    置。
JP59055979A 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法 Pending JPS60200530A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055979A JPS60200530A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59055979A JPS60200530A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60200530A true JPS60200530A (ja) 1985-10-11

Family

ID=13014191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59055979A Pending JPS60200530A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60200530A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5473575A (en) * 1977-11-24 1979-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Etching method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5473575A (en) * 1977-11-24 1979-06-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Etching method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60189936A (ja) 半導体製造装置
JPS60200530A (ja) 半導体ウエ−ハのエツチング停止方法
JPH0419794Y2 (ja)
JPH0691062B2 (ja) 半導体スライスの洗浄方法
JP2004296810A (ja) 基板のエッチング装置及びエッチング方法
JPH09266194A (ja) 半導体ウエーハのエッチング方法
JP2006181555A (ja) 多結晶シリコンの洗浄方法と洗浄装置
JPS63239820A (ja) 半導体装置の洗浄方法
JPS62156659A (ja) 洗浄方法及び装置
JPH01138721A (ja) ウェットエッチング装置
JPS62279640A (ja) ウエハ洗浄装置
KR200231855Y1 (ko) 반도체웨이퍼세정장치
JP3447881B2 (ja) 半導体ウェハの乾燥方法
JPS58123730A (ja) 半導体ウエハ−エツチング装置
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
CN116169010B (zh) 一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法
EP0887710A2 (en) Resist development process
CN223712728U (zh) 用于晶圆清洗的物料框
JPH0817787A (ja) 薬液処理装置
JP3756321B2 (ja) 基板処理装置および方法
JPS60234329A (ja) ウエハ−の溶液処理装置
JP2809754B2 (ja) 現像装置
SU1400659A1 (ru) Кассета дл емкостей к моечной машине
JPH0298931A (ja) 半導体基板浸漬処理槽
JP2961070B2 (ja) 洗浄槽