JPS60200896A - 繊維状ダイヤモンドの合成法 - Google Patents
繊維状ダイヤモンドの合成法Info
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- JPS60200896A JPS60200896A JP59054048A JP5404884A JPS60200896A JP S60200896 A JPS60200896 A JP S60200896A JP 59054048 A JP59054048 A JP 59054048A JP 5404884 A JP5404884 A JP 5404884A JP S60200896 A JPS60200896 A JP S60200896A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は繊維状ダイヤモンドの合成法、史に詳しくは常
圧以下の低圧領域において繊維状ダイヤモンドの合成法
に関する。
圧以下の低圧領域において繊維状ダイヤモンドの合成法
に関する。
従来、常圧以下の低圧領域においてダイヤモンドを合成
する方法として、 1)、減圧下で炭化水素を600〜1300 ℃に加熱
した基体の表面罠通じ、炭化水素を熱分解して遊離炭素
を生成せしめてダイヤモンドを析出させる化学気相析出
法。
する方法として、 1)、減圧下で炭化水素を600〜1300 ℃に加熱
した基体の表面罠通じ、炭化水素を熱分解して遊離炭素
を生成せしめてダイヤモンドを析出させる化学気相析出
法。
2)、減圧下でアーク放電とスパッタリングを組合せて
、炭化水素を分解して炭素の正イオンビームを生成せし
め、これを加速、さらに集束して基板表面に衝突させて
ダイヤモンドを析出させるイオンビーム法。
、炭化水素を分解して炭素の正イオンビームを生成せし
め、これを加速、さらに集束して基板表面に衝突させて
ダイヤモンドを析出させるイオンビーム法。
5)、水素と炭化水素ガスの混合ガスに高周波またはマ
イクロ波プラズマを発生させ、プラズマの高エネルギー
の荷電粒子によって炭化水素の解離と同時に励起状態の
炭素原子または励起状態の炭化水素を生成させて基体表
面にダイヤモンドを析出させるプラズマ化学気相析出法
。
イクロ波プラズマを発生させ、プラズマの高エネルギー
の荷電粒子によって炭化水素の解離と同時に励起状態の
炭素原子または励起状態の炭化水素を生成させて基体表
面にダイヤモンドを析出させるプラズマ化学気相析出法
。
4)、容器中に黒鉛、基板及び水素を封入し、黒鉛を高
温部に、基板を低温部に設置し、水素ガスを熱的あるい
は放電によって原子状水素を生成せしめ、不均化反応を
利用して基板表面にダイヤモンドを析出させる化学輸送
法。
温部に、基板を低温部に設置し、水素ガスを熱的あるい
は放電によって原子状水素を生成せしめ、不均化反応を
利用して基板表面にダイヤモンドを析出させる化学輸送
法。
などが知られている。
しかし、これらの方法のうち、繊維状のダイヤモンドを
合成し得られたのは、前記1)の方法によって、基体と
してダイヤモンドを使用し、これにNi 、 Fe 、
Inの微粉末を付着させたものを使用した場合のみで
ある。
合成し得られたのは、前記1)の方法によって、基体と
してダイヤモンドを使用し、これにNi 、 Fe 、
Inの微粉末を付着させたものを使用した場合のみで
ある。
この化学気相析出法によると、次のような欠点がある。
1)、ダイヤモンドと黒鉛状炭素析出が同時に進行する
欠点があり、ダイヤモンドのみを析出する、には、析出
操作と酸素または水素ガスを導入して基板表面に析出し
た黒鉛状炭素を除去する操作とを周期的に繰返して行う
か、もしくは基板の加熱を間欠的に行わなければならな
い。従って析出速度がおそく、操作も面倒であった02
)、また基板はダイヤモンドであることを必要としてい
た。
欠点があり、ダイヤモンドのみを析出する、には、析出
操作と酸素または水素ガスを導入して基板表面に析出し
た黒鉛状炭素を除去する操作とを周期的に繰返して行う
か、もしくは基板の加熱を間欠的に行わなければならな
い。従って析出速度がおそく、操作も面倒であった02
)、また基板はダイヤモンドであることを必要としてい
た。
本発明は繊維状ダイヤモンドの合成において前記の欠点
を解消せんとするものであり、その目的は基板がダイヤ
モンド以外のものも使用し得られ、また、ダイヤモンド
の析出を簡単な操作で行い得うjれる方法を提供するに
ある。
を解消せんとするものであり、その目的は基板がダイヤ
モンド以外のものも使用し得られ、また、ダイヤモンド
の析出を簡単な操作で行い得うjれる方法を提供するに
ある。
不発明者らは前記目的を達成すべく鋭春研究の結果、原
料として水素と炭化水素の混合ガスを使用し、2000
℃以上に加熱フィラメントあるいはプラズマを用いて水
素及び炭化水素の励起・解離を行わしめ、これを加熱し
た基材の表面に1000Å以下の遷移金属粉末を付着さ
せた基体の表面にダイヤモンドを析出させると、基材が
ダイヤモンドでなくとも繊維状ダイヤモンドが析出され
ることが分った。また、この方法によると従来法におけ
るような欠点がなく、容易に繊維状ダイヤモンドを合成
し得られることを究明し、これらの知見に基いて本発明
を完成した。
料として水素と炭化水素の混合ガスを使用し、2000
℃以上に加熱フィラメントあるいはプラズマを用いて水
素及び炭化水素の励起・解離を行わしめ、これを加熱し
た基材の表面に1000Å以下の遷移金属粉末を付着さ
せた基体の表面にダイヤモンドを析出させると、基材が
ダイヤモンドでなくとも繊維状ダイヤモンドが析出され
ることが分った。また、この方法によると従来法におけ
るような欠点がなく、容易に繊維状ダイヤモンドを合成
し得られることを究明し、これらの知見に基いて本発明
を完成した。
本発明の要旨は、水素と炭化水素の混合ガスを、200
0℃以上に加熱されたフィラメントを用いて100To
rr以下の減圧下あるいは高周波またはマイクロ波プラ
ズマを用い500 Torr以下の減圧下で水素及び炭
化水素の励起、解離を行わしめ、500〜1300℃に
加熱された耐熱性基材表面に1000λ以下の遷移金属
粉末を付着させた基体の表面にダイヤモンドを析出させ
ることを特徴とす4繊維状ダイヤモンドの合成法にある
。
0℃以上に加熱されたフィラメントを用いて100To
rr以下の減圧下あるいは高周波またはマイクロ波プラ
ズマを用い500 Torr以下の減圧下で水素及び炭
化水素の励起、解離を行わしめ、500〜1300℃に
加熱された耐熱性基材表面に1000λ以下の遷移金属
粉末を付着させた基体の表面にダイヤモンドを析出させ
ることを特徴とす4繊維状ダイヤモンドの合成法にある
。
本発明において用いる炭化水素としては、例えばメタ/
lエタン、ブタン、エチレン、アセチレン等の易揮発性
炭化水素が挙げられる0メクイは水素対炭化水素がモル
比で100対0.3であるのが好ましい。
lエタン、ブタン、エチレン、アセチレン等の易揮発性
炭化水素が挙げられる0メクイは水素対炭化水素がモル
比で100対0.3であるのが好ましい。
′反応室の圧力は高周波またはマイクロ波によるプ・ラ
ズマを用いる場合は、5QQ ’I’orr以下、好ま
財H<は200 Torr以下、熱フィラメン トを用
いる場合は% 100 Torr以下、好ましくは50
Torr以下であることが必要である0プラズマ法で
は500 Torr 、熱フィラメントを用いる場合、
100Torrを超えると、粒状結晶もしくは黒鉛状炭
素が析出する。
ズマを用いる場合は、5QQ ’I’orr以下、好ま
財H<は200 Torr以下、熱フィラメン トを用
いる場合は% 100 Torr以下、好ましくは50
Torr以下であることが必要である0プラズマ法で
は500 Torr 、熱フィラメントを用いる場合、
100Torrを超えると、粒状結晶もしくは黒鉛状炭
素が析出する。
耐熱性基材としては、例えば、ht2o、 、 Mgo
。
。
BN 、 シリカガラス、 5y−sNa + ZI’
02 、T:LO2+等が挙げられる。しかし、これに
限定されるものではす<、加熱温度に耐えるものであれ
ばよい〇耐熱性基材の表面に付着させる遷移金属として
は、Fe 、 Co 、 Ni 、 Ti 、 Mo
、Or 、 Zn 、 V 。
02 、T:LO2+等が挙げられる。しかし、これに
限定されるものではす<、加熱温度に耐えるものであれ
ばよい〇耐熱性基材の表面に付着させる遷移金属として
は、Fe 、 Co 、 Ni 、 Ti 、 Mo
、Or 、 Zn 、 V 。
Mn 、 Y 、 Zr + Nb + Tc 、 H
f’ 、 Ta 、 W 、 Ri +Cd 、 In
、 Pb 、 Biが挙げられるが、なかでも、炭素
と結合するか、炭素を溶解するもの、例えばFe 、
Go 、 Niなどが好ましい。その粒径は1000Å
以下であることが必要であり、それを超えると繊維状ダ
イヤモンドは析出しない。
f’ 、 Ta 、 W 、 Ri +Cd 、 In
、 Pb 、 Biが挙げられるが、なかでも、炭素
と結合するか、炭素を溶解するもの、例えばFe 、
Go 、 Niなどが好ましい。その粒径は1000Å
以下であることが必要であり、それを超えると繊維状ダ
イヤモンドは析出しない。
本発明の方法を実施する装置を図面に基いて説明すると
、第1図はマイクロ波によって誘発したプラズマを用い
る場合、第2図は高周波によって誘発したプラズマを用
いる場合、第3図は熱フィラメントを用いた場合におけ
る概要装置を示す。
、第1図はマイクロ波によって誘発したプラズマを用い
る場合、第2図は高周波によって誘発したプラズマを用
いる場合、第3図は熱フィラメントを用いた場合におけ
る概要装置を示す。
第1図において、1は反応ガス供給装置、2はマイクロ
波発振機、3は導波管、4は反応室、5は基材表面VC
遷移金属微粉末を付着させた基体、6は支持台、7は排
気装置、8,9,10.11は調整パルプを示す。反応
室4内の支持台6の上に基体5を置いた後、排気装置7
を作動し、調整バルブ8を調整して反応室4内を減圧に
すると共に、反応ガス供給装置1より調整バルブ9,1
0゜11を通して水素及び炭化水素ガスの流量を調整し
、所定圧に保持する。次にマイクロ波発振機2を作動し
てマイクロ波無極放電を誘発する0これにより励起・解
離状態の水素・炭化水素を生成し、基体の表面に繊維状
ダイヤモンドが生長する0第2図は第1図のマイクロ波
発振機2に代え、高周波発振機15を使用し、同軸ケー
ブル12を通−)じて平行電極板13に出力を与え、反
応室4内に、1ンラズマを誘発させる。14は基体加熱
用ヒータ←である。他は第1図におけると同様にして、
基体5の表面に繊維状ダイヤモンドが生長する0なお、
平行電極板13に代え、コイルを用いてもよい。
波発振機、3は導波管、4は反応室、5は基材表面VC
遷移金属微粉末を付着させた基体、6は支持台、7は排
気装置、8,9,10.11は調整パルプを示す。反応
室4内の支持台6の上に基体5を置いた後、排気装置7
を作動し、調整バルブ8を調整して反応室4内を減圧に
すると共に、反応ガス供給装置1より調整バルブ9,1
0゜11を通して水素及び炭化水素ガスの流量を調整し
、所定圧に保持する。次にマイクロ波発振機2を作動し
てマイクロ波無極放電を誘発する0これにより励起・解
離状態の水素・炭化水素を生成し、基体の表面に繊維状
ダイヤモンドが生長する0第2図は第1図のマイクロ波
発振機2に代え、高周波発振機15を使用し、同軸ケー
ブル12を通−)じて平行電極板13に出力を与え、反
応室4内に、1ンラズマを誘発させる。14は基体加熱
用ヒータ←である。他は第1図におけると同様にして、
基体5の表面に繊維状ダイヤモンドが生長する0なお、
平行電極板13に代え、コイルを用いてもよい。
第3図は、第1図及び第2図において用いたプラズマに
代え、熱フィラメント16を用い、電流を通じて200
0℃以上に加熱することにより、水素及び炭化水素の励
起、解離を行わせる。17は基体加熱用電気炉である。
代え、熱フィラメント16を用い、電流を通じて200
0℃以上に加熱することにより、水素及び炭化水素の励
起、解離を行わせる。17は基体加熱用電気炉である。
他は第1図におけると同様にして基体の表面に繊維状ダ
イヤモンドが生長する。
イヤモンドが生長する。
実施例1゜
第1図に示す装置を用い、反応室4内の基体支持台6の
上にアルミナ板に粒径300人の鉄微粉末を付着させた
基体5を置き、反応室4内を排気装置7により排気した
後、水素にメタン0.3容量%を混合したガスを40
cc / minで流し、反応室4内を30 Torr
に保持した0次にマイクロ発振機2を作動し、500W
の出力を導波管3を通じて反応室4内に入射しプラズマ
を誘発させた0プラズマ空間で反応ガスの励起、解離及
び基体の加熱が行われ、50時間析出を行ったところ、
長さ約100μmの繊維状ダイヤモンドが得られだ0実
施例2゜ 第2図の装置において、反応室4内の平行電極板13上
にシリカガラス板に粒径500人のニッケル微粉末を付
着させた基体5を置き、排気装置7で排気して反応室4
内を減圧にすると共に、ヒーター14で基体5を850
℃に上昇させた0次に反応:ガス供給装置1より調整バ
ルブ9,10,11、;を1調整し、水素にメタン0.
4容量%を混合した混合ガスを毎分50CCで流し、排
気装置7を作動すると共に調整バルブ8を調整して反応
室4内を50Torrに保持した。次に高周波発振機1
5を作動し、900Wの出力を同軸ケーブル12を通じ
て平行電極板13に与えプラズマを誘起させた。この空
間で反応ガスの励起、解離が行われ、50時間析出を行
ったところ、長さ80μmの繊維状ダイヤ;モーンドが
得られた。
上にアルミナ板に粒径300人の鉄微粉末を付着させた
基体5を置き、反応室4内を排気装置7により排気した
後、水素にメタン0.3容量%を混合したガスを40
cc / minで流し、反応室4内を30 Torr
に保持した0次にマイクロ発振機2を作動し、500W
の出力を導波管3を通じて反応室4内に入射しプラズマ
を誘発させた0プラズマ空間で反応ガスの励起、解離及
び基体の加熱が行われ、50時間析出を行ったところ、
長さ約100μmの繊維状ダイヤモンドが得られだ0実
施例2゜ 第2図の装置において、反応室4内の平行電極板13上
にシリカガラス板に粒径500人のニッケル微粉末を付
着させた基体5を置き、排気装置7で排気して反応室4
内を減圧にすると共に、ヒーター14で基体5を850
℃に上昇させた0次に反応:ガス供給装置1より調整バ
ルブ9,10,11、;を1調整し、水素にメタン0.
4容量%を混合した混合ガスを毎分50CCで流し、排
気装置7を作動すると共に調整バルブ8を調整して反応
室4内を50Torrに保持した。次に高周波発振機1
5を作動し、900Wの出力を同軸ケーブル12を通じ
て平行電極板13に与えプラズマを誘起させた。この空
間で反応ガスの励起、解離が行われ、50時間析出を行
ったところ、長さ80μmの繊維状ダイヤ;モーンドが
得られた。
一実1施例3゜
’:Y:S第3図に示す装置を用い、反応室4内の支持
台6上にマグネシャ板に粒径約300人のコバルトm粒
子を付着させた基体5を置き、排気装置7で排気して反
応室4内を減圧にし、加熱用電気炉17を用いて基体5
を920℃に上昇させた。次に反応ガス供給装置1より
前記と同様にして、水素にメタン0.2容量%混合した
ガスを毎分80ccで流し、排気装置7により反応室4
内を40 Torrの圧力に保持した。次にフィラメン
ト16に電流を通じフィラメント温度を2000℃に上
昇させ、10時間析出させたところ、約10μmの長さ
の繊維状ダイヤモンドが得られた。
台6上にマグネシャ板に粒径約300人のコバルトm粒
子を付着させた基体5を置き、排気装置7で排気して反
応室4内を減圧にし、加熱用電気炉17を用いて基体5
を920℃に上昇させた。次に反応ガス供給装置1より
前記と同様にして、水素にメタン0.2容量%混合した
ガスを毎分80ccで流し、排気装置7により反応室4
内を40 Torrの圧力に保持した。次にフィラメン
ト16に電流を通じフィラメント温度を2000℃に上
昇させ、10時間析出させたところ、約10μmの長さ
の繊維状ダイヤモンドが得られた。
以上のように、本発明の方法によると、ダイヤモンド以
外の基材の上にも繊維状ダイヤモンドが容易に合成し得
られ、しかも、複雑な操作を必要としないで、黒鉛等を
含まない繊維状ダイヤモンドが合成し得られる優れた効
果を有する。
外の基材の上にも繊維状ダイヤモンドが容易に合成し得
られ、しかも、複雑な操作を必要としないで、黒鉛等を
含まない繊維状ダイヤモンドが合成し得られる優れた効
果を有する。
図面は本発明方法を実施する装置の概要図で、第1図は
マイクロ波によって誘発したプラズマを用いる場合、第
2図は高周波によって誘発されたプラズマを用いる場合
、第3図は熱フィラメントによるガスの励起・解離を行
わせる場合を示す。 1:反応ガス供給装置、2:マイクロ波発振機、3:導
波管、 4:反応室、 5:基体、 6:支持台、 7:排気装置、 8 、9 、10 、11 :調整用バルブ、12:同
軸ケーブル、13:平行電極板、14:ヒーター、 1
5:高周波発振機、16:フィラメント、17:電気炉
0 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所畏1 ゛ 後 藤 児。 旧・1 、−; 茶21カ
マイクロ波によって誘発したプラズマを用いる場合、第
2図は高周波によって誘発されたプラズマを用いる場合
、第3図は熱フィラメントによるガスの励起・解離を行
わせる場合を示す。 1:反応ガス供給装置、2:マイクロ波発振機、3:導
波管、 4:反応室、 5:基体、 6:支持台、 7:排気装置、 8 、9 、10 、11 :調整用バルブ、12:同
軸ケーブル、13:平行電極板、14:ヒーター、 1
5:高周波発振機、16:フィラメント、17:電気炉
0 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所畏1 ゛ 後 藤 児。 旧・1 、−; 茶21カ
Claims (1)
- 水素と炭化水素の混合ガスを、2ooo℃以上に加熱さ
れたフィラメントを用いて100 Torr以下の減圧
下あるいは高周波またはマイクロ波プラズマを用い5Q
Q Torr以下の減圧下で水素及び炭化水素の励起、
解離を行わしめ、500〜13oo℃に、加1熱された
耐熱性基材表面に1000 A以下の遷移金;属粉末を
付着させた基体の表面にダイヤモンド、を;析出させる
ことを特徴とする繊維状ダイヤモンドの合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054048A JPS60200896A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 繊維状ダイヤモンドの合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59054048A JPS60200896A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 繊維状ダイヤモンドの合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200896A true JPS60200896A (ja) | 1985-10-11 |
| JPS6353159B2 JPS6353159B2 (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=12959718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59054048A Granted JPS60200896A (ja) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | 繊維状ダイヤモンドの合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200896A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246115A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
| US5071708A (en) * | 1987-10-20 | 1991-12-10 | Showa Denko K.K. | Composite diamond grain |
| EP0691413A2 (en) | 1993-04-06 | 1996-01-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond reinforced composite material and method of preparing the same |
| US5677372A (en) * | 1993-04-06 | 1997-10-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond reinforced composite material |
-
1984
- 1984-03-21 JP JP59054048A patent/JPS60200896A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071708A (en) * | 1987-10-20 | 1991-12-10 | Showa Denko K.K. | Composite diamond grain |
| WO1993013015A1 (fr) * | 1987-10-20 | 1993-07-08 | Kunio Komaki | Grains de diamant composites et leur procede de production |
| JPH01246115A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法 |
| EP0691413A2 (en) | 1993-04-06 | 1996-01-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond reinforced composite material and method of preparing the same |
| US5677372A (en) * | 1993-04-06 | 1997-10-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Diamond reinforced composite material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353159B2 (ja) | 1988-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |