JPS60200897A - 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 - Google Patents
人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法Info
- Publication number
- JPS60200897A JPS60200897A JP59058046A JP5804684A JPS60200897A JP S60200897 A JPS60200897 A JP S60200897A JP 59058046 A JP59058046 A JP 59058046A JP 5804684 A JP5804684 A JP 5804684A JP S60200897 A JPS60200897 A JP S60200897A
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- JP
- Japan
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- reaction
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- diamond film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、基体表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形
成する方法において、前記基体表面に反応初期に析出す
る人工ダイヤモンドの結晶核の増大をはか９、もって人
工ダイヤモンド皮膜の析出形成速度の向上をはかる方法
に関するものである。
成する方法において、前記基体表面に反応初期に析出す
る人工ダイヤモンドの結晶核の増大をはか９、もって人
工ダイヤモンド皮膜の析出形成速度の向上をはかる方法
に関するものである。
従来、基体表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成する
方法としては多数の方法が提案され、この中で反応混合
ガスを加熱し、活性化する手段として、 （ａ） 熱電子放射材、 （１）） 高周波によるプラズマ放電、（Ｃ） マイク
ロ波によるプラズマ放電、以上（ａ）〜（Ｃ）のいずれ
かを採用する代表的方法が注目されている。
方法としては多数の方法が提案され、この中で反応混合
ガスを加熱し、活性化する手段として、 （ａ） 熱電子放射材、 （１）） 高周波によるプラズマ放電、（Ｃ） マイク
ロ波によるプラズマ放電、以上（ａ）〜（Ｃ）のいずれ
かを採用する代表的方法が注目されている。
上記従来（ａ）方法は、第１図に概略断面図で示される
ように、石英製反応容器１内の上部に開口する反応混合
ガス導入管２によって流入された、主として炭化水素と
水素で構成された反応混合ガスを、熱電子放射材として
の例えば金属タングステン製フィラメント３および台板
４上に支持された基体５全通して下方に流し、この間反
応容器１内の雰囲気圧力’ｉ ｏ、 ｉ〜３００ｔｏｒ
ｒに保持すると共に、フィラメント３ ’ｋ １５００
〜２５００℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と
、所定間隔下方に配置された基体表面の３００−１３［
１０℃の範囲内の温度への加熱をはかシ、この状態で所
定時間の反応を行なわしめることによシ基体５の光面に
ダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であり、例え
ば特開昭５８−９１１００号公報に記載される方法がこ
の方法に相当する方法である。
ように、石英製反応容器１内の上部に開口する反応混合
ガス導入管２によって流入された、主として炭化水素と
水素で構成された反応混合ガスを、熱電子放射材として
の例えば金属タングステン製フィラメント３および台板
４上に支持された基体５全通して下方に流し、この間反
応容器１内の雰囲気圧力’ｉ ｏ、 ｉ〜３００ｔｏｒ
ｒに保持すると共に、フィラメント３ ’ｋ １５００
〜２５００℃に加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と
、所定間隔下方に配置された基体表面の３００−１３［
１０℃の範囲内の温度への加熱をはかシ、この状態で所
定時間の反応を行なわしめることによシ基体５の光面に
ダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であり、例え
ば特開昭５８−９１１００号公報に記載される方法がこ
の方法に相当する方法である。
また、上記従来（ｂ）方法は、同じく第２図に概略断面
図で示されるように、石英製反応容器１内の中央部に基
体５を置き、この反応容器１の一方側に設けた反応混合
ガス導入管２から主として炭化水素と水素で構成された
反応混合ガスを流入し、一方反応容器１の他方側から排
気し、この間、反応容器１内の雰囲気圧力を数ｔｏｒｒ
〜数１０ｔｏｒｒに保持すると共に、反応容器１の中央
外周部に設けた高周波コイル６に、例えば周波数：１３
．５６ＭＨｚ 、出カニ５００Ｗの条件を付加して反応
容器１内の基体５の周囲にプラズマ放電を誘起させ、こ
のプラズマ放電によって反応混合ガスの加熱活性化と基
体表面温度の上昇をはかり、この状態で所定゛時間の反
応を行なわしめることによジ基体表面にダイヤモンド皮
膜を析出形成せしめる方法であシ、例えば特開昭５８−
１３５１１７号公報に記載されている方法がこれに相当
するものである。
図で示されるように、石英製反応容器１内の中央部に基
体５を置き、この反応容器１の一方側に設けた反応混合
ガス導入管２から主として炭化水素と水素で構成された
反応混合ガスを流入し、一方反応容器１の他方側から排
気し、この間、反応容器１内の雰囲気圧力を数ｔｏｒｒ
〜数１０ｔｏｒｒに保持すると共に、反応容器１の中央
外周部に設けた高周波コイル６に、例えば周波数：１３
．５６ＭＨｚ 、出カニ５００Ｗの条件を付加して反応
容器１内の基体５の周囲にプラズマ放電を誘起させ、こ
のプラズマ放電によって反応混合ガスの加熱活性化と基
体表面温度の上昇をはかり、この状態で所定゛時間の反
応を行なわしめることによジ基体表面にダイヤモンド皮
膜を析出形成せしめる方法であシ、例えば特開昭５８−
１３５１１７号公報に記載されている方法がこれに相当
するものである。
さらに、上記従来（Ｃ）方法は、同様に第３図に概略断
面図で示されるように、石英製反応容器ｌ内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の上方に設けた反応混合
ガス導入管２から、主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器１の下方から排
気し、この間、反応容器内の雰囲気圧力’ｔｏ、ｉ〜３
００ｔｏｒｒＶＣ保持し、一方反応容器１の中央外周部
に設けた導波管７を通して供給された、例えば２４５０
ＭＨ２のマイクロ波をプラズマ調整用プランジャ８に
よって調整して、反応容器１内の基体５の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、このプラズマ放電によって反応混合
ガスの加熱活性化と基体表面温度の上昇をはかｐ、この
状態で所定時間の反応を行なわしめることにより基体表
面にダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であシ、
例えば特開昭５８−１．１０４９４号公報に記載されて
いる方法がこれに相当する方法である。
面図で示されるように、石英製反応容器ｌ内の中央部に
基体５を置き、この反応容器１の上方に設けた反応混合
ガス導入管２から、主として炭化水素と水素で構成され
た反応混合ガスを流入し、一方反応容器１の下方から排
気し、この間、反応容器内の雰囲気圧力’ｔｏ、ｉ〜３
００ｔｏｒｒＶＣ保持し、一方反応容器１の中央外周部
に設けた導波管７を通して供給された、例えば２４５０
ＭＨ２のマイクロ波をプラズマ調整用プランジャ８に
よって調整して、反応容器１内の基体５の周囲にプラズ
マ放電を発生させ、このプラズマ放電によって反応混合
ガスの加熱活性化と基体表面温度の上昇をはかｐ、この
状態で所定時間の反応を行なわしめることにより基体表
面にダイヤモンド皮膜を析出形成せしめる方法であシ、
例えば特開昭５８−１．１０４９４号公報に記載されて
いる方法がこれに相当する方法である。
しかし、これらの従来方法は、いずれも共通して反応初
期における基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の数
が少なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長
し、膜状を呈するようになるものであるため、所定の膜
厚を有する人工ダイヤモンド皮膜を析出形成するには、
かな９の反応時間を必要とするものであった。
期における基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の数
が少なく、一方ダイヤモンドはこの結晶核を中心に成長
し、膜状を呈するようになるものであるため、所定の膜
厚を有する人工ダイヤモンド皮膜を析出形成するには、
かな９の反応時間を必要とするものであった。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、反応初
期に基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の増大をは
かるべく研究を行なった結果、前記基体表面を粗面とす
ると、反応初期におけるダイヤモンド結晶核の析出が一
段と促進されるようにな９、速い析出形成速度での人工
ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるという知見を得た
のである。
期に基体表面に析出するダイヤモンド結晶核の増大をは
かるべく研究を行なった結果、前記基体表面を粗面とす
ると、反応初期におけるダイヤモンド結晶核の析出が一
段と促進されるようにな９、速い析出形成速度での人工
ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるという知見を得た
のである。
したがって、この発明は、上記知見にもとづいてなされ
たものであって、主成分が炭化水素と水素からなシ、か
つ熱電子放射材、高周波によるプラズマ放電、あるいは
マイクロ波によるプラズマ放電などによｐ活性化された
加熱反応混合ガスの流れの中に加熱基体を置くことによ
って前記基体の表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成
する方法において、前記基体の表面を、１〜５ｓの範囲
内の平均粗さを有する粗面とすることにより、ダイヤモ
ンドの初期析出結晶核の増大をはかる点に特徴を有する
ものである。
たものであって、主成分が炭化水素と水素からなシ、か
つ熱電子放射材、高周波によるプラズマ放電、あるいは
マイクロ波によるプラズマ放電などによｐ活性化された
加熱反応混合ガスの流れの中に加熱基体を置くことによ
って前記基体の表面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成
する方法において、前記基体の表面を、１〜５ｓの範囲
内の平均粗さを有する粗面とすることにより、ダイヤモ
ンドの初期析出結晶核の増大をはかる点に特徴を有する
ものである。
なお、この発明の方法において、基体の表面粗さを１〜
５Ｓの範囲内の平均粗さとしたのは、平均粗さで１８未
満では、所望のダイヤモンド結晶核の析出促進効果が得
られず、一方平均粗さで５ｓ’ｌ越えると、ダイヤモン
ド皮膜面の粗さが目立つようになるという理由によるも
のである。
５Ｓの範囲内の平均粗さとしたのは、平均粗さで１８未
満では、所望のダイヤモンド結晶核の析出促進効果が得
られず、一方平均粗さで５ｓ’ｌ越えると、ダイヤモン
ド皮膜面の粗さが目立つようになるという理由によるも
のである。
つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図に示される装置を用い、
反応容器（１）：外径５０關φを有する石英製のもの、
基体（５）：平面１０ ｍｍ０Ｘ厚さ１ｍｍの寸法を有
する金属タングステン板材、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ ＣＨ４−１０
０／１、 金属タングステン製フィラメント（３）と基体（５）の
表面との間隔：３０聰、 雰囲気圧力ニ ２０ ｔｏｒｒ。
する金属タングステン板材、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ ＣＨ４−１０
０／１、 金属タングステン製フィラメント（３）と基体（５）の
表面との間隔：３０聰、 雰囲気圧力ニ ２０ ｔｏｒｒ。
フィラメント（３）の加熱温度：２０００℃、フィラメ
ントによる基体表面の加熱温度ニア００℃、 の条件で基体５の表面に人工ダイヤモンド皮膜を形成す
るに際して、上記基体５として、表面粗さが、平均粗さ
で０．５８および４Ｓの２種の基体を用い、また反応初
期におけるダイヤモンド結晶核の析出生成状態を観察す
る目的で、反応時間’に１時間とした。
ントによる基体表面の加熱温度ニア００℃、 の条件で基体５の表面に人工ダイヤモンド皮膜を形成す
るに際して、上記基体５として、表面粗さが、平均粗さ
で０．５８および４Ｓの２種の基体を用い、また反応初
期におけるダイヤモンド結晶核の析出生成状態を観察す
る目的で、反応時間’に１時間とした。
なお、平均粗さ：０．５Ｓの基体表面は、捷ず１８０嚇
のエメリーペーパでラップし、ついで順次平均粒径：３
μｍ、１μｍ、および０．５μｍを有するダイヤモンド
粉をそれぞれ混入した３種のペーストエメリーペーパで
ラップした後、平均粒径：３μｍを有するダイヤモンド
粉を混入したペーストラ用いて軽くパフ研磨仕上げする
ことによって形成した。
のエメリーペーパでラップし、ついで順次平均粒径：３
μｍ、１μｍ、および０．５μｍを有するダイヤモンド
粉をそれぞれ混入した３種のペーストエメリーペーパで
ラップした後、平均粒径：３μｍを有するダイヤモンド
粉を混入したペーストラ用いて軽くパフ研磨仕上げする
ことによって形成した。
反応後、両差体表面におけるダイヤモンド結晶核の数を
、１７００倍の電子顕微鏡写真をとり、測定したところ
、この発明の平均粗さ：４Ｓｉｅ−有する基体表面には
写真上で平均５０個／ ｃｒｌのダイヤモンド結晶核が
形成されていたのに対して、この発明の範囲から外れた
平均粗さ：０．５Ｓの基体表面には同架件で平均１５個
／ Ｃｎ’Ｌのダイヤモンド結晶核しか形成されておら
ず、この結果から基体表面を粗面とすることによってダ
イヤモンド結晶核の初期析出生成速度が著しく促進され
るようになる、ことが明らかである。
、１７００倍の電子顕微鏡写真をとり、測定したところ
、この発明の平均粗さ：４Ｓｉｅ−有する基体表面には
写真上で平均５０個／ ｃｒｌのダイヤモンド結晶核が
形成されていたのに対して、この発明の範囲から外れた
平均粗さ：０．５Ｓの基体表面には同架件で平均１５個
／ Ｃｎ’Ｌのダイヤモンド結晶核しか形成されておら
ず、この結果から基体表面を粗面とすることによってダ
イヤモンド結晶核の初期析出生成速度が著しく促進され
るようになる、ことが明らかである。
実施例 ２
第２図に示される装置を用い、
反応容器（１）°外径５０咽φを有する石英製のもの、
基体（５）：平面１２．７叫０×厚さ４．８咽の寸法を
もった炭化タングステン基超硬合金（Ｃ！ｏ：６重量係
。
もった炭化タングステン基超硬合金（Ｃ！ｏ：６重量係
。
ＷＣ：残り）製板材、
反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／Ｃ２Ｈ６：１０
０／２、 雰囲気圧力ニ ｌ Ｑ ｔｏｒｒ、 高周波コイル（６）への印加条件（周波数： １３．５
６ＭＨｚ５出カニ５００Ｗ）、 の条件で、上記基体５の表面に人工ダイヤモンド皮膜を
形成するに際して、上記基体５として、表面粗さが、平
均粗さで０．７Ｓおよび１．５ｓの２種の基体を用い、
実施例１におけると同様に反応時間を１時間とした。
０／２、 雰囲気圧力ニ ｌ Ｑ ｔｏｒｒ、 高周波コイル（６）への印加条件（周波数： １３．５
６ＭＨｚ５出カニ５００Ｗ）、 の条件で、上記基体５の表面に人工ダイヤモンド皮膜を
形成するに際して、上記基体５として、表面粗さが、平
均粗さで０．７Ｓおよび１．５ｓの２種の基体を用い、
実施例１におけると同様に反応時間を１時間とした。
なお、平均粗さ：０．７Ｓの基体表面は、基体の表面を
平均粒径：３μｍｆ有するダイヤモンド粉を混入したダ
イヤモンド砥石にて研磨して形成した。
平均粒径：３μｍｆ有するダイヤモンド粉を混入したダ
イヤモンド砥石にて研磨して形成した。
また、平均粗さ：１．５Ｓの基体表面は、基体の表面を
平均粒径：３０μｍのｓｉｃ粒で製造された砥石で研磨
することにより形成した。
平均粒径：３０μｍのｓｉｃ粒で製造された砥石で研磨
することにより形成した。
実施例１におけると同様に、反応後、両差体表面におけ
るダイヤモンド結晶粒の数を実施例１におけると同じ方
法で測定したところ、この発明の平均粗さ：１．５３を
有する基体表面には平均４０個／ Ｃｎｔの多量のダイ
ヤモンド結晶核の析出形成が見られたのに対して、この
発明の範囲から外れた平均粗さ°０．７Ｓ’ｉ有する基
体表面にはわずかに平均８個／ Ｃａのダイヤモンド結
晶粒の形成しかないものであった。
るダイヤモンド結晶粒の数を実施例１におけると同じ方
法で測定したところ、この発明の平均粗さ：１．５３を
有する基体表面には平均４０個／ Ｃｎｔの多量のダイ
ヤモンド結晶核の析出形成が見られたのに対して、この
発明の範囲から外れた平均粗さ°０．７Ｓ’ｉ有する基
体表面にはわずかに平均８個／ Ｃａのダイヤモンド結
晶粒の形成しかないものであった。
実施例 ３
第３図に示される装置を用い、
反応容器（１）、外径３０祁φを有する石英製のもの、
基体（５）二千面１２．７ｍｍ’Ｘ厚さ４．８ ｔｒａ
ｎの寸法をもったｗｅ基超超硬合金ＴｉＣ！：１０重量
係、Ｃｏニア重量係、ｗｅ：残シ）製板材、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ＣＨ４＝ｌ Ｏ
Ｏ／３、 雰囲気圧力ニ、 ５ ｔＯｒｒ、 マイクロ波：２４５０ＭＨ２゜ の条件で上記基体５の表面にダイヤモンド皮膜を形成す
るに際して、上記基体５として、表面粗さが、平均粗さ
で０．５Ｓおよび２．５Ｓの２種の基体を用い、実施例
１におけると同様に反応時間・を１時間とした。
ｎの寸法をもったｗｅ基超超硬合金ＴｉＣ！：１０重量
係、Ｃｏニア重量係、ｗｅ：残シ）製板材、 反応混合ガス組成：容量割合で、Ｈ２／ＣＨ４＝ｌ Ｏ
Ｏ／３、 雰囲気圧力ニ、 ５ ｔＯｒｒ、 マイクロ波：２４５０ＭＨ２゜ の条件で上記基体５の表面にダイヤモンド皮膜を形成す
るに際して、上記基体５として、表面粗さが、平均粗さ
で０．５Ｓおよび２．５Ｓの２種の基体を用い、実施例
１におけると同様に反応時間・を１時間とした。
なお、平均粗さ：０．５３の基体表面は、実施例１にお
ける場合と同一の条件で形成し、また平均粗さ：２．５
Ｓの基体表面は、基体の表面全平均粒径：２０μｍｆ有
するダイヤモンド粉を混入した砥石でラップすることに
より形成した。
ける場合と同一の条件で形成し、また平均粗さ：２．５
Ｓの基体表面は、基体の表面全平均粒径：２０μｍｆ有
するダイヤモンド粉を混入した砥石でラップすることに
より形成した。
実施例１におけると同様に、反応後、両差体表面におけ
るダイヤモンド結晶粒の数を実施例ＩＫおけると同じ方
法で測定したところ、この発明の平均粗さ：２．５Ｓ４
：有する基体表面には平均３５個／ ｃ〃ｉのダイヤモ
ンド結晶核が析出していたのに対して、この発明の範囲
から外れた平均粗さ。
るダイヤモンド結晶粒の数を実施例ＩＫおけると同じ方
法で測定したところ、この発明の平均粗さ：２．５Ｓ４
：有する基体表面には平均３５個／ ｃ〃ｉのダイヤモ
ンド結晶核が析出していたのに対して、この発明の範囲
から外れた平均粗さ。
０．５８ｉ有する基体表面には平均４個／ ａｒｆのダ
イヤモンド結晶核しか見られなかった。
イヤモンド結晶核しか見られなかった。
上述のように、この発明の方法によれば、基体表面に人
工ダイヤモンド皮膜を析出形成するに際して、前記基体
の表面を粗面とすることによって反応初期におけるダイ
ヤモンド結晶核の析出生成割合を著しく増大することが
でき、これによってきわめて速い析出形成速度での人工
ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるなど工業上有用な
効果がもたらされるのである。
工ダイヤモンド皮膜を析出形成するに際して、前記基体
の表面を粗面とすることによって反応初期におけるダイ
ヤモンド結晶核の析出生成割合を著しく増大することが
でき、これによってきわめて速い析出形成速度での人工
ダイヤモンド皮膜の形成が可能となるなど工業上有用な
効果がもたらされるのである。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図、および第３図はいずれも人工ダイヤモ
ンド皮膜の析出形成装置を示す概略断面図である。 １・・・反応容器、２・・・反応混合ガス導入管、３・
・・熱電子放射材としてのフィラメント、４・・・台板
、 ５・・基体、 ６・・・高周波コイル、 ７・・・導波管。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名 拳１団 第２図 奉３図
ンド皮膜の析出形成装置を示す概略断面図である。 １・・・反応容器、２・・・反応混合ガス導入管、３・
・・熱電子放射材としてのフィラメント、４・・・台板
、 ５・・基体、 ６・・・高周波コイル、 ７・・・導波管。 出願人 三菱金属株式会社 代理人 富 １）和 夫 外１名 拳１団 第２図 奉３図
Claims (1)
- 主成分が炭化水素と水素からなり、かつ熱電子放射材、
高周波によるプラズマ放電、あるいはマイクロ波による
プラズマ放電などにより活性化された加熱反応混合ガス
の流れの中に加熱基体を置くことによって前記基体の表
面に人工ダイヤモンド皮膜を析出形成する方法において
、前記基体の表面を、１〜５Ｓの範囲内の平均粗さを有
する粗面とすることにより、ダイヤモンドの初期析出結
晶核の増大をはかることを特徴とする人工ダイヤモンド
皮膜の析出形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058046A JPS60200897A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058046A JPS60200897A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200897A true JPS60200897A (ja) | 1985-10-11 |
Family
ID=13072986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058046A Pending JPS60200897A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンド皮膜の析出形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200897A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297298A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086096A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 膜状ダイヤモンドの析出法 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058046A patent/JPS60200897A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6086096A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 膜状ダイヤモンドの析出法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297298A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンドの気相合成法 |
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