JPS60201381A

JPS60201381A - 発光表示装置

Info

Publication number: JPS60201381A
Application number: JP59058863A
Authority: JP
Inventors: 淳市原; 田中　治夫
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1984-03-26
Filing date: 1984-03-26
Publication date: 1985-10-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は、電流制限回路を内蔵したモノリシック形の発
光表示装置に関する。

（ロ）従来技術従来、モノリシック形の発光表示装置としてのドツトマ
トリクスを駆動する場合、各発光素子の過電流破壊を防
止するために外部駆動回路に電流制限抵抗を外付けして
いる。

そのため、モノリシック形の発光表示装置自体の小型化
を図っても電流制限抵抗を内蔵してないので、外部駆動
回路に電流制限抵抗を外付けしなければならない。即ち
、実装面積が比較的大きなものになり、実装作業に手間
がかかるという欠点がある。

これらの原因により、本装置が実装される機器の小型化
を図るのが困難である。

（ハ）目的本発明は、発光表示装置の外部駆動回路の実装面積を小
さくし、且つ、実装作業が容易である発光表示装置を提
供することを目的としている。

（ニ）構成本発明に係る発光表示装置は、マトリクス状に配列され
た各発光素子のうち、各列に配列される発光素子を接続
する上部電極と、各行に配列される各発光素子の共通電
極としての下部電極と、この下部電極を外部に引き出す
外部引出し電極とを具備したモノリシック形の発光表示
装置であって、前記下部電極と外部引出し電極との間に
抵抗層を介在さセたことを特徴とする。

（ホ）実施例夫星廻↓ 第１図は本発明の第１の実施例を略示した斜視図である
。

ｌＯは、例えばＧａＡｓからなる半絶縁基板である。

２０は、前記半絶縁基板１０の表面に形成するＮ中層か
らなる帯状の下部？Ｉｉ極であり、後述する各行ごとに
配列された各発光素子４ｏの共通電極である。

２１は、ＡＩ或いは＾Ｕ等からなる前記下部電極２ｏの
外部引出し電極であり、この外部引出し電極２１は下部
電極２０から抵抗Ｎ３０を介して導出されており、半絶
縁基板１０の端辺に形成されζいる。

３０は、キャリア濃度の小さい比抵抗の大きいＮ一層か
らなる帯状の抵抗層であり、前記半絶縁基板ｌＯの表面
に比較的薄く形成されている。この抵抗層３０は、前記
下部電極２０と外部引出し電極２１との間に介在されて
おり、この間隔を適宜に設定することにより抵抗値が決
定される。

４０は、２層４１．　Ｎ層４２から構成される発光素子
であり、それぞれマトリクス状に配列されている。

この発光素子４０は前記下部電極２ｏの表面にＮ層４２
をその上部に２層４１をそれぞれ形成されている。

５０は、各列ごとに配列された各発光素子４ｏのＰ＋層
からなるコンタクト層４３に接続されるＡＩ或いはＡｕ
等からなる上部電極である。外部引出し電極５１は、そ
れぞれ前記外部引出し電極２１が形成された端辺と直交
する端辺に形成されている。

尚、説明の都合上、第１図には、上部電極５ｏによる２
層４１とＮ層４２との短絡防止するための絶縁層を示し
ていない。

次に、上述した実施例に係る発光表示装置の製造工程を
説明する。

■　半絶縁基板ｌＯ上に抵抗層３ｏ、下部電極２０．　
Ｎ層４２．２層４１およびコンタクト層４３がいわゆる
ＭＢＥ装置によゲζ連続的に成長される。

■　半絶縁基板ＩＯまで届くメサエッチングを施して各
行ごとの各下部電極２ｏや各抵抗層３ｏをそれぞれ分離
させる。

■　前記抵抗層３０と直交する方向で下部電極２ｏまで
届くメサエッチングを施して、各列ごとの各発光素子４
０をそれぞれ分離させる。

■　外部引出し電極２Ｉに最も近い列の各発光素子４０
と各外部引出し電極２１との間を、所定間隔で抵抗層３
０まで届くメサエッチングをすることにより、前記下部
電極２ｏと外部引出し電極２１とを抵抗１ｉｉ３０を介
して接続させる。

■　メサエッチングされた基板上に絶縁層が形成される
。（図示せず） ■　コンタクトをとる部分および光を出す部分にパター
ニングすることで、コンタクト層４３が形成される。

■　表面に酎或いはＡｕ等が蒸着された後、ホトエツチ
ングされ、上部電極５０、外部引出し電極２１．５１が
形成される。光を出す部分のコンタクト層４３をエツチ
ングで除去する。

上述の実施例によると、前記抵抗層３０はＭＢＥ装置で
もって、他の各層と連続し゛ζエピタキシャル成長され
るので、その製造が容易になるという効果を奏する。

爽施珂ｌ第２図は本発明の第２の実施例を略示した斜視図である
。

７０は前記下部電極２０、抵抗ｊｉｉ３０等から構成さ
れる電極導出層である。この電極導出層７０は発光素子
４０が配列される各列間にそれぞれ設けられ、各列の発
光素子４０の一つと抵抗層３０を介して接続される。各
電極導出Ｎ１０は前記外部引出し電極２１が形成された
端辺と対向する端辺に導出され、前記端辺に沿って形成
される外部引出し電極７１で終端している。

次に上述した構成を備えた発光表示装置の製造工程を説
明する。

■　各行に配列された各発光素子４０とこれを導出する
電極導出層７０の分離は、抵抗層３０まで届くメサエッ
チングで行われる。

■　前記各行に配列された各発光素子４０の間の分離は
、半絶縁基板ｌＯまで届くメサエッチングで行われる。

■　各行に配列された各発光素子４０とこれを導出しな
い電極導出層７０との分離は、半絶縁基板１０まで届く
メサエッチングで行われる。

■表面に＾ｌ或いはＡｕ等が蒸着された後、ホトエツチ
ングされ、上部電極５０及び外部引出し電極２１．７１
が形成される。光を取り出す部分のコンタクト層４３を
エツチングで除去する。

上述のように形成される発光表示装置は、第１配置され
るから、発光表示装置を近接して実装することができる
。

尚、上述の第１、第２の実施例で、２層４１とＮＮ４２
とで構成した発光素子４０１例にとって説明しているが
本発明はこれに限定されないことは勿論である。

（へ）効果本発明に係る発光表示装置は、各下部電極と外部引出し
電極との間に抵抗層を介在させ、電流制限抵抗を発光素
子と同一チップ内に形成しているので、電流制限抵抗を
外部駆動回路に外付けする必要がない。

従って、本発明によれば実装面積を小さくし、実装作業
の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を略示した斜視図、第２
図は本発明の第２の実施例を略示した斜視図である。２０・・・下部電極、２１・・・外部引出し電極、３０
・・・抵抗層、４０・・・発光素子、５０・・・上部電
極。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）マトリクス状に配列された各発光素子のうち、各
列に配列される発光素子を接続する一Ｌ部電極と、各行
に配列される各発光素子の共通電極としての下部電極と
、この下部電極を外部に引き出す外部引出し電極とを具
備したモノリシック形の発光表示装置において、前記下
部電極と外部引出し電極との間に抵抗層を介在させたこ
とを特徴とする発光表示装置。
（２）前記抵抗層は、下部電極を一端辺側に導出する電
極導出層と下部電極との間に介在されるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光表示装置
。
（３）前記抵抗層は、エピタキシャル成長されるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発光
表示装置。