JPS6020160U - ZnSeモノリシツク型発光装置 - Google Patents

ZnSeモノリシツク型発光装置

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JPS6020160U
JPS6020160U JP1983112509U JP11250983U JPS6020160U JP S6020160 U JPS6020160 U JP S6020160U JP 1983112509 U JP1983112509 U JP 1983112509U JP 11250983 U JP11250983 U JP 11250983U JP S6020160 U JPS6020160 U JP S6020160U
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JP
Japan
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light emitting
emitting device
monolithic light
gaas
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JP1983112509U
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米田 幸二
有二 菱田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来例を示す断面図及び平面図、第
3図A−Cは本考案の一実施例を示し、同図Aは同図B
のA−A’線断面図、同図Bは同図AのB−B’線断面
図、同図Cは平面図である。 11・・・・・・半絶縁性GaAs基板、12・・・・
・・n型GaAs層、13・・・・・・n型Zn5e層
、14・・・・・・絶縁層、15・・・・・・金属層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)半絶縁性GaAs基板、該基板上に積層され一方
    に延在する複数のストライプ形状のn型GaAs層、上
    記基板及びGaAs層上に積層されたn型Zn5e層、
    該Zn5e層上に積層された絶縁層、該絶縁層上に積層
    され上記n型GaAs層と直交する方向に延在する複数
    のストライプ形状の金属層からなることを特徴とするZ
    n5eモノリシック型発光装置。 ″ (2)実用新案壁i請求の範囲第1項において、上
    記絶縁層には上記GaAs層に沿って溝部が形成されて
    いることを特徴とするZn5eモノリシック型発光装置
JP1983112509U 1983-07-20 1983-07-20 ZnSeモノリシツク型発光装置 Granted JPS6020160U (ja)

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JPS6020160U true JPS6020160U (ja) 1985-02-12
JPH0126115Y2 JPH0126115Y2 (ja) 1989-08-04

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