JPS60205170A - 乾燥等の連続処理装置 - Google Patents
乾燥等の連続処理装置Info
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- JPS60205170A JPS60205170A JP6188784A JP6188784A JPS60205170A JP S60205170 A JPS60205170 A JP S60205170A JP 6188784 A JP6188784 A JP 6188784A JP 6188784 A JP6188784 A JP 6188784A JP S60205170 A JPS60205170 A JP S60205170A
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Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射性廃棄物のような有害物質を含む含水物
の乾燥処理等に好適な乾燥等の連続処理vc置に関する
。
の乾燥処理等に好適な乾燥等の連続処理vc置に関する
。
放射性廃棄物を含む濃縮廃液、スラッジ、汚泥等、有害
物質を含む含水物を減容し、安定な固化体とするために
、含水物の濃縮、脱水、乾燥、焼却、溶融、固化等のも
理技術の研究1.iF1発が近年盛んに行なわれ、一部
は既に実用に供されている。
物質を含む含水物を減容し、安定な固化体とするために
、含水物の濃縮、脱水、乾燥、焼却、溶融、固化等のも
理技術の研究1.iF1発が近年盛んに行なわれ、一部
は既に実用に供されている。
ところで、上記のような有害物反を含む含水物を脱水乾
燥する1合、非揮発性の有害物質がダストとして飛散し
て排ガス中に混入するのを極力防止することが−fiま
しい。ところが、含水物の脱水乾燥に一般的に使用され
る薄膜乾燥機、ロータリキルン等の連続式処理装置では
、装置内において含水物の攪拌を伴うため、乾燥ダスト
の飛散が避けられず、ダストの排ガス中への混入を防止
できない。このため、排ガス処理装置に、このダストの
分離捕集装置を付設する必要があった。また、回分式の
処理装置として真空凍結乾燥機、外熱式攪拌槽があるが
、前者は表面積を多くしなければならない上、乾燥物の
移動、移し韓えの際にそれらが飛散するおそれがあり、
後者では、上記連続式処理装醸同様、攪拌によるダスト
飛散が問題となる。
燥する1合、非揮発性の有害物質がダストとして飛散し
て排ガス中に混入するのを極力防止することが−fiま
しい。ところが、含水物の脱水乾燥に一般的に使用され
る薄膜乾燥機、ロータリキルン等の連続式処理装置では
、装置内において含水物の攪拌を伴うため、乾燥ダスト
の飛散が避けられず、ダストの排ガス中への混入を防止
できない。このため、排ガス処理装置に、このダストの
分離捕集装置を付設する必要があった。また、回分式の
処理装置として真空凍結乾燥機、外熱式攪拌槽があるが
、前者は表面積を多くしなければならない上、乾燥物の
移動、移し韓えの際にそれらが飛散するおそれがあり、
後者では、上記連続式処理装醸同様、攪拌によるダスト
飛散が問題となる。
そこで、上記従来の一般的な処理装置に代るものとして
、渕えば、第9図に示すような同軸型マイクロ波乾燥装
置が案出されている。この乾燥装置は、金#i偶の円筒
体1と、誘電体で形成されたスクリュー翼2を備えた回
転軸3がら成り、マイクロ波導入口4から円筒体1内に
マイクロ波を導いて投入口5から投入された含水物を誘
屯加熱処雌し、排出口6から乾燥物として排出するもの
である。
、渕えば、第9図に示すような同軸型マイクロ波乾燥装
置が案出されている。この乾燥装置は、金#i偶の円筒
体1と、誘電体で形成されたスクリュー翼2を備えた回
転軸3がら成り、マイクロ波導入口4から円筒体1内に
マイクロ波を導いて投入口5から投入された含水物を誘
屯加熱処雌し、排出口6から乾燥物として排出するもの
である。
しかしながら、上記のような処理装置では、マイクロ波
を円筒体1の内部に閉じ込めているため、含水物の移!
0経路における位置によって、マイクロ1lnt力の強
さあるいは〃■熱温度を最適に制御することが難しく、
加熱効率が悪いという問題があった。
を円筒体1の内部に閉じ込めているため、含水物の移!
0経路における位置によって、マイクロ1lnt力の強
さあるいは〃■熱温度を最適に制御することが難しく、
加熱効率が悪いという問題があった。
本発明は、上紀従昶の事情に鑑みてなされたもので、被
処理物をマイクロ波によシ効率よく加熱処理することが
でき、しかも、加熱温度の制#等を容易になすことので
きる乾燥等の連続処理装rllを提供することを目的と
する。
処理物をマイクロ波によシ効率よく加熱処理することが
でき、しかも、加熱温度の制#等を容易になすことので
きる乾燥等の連続処理装rllを提供することを目的と
する。
上記目的を達成するためンこ、本発明μ、円節体に、駆
軸装置により回転される回転軸を、その軸線を円筒体の
軸線に一致させて配設し、かつ、この回転軸にスクリュ
ー城を設けるとともに、上記円筒体に複数のマイクロ波
加熱手段を付設し、また、上記スクリュー翼を、誘電体
で形成したマイクロ波透過部と、円筒体内を上記flI
B、のマイクロ波加熱手段に対応した榎奴のマイクロ波
加熱@吠に区画するマイクロ波反射と41とで構成した
もので、円筒体内をスクリュー蒐によって連続的に移送
される被処理物を、複数のマイクロ彼IJLI熱手段か
ら円筒体内のtM数の加熱憤戟に導かれるマイクロ波に
よシ効率よく加熱するようにしたものでめる。
軸装置により回転される回転軸を、その軸線を円筒体の
軸線に一致させて配設し、かつ、この回転軸にスクリュ
ー城を設けるとともに、上記円筒体に複数のマイクロ波
加熱手段を付設し、また、上記スクリュー翼を、誘電体
で形成したマイクロ波透過部と、円筒体内を上記flI
B、のマイクロ波加熱手段に対応した榎奴のマイクロ波
加熱@吠に区画するマイクロ波反射と41とで構成した
もので、円筒体内をスクリュー蒐によって連続的に移送
される被処理物を、複数のマイクロ彼IJLI熱手段か
ら円筒体内のtM数の加熱憤戟に導かれるマイクロ波に
よシ効率よく加熱するようにしたものでめる。
以下、本発明の一実施例を礪1図に基づいて説明する。
第1図において符号10で示すものは、上部の開口が上
蓋11により閉塞され、下部にコーン部12が形成され
た堅杉の円筒体である。この円筒体10は、金属により
形成されたもので、その上*1tには、有害物質を含む
含水物等の被処理物を該円筒体10内に投入する投入口
13が設けられ、かつ、その側壁14の上部位置にはガ
ス排出口15が設けられるとともに、コーン412の下
部は上記被処理物の排出口16となっており、この排出
口16には排出バルブ17が取り付けられている。そし
て、上記投入口13には、被処理物を受け入れるホッパ
18が一端に設けられたスクリューフィーダ19の他端
が接続され、上記ガス排出口15は凝縮器20に接続さ
れている。また、上記投入口13、排出口16、ガス排
出口15は、後記するマイクロ波加熱手段からのマイク
ロ波に対していずれもカットオフとなる大きさに形成さ
れている。
蓋11により閉塞され、下部にコーン部12が形成され
た堅杉の円筒体である。この円筒体10は、金属により
形成されたもので、その上*1tには、有害物質を含む
含水物等の被処理物を該円筒体10内に投入する投入口
13が設けられ、かつ、その側壁14の上部位置にはガ
ス排出口15が設けられるとともに、コーン412の下
部は上記被処理物の排出口16となっており、この排出
口16には排出バルブ17が取り付けられている。そし
て、上記投入口13には、被処理物を受け入れるホッパ
18が一端に設けられたスクリューフィーダ19の他端
が接続され、上記ガス排出口15は凝縮器20に接続さ
れている。また、上記投入口13、排出口16、ガス排
出口15は、後記するマイクロ波加熱手段からのマイク
ロ波に対していずれもカットオフとなる大きさに形成さ
れている。
さらに、上記円筒体10の側壁14の上部の所定位(q
および下部の所定位置には、それぞれ金属製のマイクロ
波導波’f21&+21bの一端が、その管路を該側壁
14に形成された貫通孔に連通させて接続されており、
この各マイクロ波導波゛g21 a + 21 bの他
端に、温度コントローラ22a。
および下部の所定位置には、それぞれ金属製のマイクロ
波導波’f21&+21bの一端が、その管路を該側壁
14に形成された貫通孔に連通させて接続されており、
この各マイクロ波導波゛g21 a + 21 bの他
端に、温度コントローラ22a。
22E、が付属されたマイクロ波発振装置23a。
23bがそれぞれ設げられている。また、上記マイクロ
波導彼管21a、21bが接続された四壁14の貫通孔
には、セラミック、ガラス、テフロン等の誘電体で形成
された仕切板24a、24bがcX、に通孔を閉塞して
それぞれ設けられている。
波導彼管21a、21bが接続された四壁14の貫通孔
には、セラミック、ガラス、テフロン等の誘電体で形成
された仕切板24a、24bがcX、に通孔を閉塞して
それぞれ設けられている。
そして、上記マイクロ波発振装+f23a、23?l、
−rイクロ波2fp波管21 lL+ 21 b 等が
、それぞれ円筒体1.0内にマイクロ波を導いてマイク
cff枝の加熱pA域を形成するマイクロ波加熱手段2
5a。
−rイクロ波2fp波管21 lL+ 21 b 等が
、それぞれ円筒体1.0内にマイクロ波を導いてマイク
cff枝の加熱pA域を形成するマイクロ波加熱手段2
5a。
25bを構成している。
一方、上記円節体10の中Q ;/cは、金に製の回転
軸26がその軸線を該円筒体10の軸線に一致させて配
設されている。この回転軸26は、上端が上記上畜工1
を頁通し、下端かコーン部12の上部の支持@@’27
まで延びるもので、軸受28a。
軸26がその軸線を該円筒体10の軸線に一致させて配
設されている。この回転軸26は、上端が上記上畜工1
を頁通し、下端かコーン部12の上部の支持@@’27
まで延びるもので、軸受28a。
28t、によって該上蓋11と支持部材27に回転自在
に支承されており、その上端にハ劇勅モータ等の駆#J
装置29が連結されている。また、この回転軸26には
、被処理物を移送するスクリューg30が回転軸26の
長さ方向に沿って設けられている。このスクリュー、1
ii!30は、その上方部と下方部が、回転軸26に低
層されたセラミック等のsfL体國の軸部31a+31
bと、内縁がこの軸部31 a r 31 bの外周面
に固定され、外縁が円筒体10のml壁14の内周面に
近接して位置するとともに、外#四が内縁側より下方に
なるように傾斜されたセラミック等の誘電体製の翼部3
2a。
に支承されており、その上端にハ劇勅モータ等の駆#J
装置29が連結されている。また、この回転軸26には
、被処理物を移送するスクリューg30が回転軸26の
長さ方向に沿って設けられている。このスクリュー、1
ii!30は、その上方部と下方部が、回転軸26に低
層されたセラミック等のsfL体國の軸部31a+31
bと、内縁がこの軸部31 a r 31 bの外周面
に固定され、外縁が円筒体10のml壁14の内周面に
近接して位置するとともに、外#四が内縁側より下方に
なるように傾斜されたセラミック等の誘電体製の翼部3
2a。
32bとから成り、また、その中間部が、上m1回転軸
26に内縁を直接固定され、上記翼部32a。
26に内縁を直接固定され、上記翼部32a。
32 b ト同形状tfx、 L、、該楓832 a
、 32 bK連続して形成された金M4製の翼部33
から成り、上記上方部と下方部がマイクロ波透過部34
を形成し、上記中間部がマイクロ波反射部35となって
いる。そして、上記マイクロ波反射部35が、上記各マ
イクロ波導波管21a、21bの円筒体10への接続部
間つまりマイクロ波導入部間に位置しておし、このマイ
クロ波反射部35により、円筒体10内が上方のマイク
ロ波加熱領域んと下方のマイクロ波加熱領域へとに区画
されている。
、 32 bK連続して形成された金M4製の翼部33
から成り、上記上方部と下方部がマイクロ波透過部34
を形成し、上記中間部がマイクロ波反射部35となって
いる。そして、上記マイクロ波反射部35が、上記各マ
イクロ波導波管21a、21bの円筒体10への接続部
間つまりマイクロ波導入部間に位置しておし、このマイ
クロ波反射部35により、円筒体10内が上方のマイク
ロ波加熱領域んと下方のマイクロ波加熱領域へとに区画
されている。
しかして、上記連続処理装置において、有鮮な物質を含
む含水物等の被処理物を乾燥処理する場合は、まず、集
動装置129を作ヴbして回転軸26を回転させ、スク
リュー輯30を回転させる。次いで、各マイクロ波発振
m +t23 a t 23 b 2!i:作動してマ
イクロ波をそれぞれ発振させ、この谷マイクロ波を、マ
イクロ波導波管21a+21bから誘電体で形成された
仕切w、24 a + 24 bを透過させて円筒体l
O内に導く。すると、円筒体10内には上下にマイクロ
波加熱碩域ん、んが形成されるが、この各マイクロ彼〃
口熱′1iJIL域ん、んにおけるJJ口熱温度を各温
度コントローラ22&+221+によりそれぞれ最適に
制御する。この状聾で、スクリューフィーダ19を作動
して、ホッパ18内に貯溜された被処理物を投入口13
から円筒体10内に連続的に投入し、また、排出パルプ
17を所定のタイミングで開状帽にする。すると、被処
理物は、スクリュー@30の上面の螺旋面上に落下し、
その傾斜と重力によって円筒体10の内周面に接しなが
ら回幼し、次第に下方に移送されるが、円筒体10内に
形成された上記各マイクロ波加熱ffL域ん、んを経由
する間に、そのマイクロ波を順次吸収して徐々に効率よ
く乾燥加熱される。すなわち、被処理物は投入口13か
らスクリュー翼30上に落下した時点では多くの水分を
含有しているが、スクリュー翼30によって下方に移送
され、まず、上方のマイクロ波加熱領域んにおいてその
マイクロ波を吸収して乾燥/io熱さ11次に、下方の
マイクロ波加熱領域んに送られてそのマイクロ波を吸収
し、さらに乾燥加熱される。そして、所定の含水率の乾
燥′吻となって排出口16から排出される。まだ、被処
理物の乾燥加熱により生じた水蒸気は、分解ガスととも
にガス排出口15から凝縮器20に導かれて冷却され、
#稲分離される。
む含水物等の被処理物を乾燥処理する場合は、まず、集
動装置129を作ヴbして回転軸26を回転させ、スク
リュー輯30を回転させる。次いで、各マイクロ波発振
m +t23 a t 23 b 2!i:作動してマ
イクロ波をそれぞれ発振させ、この谷マイクロ波を、マ
イクロ波導波管21a+21bから誘電体で形成された
仕切w、24 a + 24 bを透過させて円筒体l
O内に導く。すると、円筒体10内には上下にマイクロ
波加熱碩域ん、んが形成されるが、この各マイクロ彼〃
口熱′1iJIL域ん、んにおけるJJ口熱温度を各温
度コントローラ22&+221+によりそれぞれ最適に
制御する。この状聾で、スクリューフィーダ19を作動
して、ホッパ18内に貯溜された被処理物を投入口13
から円筒体10内に連続的に投入し、また、排出パルプ
17を所定のタイミングで開状帽にする。すると、被処
理物は、スクリュー@30の上面の螺旋面上に落下し、
その傾斜と重力によって円筒体10の内周面に接しなが
ら回幼し、次第に下方に移送されるが、円筒体10内に
形成された上記各マイクロ波加熱ffL域ん、んを経由
する間に、そのマイクロ波を順次吸収して徐々に効率よ
く乾燥加熱される。すなわち、被処理物は投入口13か
らスクリュー翼30上に落下した時点では多くの水分を
含有しているが、スクリュー翼30によって下方に移送
され、まず、上方のマイクロ波加熱領域んにおいてその
マイクロ波を吸収して乾燥/io熱さ11次に、下方の
マイクロ波加熱領域んに送られてそのマイクロ波を吸収
し、さらに乾燥加熱される。そして、所定の含水率の乾
燥′吻となって排出口16から排出される。まだ、被処
理物の乾燥加熱により生じた水蒸気は、分解ガスととも
にガス排出口15から凝縮器20に導かれて冷却され、
#稲分離される。
ここで、上記連続処理装置直に多つては、スクリュー翼
30の上に落下した被処理物は、比較的攪拌されること
なく下方に移送されるから、乾燥した被処理物がダスト
として成敗することが少ない。
30の上に落下した被処理物は、比較的攪拌されること
なく下方に移送されるから、乾燥した被処理物がダスト
として成敗することが少ない。
また、円筒体10には2つのマイクロ波加熱手段25a
l 25bが付設され、これら2つのマイクロ波加熱
手段251L+25bに対応して、円筒体10内に2つ
のマイクロ波加熱領域ん、Ajが形成されるとともに、
これらマイクロ波加熱領域ん。
l 25bが付設され、これら2つのマイクロ波加熱
手段251L+25bに対応して、円筒体10内に2つ
のマイクロ波加熱領域ん、Ajが形成されるとともに、
これらマイクロ波加熱領域ん。
んにおける加熱温度は、それぞれ温度コントローラ22
a + 22 bにより制御されているから、被処理
物の物性が乾燥加熱IM程において変化しても、答易に
その物性に最適な加熱温度で乾燥加熱することができ、
加熱効率が高まる。さらに、スクリュー翼30は竪形と
なっているため、横形のスクリュー翼の場合に比べ、彼
処4物の自由表UkJ′+*ははるかに大きい。
a + 22 bにより制御されているから、被処理
物の物性が乾燥加熱IM程において変化しても、答易に
その物性に最適な加熱温度で乾燥加熱することができ、
加熱効率が高まる。さらに、スクリュー翼30は竪形と
なっているため、横形のスクリュー翼の場合に比べ、彼
処4物の自由表UkJ′+*ははるかに大きい。
また、上記連続処理装置では、スクリュー翼30の回転
速度を変えることによって被処理物の円筒体10内にお
ける滞留時間を自由に、、4整することができる。さら
に、スクリュー翼30の各翼部32a。
速度を変えることによって被処理物の円筒体10内にお
ける滞留時間を自由に、、4整することができる。さら
に、スクリュー翼30の各翼部32a。
32b、33は、その外縁が内縁より下方になるように
傾斜せしめられているので、傾斜していない水平形のス
クリュー輯では大きなピッチにしないと落下しない被処
理物も、小さなピッチで落下させることができ、装置を
小形化することができる。装置の気密性の保持も容易で
ある。
傾斜せしめられているので、傾斜していない水平形のス
クリュー輯では大きなピッチにしないと落下しない被処
理物も、小さなピッチで落下させることができ、装置を
小形化することができる。装置の気密性の保持も容易で
ある。
ところで、上記実施例においては、円筒体1゜に2つの
マイクロ波加熱手段25a+25bを付設して円筒体1
0内に2つのマイクロ波加熱領域A、hを形成したが、
円筒体1oにさらに多くのマイクロ波加熱手段を付設す
ると、加熱温度をより小刻みに制御することができ、好
都合である。
マイクロ波加熱手段25a+25bを付設して円筒体1
0内に2つのマイクロ波加熱領域A、hを形成したが、
円筒体1oにさらに多くのマイクロ波加熱手段を付設す
ると、加熱温度をより小刻みに制御することができ、好
都合である。
さらに、第2図に示すように、複数の金属製のyt−−
−y’ン室36 a r 36 bを有するマイクロ波
オブン37内に、セラミック、ガラス、テフロン等のi
!111C体で形成された竪形の円筒体50を配設し、
このマイクロ波オープン37の各オーブン室36 a
+36bにマイクロ波導波’f21&+21bを介して
マイクロ波発振装置j123 a r 23 bを付設
して、構成することもで睡る。この場合、マイクロ波オ
ープン37の各オーブン室36a、36b、マイクロ波
発振装置23a、23b等がマイクロ波加熱手段25a
+25bを構成し、各マイクロ波発振装置23 a r
23 bにより発振されたマイクロ波は各オーブン室
36a、36bK4かれ、円筒体50の側壁51の略全
面から該囲壁51を透過して円筒体50の内部に入る。
−y’ン室36 a r 36 bを有するマイクロ波
オブン37内に、セラミック、ガラス、テフロン等のi
!111C体で形成された竪形の円筒体50を配設し、
このマイクロ波オープン37の各オーブン室36 a
+36bにマイクロ波導波’f21&+21bを介して
マイクロ波発振装置j123 a r 23 bを付設
して、構成することもで睡る。この場合、マイクロ波オ
ープン37の各オーブン室36a、36b、マイクロ波
発振装置23a、23b等がマイクロ波加熱手段25a
+25bを構成し、各マイクロ波発振装置23 a r
23 bにより発振されたマイクロ波は各オーブン室
36a、36bK4かれ、円筒体50の側壁51の略全
面から該囲壁51を透過して円筒体50の内部に入る。
このため、スクリュー翼30の上面に乗って移送される
被処理物は、その全周からマイクロ波を受けることがで
きる。
被処理物は、その全周からマイクロ波を受けることがで
きる。
なお、wJz図において、符号38で示すものは不活性
ガスの供給口であり、また、各オーブン室36&。
ガスの供給口であり、また、各オーブン室36&。
36bの境界部39は熱論、金属で形成されている。ま
た、スクリュー翼30は、軸部が円筒体50内で金属製
の回転軸26とフランジ結合によって連結されたセラミ
ック等の誘眠体製の回転軸52と一体となっており、し
かも、マイクロ波反射部35は、Wsr!、体で形成さ
れた翼部の例えば下面に金縞部材35&を張り付けるこ
とにより形成されている。なお、マイクロ波反射部35
0回転軸52は、金鵬製にするのが好ましいが、その軸
長がマイクロ波に対してカットオフとなる大きさであれ
ば、#7st体で形成しても構わない。
た、スクリュー翼30は、軸部が円筒体50内で金属製
の回転軸26とフランジ結合によって連結されたセラミ
ック等の誘眠体製の回転軸52と一体となっており、し
かも、マイクロ波反射部35は、Wsr!、体で形成さ
れた翼部の例えば下面に金縞部材35&を張り付けるこ
とにより形成されている。なお、マイクロ波反射部35
0回転軸52は、金鵬製にするのが好ましいが、その軸
長がマイクロ波に対してカットオフとなる大きさであれ
ば、#7st体で形成しても構わない。
また、上記において、スクリュー翼30は、専ピッチで
単一のものとしたつしかし、被処理物の物性は、敗り吸
うものによって種々変化し、また、乾燥加熱される過程
においても、含水率が減少するにつれて変化する。した
がって、これに対応するためにスクリュー翼30の形状
やピッチ等を適当に変えてもよい。
単一のものとしたつしかし、被処理物の物性は、敗り吸
うものによって種々変化し、また、乾燥加熱される過程
においても、含水率が減少するにつれて変化する。した
がって、これに対応するためにスクリュー翼30の形状
やピッチ等を適当に変えてもよい。
第3図は、スクリュー翼30の下方側のピッチP、を上
方側のピッチP!よシ小さくしたものである。
方側のピッチP!よシ小さくしたものである。
これは、スクリュー翼30の下方側においては彼処4物
は含水量が多く流れが遣いが、スクリュー翼30の下方
−では含水量が減少して流下速度が早くなり、ダストが
発生するおそれがでてくるため、これを防止したもので
ある。なお、この例の様にスクリュー830を傾斜形と
する場合は、スクリュー翼30の半径方向の傾きθは、
水平に対して5°〜40°が好しい。同様な目的で、第
4図に示すように、スクリュー翼30の上段部分30a
を傾斜形とし、下段部分30bを水平形としてもよい、 第5図は、複数のスクリュー翼30を、その間にスペー
サ40を介在させて回転軸26に取り付けたものである
。この場合、被処理物の物性および乾燥加熱過程におけ
るその′4IIJ性の変化に応じて、上記のように水平
形のスクリュー輌と組み合わせた9、ピッチや長さ等を
過電選ふと、被処理物は各スクリュー輯30上では比較
的伍拌されずに下方に移送されるが、スペーサ40が介
在する不連続部分ではダストの成敗が生じない程度に落
下攪打されることになり、乾燥効率が高まる。
は含水量が多く流れが遣いが、スクリュー翼30の下方
−では含水量が減少して流下速度が早くなり、ダストが
発生するおそれがでてくるため、これを防止したもので
ある。なお、この例の様にスクリュー830を傾斜形と
する場合は、スクリュー翼30の半径方向の傾きθは、
水平に対して5°〜40°が好しい。同様な目的で、第
4図に示すように、スクリュー翼30の上段部分30a
を傾斜形とし、下段部分30bを水平形としてもよい、 第5図は、複数のスクリュー翼30を、その間にスペー
サ40を介在させて回転軸26に取り付けたものである
。この場合、被処理物の物性および乾燥加熱過程におけ
るその′4IIJ性の変化に応じて、上記のように水平
形のスクリュー輌と組み合わせた9、ピッチや長さ等を
過電選ふと、被処理物は各スクリュー輯30上では比較
的伍拌されずに下方に移送されるが、スペーサ40が介
在する不連続部分ではダストの成敗が生じない程度に落
下攪打されることになり、乾燥効率が高まる。
第6図は、スクリュー翼30の外縁に道数のピース41
を設けたもので心る。この谷ピース41は、スクリュー
翼30の半径方向に延びる1数の長孔41aを有するも
ので、スクリュー翼30の外縁に該外縁を貫通して螺着
された複数のボルト42&を、該長孔41&に通し、こ
れにナフト42bを螺合せしめることにより、スクリュ
ー翼30に係止されており、そのスクリュー翼300半
径方向への移動は自在となっている。このため、ピース
41は自1Kにより円筒体10 、(50)の内周面に
当接して回動する。したがって、被処理物がスクリュー
翼30と円筒体10.(50)の内周面との間より落下
することがなく、円筒体10゜(50)における被処理
物のショートバスが防止される。また、このピース41
を取り付けることにより、スクリュー翼30全体の外径
は自動的に円筒体10.(50)の内径に略一致するよ
うKなるため、スクリュー翼30の外周を精密に加工す
る必要がなく、その製作が極めて各易となる。
を設けたもので心る。この谷ピース41は、スクリュー
翼30の半径方向に延びる1数の長孔41aを有するも
ので、スクリュー翼30の外縁に該外縁を貫通して螺着
された複数のボルト42&を、該長孔41&に通し、こ
れにナフト42bを螺合せしめることにより、スクリュ
ー翼30に係止されており、そのスクリュー翼300半
径方向への移動は自在となっている。このため、ピース
41は自1Kにより円筒体10 、(50)の内周面に
当接して回動する。したがって、被処理物がスクリュー
翼30と円筒体10.(50)の内周面との間より落下
することがなく、円筒体10゜(50)における被処理
物のショートバスが防止される。また、このピース41
を取り付けることにより、スクリュー翼30全体の外径
は自動的に円筒体10.(50)の内径に略一致するよ
うKなるため、スクリュー翼30の外周を精密に加工す
る必要がなく、その製作が極めて各易となる。
なお、ボルト42&とナツト42aによってヒース41
を適当な位置に固定して円筒体10 、(50)の内周
面とスクリュー翼30との間隙を調整してもよい。
を適当な位置に固定して円筒体10 、(50)の内周
面とスクリュー翼30との間隙を調整してもよい。
さらにまた、第7図に示すように、円筒体10を水平に
配設して装置を構成することもできる。
配設して装置を構成することもできる。
この図において、符号43で示すものは複数のガス排出
口15を優って設けられたダクトであり、このダクト4
3にガス排出管44が設けられている。また、この実施
例においては、円筒体10と回転軸26をマイクロ波的
に短絡させるために1中心部とスクリュー翼30の外縁
に、セラミック等の誘電体で形成したチョーク部材45
.46がそれぞれ設けられている。
口15を優って設けられたダクトであり、このダクト4
3にガス排出管44が設けられている。また、この実施
例においては、円筒体10と回転軸26をマイクロ波的
に短絡させるために1中心部とスクリュー翼30の外縁
に、セラミック等の誘電体で形成したチョーク部材45
.46がそれぞれ設けられている。
さらに、上記裟・lは、これを耐熱#4$Iによって形
成することにより、乾留、焼却、触媒再生等の燃焼装置
として使用することができ、また、被処理物の代りに触
媒を用い円筒体10 、(50)内に被反応流体を流通
するようにして移動層触媒反応装置としても肥用できる
。この場合、処哩温度によシ適当な誘電体を選択する必
要がろることは熱論で6る。
成することにより、乾留、焼却、触媒再生等の燃焼装置
として使用することができ、また、被処理物の代りに触
媒を用い円筒体10 、(50)内に被反応流体を流通
するようにして移動層触媒反応装置としても肥用できる
。この場合、処哩温度によシ適当な誘電体を選択する必
要がろることは熱論で6る。
以上説明したように、本発明の乾燥等の一4!続処理装
置にあっては、有害物質を含む含水物等の被処理物をス
クリュー翼によって移動させながらマイクロ波により加
熱処理するので、被処理物がダストとなって飛散するこ
とが少ない。また、円筒体には、複数のマイクロ波加熱
手段が付設され、かつ、円筒体内には、これら複数のマ
イクロ波加熱手段に対応して、その長さ方向に複数のマ
イクロ技加熱領域が形成されているから、被処理物の物
性が、その移送過程において変什1.で本、各マイクロ
波加熱領域における加熱温度をフ・f−ドパツク制御す
ることにより、被処理物を常に最適な効率でカ■熱処理
することができるう
置にあっては、有害物質を含む含水物等の被処理物をス
クリュー翼によって移動させながらマイクロ波により加
熱処理するので、被処理物がダストとなって飛散するこ
とが少ない。また、円筒体には、複数のマイクロ波加熱
手段が付設され、かつ、円筒体内には、これら複数のマ
イクロ波加熱手段に対応して、その長さ方向に複数のマ
イクロ技加熱領域が形成されているから、被処理物の物
性が、その移送過程において変什1.で本、各マイクロ
波加熱領域における加熱温度をフ・f−ドパツク制御す
ることにより、被処理物を常に最適な効率でカ■熱処理
することができるう
第1図は本発明の一実施例を示す断面略図、適2図は他
の実権例を示す断面略図、第3図ないし第6図はスクリ
ュー翼の他の構成を示すもので、第3図は下方のピッチ
を上方より小さくした場合の断面略図、第4図は傾斜形
の楓と水平形の穫とを組み合わせた場合の断面略図、第
5図は複数のスクリューにをスペーサを介して組み合わ
せた4合の断面略図、第6図(a)はスクリュー翼の外
縁にピースを設けた酷合の断面略図、第6図(b)は同
平面図である。寸だ、第7図および第8図は円筒体を水
平に配設した実施例を示すもので、第7図は断面略図、
第8図は第7図の■−■矢視断面略図である。さらに、
第9図は従来のH置の断面略図である。 10・・・・・・円筒体、23(L・・・・・・マイク
ロ波発振装置遊、23b・・・・・・マイクロ波発振装
置、25&・・・・・・マイクロ波加熱手段、25b・
・・・・・マイクロ波加熱手段、26・・・・・・回転
軸、29・・・・・・協動装置、30・・・・・・スク
リュー翼、34・・・・・・マイクロ波透過部、35・
・・・・・マイクロ波反射部、37・・・・・・マイク
ロ波オーブン、50・・・・・・円筒体。 出願人 株式会社新潟鉄工所 代理Δ 升哩士 、t5復 止J囚1 、。 \;、・1 第3図 第4図 第5図 第6図 (a) (b)
の実権例を示す断面略図、第3図ないし第6図はスクリ
ュー翼の他の構成を示すもので、第3図は下方のピッチ
を上方より小さくした場合の断面略図、第4図は傾斜形
の楓と水平形の穫とを組み合わせた場合の断面略図、第
5図は複数のスクリューにをスペーサを介して組み合わ
せた4合の断面略図、第6図(a)はスクリュー翼の外
縁にピースを設けた酷合の断面略図、第6図(b)は同
平面図である。寸だ、第7図および第8図は円筒体を水
平に配設した実施例を示すもので、第7図は断面略図、
第8図は第7図の■−■矢視断面略図である。さらに、
第9図は従来のH置の断面略図である。 10・・・・・・円筒体、23(L・・・・・・マイク
ロ波発振装置遊、23b・・・・・・マイクロ波発振装
置、25&・・・・・・マイクロ波加熱手段、25b・
・・・・・マイクロ波加熱手段、26・・・・・・回転
軸、29・・・・・・協動装置、30・・・・・・スク
リュー翼、34・・・・・・マイクロ波透過部、35・
・・・・・マイクロ波反射部、37・・・・・・マイク
ロ波オーブン、50・・・・・・円筒体。 出願人 株式会社新潟鉄工所 代理Δ 升哩士 、t5復 止J囚1 、。 \;、・1 第3図 第4図 第5図 第6図 (a) (b)
Claims (1)
- 被処理物の投入口と排出口を備えた円筒体に、#A勧裟
1tにより回転される回転軸が、その軸線を円筒体の軸
線に一致させて配設され、かつ、この回転軸には被処理
物を移送するスクリュー翼が、回転軸の長さ方向に沿っ
て設けられるとともに、上記円筒体には、円筒体内にマ
イ多口波を導く複数のマイクロ波加熱手段が、円筒体の
軸線に沿う方向に並べて付設され、また、上記スクリュ
ー翼は、誘区体で形成されたマイクロ波透過部と、円筒
体内を上記遵数のマイクロ波加熱手段に対応した複数の
マイクロ波加熱領戚に区画するマイクロ波反射部とで構
成されて成るこ々−を、Wa、a−す−る乾燥等の連続
感J!装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188784A JPS60205170A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 乾燥等の連続処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188784A JPS60205170A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 乾燥等の連続処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205170A true JPS60205170A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH0411785B2 JPH0411785B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=13184102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6188784A Granted JPS60205170A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | 乾燥等の連続処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60205170A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255091U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-20 | ||
| CN102256402A (zh) * | 2011-06-28 | 2011-11-23 | 河南勃达微波设备有限责任公司 | 一种工业微波设备 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888561U (ja) * | 1972-01-26 | 1973-10-25 | ||
| JPS5073262A (ja) * | 1973-10-24 | 1975-06-17 | ||
| JPS5599573A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-29 | Hitachi Ltd | Microwave drier |
-
1984
- 1984-03-29 JP JP6188784A patent/JPS60205170A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888561U (ja) * | 1972-01-26 | 1973-10-25 | ||
| JPS5073262A (ja) * | 1973-10-24 | 1975-06-17 | ||
| JPS5599573A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-29 | Hitachi Ltd | Microwave drier |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0255091U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-20 | ||
| CN102256402A (zh) * | 2011-06-28 | 2011-11-23 | 河南勃达微波设备有限责任公司 | 一种工业微波设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0411785B2 (ja) | 1992-03-02 |
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