JPS60206190A - フオトレジストの剥離方法 - Google Patents

フオトレジストの剥離方法

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Publication number
JPS60206190A
JPS60206190A JP6392584A JP6392584A JPS60206190A JP S60206190 A JPS60206190 A JP S60206190A JP 6392584 A JP6392584 A JP 6392584A JP 6392584 A JP6392584 A JP 6392584A JP S60206190 A JPS60206190 A JP S60206190A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
copper foil
resist
printed circuit
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6392584A
Other languages
English (en)
Inventor
黒澤 啓治
修 笠井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS60206190A publication Critical patent/JPS60206190A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明はプリント基板のエツチングとメッキのレジスト
のためのフメトレジストフィルムの除去に関するもので
ある。
(2)技術の背景 プリント基板の表面の銅箔に導体パターンを形成するの
に、フィルム状の感光性のドライフィルムを接清し、フ
ォトマスクを重ねて露光し現像し一ζ、コニノチングレ
シスト又はメツキレシストとなし、:1−ノチング又は
メッキの終了後レジストとし−(の)AトレジスI−を
除去する必要がある。
にシ)従来技術と問題点 第1図はプリンI・基板の表面の銅箔に導体パターンを
形成するためのフォトレジスト進の形成を説明するため
の断面図であり、回に於いて1はプリント基扱、2は銅
箔、3はフォ+レシスト、44Jフォトレシスト3のB
旧二1,5はフットレジスト3の151−さ、6はソA
1〜レジスト3の開1」幅、7は銅メ、ツキ、をそれぞ
れ示す。
プリント基板の銅箔に導体パターンを形成・uしめるに
は、第1図に示す如くプリント法板lの表面に張られた
lO〜40μrn厚程度の銅7112の表面に、ポリゲ
イ皮酸等を感光剤とするアクリルニートリル系樹脂の1
0〜100μmIWのフォトレジスト3をラミネートし
、フォトマスク(特に121示せず)を市ねて露光して
光重合したる後、りII l:Jセン等を用い感光部と
未感光部とを分離するために現像処理をなし、ソ第1〜
レシノ、1・:)に11旧14を得、電解メッキをなし
て開口4に1151メツキを4(シたる後、フォトレジ
スト の占める銅箔2の以外の銅212を工,ナングし−(除
去して導体パターンをi′Iるか、線体パターン密度か
稠密になるに伴ない導体幅をより細くする必要かあるか
、電気伝導を6′IE保するのに導体パターンの)°I
さをより大ならしめる必要かあり、このためノ第1−レ
ジスト3の厚き5をならしめ開口4の開11幅6を小な
らしめる。
通常厚さ5に対し開口幅6は2倍の比率をなすが、稠密
パターンに於いてはその比率は1り=l l程度となる
が、斯る狭隘な開口4を得るにはフォトし・ンスト3と
tlaHfi 2との密着力を高めなりればならず、こ
のためギレソト材により密着力を高めるソメトレジス1
:(を塩化メチレン又は水酸化−)゛トリウム等を用い
て剥■1除去するが、密着力を旧jめたソ第1・レジス
ト3は容易に剥離除去されず、数μITI厚のツメ1−
レジスト3かフィルム状に残留し、tljl箔2のエツ
チングを妨は積度のある導体パターンの形成とならない
(4)発明の目的 本う′ご明は上記tit来の欠点に鑑の、プリント1板
の表面のルI7i’iに稠密な導体パターンを省Iるツ
メ1、レジストと銅箔とのキレノド(Aを含む高密着力
による剥離の除去残を生−Uさる如きフォトレジストの
剥離方法の提供を目的とするものである。
(5)発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば剥離除去ず−、きフォ
トレジストを従来方a:でj!、す1ζトuる後、強酸
中に浸漬し、物理的にブラッシングして除去Jイ〕こと
を特徴とするノAトレシストの剥)141を方法を提以
下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第2し1は本発明による剥ji311方法を説明゛→“
るための図で、8はフォトレジスト3の残留層を示す。
本発明はプリント占+lS板の表面のル1箔2に・9体
パターンを摺るためのili+の電16′1″メッキ又
は」−、チングをなずためのフォトレジスト3をラミネ
ー1〜し7、メッキ又は工、チングの終了(汝当該ソx
l−L/ソスト3を従来方法で剥離除去゛yる時、フォ
トレジスト中に含まれるキレ、ト材によってソイ−1・
し・−)′)。
ト3と銅箔2とか強固に密るし7、ソノ1−レノ′人1
・3と銅箔2との接合面に於いて剥離し71!7ない残
′++1″1′+f−i 8か第2図にボず如く発/I
5する。
この残留層8番3)不均一な数711nの厚さを有し銅
箔2のエツチングを妨げるか、その接着は強固で通常の
力θ、’C&;l除フ<シ得ないが、本発明によれば従
;Iコ力d、−で除去′Jべきノオトマスクを剥11■
シた後の残留IFi 8 +7) (tするプリン1〜
W板を98%の濃硫111(中に約5分間ld請したる
後、MiJ酸性のブラツク、〕、を用い残留層18の表
面を機械的にブラツクJ、ずイノごとにより残留層8は
容易にかつ完全に除去し17るもの一ζある。
(力 発明のり)果 以−+−,Ii’(細に説明した如く、本発明の稠密な
導体パターンをiηるためのプリント基板の銅箔に接着
したキレ21月を含む商量j像力のフォトレシストの残
留+714−除去するのに強酸に浸漬しブラシするj・
リシめて筒中な方法で、容易にかつrilf、実に除去
し得るため、+Lj+ i’+’+]像力のフォトレシ
ストの使用を可fjlにした効果は多大である。
/1. 1図面のfr?i )i′(な説明第1図し、
1プリント基板の表面の銅箔に導体パターンを形成する
ためのソAルシス1の形成を説明する断面図−(あり、
第2図は本発明による:r’、lI ;i’vlf方法
を説明するだめの図で、図に於いて1はゾリンl−、j
t:板、2は1同2古、;シはノットレンツ、1・、/
141+ソオトレシス1;3の開口、8G4ソンIレジ
ストj)の残留用jをそれぞれ示す。
第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 銅7i′i上に残留するフォトレジストを強酸中に浸l
    )’j L−たる後、ゾラソシングして除去することを
    特徴とするフットレジストのq、l汗Sll方法。
JP6392584A 1984-03-30 1984-03-30 フオトレジストの剥離方法 Pending JPS60206190A (ja)

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JP6392584A JPS60206190A (ja) 1984-03-30 1984-03-30 フオトレジストの剥離方法

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JP6392584A JPS60206190A (ja) 1984-03-30 1984-03-30 フオトレジストの剥離方法

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JPS60206190A true JPS60206190A (ja) 1985-10-17

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4231535A1 (de) * 1991-09-20 1993-04-01 Hitachi Ltd Verfahren zur erzeugung eines leitenden schaltungsmusters
JPH05198927A (ja) * 1991-09-20 1993-08-06 Hitachi Ltd 導体回路の形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4231535A1 (de) * 1991-09-20 1993-04-01 Hitachi Ltd Verfahren zur erzeugung eines leitenden schaltungsmusters
JPH05198927A (ja) * 1991-09-20 1993-08-06 Hitachi Ltd 導体回路の形成方法
US5294291A (en) * 1991-09-20 1994-03-15 Hitachi, Ltd. Process for the formation of a conductive circuit pattern

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