JPS60206590A - 半導体ウエハの製造方法 - Google Patents

半導体ウエハの製造方法

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JPS60206590A
JPS60206590A JP59063799A JP6379984A JPS60206590A JP S60206590 A JPS60206590 A JP S60206590A JP 59063799 A JP59063799 A JP 59063799A JP 6379984 A JP6379984 A JP 6379984A JP S60206590 A JPS60206590 A JP S60206590A
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JP
Japan
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ingot
cutting
wafers
units
single crystal
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弘之 星野
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェハの製造方法に関するものである。
半導体単結晶のインゴットは従来公知の水平ブリッジマ
ン法（Ｈ一方法）、温度傾斜法＜Ｇ−Ｆ法）、チョクラ
ルスキー法（Ｃ・７法）等々の方法で製造される。
この半導体単結晶をインゴットをレーザ光線によって切
断を行っていた。
従来、このレーザ光線は半導体単結晶のインゴットに対
して一方の側からのみ照射していたため、大げさに示せ
ば第１図のようにウェハの厚さに一端と他端とで不揃い
が生じ、結果的に無駄が多く生じていた。
第１図において、１１はウェハ、１２は切り代である。
本発明はかかる状況に鑑み、ウェハの厚さが均一で、無
駄のない半導体ウェハの製造方法を提供することを目的
とする。
本発明の要旨は、半導体単結晶のインゴットをレーザ光
線によって切断し複数の半導体ウェハを製造する方法に
おいて、前記インゴットの両側から交互にレーザ光線を
照射して切断することを特徴とする半導体ウェハの製造
方法である。
本発明の一実施例を第２図に示Ｊ０ 第２図において、２１は半導体単結晶のインゴットであ
り、この両側から交互にレーザ光線２２を照射する。
第２図ではレーザ光線の照射装置２３が３台存在するよ
うに示したが、これは適宜移動づることにより、１台も
しくは２台でもよく、あるいは４台以上存在していても
よい。
現実的には片側に１台ずつ２台配置して、交互に照射切
断を行う方式が経済的と思われる。
このようにして得られたインゴットは第３図に示すよう
にウェハ３１と切り代３２となり、ウェハ３１の厚さが
均一であるため無駄がない。
以上説明したように本発明のウェハの製造方法であれば
、ウェハの厚さが均一であり、無駄がない。また、引い
ては同じインゴットから従来方法に比べて多数のウェハ
を切り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の製造方法によるウェハと切り代を示す説
明図、第２図は本発明の一実施例を示す説明図であり、
第３図は本発明一実施例によるウェハと切り代とを示す
説明図である。 ２１：インゴット、２２：レーザ光線、２３：照射装置
、３１：ウェハ、３２：切り代。 第　１　目 第　２図 見３Ｉ２］

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体単結晶のインボッ１〜をレーザ光線によって切断
    し複数の半導体ウェハを製造する方法において、前記イ
    ンゴットの両側から交互にレーザ光線を照射して切断す
    ることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
JP59063799A 1984-03-30 1984-03-30 半導体ウエハの製造方法 Granted JPS60206590A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002184724A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Komatsu Ltd シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5064898A (ja) * 1973-10-15 1975-06-02
JPS53114669A (en) * 1977-03-17 1978-10-06 Toshiba Corp Cutting method for semiconductor wafer

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