JPH0458546A - 半導体ウェーハの切断方法 - Google Patents
半導体ウェーハの切断方法Info
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- JPH0458546A JPH0458546A JP2170975A JP17097590A JPH0458546A JP H0458546 A JPH0458546 A JP H0458546A JP 2170975 A JP2170975 A JP 2170975A JP 17097590 A JP17097590 A JP 17097590A JP H0458546 A JPH0458546 A JP H0458546A
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- JP
- Japan
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- cutter
- wafer
- semiconductor wafer
- cutting
- relief
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明はウェーハ状の半導体装置を個々の独立した半導
体装置にする切断方法に関する。
体装置にする切断方法に関する。
［従来の技術］
従来のウェーハ切断方法は第２図に示すように、テープ
５に貼付けられたウェーハ６を高速回転のカッターｌで
個々の独立した半導体装置３に切断するようになってい
る。また被切断物である半導体装置は、半導体（Ｓｉ、
ＧａＡｓ）と、チップ状の半導体装置を、外部引出し
用リードフレームに固定するためのソルダ層（Ａｕ）４
からの２層になっている。
５に貼付けられたウェーハ６を高速回転のカッターｌで
個々の独立した半導体装置３に切断するようになってい
る。また被切断物である半導体装置は、半導体（Ｓｉ、
ＧａＡｓ）と、チップ状の半導体装置を、外部引出し
用リードフレームに固定するためのソルダ層（Ａｕ）４
からの２層になっている。
第２図に示すように、半導体（Ｓｉ、 ＧａＡｓ）とソ
ルダ層（Ａｕ）の異質の２層からなり、かつソルダ層４
は、Ａｕを主成分とした材質であるため、柔らかくカッ
ターの先端が目詰りを起して切れ味が悪くなる。
ルダ層（Ａｕ）の異質の２層からなり、かつソルダ層４
は、Ａｕを主成分とした材質であるため、柔らかくカッ
ターの先端が目詰りを起して切れ味が悪くなる。
そのような状態で切断を続けると、切断面に不具合が発
生して、さらに続けるとストレスが加わり、クラック等
が発生するため、カッター１を交換する必要が生じてく
る。そのため、従来はカッター１を頻繁に交換して切断
を行っていた。
生して、さらに続けるとストレスが加わり、クラック等
が発生するため、カッター１を交換する必要が生じてく
る。そのため、従来はカッター１を頻繁に交換して切断
を行っていた。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
この従来のウェーハ切断方法では、ソルダ層（Ａｕ）
４を切断するため、カッター１の先端に目詰りが生じ、
初期の切断面を維持することが困難であった。また第３
図に示すように切込み深さを調整してソルダ層４に切込
みが入らないようにすると、目詰りが生じなく、切刃へ
の影響はなくなるが、切断の最終目的である個々の半導
体装置３にすることを果たせず、第３図の方法では有効
な対策とならないという問題点があった。
４を切断するため、カッター１の先端に目詰りが生じ、
初期の切断面を維持することが困難であった。また第３
図に示すように切込み深さを調整してソルダ層４に切込
みが入らないようにすると、目詰りが生じなく、切刃へ
の影響はなくなるが、切断の最終目的である個々の半導
体装置３にすることを果たせず、第３図の方法では有効
な対策とならないという問題点があった。
本発明の目的は切刃の目詰りをなくすことにより、従来
の問題点を解決した半導体ウェーハの切断方法を提供す
ることにある。
の問題点を解決した半導体ウェーハの切断方法を提供す
ることにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェーハ
の切断方法においては、逃げ形成工程と、切断工程とを
有する半導体ウェーハの切断方法であって、 逃げ形成工程は、半導体ウェーハ裏面に成膜されるソル
ダ層に、ウェーハ面を露出させた逃げをカッターによる
タイシングラインに対応させて形成する工程であり、 切断工程は、半導体ウェーハを前記逃げに対応したダイ
シングラインに沿ってカッターで切断し、ウェーハ状半
導体装置を個々に独立したチップ状半導体装置に分離す
る工程であ）ノ、また前記逃げの巾は、カッターの巾よ
り広幅としたものである。
の切断方法においては、逃げ形成工程と、切断工程とを
有する半導体ウェーハの切断方法であって、 逃げ形成工程は、半導体ウェーハ裏面に成膜されるソル
ダ層に、ウェーハ面を露出させた逃げをカッターによる
タイシングラインに対応させて形成する工程であり、 切断工程は、半導体ウェーハを前記逃げに対応したダイ
シングラインに沿ってカッターで切断し、ウェーハ状半
導体装置を個々に独立したチップ状半導体装置に分離す
る工程であ）ノ、また前記逃げの巾は、カッターの巾よ
り広幅としたものである。
〔作用］
本発明は、半導体ウェーハの裏面に成膜されるソルダ層
に、カッターによるダイシングラインに対応させた逃げ
を設け、カッターの切断位置のソルり層をなくすことに
より、カッターの目詰りをなくすものである。
に、カッターによるダイシングラインに対応させた逃げ
を設け、カッターの切断位置のソルり層をなくすことに
より、カッターの目詰りをなくすものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図である。
図において、半導体ウェーハ６をテープ５に貼付ける前
段階において、半導体ウェーハ裏面に成膜されるソルダ
層４に、ウェーハ面を露出させた逃げ４ａをカッター］
によるダイシングラインに対応させて形成する。尚、実
施例では逃げ４ａは、チップ状半導体装置３を周回する
ように格子状に形成しである。また、逃げ４ａの巾Ｑ１
はカッター１の巾Ｑ１ より広幅に設定しである。
段階において、半導体ウェーハ裏面に成膜されるソルダ
層４に、ウェーハ面を露出させた逃げ４ａをカッター］
によるダイシングラインに対応させて形成する。尚、実
施例では逃げ４ａは、チップ状半導体装置３を周回する
ように格子状に形成しである。また、逃げ４ａの巾Ｑ１
はカッター１の巾Ｑ１ より広幅に設定しである。
その後、半導体ウェーハ６の裏面をテープ５に貼付ける
。
。
次に、スピンドル２に軸支したカッター１を高速回転さ
せることにより、カッター１で半導体ウェーハ６の表面
側から該ウェーハ６を逃げ４ａに対応したダイシングラ
インに沿って切断し、ウェーハ状半導体装置を個々に独
立したチップ状半導体装置３に分離させる。
せることにより、カッター１で半導体ウェーハ６の表面
側から該ウェーハ６を逃げ４ａに対応したダイシングラ
インに沿って切断し、ウェーハ状半導体装置を個々に独
立したチップ状半導体装置３に分離させる。
本発明によれば、カッター１で切断するウェーハ６の裏
面側にウェーハ面が露出しているため、カッター１の先
端にソルダ層４が付着することはなく、カッター１が目
詰りすることはない。
面側にウェーハ面が露出しているため、カッター１の先
端にソルダ層４が付着することはなく、カッター１が目
詰りすることはない。
尚、実施例ではカッター１として高速回転する円板状の
ブレードを用いたが、これに限定されるものではない。
ブレードを用いたが、これに限定されるものではない。
［発明の効果〕
以上説明したように本発明は半導体装置の裏面に成膜さ
れたソルダ層をカッターで切削することがないため、カ
ッターの目詰りを引き起こすことがなく、カッターの寿
命を伸すことかでき、かつ各半導体装置間の切断面にク
ラックやチッピングの発生をなくして切断でき、製造歩
留りを向上できるという効果を有する。
れたソルダ層をカッターで切削することがないため、カ
ッターの目詰りを引き起こすことがなく、カッターの寿
命を伸すことかでき、かつ各半導体装置間の切断面にク
ラックやチッピングの発生をなくして切断でき、製造歩
留りを向上できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図。
第３図は従来方法を示す図である。
１・・・カッター ２・・スピンドル３・・
・半導体装置 ４・・・ソルダ層５・・・テー
プ ６・・・半導体ウェーハ特許出願人
日本電気株式会社 第 ■ 図 り 第２図 第 図
・半導体装置 ４・・・ソルダ層５・・・テー
プ ６・・・半導体ウェーハ特許出願人
日本電気株式会社 第 ■ 図 り 第２図 第 図
Claims (2)
- （１）逃げ形成工程と、切断工程とを有する半導体ウェ
ーハの切断方法であって、 逃げ形成工程は、半導体ウェーハ裏面に成膜されるソル
ダ層に、ウェーハ面を露出させた逃げをカッターによる
ダイシングラインに対応させて形成する工程であり、 切断工程は、半導体ウェーハを前記逃げに対応したダイ
シングラインに沿ってカッターで切断し、ウェーハ状半
導体装置を個々に独立したチップ状半導体装置に分離す
る工程であることを特徴とする半導体ウェーハの切断方
法。 - （２）前記逃げの巾は、カッターの巾より広幅としたこ
とを特徴とする請求項第（１）項記載の半導体ウェーハ
の切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2170975A JPH0458546A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2170975A JPH0458546A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0458546A true JPH0458546A (ja) | 1992-02-25 |
Family
ID=15914824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2170975A Pending JPH0458546A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 半導体ウェーハの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0458546A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464250A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Rohm Co Ltd | エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法 |
| JP2004261625A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-09-24 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
| JP2011035111A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 金属層付きチップの製造方法 |
| US20110057332A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor chip with conductive adhesive layer and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2170975A patent/JPH0458546A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0464250A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-02-28 | Rohm Co Ltd | エキスパンドテープ及びチップ部品の実装方法 |
| JP2004261625A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-09-24 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
| US8398799B2 (en) | 2003-01-20 | 2013-03-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing honeycomb structure |
| JP2011035111A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 金属層付きチップの製造方法 |
| US20110057332A1 (en) * | 2009-09-07 | 2011-03-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor chip with conductive adhesive layer and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device |
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