JPS6020897B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6020897B2 JPS6020897B2 JP52141823A JP14182377A JPS6020897B2 JP S6020897 B2 JPS6020897 B2 JP S6020897B2 JP 52141823 A JP52141823 A JP 52141823A JP 14182377 A JP14182377 A JP 14182377A JP S6020897 B2 JPS6020897 B2 JP S6020897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam lead
- base
- chip
- wiring pattern
- semiconductor equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、配線パターンを有するセラミック等の基台に
対してビーム・リード素子をフェース。
対してビーム・リード素子をフェース。
ダウン・ボンディングした半導体装置に関する。従来、
ビーム。リード素子は高密度で実装するには不向きであ
るとされている。その主たる理由は熱放散が悪い点にあ
る。即ち、ビーム・リード素子は半導体ゥェハの状態で
各素子に予じめ蒸着、鍍金等の技術を適用してビーム・
リードを形成し、その後半導体ウェハをエッチングして
チップに分割することにより素子として完成するもので
ある。第１図は、このようにして作製したビーる・リー
ド素子の斜面図であり、Ｃは半導体チップ、Ｌはビーム
・リードを示している。このビーム・リード素子をフェ
ース・ダウンにして、そのビーム・リードＬを基台に形
成された配線パターンにボンディングするが、それには
基台を２００〜３００（こ０）に加熱し、ビーム・リー
ドＬに１００〜２００（ｇ）の圧力を加えて接合する所
謂熱圧着法が採られる。ところがビーム・リードＬの主
成分は金（Ａｕ）であり、その金の延性の為、ボンディ
ング時に所謂パッキング現象を起し、その為チップＣは
基台に密着せず浮上った状態になる。第２図にはその状
態が示されている。即ち、チップＣは基台Ｓから浮上り
、その間隙Ｇは通常３０〜５０（仏ｍ）にも達する。従
ってチップＣで発生する熱を基台Ｓに放散する為の抵抗
が大になり、多くを期待できない状態となる。しかしな
がら、ビーム・リード素子は信頼性が高い素子であるか
ら、熱放散の問題さら解決できれば、更に実装密度を高
くして用途を一層拡大することができると考えられる。
ビーム。リード素子は高密度で実装するには不向きであ
るとされている。その主たる理由は熱放散が悪い点にあ
る。即ち、ビーム・リード素子は半導体ゥェハの状態で
各素子に予じめ蒸着、鍍金等の技術を適用してビーム・
リードを形成し、その後半導体ウェハをエッチングして
チップに分割することにより素子として完成するもので
ある。第１図は、このようにして作製したビーる・リー
ド素子の斜面図であり、Ｃは半導体チップ、Ｌはビーム
・リードを示している。このビーム・リード素子をフェ
ース・ダウンにして、そのビーム・リードＬを基台に形
成された配線パターンにボンディングするが、それには
基台を２００〜３００（こ０）に加熱し、ビーム・リー
ドＬに１００〜２００（ｇ）の圧力を加えて接合する所
謂熱圧着法が採られる。ところがビーム・リードＬの主
成分は金（Ａｕ）であり、その金の延性の為、ボンディ
ング時に所謂パッキング現象を起し、その為チップＣは
基台に密着せず浮上った状態になる。第２図にはその状
態が示されている。即ち、チップＣは基台Ｓから浮上り
、その間隙Ｇは通常３０〜５０（仏ｍ）にも達する。従
ってチップＣで発生する熱を基台Ｓに放散する為の抵抗
が大になり、多くを期待できない状態となる。しかしな
がら、ビーム・リード素子は信頼性が高い素子であるか
ら、熱放散の問題さら解決できれば、更に実装密度を高
くして用途を一層拡大することができると考えられる。
本発明は、極めて簡単な構成でビーム・リード素子の放
熱特性を向上した半導体装置を得ることができるように
するものであり、以下これを詳細に記述する。
熱特性を向上した半導体装置を得ることができるように
するものであり、以下これを詳細に記述する。
第３図は本発明一実施例の要部側面図である。
本実施例が第２図従来例と相違する点は、ビーム・リー
ド素子を基台Ｓにボンディングしてから、チップＣの背
面を加圧して押し下げ、チップＣを基台Ｓに近接させた
ことである。これは極めて簡単なことのように思われる
であろうが、その効果は極めて大きいものであって、従
来の装置と比較すると温度上昇は約１′処〆下にするこ
とができる。ところで、前記のようにビーム・リード素
子を押し下げると、ビーム・リードＬ‘ま湾曲すること
になるが、その場合、湾曲のさせ方に注意をはらう必要
がある。
ド素子を基台Ｓにボンディングしてから、チップＣの背
面を加圧して押し下げ、チップＣを基台Ｓに近接させた
ことである。これは極めて簡単なことのように思われる
であろうが、その効果は極めて大きいものであって、従
来の装置と比較すると温度上昇は約１′処〆下にするこ
とができる。ところで、前記のようにビーム・リード素
子を押し下げると、ビーム・リードＬ‘ま湾曲すること
になるが、その場合、湾曲のさせ方に注意をはらう必要
がある。
即ち、ビーム・リード素子を単純に押し下げると、ビー
ム・リードＬはチップＣのエッジ部分近傍で大きく屈曲
され、その結果、第４図に矢印で指示してあるようにチ
ップＣがビーム・リードＬで短絡される」倶れがある。
しかしながら、ビーム・リード素子の押し下げ操作をビ
ーム・リードＬの湾曲形状に留意しつつ実施することは
煩わしいことであるから、単純に加圧してもビーム・リ
ードＬが第３図に見られる形状に湾曲されるようにして
おくことが望ましい。
ム・リードＬはチップＣのエッジ部分近傍で大きく屈曲
され、その結果、第４図に矢印で指示してあるようにチ
ップＣがビーム・リードＬで短絡される」倶れがある。
しかしながら、ビーム・リード素子の押し下げ操作をビ
ーム・リードＬの湾曲形状に留意しつつ実施することは
煩わしいことであるから、単純に加圧してもビーム・リ
ードＬが第３図に見られる形状に湾曲されるようにして
おくことが望ましい。
そこでビーム・リードＬ‘こ例えば第５図、第６図に見
られるように変形部Ｌ′を形成しておけば、ビーム・リ
ードＬを屈曲させる力が加わった際には、必らずチップ
Ｃのエッジから離隔した部分、例えば破線で示した点で
屈曲されることになる。
られるように変形部Ｌ′を形成しておけば、ビーム・リ
ードＬを屈曲させる力が加わった際には、必らずチップ
Ｃのエッジから離隔した部分、例えば破線で示した点で
屈曲されることになる。
通常、ビーム・リードＬは幅８０〜１００（ムｍ）、長
さ２００〜２５０（山ｍ）、厚さ１０〜２０（ムｍ）で
あって、略長方形をなしている。しかしながら、第５図
及び第６図に見られるビーム・リードＬの変形剖山′で
は、その最大幅を通常の約１．５倍に採ることに依り好
結果が得られた。尚、変形部Ｌ′の形状は図示例に限ら
れず多くの改変を考えることができる。例えば破線の部
分に幅方向の切欠を形成する等しても良い。以上の説明
で判るように、本発明に依れば、ビーム・リード素子を
基台にボンディングしてから加圧して両者を近接させる
ことに依り、ビーム・リード素子の熱放散を良好にする
ことができるので高密度の実装が可能である。
さ２００〜２５０（山ｍ）、厚さ１０〜２０（ムｍ）で
あって、略長方形をなしている。しかしながら、第５図
及び第６図に見られるビーム・リードＬの変形剖山′で
は、その最大幅を通常の約１．５倍に採ることに依り好
結果が得られた。尚、変形部Ｌ′の形状は図示例に限ら
れず多くの改変を考えることができる。例えば破線の部
分に幅方向の切欠を形成する等しても良い。以上の説明
で判るように、本発明に依れば、ビーム・リード素子を
基台にボンディングしてから加圧して両者を近接させる
ことに依り、ビーム・リード素子の熱放散を良好にする
ことができるので高密度の実装が可能である。
第１図はビーム・リード素子の斜面図、第２図は従来例
の要部断面図、一第３図は本発明一実施例の要部断面図
、第４図は本発明を実施した場合に生じ易い不都合な例
を表わす要部断面図、第５図及び第６図はビーム・リー
ドの平面図である。 図に於いて、Ｓは基台、Ｌはビーム・リード、Ｌ′は変
形部、Ｃはチップをそれぞれ示す。第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
の要部断面図、一第３図は本発明一実施例の要部断面図
、第４図は本発明を実施した場合に生じ易い不都合な例
を表わす要部断面図、第５図及び第６図はビーム・リー
ドの平面図である。 図に於いて、Ｓは基台、Ｌはビーム・リード、Ｌ′は変
形部、Ｃはチップをそれぞれ示す。第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 配線パターンを有する基台と、チツプのエツジから
離隔した部分を屈曲し易くする為の変形部が形成された
ビーム・リードを備え且つ該ビーム・リードが前記基台
の配線パターンにボンデイングされると共に前記チツプ
の背面からの加圧で屈曲されることに依り前記チツプの
表面が前記基台に近接するよう配置されたビーム・リー
ド素子とを有してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52141823A JPS6020897B2 (ja) | 1977-11-26 | 1977-11-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52141823A JPS6020897B2 (ja) | 1977-11-26 | 1977-11-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5474370A JPS5474370A (en) | 1979-06-14 |
| JPS6020897B2 true JPS6020897B2 (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=15300948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52141823A Expired JPS6020897B2 (ja) | 1977-11-26 | 1977-11-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020897B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6375287U (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-19 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02244650A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1977
- 1977-11-26 JP JP52141823A patent/JPS6020897B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6375287U (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5474370A (en) | 1979-06-14 |
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