JPS60209129A - 感圧センサ - Google Patents

感圧センサ

Info

Publication number
JPS60209129A
JPS60209129A JP6315984A JP6315984A JPS60209129A JP S60209129 A JPS60209129 A JP S60209129A JP 6315984 A JP6315984 A JP 6315984A JP 6315984 A JP6315984 A JP 6315984A JP S60209129 A JPS60209129 A JP S60209129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pressure
emitting element
receiving element
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6315984A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0418612B2 (ja
Inventor
Takashi Niie
新江 隆
Isamu Nose
能勢 勇
Tsuneo Nagai
永井 恒夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JAPAN ELECTRONIC IND DEV ASSOC<JEIDA>
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
JAPAN ELECTRONIC IND DEV ASSOC<JEIDA>
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JAPAN ELECTRONIC IND DEV ASSOC<JEIDA>, Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical JAPAN ELECTRONIC IND DEV ASSOC<JEIDA>
Priority to JP6315984A priority Critical patent/JPS60209129A/ja
Publication of JPS60209129A publication Critical patent/JPS60209129A/ja
Publication of JPH0418612B2 publication Critical patent/JPH0418612B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L11/00—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00
    • G01L11/02—Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by means not provided for in group G01L7/00 or G01L9/00 by optical means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は小型にして検出精度の高い感圧センサに関する
ものである。
(背景技術) 従来の感圧センサの構成を示す断面図を第1図(a)ニ
示ス。1はポリエステル・フィルム等の薄膜の片面(外
部圧力Pと直接接触しない面)にアルミニウム等の蒸着
を施した反射面、2は光透過性の良いシリコーン・ゴム
等で構成された弾性体、3は受光素子、4は受光素子3
を形成する透明なガラス基板、5はガラス基板4の他面
(受光素子3を形成しない面)に光非透過性の金属から
なる蒸着膜(以下遮光層と称す)で、−郎党を透過させ
るための非蒸着部(以下光透過窓と称す)6を有する。
7は発光素子、8は発光素子7を搭載するセラミック等
の基板である・。第1図(b)に受光素子3の平面図を
示す。図中破線で示した円は光透過窓6および発光素子
7の位置を表わしている。
なお、第1図(a)及び(b)において、受発光素子は
1組のみを示しているが、実際は受発光素子が各々マト
リクス状に多素子配列してあシ、また受発光素子の駆動
回路および制御回路等の電気回路系、各部の支持部等は
図示しない。
以下動作を説明する。
発光素子7から出射された光は光透過窓6を透過し、ガ
ラス基板4および弾性体2を経て反射面lにて反射され
、再び弾性体2を経て受光素子3に照射される。ここで
受光素子3に照射される光量は、反射面1と受光素子3
との距離に依存し、受光素子3の出力と前記距離との関
係は第2図に示すような特性となる。一方、反射面1と
受光素子3との距離は、加えられた外部圧力Pによる弾
性体2の歪み量(圧縮量)に対応している。したがって
受光素子3の出力から加えられた外部圧力を換算するこ
とができる。マトリクス状に配列された複数の受発光素
子に対しては、それらを順次駆動して、その出力を圧力
値に換算することによシ、複数点の圧力が検出可能とな
る。
以上が従来の感圧センサの動作原理であるが、上記構成
における問題点を列記する。
(1)一般に発光素子として発光ダイオード等が用いら
れるが、光の指向性があまシ良くないので、光透過窓6
を通過する光量が少なく検出信号のシ債が悪くなる。
(2)光透過窓6の径を大きくすれば、透過光量は多く
なるが、第3図(、)に示すように、受光素子3の裏面
から直接光が入射する。
(3)反射面1で反射した光は受光素子3の表面に入射
する以外に、第3図(b)に示すように、ガラス基板4
の中に再び入射し、遮光層5で反射して受光素子3の裏
面から入射する。
上記(1) 、 (2)項は、構成上の制約を発生し、
透過光量を多くして騨を良くするためには、光透過外径
も大きくする必要があシ、シたがって多素子を高密度に
配置することが困賑になる。また、第3図(a)の破線
で示すように発光素子、光透過窓、受光素子の中心位置
が相対的にずれた場合にも、受光素子の裏面へ直接光が
入射するため、これらの配置には高い精度が要求され製
造上問題があった。また上記(3)項は、第2図に示し
だセンサ特性を劣化させる原因と・なり、反射面と受光
素子との距離変化に対する受光素子の出力変化が小さく
なる等の悪影響を及ぼしていた。
(発明の課題) 本発明の目的は、上述した欠点を除去し、小型にして構
成が容易でかつ検出精度の高い感圧センサを提供するこ
とにあシ、その特徴は、一方の表面に光反射面を有する
可とう性弾性体層と、該層の他面にもうけられる複数の
受光素子と、前記光反射面を前記受光素子の背面から照
射する発光素子とを有し、前記弾性体の外部圧力による
変形に対応した出力を前記受光素子から得る感圧センサ
において、前記発光素子から光反射面に向う光束を集束
する集束手段がもうけられる感圧センサにある。
(発明の構成および作用) 第4図は、本発明の第1の実施例の構成を示す断面図で
あシ、受発光素子1組の周辺についてのみ示している。
本実施例において従来の第1図(a)及び(b)の構造
と異なる点は、受光素子3および発光素子7に対応する
位置にレンズ部10を有するレンズ・アレイ板11を設
けたことである。発光素子7から出射された光束は、レ
ンズ10によシ点0に集束されるようにガラス基板4内
を通過し、点0に集束したのち拡散光束となって弾性体
2を経て、反射面1にて反射され、再び弾性体2を経て
受光素子3に照射される。ここでレンズ部1゜を通過す
る光の量はレンズの開口数によって決まシ、開口数の大
きなレンズを使用することによって通過光量を増すこと
ができる。また発光素子7からレンズ部10を通過しな
い光に対しては図中破線で示したようにガラス基板4へ
の入射角が大きくなるため、ガラス基板の裏面で反射さ
れることになる。受光素子3の裏面からの光入射をなく
すためにはレンズ部10の口径を大きくすれば良いが、
口径を大きくすることによシレンズ部10を通過する光
量も増え検出信号のS/Nを良くすることができる。し
たがうて受光素子3の裏面からの光入射をなくすための
構成設定の自由度は従来例に比して大きくなシ、また位
置精度に対しても許容範囲が大きくなる。一方、従来例
における第3図(b)に示したような、反射面からの反
射光が再びガラス基板内を通シ遮光層にて反射されて受
光素子の裏面から入射するような問題が解決されるのは
いうまでもない。
なお本実施例におけるレンズ・アレイ板としては、いわ
ゆる「ハエの眼レンズ」を用いておシ、第4図ではレン
ズ部の凸面を受光素子側に示しているが、逆に発光素子
側に配置しても良い。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第5図(a)及び(b)は、本発明の第2の実施例の構
成を示す断面図であシ、第1の実施例と異なる点は、受
光素子3を形成する基板としてレンズ・アレイ板11を
用いたことである。第5図<)はレンズ・アレイ板とし
て第1の実施例で説明した「ノ・工の眼レンズ」を発光
素子側に凸面を有するごとく用いたものであシ、第5図
(b)はレンズ、アレイ板としてセルフォック・レンズ
・プレイ板を用いたものである。
なおセルフォック・レンズ・アレイ板は、レンズ部10
を受光素子3に対応する位置にのみ設けたものでも、全
面に設けたものでも良い。
第6図は、本発明の第3の実施例の構成を示す断面図で
あシ、発光素子7を電気絶縁体20を介して凹面鏡21
に搭載して配置した構成を、第2の実施例に付加したも
のであシ、発光素子7から出射された光は凹面鏡21に
よシ指向性を持つようになり、したがって発光素子から
の光の大部分をレンズ部10に導くことができ、レンズ
を通過する光量をさらに多くすることが可能となる。
第7図は上記実施例の全体構成を示す斜視図であシ、各
々4×4個の受発光素子を2Wrm間隔に配列した例で
ある。実施例では反射部1は厚さ数10μmの薄膜フィ
ルム、弾性体2は厚さ2rrrmの透明シリコーン・ゴ
ム、受光素子3はアモルファス・シリコン、発光素子7
はLED’、 レンズ・アレイ板10ハセルフオツク・
レンズ・アレイで構成されてオシ、レンズ・アレイ板(
セルフォック・レンズ・アレイ)10上に受光素子(ア
モルファス・シリコン)3をス・々ツタ法等にて形成す
る。また受光素子3および発光素子7は、図示しない電
気回路部により各々マトリクス駆動されている。
第8図は電気回路系を示すブロック図である。
100.110は各々マ) IJクス配列された発光素
子群および受光素子群、120,130はアナログ・マ
ルチプレクサ、140は制御回路、150は増幅器、1
60はサンプル、ホールド回路、170はφ変換器、1
80は信号処理回路であり、発光素子群100および受
光素子群110は各々、アナログ・マルチプレクサ12
0,130によシマトリクス駆動される。
動作は、先ず発光素子群100における一つの発光素子
と、受光素子群110における前記発光素子に対応した
受光素子とを、各々アナログ・マルチプレクサ120お
よび130を制御回路140からの信号によって切シ換
えることにより選択駆動する。選択された発光素子には
、アナログ・マルチプレクサ130を介して電圧■が印
加され、前記発光素子が発光すると、選択された受光素
子の出力がアナログ・マルチプレクサ140を介して増
幅器150にて増幅されてサンプル・ホールド回路16
0に入力される。サンプル・ホールド回路160には制
御回路■40よシマトリクス駆動に同期したホールド信
号が入力され、増幅器150からの信号がホールドされ
てφ変換器170に送出される。ψ変換器170では、
制御回路140からの設定タイミングに従って前記ホー
ルド信号がディジタル信号に変換される。このディジタ
ル信号は、選択駆動された受光素子と反射面との距離に
応じた信号であるので、信号処理回路180によシ、前
記受光素子位置における圧力値に変換され、圧力信号と
して出力される。
ここで、圧力値への変換は、例えば(加圧力→弾性体の
圧縮率→反射面変位量→受光素子出力→の関係を表わす
テーブルを用意しておくことによシ容易に行なえる。
以上が1組の受発光素子に対する動作であるが全素子に
対しては、同様にして制御回路140によシ各受発光素
子を順次駆動検出し、したがって受圧面全面に対して走
査が行なわれる。
(発明の効果) 本発明は、以上説明したように、発光素子からの出射光
束を集束する手段を設けることによシ、遮光層を形成せ
ずに受光素子の裏面からの光入射を除去でき、利用でき
る光の量を増大することができるので感圧センサの検出
精度を向上できるとともに構成上の位置精度に対する許
容量を大きくすることができ、しだがって製造時間を短
縮でき、かつ高密度の配列が可能となるという利点があ
り、ロボット用ハンド等に実装し得る小型触覚センサと
して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(、)及び(b)は従来の感圧センサの構成を示
す図、第2図は受光素子と反射面との距離変化に対する
受光素子の出力特性を示す図、第3図(a)及び(b)
は従来例の受光素子裏面への光照射径路を示す図、第4
図は本発明の第1の実施例の構成を示す断面図、第5図
(a)及び(b)は本発明の第2の実施例の構成を示す
断面図、第6図は本発明の第3の実施例の構成を示す断
面図、第7図は本発明の全体構成を示す斜視図、第8図
は本発明の実施例における電気回路系を示すブロック図
である。 1・・・反射面、2・・・弾性体、3・・・受光素子、
4・・・ガラス基板、5・・・遮光層、6・・・光透過
窓、7・・・発光素子、8・・・発光素子搭載用基板、
10・・・レンズ部、11・・・レンズ・アレイ板、2
0・・・電気絶縁体、21・・・凹面鏡、100・・・
発光素子群、110″−受光素子群、1.20,130
・・・アナログ・マルチプレクサ、140・・・制御回
路、150・・・増幅器、160・・・サンプル・ホー
ルド回路、170・・・A/D変換器、180・・・信
号処理回路。 奉1図 ρ 慶、2図 葬、3図 算、4図 p ゛ / 秦bU!J 隼、ろ図 U 秦7図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一方の表面に光反射面を有する可とう性弾性体層
    と、該層の、他面にもうけられる複数の受光素子と、前
    記光反射面を前記受光素子の背面から照射する発光素子
    とを有し、前記弾性体の外部圧力による変形に対応した
    出力を前記受光素子から得る感圧センサにおいて、前記
    発光素子から光反射面に向う光束を集束する集束手段が
    もうけられることを特徴とする感圧センサ。
  2. (2) 前記集束手段が凸レンズの配列を有するレンズ
    ・アレイ板であることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の感圧センサ。
  3. (3)前記集束手段がセルホックレンズの配列を有する
    レンズアレイ板であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の感圧センサ。
  4. (4)前記集束手段が発光素子の背面にもうけられる凹
    面鏡であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の感圧センサ。
  5. (5)前記受光素子が前記レンズ・アレイ板の、弾性体
    層の光反射面に対向する表面に、配列されることを特徴
    とする特許請求の範囲第2項又は第3 ゛項記載の感圧
    センサ。
JP6315984A 1984-04-02 1984-04-02 感圧センサ Granted JPS60209129A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6315984A JPS60209129A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 感圧センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6315984A JPS60209129A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 感圧センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60209129A true JPS60209129A (ja) 1985-10-21
JPH0418612B2 JPH0418612B2 (ja) 1992-03-27

Family

ID=13221174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6315984A Granted JPS60209129A (ja) 1984-04-02 1984-04-02 感圧センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60209129A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421831U (ja) * 1990-06-11 1992-02-24

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421831U (ja) * 1990-06-11 1992-02-24

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0418612B2 (ja) 1992-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5488928B2 (ja) 光ナビゲーションデバイス、データ処理ユニット用入力デバイス、および画像出力デバイス上のカーソルを制御する方法
JPS60191548A (ja) イメ−ジセンサ
US3668404A (en) Electro-optical microtransducer comprising diffractive element monolithically integrated with photoelectric device
KR970006788B1 (ko) 밀착형 이미지 센서
JPH0426413B2 (ja)
JPH0418612B2 (ja)
JP3828755B2 (ja) 変位光量変換装置
JPS5846181B2 (ja) 密着形イメ−ジセンサ
JPS6141938A (ja) 二次元感圧センサ
JPH0475452B2 (ja)
JP3255762B2 (ja) 完全密着型イメージセンサユニット
JPH0627675B2 (ja) 二次元感圧センサ
JP2769812B2 (ja) 原稿読み取り装置
JP3319666B2 (ja) エッジ検出装置
JPH03201488A (ja) 光学素子
JPS63214058A (ja) 密着イメ−ジセンサ
JP3551173B2 (ja) イメージセンサユニット
JPH05303058A (ja) 光ファイバアレイ基板および光ファイバアレイ基板を用いた完全密着型イメージセンサ
JPS63119278A (ja) 光路変換装置
JPS62110358A (ja) 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置
JPH0851513A (ja) 完全密着型イメージセンサユニット
JPH06350799A (ja) 密着型イメージセンサユニット
JPH02306210A (ja) リモートセンシング用自動焦点調整装置
JPH0568134A (ja) 密着型イメージセンサ
JPS6133298B2 (ja)