JPS62110358A - 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 - Google Patents
完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置Info
- Publication number
- JPS62110358A JPS62110358A JP60249050A JP24905085A JPS62110358A JP S62110358 A JPS62110358 A JP S62110358A JP 60249050 A JP60249050 A JP 60249050A JP 24905085 A JP24905085 A JP 24905085A JP S62110358 A JPS62110358 A JP S62110358A
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- JP
- Japan
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- image sensor
- substrate
- light
- optical waveguide
- waveguide path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
- Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ファクシミリや複写機などの原稿の読み取り
に使用されている完全密着型イメージセンサ読み取り装
置に関するものである。
に使用されている完全密着型イメージセンサ読み取り装
置に関するものである。
（従来の技術）
近年ファクシミリや複写機などに代表されるＯＡ機器の
進歩は目覚ましく、各種ＯＡ機器の画像入力装置の小型
軽量化や高性能化を計るために、密着型イメージセンサ
読み取り装置が開発されて広範囲に利用されている。従
来のファクシミリなどの読み取りに使用されている密着
型イメージセンサ読み取り装置の構成を、第３図および
第４図を参照して説明する。
進歩は目覚ましく、各種ＯＡ機器の画像入力装置の小型
軽量化や高性能化を計るために、密着型イメージセンサ
読み取り装置が開発されて広範囲に利用されている。従
来のファクシミリなどの読み取りに使用されている密着
型イメージセンサ読み取り装置の構成を、第３図および
第４図を参照して説明する。
°第３図は、従来のファクシミリなどの原稿読み取りに
使用されている密着型イメージセンサ読み取り装置の構
成の断面図を示し、原稿１を螢光対などの光源２で均一
に照射３し、原稿１からの反射光をセルフオニツクレン
ズ（光集束性ファイバレンズ）４を通して、基板５に配
列したイメージセンサ６に結像させて電気信号に変換す
る。（例えば、山上登、他：画像電子学会予稿、８３−
０４、１９８３参照） 第４図は、従来の完全密着型イメージセンサ読み取り装
置の構成の断面図を示し、イメー・ゾセンサ６を配列し
た透明の基板５を通して原稿１に照射３し、原稿１から
の反射光をイメージセンサ６に入射して、原稿１の情報
に対応した電気信号に変換する。ＣＹａｍａｍｏｔｏ
ｅｔ ａｔ ： ＪＪＡＰ Ｖｏｌ、 １７Ｓｕｐｐｌ
ｅｍｅｎｔ 、 １７−１ （１９７８） １３５や
、田尻哲男他：昭和５５年度電子通信学会総合全国大会
予稿９７５あるいは、山本英明他：昭和５９年電気四学
会連合大会予稿、３−１１０参照〕 （発明が解決しようとする問題点） 前記のように、従来の完全密着型イメージセンサ読み取
り装置の構造では、照明光をイメージセンサの背面から
斜照射させなければならないので、８ドツト／咽以上の
解像度を有するイメージセンサの場合は、照明効率やＭ
ＴＦの低下を生じ、また、イメージセンサに電荷結合素
子（以下ＣＯＤと省略する）イメージセンサやバイポー
ラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプを用いると、照
明効率やＭＴＦが極端に低下するという問題点があった
。
使用されている密着型イメージセンサ読み取り装置の構
成の断面図を示し、原稿１を螢光対などの光源２で均一
に照射３し、原稿１からの反射光をセルフオニツクレン
ズ（光集束性ファイバレンズ）４を通して、基板５に配
列したイメージセンサ６に結像させて電気信号に変換す
る。（例えば、山上登、他：画像電子学会予稿、８３−
０４、１９８３参照） 第４図は、従来の完全密着型イメージセンサ読み取り装
置の構成の断面図を示し、イメー・ゾセンサ６を配列し
た透明の基板５を通して原稿１に照射３し、原稿１から
の反射光をイメージセンサ６に入射して、原稿１の情報
に対応した電気信号に変換する。ＣＹａｍａｍｏｔｏ
ｅｔ ａｔ ： ＪＪＡＰ Ｖｏｌ、 １７Ｓｕｐｐｌ
ｅｍｅｎｔ 、 １７−１ （１９７８） １３５や
、田尻哲男他：昭和５５年度電子通信学会総合全国大会
予稿９７５あるいは、山本英明他：昭和５９年電気四学
会連合大会予稿、３−１１０参照〕 （発明が解決しようとする問題点） 前記のように、従来の完全密着型イメージセンサ読み取
り装置の構造では、照明光をイメージセンサの背面から
斜照射させなければならないので、８ドツト／咽以上の
解像度を有するイメージセンサの場合は、照明効率やＭ
ＴＦの低下を生じ、また、イメージセンサに電荷結合素
子（以下ＣＯＤと省略する）イメージセンサやバイポー
ラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプを用いると、照
明効率やＭＴＦが極端に低下するという問題点があった
。
また、イメージセンナは原稿と接触対向しているので、
原稿との摩擦により、イメージセンサにダメージを与え
られ、機械的強度が不安定になるという問題点があった
。
原稿との摩擦により、イメージセンサにダメージを与え
られ、機械的強度が不安定になるという問題点があった
。
（問題点を解決するための手段）
前記問題点を解決するため、本発明は、基板に配列され
たイメージセンサ上に１個以上の照明入射用開口部と、
１個以上の原稿照射用開口部を有するとともに、光遮断
膜で覆われた透光性薄膜（以下光遮断膜と透光性薄膜を
総称して光導波路と呼ぶ）を備えた保護用透光性基板で
イメージセンサを気密封止した完全密閉型イメージセン
サ読み取シ装置を提供するものである。
たイメージセンサ上に１個以上の照明入射用開口部と、
１個以上の原稿照射用開口部を有するとともに、光遮断
膜で覆われた透光性薄膜（以下光遮断膜と透光性薄膜を
総称して光導波路と呼ぶ）を備えた保護用透光性基板で
イメージセンサを気密封止した完全密閉型イメージセン
サ読み取シ装置を提供するものである。
なお、本発明には、 ＣＣＤイメージセンサやバイポー
ラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプのイメージセン
サを使用することができる。
ラＩＣイメージセンサなどの結晶タイプのイメージセン
サを使用することができる。
（作用）
前記構成により、保護用透光性基板から原稿に光を照射
するため、高解像度の読み取りをすることができ、イメ
ージセンナは、機械的安定度にすぐれるとともに、電気
的特性の劣化が無い。
するため、高解像度の読み取りをすることができ、イメ
ージセンナは、機械的安定度にすぐれるとともに、電気
的特性の劣化が無い。
（実施例）
本発明の実施例を、第１図および第２図を参照して説明
する。
する。
第１図は、本発明の完全密着型イメージセンサ読み取９
装置の第１の実施例の構成断面図を示し、基板５の上に
イメージセンサ６が配列固蝋されている。基板５の材料
としては、ガラス基板、石英基板、サファイヤ基板など
の透光性基板が用いられているが、アルミナ基板、アル
ミニウム基板。
装置の第１の実施例の構成断面図を示し、基板５の上に
イメージセンサ６が配列固蝋されている。基板５の材料
としては、ガラス基板、石英基板、サファイヤ基板など
の透光性基板が用いられているが、アルミナ基板、アル
ミニウム基板。
ステンレス基板などを用いてもよい。また、イメージセ
ンサ６の種類としては、ａ−８ｔ 、 Ｐｏ１ｉ−８ｉ
。
ンサ６の種類としては、ａ−８ｔ 、 Ｐｏ１ｉ−８ｉ
。
Ｃｄ５−ＣｄＳｅなどの薄膜タイプ、あるいはＣＣＤ
、パイボーアＩＣなどの結晶タイプがある。次に、光遮
断膜７ａ、７ｂおよび透光性薄膜７ｃからなる光° 導
波路７を付けた保護用透光性基板８を、光導波路７の面
がイメージセンサ６に向くようにして、基板５と接着さ
せて気密封止を行なう。
、パイボーアＩＣなどの結晶タイプがある。次に、光遮
断膜７ａ、７ｂおよび透光性薄膜７ｃからなる光° 導
波路７を付けた保護用透光性基板８を、光導波路７の面
がイメージセンサ６に向くようにして、基板５と接着さ
せて気密封止を行なう。
保護用透光性基板８に光導波路７を取り付けるためには
、ガラス基板、石英基板またはサファイヤ基板からなる
保護用透光性基板８の上に、ＥＢ法、ＤＣス・ぐツタリ
ング法、抵抗加熱法またはメッキ法などの薄膜形成技術
を用いて、ＡＪａ 、 Ｍｏ 。
、ガラス基板、石英基板またはサファイヤ基板からなる
保護用透光性基板８の上に、ＥＢ法、ＤＣス・ぐツタリ
ング法、抵抗加熱法またはメッキ法などの薄膜形成技術
を用いて、ＡＪａ 、 Ｍｏ 。
Ｃｒ 、 Ａｇ 、 ＡｕまたはＴｉなどの光遮断膜７
ａを０．１〜２０μｍ成形する。その後、フォトリング
ラフ技術を用いて任意のツクターニングを行なう。次に
、光遮断膜７ａ上にＲＦス・母ツタリング法、ＥＢ法、
ＣＶＤ法を用いて、ガラス、５ｉ０２．Ａｔ２０３゜Ｔ
ｉＯ２、ＺｎＳ 、 ＭｇＦ２などの透光性薄膜７ｃを
０．１〜２０μｍ形成する。透光性薄膜７ｃの上および
側面に光遮断膜７ｂを、光遮断膜７ａと同様の薄膜形成
方法で、 ｋｌ 、 Ｍｏ 、 Ｃｒ 、 Ａｇ 、
ＡｕまたはＴ＋なとを帆１〜２０μ情形成し、フォトリ
ソグラフ技術を用いて任意の・ぐターニングを行なう。
ａを０．１〜２０μｍ成形する。その後、フォトリング
ラフ技術を用いて任意のツクターニングを行なう。次に
、光遮断膜７ａ上にＲＦス・母ツタリング法、ＥＢ法、
ＣＶＤ法を用いて、ガラス、５ｉ０２．Ａｔ２０３゜Ｔ
ｉＯ２、ＺｎＳ 、 ＭｇＦ２などの透光性薄膜７ｃを
０．１〜２０μｍ形成する。透光性薄膜７ｃの上および
側面に光遮断膜７ｂを、光遮断膜７ａと同様の薄膜形成
方法で、 ｋｌ 、 Ｍｏ 、 Ｃｒ 、 Ａｇ 、
ＡｕまたはＴ＋なとを帆１〜２０μ情形成し、フォトリ
ソグラフ技術を用いて任意の・ぐターニングを行なう。
前記方法により完全密着型イメー・ゾセンサができる。
前記構成において、螢光灯、ＬＥＤ、ハロゲンランプな
どを用いた光源２から光導波路７に光を照射３すると、
光導波路内に入った光は、反射を繰り返しながら、光導
波路７の出口を通って原稿ｌの面に照射され、原稿１の
情報に応じた光が反射され、前記反射光がイメージセン
サ６に入射されて電気信号に変換される。
どを用いた光源２から光導波路７に光を照射３すると、
光導波路内に入った光は、反射を繰り返しながら、光導
波路７の出口を通って原稿ｌの面に照射され、原稿１の
情報に応じた光が反射され、前記反射光がイメージセン
サ６に入射されて電気信号に変換される。
第２図は、本発明の第２の実施例の構成断面図を示し、
ポリイミド基板のようなフレキシブルの基板９の上に光
導波路７と同じ方法で光導波路１０を形成し、光導波路
７と光学的に接続すると、外部から光を導入することが
できる。前記構成によれば、光源としては外部光を利用
することができるので、読み取り装置としての専用光源
が不要となる。
ポリイミド基板のようなフレキシブルの基板９の上に光
導波路７と同じ方法で光導波路１０を形成し、光導波路
７と光学的に接続すると、外部から光を導入することが
できる。前記構成によれば、光源としては外部光を利用
することができるので、読み取り装置としての専用光源
が不要となる。
また、前記第１および第２の実施例において、光を均一
に原稿１面に照射するために、透光性薄膜７ｃの表面を
アルミナ粉などの研磨材で研磨したり、あるいはフッ酸
系の工、チンダ液でエツチングして、５０〜５０００Ｘ
の凹凸をつけて、光の散乱を多くする方法も効果的であ
る。
に原稿１面に照射するために、透光性薄膜７ｃの表面を
アルミナ粉などの研磨材で研磨したり、あるいはフッ酸
系の工、チンダ液でエツチングして、５０〜５０００Ｘ
の凹凸をつけて、光の散乱を多くする方法も効果的であ
る。
（発明の効果）
前記のように、本発明によれば、保護用透光性基板に光
導波路を一体化して、イメージセンサを気密封止するた
め、機械的安定性が良くなり、イメージセンサの電気的
劣化が無く、高解像度の読み取りが可能となるという効
果がある。また、結晶タイプのイメージセンサの使用も
可能となり、高性能の完全密着型イメージセンサ読み取
り装置が得られるとともに、光源が任意の場所に置ける
ので小型になるという効果がある。
導波路を一体化して、イメージセンサを気密封止するた
め、機械的安定性が良くなり、イメージセンサの電気的
劣化が無く、高解像度の読み取りが可能となるという効
果がある。また、結晶タイプのイメージセンサの使用も
可能となり、高性能の完全密着型イメージセンサ読み取
り装置が得られるとともに、光源が任意の場所に置ける
ので小型になるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の構成断面図、第２図は
本発明の第２の実施例の構成断面図、第３図は従来の密
着型イメージセンサ読み取シ装置の構成の断面図、第４
図は従来の完全密着型イメージセンサ読み取り装置の構
成断面図を示す。 １・・・原稿、２・・・光源、３・・・照射、４・・・
セルフオニツクレンズ、５・・・基板、６・・・イメー
ジセンサ、７ 、１０ ・・・光導波路、７ａ 、 ７
ｂ 、 １０ａ 、 １０ｂ・・・光遮断膜、７ｃ、１
０ｃ・・・透光性薄膜、８・・・保護用透光性基板、９
・・・フレキシブルの基板。 第１図 ■ １・ 原礒 ２・ ｙｔ、汰 ３・・啄射 ５゛集蔵 ６ イメージセンサ ７・九導濠將 ８・・イ隊１４１月つ：ａ ｙＬセｔ、１ 核第２図 「 １゜ １・・・確論 ２・・・ｙｔ浪 ３・・・拭上 ５・・・木板 ＩＯｃ・・・遵九弗簿鯖 第３図 第４図 １・・撮塙 ２・−丸派 ３・・・毬射 ４・・ −ｔ！２レフτニックレン疋。 ５・・・ 差、 １屹 ６°°° ４ メーシ゛妃ンプ
本発明の第２の実施例の構成断面図、第３図は従来の密
着型イメージセンサ読み取シ装置の構成の断面図、第４
図は従来の完全密着型イメージセンサ読み取り装置の構
成断面図を示す。 １・・・原稿、２・・・光源、３・・・照射、４・・・
セルフオニツクレンズ、５・・・基板、６・・・イメー
ジセンサ、７ 、１０ ・・・光導波路、７ａ 、 ７
ｂ 、 １０ａ 、 １０ｂ・・・光遮断膜、７ｃ、１
０ｃ・・・透光性薄膜、８・・・保護用透光性基板、９
・・・フレキシブルの基板。 第１図 ■ １・ 原礒 ２・ ｙｔ、汰 ３・・啄射 ５゛集蔵 ６ イメージセンサ ７・九導濠將 ８・・イ隊１４１月つ：ａ ｙＬセｔ、１ 核第２図 「 １゜ １・・・確論 ２・・・ｙｔ浪 ３・・・拭上 ５・・・木板 ＩＯｃ・・・遵九弗簿鯖 第３図 第４図 １・・撮塙 ２・−丸派 ３・・・毬射 ４・・ −ｔ！２レフτニックレン疋。 ５・・・ 差、 １屹 ６°°° ４ メーシ゛妃ンプ
Claims (2)
- （１）基板上に配列されたイメージセンサと、前記イメ
ージセンサを保護封止する保護用透光性基板とからなる
完全密着型イメージセンサ読み取り装置において、前記
保護用透光性基板上に１個以上の照明入射用開口部と１
個以上の原稿照射用開口部を有するとともに、光遮断膜
で覆われた透光性薄膜からなる光導波路を備え、前記光
導波路の面を前記イメージセンサ側に向けて配置し、イ
メージセンサを気密封止したことを特徴とする完全密着
型イメージセンサ読み取り装置。 - （２）透光性薄膜の表面を５０〜５０００Å凹凸にする
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の完全
密着型イメージセンサ読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249050A JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249050A JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110358A true JPS62110358A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0583025B2 JPH0583025B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=17187266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249050A Granted JPS62110358A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 完全密着型イメ−ジセンサ読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62110358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021002571A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 学校法人立命館 | 光センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07279142A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Yokichi Shinohara | 土のうの製法とその装置 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP60249050A patent/JPS62110358A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021002571A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 学校法人立命館 | 光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583025B2 (ja) | 1993-11-24 |
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