JPS60211680A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS60211680A JPS60211680A JP59067617A JP6761784A JPS60211680A JP S60211680 A JPS60211680 A JP S60211680A JP 59067617 A JP59067617 A JP 59067617A JP 6761784 A JP6761784 A JP 6761784A JP S60211680 A JPS60211680 A JP S60211680A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble memory
- package
- magnetic bubble
- memory device
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリデバイスに係わシ、特に磁気
バブルメモリ素子を搭載するパッケージ構造に関するも
のである。
バブルメモリ素子を搭載するパッケージ構造に関するも
のである。
一般に磁気バブルメモリデバイスは、ガーネットなどの
非磁性体基板上に液相エピタキシャル成長法などによっ
て形成された磁性体薄膜上に軟磁性材、導電材のパター
ンを形成し磁気バブルを読み、書きおよび記憶させる磁
気バブルメモリ素子と、この磁気バブルメモリ素子を収
納して固定配置させるパッケージと、このパッケージ上
に形成配置されかつ磁気バブルメモリ素子と外部電子回
路との間を電気的に接続させる信号伝搬用リードと、こ
のパッケージの外面に配置されかつ磁気バブルメモリ素
子の平面に対してはｙ平行な面内で回転磁界を与える一
対の回転磁界発生用コイルと、この回転磁界発生用コイ
ルの外面に配置されかつ磁気バブルメモリ素子の平面に
対して垂直なバイアス磁界を与える一対の永久磁石板と
、磁気バブルメモリ素子と回転磁界発生用コイルとバイ
アス磁界発生用永久磁石板とを所定の位置関係に保持固
定させる樹脂モールドと、この樹脂モールドの外面に被
覆されかつ外部磁界を遮蔽させるケースとから構成され
ている。
非磁性体基板上に液相エピタキシャル成長法などによっ
て形成された磁性体薄膜上に軟磁性材、導電材のパター
ンを形成し磁気バブルを読み、書きおよび記憶させる磁
気バブルメモリ素子と、この磁気バブルメモリ素子を収
納して固定配置させるパッケージと、このパッケージ上
に形成配置されかつ磁気バブルメモリ素子と外部電子回
路との間を電気的に接続させる信号伝搬用リードと、こ
のパッケージの外面に配置されかつ磁気バブルメモリ素
子の平面に対してはｙ平行な面内で回転磁界を与える一
対の回転磁界発生用コイルと、この回転磁界発生用コイ
ルの外面に配置されかつ磁気バブルメモリ素子の平面に
対して垂直なバイアス磁界を与える一対の永久磁石板と
、磁気バブルメモリ素子と回転磁界発生用コイルとバイ
アス磁界発生用永久磁石板とを所定の位置関係に保持固
定させる樹脂モールドと、この樹脂モールドの外面に被
覆されかつ外部磁界を遮蔽させるケースとから構成され
ている。
このように構成される磁気バブルメモリデバイスにおい
て、磁気バブルメモリ素子を収納して固定配置されるパ
ッケージは、合成樹脂板からなる底板、下枠板および上
枠板等を接着剤を介して積層構成し、この積層構成によ
シ形成されるキャビティ内に磁気バブルメモリ素子が接
着配置されている。そして、固定配置された磁気バブル
メモリ素子とこのパッケージ上に形成されるリードとを
配線した後、このパッケージ開口部に上板を接着配置し
、このキャビティ内の空間部に例えばＳｉ樹脂を封入し
て耐湿処理を施している。このように磁気バブルメモリ
素子を固定して防湿用樹脂で内部を封止した後に回転磁
界発生用コイルを組み込み、そのリードを接続した後、
永久磁石板とともにケース内に組み込み、パッケージ外
周部分を樹脂封止し、パッケージ、回転磁界発生用コイ
ル。
て、磁気バブルメモリ素子を収納して固定配置されるパ
ッケージは、合成樹脂板からなる底板、下枠板および上
枠板等を接着剤を介して積層構成し、この積層構成によ
シ形成されるキャビティ内に磁気バブルメモリ素子が接
着配置されている。そして、固定配置された磁気バブル
メモリ素子とこのパッケージ上に形成されるリードとを
配線した後、このパッケージ開口部に上板を接着配置し
、このキャビティ内の空間部に例えばＳｉ樹脂を封入し
て耐湿処理を施している。このように磁気バブルメモリ
素子を固定して防湿用樹脂で内部を封止した後に回転磁
界発生用コイルを組み込み、そのリードを接続した後、
永久磁石板とともにケース内に組み込み、パッケージ外
周部分を樹脂封止し、パッケージ、回転磁界発生用コイ
ル。
信号伝搬用リードおよび永久磁石板等を所定の位置関係
に固定配置させて所定の特性を得ている。
に固定配置させて所定の特性を得ている。
しかしながら、このパッケージの外周部を樹脂成形する
工程は、通称トランスファモールドと称される成形法に
よって行なわれ、この成形方法はモールド（腕形）およ
び内部の部品等を約１５０℃程度に加熱して約５０ｋｙ
／ｃｒｌの圧力で成形される。
工程は、通称トランスファモールドと称される成形法に
よって行なわれ、この成形方法はモールド（腕形）およ
び内部の部品等を約１５０℃程度に加熱して約５０ｋｙ
／ｃｒｌの圧力で成形される。
このような高温加熱および成形時の樹脂注入圧力によシ
、パッケージおよび回転磁界発生用コイル等の内部に封
入されている部品に極めて大きな歪が発生し、極端な場
合、樹脂の注入方法によっては変形を起すという問題が
あった。このようにパッケージ等に歪、変形が発生する
と、接着剤を用いて積層構成させたパッケージ構造は各
種板材が相互に剥離した状態となう、磁気バブルメモリ
デバイスの信頼性を著しく低下させることになる。
、パッケージおよび回転磁界発生用コイル等の内部に封
入されている部品に極めて大きな歪が発生し、極端な場
合、樹脂の注入方法によっては変形を起すという問題が
あった。このようにパッケージ等に歪、変形が発生する
と、接着剤を用いて積層構成させたパッケージ構造は各
種板材が相互に剥離した状態となう、磁気バブルメモリ
デバイスの信頼性を著しく低下させることになる。
したがって本発明は前述した従来の問題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、パッケージの
樹脂成形時において発生する積層構造の剥離現象を防止
して品質および信頼性を向上させた磁気バブルメモリデ
バイスを提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、パッケージの
樹脂成形時において発生する積層構造の剥離現象を防止
して品質および信頼性を向上させた磁気バブルメモリデ
バイスを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリデバイスは、パッケージを構成する合成樹脂板
積層間に、高温加熱および樹脂注入圧力による歪、変形
を吸収することのできる金属層を設けたものである。
ルメモリデバイスは、パッケージを構成する合成樹脂板
積層間に、高温加熱および樹脂注入圧力による歪、変形
を吸収することのできる金属層を設けたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの一例を示
すパッケージの要部断面構成図であシ、構成を明確にす
る都合上、回転磁界発生用コイル。
すパッケージの要部断面構成図であシ、構成を明確にす
る都合上、回転磁界発生用コイル。
バイアス磁界発生用磁石板、ｍ脂モールドおよび永久磁
石板等は省略されている。同図において、１は平板状の
底板、２は底板１上に接着剤３を介して接着配置された
枠状の第１の金属板、４は第１の金属板２上に接着剤３
を介して接着配置された下枠板、５は下枠板４上に形成
された導体パターン、６は下枠板４および導体パターン
５上に接着剤３を介して接着配置された枠状の第２の金
属板、７は第２の金属板６上に接着剤３を介して接着配
置された上枠板、８は導体パターン５に電気的に接続さ
れた信号伝搬用リード、９は底板１上に接着剤３を介し
て接着配置された磁気バブルメモリ素子である。この場
合、底板１．下枠板４および上枠板７は例えばエポキシ
系あるいはビフェニールトリアジン系などの耐熱合成樹
脂板、第１の金属板２および第２の金属板６は例えば銅
、ニッケル、アルミニウムあるいは金などの薄い金属板
材でそれぞれ形成され、また接着剤３は例えば２液温合
形接着剤などのアミン系接着剤が用いられている。
石板等は省略されている。同図において、１は平板状の
底板、２は底板１上に接着剤３を介して接着配置された
枠状の第１の金属板、４は第１の金属板２上に接着剤３
を介して接着配置された下枠板、５は下枠板４上に形成
された導体パターン、６は下枠板４および導体パターン
５上に接着剤３を介して接着配置された枠状の第２の金
属板、７は第２の金属板６上に接着剤３を介して接着配
置された上枠板、８は導体パターン５に電気的に接続さ
れた信号伝搬用リード、９は底板１上に接着剤３を介し
て接着配置された磁気バブルメモリ素子である。この場
合、底板１．下枠板４および上枠板７は例えばエポキシ
系あるいはビフェニールトリアジン系などの耐熱合成樹
脂板、第１の金属板２および第２の金属板６は例えば銅
、ニッケル、アルミニウムあるいは金などの薄い金属板
材でそれぞれ形成され、また接着剤３は例えば２液温合
形接着剤などのアミン系接着剤が用いられている。
このような構成によれば、このパッケージは、底板１．
下枠板４および上枠板Ｔの層間に接着剤３を介して第１
．第２の金属板２，６をそれぞれ接着配置させる積層構
成としたことによって、こ ゛のパッケージの外周部分
に、高温加熱状態下でトランスファモールド用樹脂が高
い圧力で注入されでも、その応力に対して第１．第２の
金属板２゜６がダンパ〜として作用し、パッケージに加
わる歪および変形を吸収することができるので、パッケ
ージ積層構造の剥離を防止することができる。
下枠板４および上枠板Ｔの層間に接着剤３を介して第１
．第２の金属板２，６をそれぞれ接着配置させる積層構
成としたことによって、こ ゛のパッケージの外周部分
に、高温加熱状態下でトランスファモールド用樹脂が高
い圧力で注入されでも、その応力に対して第１．第２の
金属板２゜６がダンパ〜として作用し、パッケージに加
わる歪および変形を吸収することができるので、パッケ
ージ積層構造の剥離を防止することができる。
なお、前述した実施例においては、パッケージを構成す
る各種合成樹脂材板間に設ける金属層として銅、ニッケ
ル、アルミニウムあるいは金などの金属板を用いた場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、パッケージを構成する各底板、下枠板および上
枠板等と同一形状に化学腐蝕法によシ加工し易い金属材
料であれば、特にその材料には限定されないものである
。
る各種合成樹脂材板間に設ける金属層として銅、ニッケ
ル、アルミニウムあるいは金などの金属板を用いた場合
について説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、パッケージを構成する各底板、下枠板および上
枠板等と同一形状に化学腐蝕法によシ加工し易い金属材
料であれば、特にその材料には限定されないものである
。
また、各種合成樹脂板上に金属板が予め敷設されて化学
腐蝕法により得られる導体パターンがある場合には本願
の金属板を配置しなくても同様の効果が得られることは
自明である。
腐蝕法により得られる導体パターンがある場合には本願
の金属板を配置しなくても同様の効果が得られることは
自明である。
以上説明したように本発明によれば、樹脂成形時に発生
するパッケージ積層構造の剥離を確実に防止することが
できるので、このパッケージに固定配置される磁気バブ
ルメモリ素子２回転磁界発生用コイルおよび信号伝搬用
リードなどの取付位置の変位の発生が皆無となシ、全て
の磁気バブルメモリデバイスの電気的特性が一定となる
ので、品質および信頼性が大幅に向上できるという極め
て優れた効果が得られる。
するパッケージ積層構造の剥離を確実に防止することが
できるので、このパッケージに固定配置される磁気バブ
ルメモリ素子２回転磁界発生用コイルおよび信号伝搬用
リードなどの取付位置の変位の発生が皆無となシ、全て
の磁気バブルメモリデバイスの電気的特性が一定となる
ので、品質および信頼性が大幅に向上できるという極め
て優れた効果が得られる。
図は本発明による磁気ノープルメモリデノくイスの一例
を示すパッケージ部分の要部断面構成図である０１・・
・・底板、２・・・・第１の金属板、３・・・・接着剤
、４・・・・下枠板、５・・・・導体パターン、６・・
・・第２の金属板、７・・・・上枠板、８・・・Φリー
ド、９・・ −・磁気ノくプルメモリ素子。 代理人弁理士 高 橋 明 夫
を示すパッケージ部分の要部断面構成図である０１・・
・・底板、２・・・・第１の金属板、３・・・・接着剤
、４・・・・下枠板、５・・・・導体パターン、６・・
・・第２の金属板、７・・・・上枠板、８・・・Φリー
ド、９・・ −・磁気ノくプルメモリ素子。 代理人弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 複数の合成樹脂板を積層配置して構成されるパッケージ
のキャビティ内に磁気バブルメモリ素子を固定配置し、
前記パッケージに回転磁界発生用コイルおよび信号伝搬
用リードを設け、その周辺部を樹脂成形してなる磁気バ
ブルメモリデバイスにおいて、前記パッケージを構成す
る合成樹脂板積層間に金属層を設けたことを特徴とする
磁気バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067617A JPS60211680A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067617A JPS60211680A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211680A true JPS60211680A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13350105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067617A Pending JPS60211680A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211680A (ja) |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067617A patent/JPS60211680A/ja active Pending
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