JPS61255581A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS61255581A JPS61255581A JP9592385A JP9592385A JPS61255581A JP S61255581 A JPS61255581 A JP S61255581A JP 9592385 A JP9592385 A JP 9592385A JP 9592385 A JP9592385 A JP 9592385A JP S61255581 A JPS61255581 A JP S61255581A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- bubble memory
- magnetic field
- element mounting
- memory device
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリデバイスおよびその製造方法
に係わシ、特に磁気パズルメモリデバイスの基板組立体
の変形対策に好適なパッケージング構造に関するもので
ある。
に係わシ、特に磁気パズルメモリデバイスの基板組立体
の変形対策に好適なパッケージング構造に関するもので
ある。
一般に磁気パズルメモリデバイスは、第４図に示すよう
な内部構造を有している。すなわち同図において、１Ｋ
１１ｂはデータを磁気バブルで書き込み、読み出しおよ
び記憶を行なう磁気バブルメモリ素子（以下素子と称す
る）、２は２個の素子［ａ 、 １ｂを所定の搭載部２
＆に接着して固定配置させるプリント配線基板（以下基
板と称する）、３ｍ、３ｂは素子ｔａ、１ｂの外周部に
Ｘ軸、Ｙ軸方向に巻設されて磁気パズル駆動用回転磁界
を印加する回転磁界駆動用Ｘ、Ｙコイル（以下Ｘコイル
。
な内部構造を有している。すなわち同図において、１Ｋ
１１ｂはデータを磁気バブルで書き込み、読み出しおよ
び記憶を行なう磁気バブルメモリ素子（以下素子と称す
る）、２は２個の素子［ａ 、 １ｂを所定の搭載部２
＆に接着して固定配置させるプリント配線基板（以下基
板と称する）、３ｍ、３ｂは素子ｔａ、１ｂの外周部に
Ｘ軸、Ｙ軸方向に巻設されて磁気パズル駆動用回転磁界
を印加する回転磁界駆動用Ｘ、Ｙコイル（以下Ｘコイル
。
Ｙコイルと称する）、４はＸコイル３＆、Ｙコイル３ｂ
組立体の外面に配設されて素子ｊａ、１ｂにバイアス磁
界を印加するバイアス磁界駆動用永久磁石板（以下永久
磁石板と称する）、５は永久磁石板４のＹコイル３ｂ側
に接着配置されて素子１１゜１ｂに印加させるバイアス
磁界を均一化させる整磁板、６は素子１ａ 、ｆｂを搭
載した基板２の背面側周縁部に配設されて素子１ｍ 、
１ｂの磁気バブルクリア、テスティング用磁界を発生
させるループ状のバイアス磁界発生用コイル（以下バイ
アスコイルと称する）であシ、このバイアスコイル６の
背面側には図示されないが、前述した永久磁石板４およ
び整磁板５と同一構成の永久磁石板および整磁板が各一
対となって配設されている。７は基板２の第１の端子部
２ｂ 、第２の端子部２Ｃに配設された入出力信号取シ
出し用リード（以下リードと称する）、８は外部磁界を
遮蔽させるシールドケース（以下ケースと称する）、９
は対向配置された一対の永久磁石板４．整磁板５に対し
て素子１’ａ、１ｂを搭載した基板２を所定の傾斜角を
もたせてケース８内に固定配置させるモールドレジンで
ある。
組立体の外面に配設されて素子ｊａ、１ｂにバイアス磁
界を印加するバイアス磁界駆動用永久磁石板（以下永久
磁石板と称する）、５は永久磁石板４のＹコイル３ｂ側
に接着配置されて素子１１゜１ｂに印加させるバイアス
磁界を均一化させる整磁板、６は素子１ａ 、ｆｂを搭
載した基板２の背面側周縁部に配設されて素子１ｍ 、
１ｂの磁気バブルクリア、テスティング用磁界を発生
させるループ状のバイアス磁界発生用コイル（以下バイ
アスコイルと称する）であシ、このバイアスコイル６の
背面側には図示されないが、前述した永久磁石板４およ
び整磁板５と同一構成の永久磁石板および整磁板が各一
対となって配設されている。７は基板２の第１の端子部
２ｂ 、第２の端子部２Ｃに配設された入出力信号取シ
出し用リード（以下リードと称する）、８は外部磁界を
遮蔽させるシールドケース（以下ケースと称する）、９
は対向配置された一対の永久磁石板４．整磁板５に対し
て素子１’ａ、１ｂを搭載した基板２を所定の傾斜角を
もたせてケース８内に固定配置させるモールドレジンで
ある。
なお、このような磁気パズルメモリデバイスの構造は、
例えば特開昭５４−１４６４１号公報に詳細に記載され
ている。
例えば特開昭５４−１４６４１号公報に詳細に記載され
ている。
しかしながら、このように構成される磁気バブルメモリ
デバイスは、第５図に示すように２個の素子１ａ、ｌｂ
を搭載した基板２にＸコイル３＆。
デバイスは、第５図に示すように２個の素子１ａ、ｌｂ
を搭載した基板２にＸコイル３＆。
Ｙコイル３ｂを組み込んだ後、外側にあるＹコイル３ｂ
と基板２の第１の端子部２ｂおよびＹコイル３ｂと基板
２の第２の端子部２Ｃとの間に形成されているスリット
部１０の全面に接着剤１１を塗布シてＸコイル３ａ、Ｙ
コイル３ｂと６第１の端子部２ｂ 、第２の端子部２Ｃ
とを接着固定して基板組立体１２を製作し、しかる後、
第６図に示すように上部金型１３と下部金型１４との対
向面に各一対の永久磁石板４．整磁板５を磁気的に接着
保持させた内部に前記基板組立体１２を所定の傾斜角を
もたせて配置し、ゲート１５から加熱溶融したレジンを
約５０ ｋｇ／ ｄ程度の圧力で注入して硬化させるこ
とによシ、モールドレジン９を形成していた。この結果
、第７図に示すように素子１ａ ＋ Ｉｂを搭載した基
板２上に巻設されたＸコイル３ａとＹコイル３ｂとの間
にモールドレジン９が侵入し、隙間Ｇを形成させ、Ｘコ
イル３ｍ、Ｙコイル３ｂが変形してインダクタンスが増
大し、素子１ｍ、１ｂに印加される回転磁界が小さくな
シ、磁気パズルメモリデバイスの電気的特性を低下させ
てしまうという問題があった。また、第５図に示すよう
に基板組立体１２は、スリット部１０全体が接着剤１１
によシ閉塞されているので、上部金型１３．下部金型１
４にセットしてゲート１５から加熱溶融したレジンを約
５Ｑｋｇ／ｄ程度の高い圧力で注入した場合に加熱溶融
レジンの流れの影響によシ基板組立体１２が上方向にシ
フトし、この基板組立体１２の上部において溶融レジン
の流れが低下して第６図に示すように基板組立体１２と
整磁板５との間に所定値以上の隙間が形成され、永久磁
石板４．整磁板５組立体と基板組立体１２との間に所定
傾斜角θが得られなくなシ、２個の素子ｊａ １１ｂ相
互間の傾斜角が不一致となって電気的特性の低下の発生
原因と々っていた。
と基板２の第１の端子部２ｂおよびＹコイル３ｂと基板
２の第２の端子部２Ｃとの間に形成されているスリット
部１０の全面に接着剤１１を塗布シてＸコイル３ａ、Ｙ
コイル３ｂと６第１の端子部２ｂ 、第２の端子部２Ｃ
とを接着固定して基板組立体１２を製作し、しかる後、
第６図に示すように上部金型１３と下部金型１４との対
向面に各一対の永久磁石板４．整磁板５を磁気的に接着
保持させた内部に前記基板組立体１２を所定の傾斜角を
もたせて配置し、ゲート１５から加熱溶融したレジンを
約５０ ｋｇ／ ｄ程度の圧力で注入して硬化させるこ
とによシ、モールドレジン９を形成していた。この結果
、第７図に示すように素子１ａ ＋ Ｉｂを搭載した基
板２上に巻設されたＸコイル３ａとＹコイル３ｂとの間
にモールドレジン９が侵入し、隙間Ｇを形成させ、Ｘコ
イル３ｍ、Ｙコイル３ｂが変形してインダクタンスが増
大し、素子１ｍ、１ｂに印加される回転磁界が小さくな
シ、磁気パズルメモリデバイスの電気的特性を低下させ
てしまうという問題があった。また、第５図に示すよう
に基板組立体１２は、スリット部１０全体が接着剤１１
によシ閉塞されているので、上部金型１３．下部金型１
４にセットしてゲート１５から加熱溶融したレジンを約
５Ｑｋｇ／ｄ程度の高い圧力で注入した場合に加熱溶融
レジンの流れの影響によシ基板組立体１２が上方向にシ
フトし、この基板組立体１２の上部において溶融レジン
の流れが低下して第６図に示すように基板組立体１２と
整磁板５との間に所定値以上の隙間が形成され、永久磁
石板４．整磁板５組立体と基板組立体１２との間に所定
傾斜角θが得られなくなシ、２個の素子ｊａ １１ｂ相
互間の傾斜角が不一致となって電気的特性の低下の発生
原因と々っていた。
本発明の目的は、モールド後の基板組立体の変形を防止
して磁気バブルメモリデバイスの電気的特性を向上させ
ることのできる磁気バブルメモリデバイスおよびその製
造方法を提供することにある０ 本発明の他の目的は、モールド後、基板組立体を永久磁
石板、整磁板に対して所定の傾斜角度で固定配置するこ
とのできる磁気バブルメモリデバイスの製造方法を提供
することにある。
して磁気バブルメモリデバイスの電気的特性を向上させ
ることのできる磁気バブルメモリデバイスおよびその製
造方法を提供することにある０ 本発明の他の目的は、モールド後、基板組立体を永久磁
石板、整磁板に対して所定の傾斜角度で固定配置するこ
とのできる磁気バブルメモリデバイスの製造方法を提供
することにある。
本発明のさらに他の目的は、Ｘコイル、Ｙコイルの変形
の発生を防止して電気的特性を向上させることのできる
磁気バブルメモリデバイスの製造方法を提供することに
ある。
の発生を防止して電気的特性を向上させることのできる
磁気バブルメモリデバイスの製造方法を提供することに
ある。
本発明の一実施例によれば、基板組立体の周辺部全体に
わたってモールドレジンが均一に流れて充填されるので
、基板組立体の変形を防止でき、また基板組立体に装着
されたＸコイルＹコイル組立体を熱圧着整形することに
よシ、Ｘコイル、Ｙコイルの変形を防止し、電気的特性
を向上させることができる磁気バブルメモリデバイスが
提供される。
わたってモールドレジンが均一に流れて充填されるので
、基板組立体の変形を防止でき、また基板組立体に装着
されたＸコイルＹコイル組立体を熱圧着整形することに
よシ、Ｘコイル、Ｙコイルの変形を防止し、電気的特性
を向上させることができる磁気バブルメモリデバイスが
提供される。
第１図は本発明による磁気バブルデバイスおよびその製
造方法の一実施例を説明するための基板組立体の要部平
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、図示しない２個の素子１ｍ 、ｊ
ｂを素子搭載部２＆に接着固定させた基板２は、Ｘ軸方
向からＸコイル３ａを、Ｙ軸方向からＹコイル３ｂをそ
れぞれ挿入配置した後、第２図に要部断面図で示すよう
に上部整形型２０と、固定した下部整形型２１との間に
基板組立体１２′を配置し、温度１２０〜１８０℃、圧
力２〜１００ｋｌＦ／−の条件で上部整形型２０を矢印
Ａ方向に圧力を加え、Ｙコイル３ｂ、Ｘコイル３＆を熱
圧着して整形し、基板２上にＸコイル３龜とＹコイル３
ｂとを密着させる。次にこの基板２の左右側基板スリッ
ト部１０の開口端側に、部分的にエポキシ系の接着剤ｊ
ｊａ 、 Ｉｌｂを塗布し、接着硬貨させて基板２の６
第１の端子部２ｂ 、第２の端子部２ｃと、２個の素子
１ａ ＋１ｂ ＋ Ｙコイル３ｂ。
造方法の一実施例を説明するための基板組立体の要部平
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、図示しない２個の素子１ｍ 、ｊ
ｂを素子搭載部２＆に接着固定させた基板２は、Ｘ軸方
向からＸコイル３ａを、Ｙ軸方向からＹコイル３ｂをそ
れぞれ挿入配置した後、第２図に要部断面図で示すよう
に上部整形型２０と、固定した下部整形型２１との間に
基板組立体１２′を配置し、温度１２０〜１８０℃、圧
力２〜１００ｋｌＦ／−の条件で上部整形型２０を矢印
Ａ方向に圧力を加え、Ｙコイル３ｂ、Ｘコイル３＆を熱
圧着して整形し、基板２上にＸコイル３龜とＹコイル３
ｂとを密着させる。次にこの基板２の左右側基板スリッ
ト部１０の開口端側に、部分的にエポキシ系の接着剤ｊ
ｊａ 、 Ｉｌｂを塗布し、接着硬貨させて基板２の６
第１の端子部２ｂ 、第２の端子部２ｃと、２個の素子
１ａ ＋１ｂ ＋ Ｙコイル３ｂ。
Ｘコイル３＆を装着した素子搭載部２ａとをそれぞれ機
械的に固定させるとともに、基板スリット部１０にはそ
れぞれ開口部１０ｍ 、 １０ｂが形成される。しかる
後、この基板２の第１の端子部２ｂおよび第２の端子部
２Ｃの所定位置に複数本のり−ドＴをそれぞれ固着配置
させて基板組立体１２′が構成されている。
械的に固定させるとともに、基板スリット部１０にはそ
れぞれ開口部１０ｍ 、 １０ｂが形成される。しかる
後、この基板２の第１の端子部２ｂおよび第２の端子部
２Ｃの所定位置に複数本のり−ドＴをそれぞれ固着配置
させて基板組立体１２′が構成されている。
このような構成によれば、この基板組立体１２′を、第
６図に示すような上部金型１３と下部金型１４との間に
保持してゲート１５から加熱溶融したレジンを約５０に
９／ｃｔｄの圧力で注入した場合、溶融レジンは基板ス
リット部１０の左右２個の開口部ｔｏａ 、 １０ｂを
通して上方部分にスムーズに流入するので、基板組立体
１２′の変形をなくすことができるとともに上方向への
シフト量を激減することができる。また、基板組立１体
１２′と永久磁石板４、整磁板５組立体（第６図参照）
との間の隙間の発生も確実に防止できるので、永久磁石
板４゜整磁板５組立体と基板組立体ｆ ２’ととの間に
所定の傾斜角θを保持して配置することができる。すな
わち２個の素子１ｍ 、１ｂ相互間の傾斜角を一致させ
ることができる。特に多数個の素子を搭載した高密度形
磁気バブルメモリデバイスでは各素子の傾斜角精度が向
上でき、その効果は極めて大きい０ また、このような方法によれば、基板組立体１２′をレ
ジンモールドする以前にＸコイル３１゜Ｙコイル３ｂを
熱圧着整形することにより、Ｘコイル３ａ、Ｙコイル３
ｂの巻線が導体芯線に二重の高分子樹脂系の絶縁膜で被
覆されておシ、これらの絶縁膜の表面が若干溶融して基
板２の上下面にならって整列し平担性を向上させて密着
配置されるので、基板２とＸコイル３ａとの間およびＸ
コイル３畠とＹコイル３ｂとの間にモールドレジン９が
侵入して生ずる隙間Ｇ（第７図参照）の発生を確実に防
止することができる。また、基板２上にＸコイル３ａお
よびＹコイル３ｂを熱圧着整形することによシ、隙間が
形成されなくなるので、溶融レジンの注入圧力を小さく
でき、また、ポツティングによるレジンモールド方法も
実施可能となる。
６図に示すような上部金型１３と下部金型１４との間に
保持してゲート１５から加熱溶融したレジンを約５０に
９／ｃｔｄの圧力で注入した場合、溶融レジンは基板ス
リット部１０の左右２個の開口部ｔｏａ 、 １０ｂを
通して上方部分にスムーズに流入するので、基板組立体
１２′の変形をなくすことができるとともに上方向への
シフト量を激減することができる。また、基板組立１体
１２′と永久磁石板４、整磁板５組立体（第６図参照）
との間の隙間の発生も確実に防止できるので、永久磁石
板４゜整磁板５組立体と基板組立体ｆ ２’ととの間に
所定の傾斜角θを保持して配置することができる。すな
わち２個の素子１ｍ 、１ｂ相互間の傾斜角を一致させ
ることができる。特に多数個の素子を搭載した高密度形
磁気バブルメモリデバイスでは各素子の傾斜角精度が向
上でき、その効果は極めて大きい０ また、このような方法によれば、基板組立体１２′をレ
ジンモールドする以前にＸコイル３１゜Ｙコイル３ｂを
熱圧着整形することにより、Ｘコイル３ａ、Ｙコイル３
ｂの巻線が導体芯線に二重の高分子樹脂系の絶縁膜で被
覆されておシ、これらの絶縁膜の表面が若干溶融して基
板２の上下面にならって整列し平担性を向上させて密着
配置されるので、基板２とＸコイル３ａとの間およびＸ
コイル３畠とＹコイル３ｂとの間にモールドレジン９が
侵入して生ずる隙間Ｇ（第７図参照）の発生を確実に防
止することができる。また、基板２上にＸコイル３ａお
よびＹコイル３ｂを熱圧着整形することによシ、隙間が
形成されなくなるので、溶融レジンの注入圧力を小さく
でき、また、ポツティングによるレジンモールド方法も
実施可能となる。
また、本発明の他の実施例として第２図に要部平面図で
示すように基板スリット部１０の中央部分に同様のエポ
キシ系接着剤Ｈｅ 、 １１ｄを塗布して接着硬化させ
、基板組立体１２’を構成しても６第１の端子部２ｍ＋
第２の端子部２ｂと、２個の素子ｌａ、ｊｂおよびＹコ
イル３ｂ、Ｘコイル３ａを装着した素子搭載部２ａとが
それぞれ機械的に強固に接着固定されるとともにスリッ
ト部１０に４個の溶融レジン通路となる開口部１０ｍ
、 １０ｂ 、 １０ｅ、１０ｄがそれぞれ形成される
ので、前述と全く同様の作用効果が得られる。
示すように基板スリット部１０の中央部分に同様のエポ
キシ系接着剤Ｈｅ 、 １１ｄを塗布して接着硬化させ
、基板組立体１２’を構成しても６第１の端子部２ｍ＋
第２の端子部２ｂと、２個の素子ｌａ、ｊｂおよびＹコ
イル３ｂ、Ｘコイル３ａを装着した素子搭載部２ａとが
それぞれ機械的に強固に接着固定されるとともにスリッ
ト部１０に４個の溶融レジン通路となる開口部１０ｍ
、 １０ｂ 、 １０ｅ、１０ｄがそれぞれ形成される
ので、前述と全く同様の作用効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、基板組立体および
回転磁界駆動用コイルの変形の発生を確実に防止するこ
とができるので、磁気バブルメモリデバイスの電気的特
性を向上させ、品質、信頼性の高い磁気バブルメモリデ
バイスが実現できるという極めて優れた効果が得られる
。
回転磁界駆動用コイルの変形の発生を確実に防止するこ
とができるので、磁気バブルメモリデバイスの電気的特
性を向上させ、品質、信頼性の高い磁気バブルメモリデ
バイスが実現できるという極めて優れた効果が得られる
。
第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの一実
施例を説明するための基板組立体の要部平面図、第２図
は本発明による磁気バブルメモリデバイスの製造方法の
一実施例を説明するためのコイル熱圧着整形法を示す要
部断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の基板組立体の要部平面図、第４図は磁気バブルメモリ
デバイスの要部破断斜視図、第５図は磁気バブルメモリ
デバイスの問題点を説明するための基板組立体の要部平
面図、第６図は磁気バブルメモリデバイスのレジンモー
ルディングを示す要部断面図、第７図は磁気バブルメモ
リデバイスの問題点を説明するための基板組立体の要部
断面図である。 ｊａ、１ｂ・・・・磁気バブルメモリ素子（素子）、２
・・・・プリント配線基板（基板）、２１・・・・搭載
部、２ｂ・・・・第１の端子部、２Ｃ・・・・第２の端
子部、３１・・・・回転磁界駆動用Ｘコイル（Ｘコイル
）、３ｂ−−・・回転磁界駆動用Ｙコイル（Ｙコイル）
、４・・・・バイアス磁界駆動用永久磁石板（永久磁石
板）、５・・・・整磁板、６・・・・バイアス磁界発生
用コイル（バイアスコイル）、７・・・・入出力信号取
り出し用リード（リード）、８・・・・シールドケース
（ケース）、９ｍｍｍ−モールドレジン、１Ｑａｓ＊ａ
スリット部、１０ａ 、 １０ｂ 、 １０ｅ 、 １
０ｄｓｏｍｅ開口部、１１ 、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ
、１１ｄ φ・・・接着剤、１２’ 、 １２’・・・
・基板組立体、１３・・・・上部金型、１４・・・・下
部金型、１５・・・・ゲート、２０・・・・上部整形型
、２１・・・・下部整形型。 ７ど＼、 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図
施例を説明するための基板組立体の要部平面図、第２図
は本発明による磁気バブルメモリデバイスの製造方法の
一実施例を説明するためのコイル熱圧着整形法を示す要
部断面図、第３図は本発明の他の実施例を説明するため
の基板組立体の要部平面図、第４図は磁気バブルメモリ
デバイスの要部破断斜視図、第５図は磁気バブルメモリ
デバイスの問題点を説明するための基板組立体の要部平
面図、第６図は磁気バブルメモリデバイスのレジンモー
ルディングを示す要部断面図、第７図は磁気バブルメモ
リデバイスの問題点を説明するための基板組立体の要部
断面図である。 ｊａ、１ｂ・・・・磁気バブルメモリ素子（素子）、２
・・・・プリント配線基板（基板）、２１・・・・搭載
部、２ｂ・・・・第１の端子部、２Ｃ・・・・第２の端
子部、３１・・・・回転磁界駆動用Ｘコイル（Ｘコイル
）、３ｂ−−・・回転磁界駆動用Ｙコイル（Ｙコイル）
、４・・・・バイアス磁界駆動用永久磁石板（永久磁石
板）、５・・・・整磁板、６・・・・バイアス磁界発生
用コイル（バイアスコイル）、７・・・・入出力信号取
り出し用リード（リード）、８・・・・シールドケース
（ケース）、９ｍｍｍ−モールドレジン、１Ｑａｓ＊ａ
スリット部、１０ａ 、 １０ｂ 、 １０ｅ 、 １
０ｄｓｏｍｅ開口部、１１ 、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ
、１１ｄ φ・・・接着剤、１２’ 、 １２’・・・
・基板組立体、１３・・・・上部金型、１４・・・・下
部金型、１５・・・・ゲート、２０・・・・上部整形型
、２１・・・・下部整形型。 ７ど＼、 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の磁気バブルメモリ素子を搭載した素子搭載
部と、前記素子搭載部にスリット部を介在して複数個の
入出力信号取り出し用リードを形成した第１の端子部、
第２の端子部とを同一基板上に設けるとともに、前記素
子搭載部に回転磁界駆動用コイルを装着した基板組立体
を備え、前記各第１の端子部、第２の端子部と、前記回
転磁界駆動用コイルとの間のスリット部を部分的に接着
固定することを特徴とした磁気バブルメモリデバイス。 ２、複数個の磁気バブルメモリ素子を搭載した素子搭載
部と、前記素子搭載部にスリット部を介在して複数個の
入出力信号取り出し用リードを形成した第１の端子部、
第２の端子部とを同一基板上に設けるとともに、前記素
子搭載部に回転磁界駆動用コイルを装着した基板組立体
を備え、前記基板組立体をレジンモールドする以前に、
前記回転磁界駆動用コイルを高温加圧整形する工程を含
むことを特徴とした磁気バブルメモリデバイスの製造方
法。 ３、複数個の磁気バブルメモリ素子を搭載した素子搭載
部と、前記素子搭載部にスリット部を介在して複数個の
入出力信号取り出し用リードを形成した第１の端子部、
第２の端子部とを同一基板上に設けるとともに、前記素
子搭載部に回転磁界駆動用コイルを装着した基板組立体
を備え、前記基板組立体をレジンモールドする以前に、
前記回転磁界駆動用コイルを高温加圧整形し、しかる後
、前記各第１の端子部、第２の端子部と前記回転磁界駆
動用コイルとの間のスリット部に接着剤を塗布し乾燥す
る工程を含むととを特徴とした磁気バブルメモリデバイ
スの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095923A JPH0646509B2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60095923A JPH0646509B2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255581A true JPS61255581A (ja) | 1986-11-13 |
| JPH0646509B2 JPH0646509B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=14150798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095923A Expired - Lifetime JPH0646509B2 (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646509B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563491A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-14 | Nec Corp | Magnetic bubble device |
| JPS5891587A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ用駆動コイルの装着方法 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60095923A patent/JPH0646509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563491A (en) * | 1979-06-19 | 1981-01-14 | Nec Corp | Magnetic bubble device |
| JPS5891587A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-05-31 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ用駆動コイルの装着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646509B2 (ja) | 1994-06-15 |
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