JPS60217624A - 半導体ウエ−ハ製造方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハ製造方法Info
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- JPS60217624A JPS60217624A JP59072646A JP7264684A JPS60217624A JP S60217624 A JPS60217624 A JP S60217624A JP 59072646 A JP59072646 A JP 59072646A JP 7264684 A JP7264684 A JP 7264684A JP S60217624 A JPS60217624 A JP S60217624A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mark
- grinding blade
- identification symbol
- discriminating
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W46/00—Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと呼ぶ
。）の品種を識別するための記号の刻設を容易に行うこ
とができる半導体ウェーッ・製造方法に関する。
。）の品種を識別するための記号の刻設を容易に行うこ
とができる半導体ウェーッ・製造方法に関する。
近時、半導体製品の大量生産にともなって、原素材とし
ての例えば単結晶シリコン（８ｉ ）ウェーッ・の生産
量も厖大なものとなっている。とれらウェーハには１品
質管理を目的として各品種ごとに識別記号が刻設されて
いる。たとえば、第１図はレーザ光による識別記号の刻
設を示している。この方法は、まずウェーハ（Ａ）の周
縁部に傾斜面（Ｂ）を形成し、＝の傾斜面（Ｂ）にレー
ザ光（Ｃ）を照射して、所定の識別記号を刻設するよう
になっている。
ての例えば単結晶シリコン（８ｉ ）ウェーッ・の生産
量も厖大なものとなっている。とれらウェーハには１品
質管理を目的として各品種ごとに識別記号が刻設されて
いる。たとえば、第１図はレーザ光による識別記号の刻
設を示している。この方法は、まずウェーハ（Ａ）の周
縁部に傾斜面（Ｂ）を形成し、＝の傾斜面（Ｂ）にレー
ザ光（Ｃ）を照射して、所定の識別記号を刻設するよう
になっている。
しかるに、上述の方法におばては、レーザ光照射時に、
溶融したウェーハ（Ａ）のスプラッシュ（飛沫）（Ｄ）
が、周囲にへ散し、集積回路パターンが形成される表面
に付着してしまう。また、ウェーハ（Ａ）の表面に付着
したスブラッシ５−（Ｄ）が他工程において不確定的に
脱落して塵埃となシ。
溶融したウェーハ（Ａ）のスプラッシュ（飛沫）（Ｄ）
が、周囲にへ散し、集積回路パターンが形成される表面
に付着してしまう。また、ウェーハ（Ａ）の表面に付着
したスブラッシ５−（Ｄ）が他工程において不確定的に
脱落して塵埃となシ。
製品歩留低下の一因となる。さらに、刻印部位が溶融物
によシ盛り土シ、この盛シ上り（Ｅ）がつ・エーハ（Ａ
）の上面基準のアライメントに支障を生じる。また、他
の方法として、ウェー・・にポンチによシ識別記号を打
刻することも行われているが。
によシ盛り土シ、この盛シ上り（Ｅ）がつ・エーハ（Ａ
）の上面基準のアライメントに支障を生じる。また、他
の方法として、ウェー・・にポンチによシ識別記号を打
刻することも行われているが。
打刻時に機械的衝撃が付加されるので１局所的損壊に基
因する品質低下を惹起する虞があシ、信頼性の点で好ま
しい刻印方法ではなかった。
因する品質低下を惹起する虞があシ、信頼性の点で好ま
しい刻印方法ではなかった。
本発明は、上記事情を参酌してなされたもので。
識別記号の刻設時にウェーッ１本体の品質低下を招くこ
とがない半導体ウェーハ製造方法を提供することを目的
とする。
とがない半導体ウェーハ製造方法を提供することを目的
とする。
ウェーハの端縁部に回転中の研削ブレードによシ、識別
記号をバーコード状に形設するようにしたものである。
記号をバーコード状に形設するようにしたものである。
以下１本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第２図は、この実施例の半導体ウェーッ・製造方法によ
り得られた単結晶シリコンからなるウェーハ（１）ヲ示
している。このウェーッ・（１）は、円柱状の単結晶イ
ンゴットより、例えば内周刃、ワイヤソー等によシ所定
の厚みにスライ゛シングした後、上下両主面をラッピン
グ及びポリシングによシ研磨加工したものである。この
ウェーッ・（１）の一端部には、オリエンテーションフ
ラット（２）が形成されている。しかして、このウェー
ハ（１）の一方の主面のオリエンテーションフラット（
２）部位に、研削砥石を用いて傾斜面（３）を形成する
。ついで、第３図及び第４図に示すように、傾斜面（３
）の長手方向に沿って、厚さ５０μｍ前後の極薄の研削
ブレード（４）を用いて、バーコード状に識別記号（５
）を刻設する。この研削ブレード（４）は１例えばダイ
シング加工にも使われる円環状のものであって、フラン
ジ（６）によシ同軸に支持されている。このフランジ（
６）は、スピンドル（７）に取付けられ、高速で回転駆
動されるようになっている。そうして、ウェーハ（１）
は１図示せぬ保持装置に保持されていて、適時に、矢印
（８）方向及び第４図矢印（９）方向（第３図紙面垂直
方向）にウェーハを変イ立させ、回転中の研削プレート
責４）を傾斜面（３）に接触させ識別記号（５）を刻設
するようになっている。この識別記号（５）は、平行な
直線の組合せからなっていて、これら直線間の間隔によ
シ識別記号を表示するようになっている。この間隔の設
定は、上記保持装置に内蔵されているＮＣ（Ｎｕｍｅｒ
ｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ ；数値制御）機構によシ行
われる。ついで、識別記号（５）刻設後は、水洗して研
削屑を除去して乾燥する。つぎに１次工程にて電気光学
的に識別記号（５）が読み取られ、所定の処理が施され
る。
り得られた単結晶シリコンからなるウェーハ（１）ヲ示
している。このウェーッ・（１）は、円柱状の単結晶イ
ンゴットより、例えば内周刃、ワイヤソー等によシ所定
の厚みにスライ゛シングした後、上下両主面をラッピン
グ及びポリシングによシ研磨加工したものである。この
ウェーッ・（１）の一端部には、オリエンテーションフ
ラット（２）が形成されている。しかして、このウェー
ハ（１）の一方の主面のオリエンテーションフラット（
２）部位に、研削砥石を用いて傾斜面（３）を形成する
。ついで、第３図及び第４図に示すように、傾斜面（３
）の長手方向に沿って、厚さ５０μｍ前後の極薄の研削
ブレード（４）を用いて、バーコード状に識別記号（５
）を刻設する。この研削ブレード（４）は１例えばダイ
シング加工にも使われる円環状のものであって、フラン
ジ（６）によシ同軸に支持されている。このフランジ（
６）は、スピンドル（７）に取付けられ、高速で回転駆
動されるようになっている。そうして、ウェーハ（１）
は１図示せぬ保持装置に保持されていて、適時に、矢印
（８）方向及び第４図矢印（９）方向（第３図紙面垂直
方向）にウェーハを変イ立させ、回転中の研削プレート
責４）を傾斜面（３）に接触させ識別記号（５）を刻設
するようになっている。この識別記号（５）は、平行な
直線の組合せからなっていて、これら直線間の間隔によ
シ識別記号を表示するようになっている。この間隔の設
定は、上記保持装置に内蔵されているＮＣ（Ｎｕｍｅｒ
ｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ ；数値制御）機構によシ行
われる。ついで、識別記号（５）刻設後は、水洗して研
削屑を除去して乾燥する。つぎに１次工程にて電気光学
的に識別記号（５）が読み取られ、所定の処理が施され
る。
とのように１本実施例のウェーハ製造方法は。
識別記号（５）を研削ブレードにょシ刻設するようにし
たので、ウェーハ（１）の本体部分の品質を損うことが
ない。また、識別記号（５）近傍に盛シ上シを生じるこ
とがないので、他工程におけるアライメント精度に悪影
響を及ばずことがない。さらに、識別記号（５）を傾斜
面（３）に形成しているので、刻設加工及び読み取シが
容易となる。
たので、ウェーハ（１）の本体部分の品質を損うことが
ない。また、識別記号（５）近傍に盛シ上シを生じるこ
とがないので、他工程におけるアライメント精度に悪影
響を及ばずことがない。さらに、識別記号（５）を傾斜
面（３）に形成しているので、刻設加工及び読み取シが
容易となる。
なお５上記実施例においては２識別記号を傾斜面上に刻
設しているが、直接、ウェーハの主面端部上に形成して
もよい。また、識別記号刻設位置は、ウェーハの端縁部
であればどこでもよく、オリエンテーションフラット（
２）部位近傍に限定することはない。さらに、識別記号
の刻設を研磨工程の後でなく、研磨前において行うよう
にしてもよい。さらに、識別記号を刻設する代シに、櫛
歯状に穿設するようにしてもよい。
設しているが、直接、ウェーハの主面端部上に形成して
もよい。また、識別記号刻設位置は、ウェーハの端縁部
であればどこでもよく、オリエンテーションフラット（
２）部位近傍に限定することはない。さらに、識別記号
の刻設を研磨工程の後でなく、研磨前において行うよう
にしてもよい。さらに、識別記号を刻設する代シに、櫛
歯状に穿設するようにしてもよい。
本発明の半導体ウェーハ製造方法は、ウェーハの品種を
識別するための記号をバーコード状に研削ブレードにょ
多形成するようにしたので、ウェーハの本体部分の品質
を損う虞がなくなる。さらに、識別記号近傍に盛シ上少
を生じることがないので、他工程におけるアライメント
精度に悪Ｊ＃／響を及ぼすことがない。
識別するための記号をバーコード状に研削ブレードにょ
多形成するようにしたので、ウェーハの本体部分の品質
を損う虞がなくなる。さらに、識別記号近傍に盛シ上少
を生じることがないので、他工程におけるアライメント
精度に悪Ｊ＃／響を及ぼすことがない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の識別記号刻設方法の説明図、第２図は本
発明の一実施例の半導体ウェーハ製造方法によシ得られ
たウェーハの平面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の一実施例の半導体ウェーハの製造方法に用いられる
装置の要部圧ｍ１図及び要部側面図である。 （１）：ウェーハ、 （４） ：研削ブレード。 （５）：識別記号。
発明の一実施例の半導体ウェーハ製造方法によシ得られ
たウェーハの平面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発
明の一実施例の半導体ウェーハの製造方法に用いられる
装置の要部圧ｍ１図及び要部側面図である。 （１）：ウェーハ、 （４） ：研削ブレード。 （５）：識別記号。
Claims (1)
- 単結晶インゴットよシ半導体ウェー７１を切出す工程と
、上記半導体ウェーハの端縁部に回転中の研削ブレード
によシ上記半導体つエーノ＼の識別記号をバーコード状
に形設する工程とを具備することを特徴とする半導体ウ
ェー７１製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072646A JPS60217624A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体ウエ−ハ製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59072646A JPS60217624A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体ウエ−ハ製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217624A true JPS60217624A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13495355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59072646A Pending JPS60217624A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 半導体ウエ−ハ製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217624A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993009565A1 (fr) * | 1991-10-29 | 1993-05-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Appareil et procede pour la fabrication de tranches de semi-conducteur |
| US5698833A (en) * | 1996-04-15 | 1997-12-16 | United Parcel Service Of America, Inc. | Omnidirectional barcode locator |
| US6420792B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| JP2021144963A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 株式会社ディスコ | マーキング方法 |
| JP2023031362A (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの処理方法 |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59072646A patent/JPS60217624A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993009565A1 (fr) * | 1991-10-29 | 1993-05-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Appareil et procede pour la fabrication de tranches de semi-conducteur |
| US5698833A (en) * | 1996-04-15 | 1997-12-16 | United Parcel Service Of America, Inc. | Omnidirectional barcode locator |
| US6420792B1 (en) * | 1999-09-24 | 2002-07-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| US6710364B2 (en) | 1999-09-24 | 2004-03-23 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge marking |
| JP2021144963A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-24 | 株式会社ディスコ | マーキング方法 |
| TWI869554B (zh) * | 2020-03-10 | 2025-01-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 標記方法 |
| JP2023031362A (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの処理方法 |
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