JPS6021897A - 液相エピタキシヤル結晶成長方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル結晶成長方法Info
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- JPS6021897A JPS6021897A JP12718083A JP12718083A JPS6021897A JP S6021897 A JPS6021897 A JP S6021897A JP 12718083 A JP12718083 A JP 12718083A JP 12718083 A JP12718083 A JP 12718083A JP S6021897 A JPS6021897 A JP S6021897A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003630 growth substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/068—Substrate holders
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の背景と目的〕
本発明は液相エピタキシャル結晶成長方法に係り、特に
浸漬法による液相エピタキシャル結晶成長方法の改良に
関するものである。
浸漬法による液相エピタキシャル結晶成長方法の改良に
関するものである。
従来、液相エピタキシャル法による多層結晶成長方法と
しては、スライドボート法によるものおよび浸漬法によ
るものがある。これらは、いずれもエピタキシャル結晶
成長物質を溶質として含む融液内に温度差をつけ、上記
溶質の温度勾配により基板上にその基板と組成の異なる
化合物半導体を単層または多層に成長させる方法である
。このいわゆる温度差法は、成長層各部分の成長温度が
常に一定であることから、過冷却の状態から冷却する冷
却法に比へ、成長結晶の組成の均一性、添加不純物濃度
の均一性等結晶性に優れた成長層を得ることが可能であ
る。
しては、スライドボート法によるものおよび浸漬法によ
るものがある。これらは、いずれもエピタキシャル結晶
成長物質を溶質として含む融液内に温度差をつけ、上記
溶質の温度勾配により基板上にその基板と組成の異なる
化合物半導体を単層または多層に成長させる方法である
。このいわゆる温度差法は、成長層各部分の成長温度が
常に一定であることから、過冷却の状態から冷却する冷
却法に比へ、成長結晶の組成の均一性、添加不純物濃度
の均一性等結晶性に優れた成長層を得ることが可能であ
る。
しかし、その反面、スライドボート法は、昇温−成長−
降温の過程に時間がかかり、量産性に何かないという欠
点がある。また、浸漬法は、量産性は良好であるが、溶
液により基板の裏面にもエピタキシャル結晶成長が起こ
り、それを研磨等により取り除く］二程が必要となり、
工程上不都合な面があるいう欠点がある。
降温の過程に時間がかかり、量産性に何かないという欠
点がある。また、浸漬法は、量産性は良好であるが、溶
液により基板の裏面にもエピタキシャル結晶成長が起こ
り、それを研磨等により取り除く］二程が必要となり、
工程上不都合な面があるいう欠点がある。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、量産性が良好で、しかも、基板の裏面にエピ
タキシャル結晶成長が起こることがない浸漬法による液
層エピタキシャル結晶成長方法を提供することにある。
ところは、量産性が良好で、しかも、基板の裏面にエピ
タキシャル結晶成長が起こることがない浸漬法による液
層エピタキシャル結晶成長方法を提供することにある。
本発明の特徴は、溶液中へ基板【浸漬する工程において
、基板の裏面を互いに背中合わせにし、その間にスペー
サをはさんて、上記スパー１ノとの間の隙間をなくし、
上記各基板の裏面にエピタキシャル結晶成長が起こるこ
となく、上記各基板の表面のみに同時にエピタキシャル
結晶成長させるようにした点にある。
、基板の裏面を互いに背中合わせにし、その間にスペー
サをはさんて、上記スパー１ノとの間の隙間をなくし、
上記各基板の裏面にエピタキシャル結晶成長が起こるこ
となく、上記各基板の表面のみに同時にエピタキシャル
結晶成長させるようにした点にある。
以下本発明の方法の一実施例を第１図、第２図を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係る浸漬による液層による液層エピタ
キシャル結晶成長を行う場合の基板の支持機構の一例を
示す構成図で、（ａ）は正面図、（ｂ）側面図である。
キシャル結晶成長を行う場合の基板の支持機構の一例を
示す構成図で、（ａ）は正面図、（ｂ）側面図である。
第１図において、ｌは基板、２はグラファイトスペーサ
、３はホルダーで、それぞれ２枚の基板ｌの裏面を背中
合わせとし、その間ζこクラファイトスペーサ２をはさ
んで、基板１とクラファイトスペーサ２との間に隙間が
ないように基板ボルダ−３で保持しつある。
、３はホルダーで、それぞれ２枚の基板ｌの裏面を背中
合わせとし、その間ζこクラファイトスペーサ２をはさ
んで、基板１とクラファイトスペーサ２との間に隙間が
ないように基板ボルダ−３で保持しつある。
本発明の方法においては、このように構成したものを゛
浸漬用溶液に浸漬し、エピタキシャル結晶成長させ る
ようにした。
浸漬用溶液に浸漬し、エピタキシャル結晶成長させ る
ようにした。
ここに、表面を鏡面研磨した５５ｍｍ Ｘ ５０ｍｍ
ＸＯ，４ｍｍ 大きさの２枚のＧａΔＳ基板ｌ基板面な
背中合わせにして、その間に１ ｍｍ厚さのグライドス
ペーサ２をはさみ、これを１組として１０組をグラフア
イ製の基板ボルダ３によって第１図に示すようにセット
した。これを互いに組成の異なる３つの浸漬用溶液に順
次浸漬し、多層エピタキシャル結晶成長を行った。結晶
成長後、基板ボルダ３から基板ｌをはずして観察したと
ころ、基板ｌの表面は、厚さ均一に結晶成長していたが
、基板ｌの裏面には結晶成長のまわり込みがなく、良好
な３層エピタキシャルウェハが得られる。
ＸＯ，４ｍｍ 大きさの２枚のＧａΔＳ基板ｌ基板面な
背中合わせにして、その間に１ ｍｍ厚さのグライドス
ペーサ２をはさみ、これを１組として１０組をグラフア
イ製の基板ボルダ３によって第１図に示すようにセット
した。これを互いに組成の異なる３つの浸漬用溶液に順
次浸漬し、多層エピタキシャル結晶成長を行った。結晶
成長後、基板ボルダ３から基板ｌをはずして観察したと
ころ、基板ｌの表面は、厚さ均一に結晶成長していたが
、基板ｌの裏面には結晶成長のまわり込みがなく、良好
な３層エピタキシャルウェハが得られる。
なお、従来の浸漬法による液相エピタキシャル結晶成長
方法によれば、第２図に示すように、基板の両面にエピ
タキシャル結晶成長層４，５゜６が形成され、このため
、結晶成長後、＃ ３０００の炭化珪素の粉末でＧａＡ
ｓ基板ｌ基板面のエピタキシャル結晶成長層４，５．．
６を除去する必要があった。
方法によれば、第２図に示すように、基板の両面にエピ
タキシャル結晶成長層４，５゜６が形成され、このため
、結晶成長後、＃ ３０００の炭化珪素の粉末でＧａＡ
ｓ基板ｌ基板面のエピタキシャル結晶成長層４，５．．
６を除去する必要があった。
これに対して、本発明の方法によれば、液相エピタキシ
ャル結晶成長を行っただけで、使用可能の三層構造のエ
ピタキシャルウェハを得ることができる。
ャル結晶成長を行っただけで、使用可能の三層構造のエ
ピタキシャルウェハを得ることができる。
なお、上記した実施例では、グラファイトスペーサ３を
用いているが、ガーガンスペーサとしでもよく、要する
熱伝導性が良好で、不純物の混入がなく、基板ｌの面内
の温度分イ［の均一性および結晶成長層の高純度化をは
かれるものであればよい。
用いているが、ガーガンスペーサとしでもよく、要する
熱伝導性が良好で、不純物の混入がなく、基板ｌの面内
の温度分イ［の均一性および結晶成長層の高純度化をは
かれるものであればよい。
以上説明したように、本発明によれば、量産性が良好で
、しかも、基板の裏面にコービタキシＡ・小結晶成長が
起こることがないので、研磨等の工程をはふくことがで
き、生産性を高めることができるという効果がある。
、しかも、基板の裏面にコービタキシＡ・小結晶成長が
起こることがないので、研磨等の工程をはふくことがで
き、生産性を高めることができるという効果がある。
第１図は本発明に係る浸漬法による液相エピタキシャル
結晶成長を行う場合の基板の支持機構の一例を示す構成
図、第２図は従来の浸漬法による液相エピタキシャル結
晶成長の場合の基板の結晶成長状態を示す断面図である
。 ｌ：基板、２ニゲラフアイトスペーサ。 ３：基板ホルダ。 見 １ 図 α） 見 Ｚ 目
結晶成長を行う場合の基板の支持機構の一例を示す構成
図、第２図は従来の浸漬法による液相エピタキシャル結
晶成長の場合の基板の結晶成長状態を示す断面図である
。 ｌ：基板、２ニゲラフアイトスペーサ。 ３：基板ホルダ。 見 １ 図 α） 見 Ｚ 目
Claims (1)
- （１） 浸漬法による結晶成長方法において、基板の裏
面を互いに背中合わせにし、その間にスペーサをはさん
だ状態で溶液中に浸漬し、前記背中合わせにした２枚の
基板の表面のみに同時にエピタキシャル結晶成長させる
ことを特徴とする液相エピタキシャル結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12718083A JPS6021897A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 液相エピタキシヤル結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12718083A JPS6021897A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 液相エピタキシヤル結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021897A true JPS6021897A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=14953649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12718083A Pending JPS6021897A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 液相エピタキシヤル結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021897A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922126A (en) * | 1996-05-31 | 1999-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus, and its wafer holder |
| EP2360721A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
| EP2360720A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
| CN106098859A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-11-09 | 四川英发太阳能科技有限公司 | 一种集收集存储于一体的晶体硅太阳能电池片的存储装置 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12718083A patent/JPS6021897A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922126A (en) * | 1996-05-31 | 1999-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus, and its wafer holder |
| EP2360721A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
| EP2360720A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-08-24 | Saint-Gobain Glass France | Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen |
| WO2011104231A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Saint Gobain Glass France | Einrichtung zum ausbilden eines reduzierten kammerraums, sowie verfahren zum positionieren von mehrschichtkörpern |
| WO2011104222A1 (de) * | 2010-02-23 | 2011-09-01 | Saint Gobain Glass France | Anordnung, anlage und verfahren zur prozessierung von mehrschichtkörpern |
| JP2013520565A (ja) * | 2010-02-23 | 2013-06-06 | サン−ゴバン グラス フランス | 多層体を処理するための配列、システム、および方法 |
| US9236282B2 (en) | 2010-02-23 | 2016-01-12 | Saint-Gobain Glass France | Arrangement, system, and method for processing multilayer bodies |
| US9352431B2 (en) | 2010-02-23 | 2016-05-31 | Saint-Gobain Glass France | Device for forming a reduced chamber space, and method for positioning multilayer bodies |
| CN106098859A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-11-09 | 四川英发太阳能科技有限公司 | 一种集收集存储于一体的晶体硅太阳能电池片的存储装置 |
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