JPH0543109Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543109Y2 JPH0543109Y2 JP1987030658U JP3065887U JPH0543109Y2 JP H0543109 Y2 JPH0543109 Y2 JP H0543109Y2 JP 1987030658 U JP1987030658 U JP 1987030658U JP 3065887 U JP3065887 U JP 3065887U JP H0543109 Y2 JPH0543109 Y2 JP H0543109Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- raw material
- material solution
- slide plate
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、化合物半導体結晶成長装置に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
化合物半導体の液相エピタキシヤル成長工程に
おいては、通常、原料溶液溜治具とスライド板か
ら成るスライドボートを用いて、原料溶液溜治具
に原料溶液を収容し、スライド板に基板を設置
し、基板を溶液に接触させて結晶の成長を行わせ
る方式が用いらられているが、エピタキシヤル層
の数が増加したりあるいは基板の寸法が大形にな
ると、スライドボートにも大形のものを用いる必
要が生ずる。
おいては、通常、原料溶液溜治具とスライド板か
ら成るスライドボートを用いて、原料溶液溜治具
に原料溶液を収容し、スライド板に基板を設置
し、基板を溶液に接触させて結晶の成長を行わせ
る方式が用いらられているが、エピタキシヤル層
の数が増加したりあるいは基板の寸法が大形にな
ると、スライドボートにも大形のものを用いる必
要が生ずる。
［考案が解決しようとする問題点］
上述したように、エピタキシヤル層の増加や基
板寸法の大形化に伴つてスライドボートにも大形
のものが必要となるが、スライドボートが大形に
なると、これを構成する材料例えばグラフアイト
の異方性により均熱性が低下して安定した多層エ
ピタキシヤル成長を行なうことが困難となり、エ
ピタキシヤル層の面内の不純物濃度が不均一とな
り、また膜厚のばらつきが大きくなつてしまう。
板寸法の大形化に伴つてスライドボートにも大形
のものが必要となるが、スライドボートが大形に
なると、これを構成する材料例えばグラフアイト
の異方性により均熱性が低下して安定した多層エ
ピタキシヤル成長を行なうことが困難となり、エ
ピタキシヤル層の面内の不純物濃度が不均一とな
り、また膜厚のばらつきが大きくなつてしまう。
本考案の目的は、エピタキシヤル層の面内の不
純物濃度及び膜厚の均一性を向上することができ
る均熱特性の良好なスライドボートを有する化合
物半導体結晶成長装置を提供することにある。
純物濃度及び膜厚の均一性を向上することができ
る均熱特性の良好なスライドボートを有する化合
物半導体結晶成長装置を提供することにある。
［問題点が解決するための手段］
本考案は、原料溶液と基板とをスライドボート
に入れ、この基板を移動して前記溶液と接触させ
て化合物結晶薄膜を成長させる化合物半導体結晶
成長装置において、前記スライドボートが、成層
格子の方向が前記基板の移動方向と一致するグラ
フアイトよりなることを特徴とし、スライドボー
トの熱特性が均一になるようにして目的の達成を
計つたものである。
に入れ、この基板を移動して前記溶液と接触させ
て化合物結晶薄膜を成長させる化合物半導体結晶
成長装置において、前記スライドボートが、成層
格子の方向が前記基板の移動方向と一致するグラ
フアイトよりなることを特徴とし、スライドボー
トの熱特性が均一になるようにして目的の達成を
計つたものである。
［作用］
グラフアイトは、第３図に示すように、複数の
微小層が積層されて構成されている。
微小層が積層されて構成されている。
本考案の化合物半導体結晶成長装置では、エピ
タキシヤル成長に用いられるグラフアイト製のス
ライドボートを製作する場合に、グラフアイトの
いわゆる成層格子の方向Ｙを基板の移動する方
向、即ちエピタキシヤル成長炉内の均熱化される
方向と一致するようにしてあるので、スライドボ
ートの熱伝導特性が向上してスライドボート内の
熱特性か均一となり、結晶成長時の不純物濃度を
均一にして膜厚の一定な高品質の化合物半導体結
晶を得ることができる。
タキシヤル成長に用いられるグラフアイト製のス
ライドボートを製作する場合に、グラフアイトの
いわゆる成層格子の方向Ｙを基板の移動する方
向、即ちエピタキシヤル成長炉内の均熱化される
方向と一致するようにしてあるので、スライドボ
ートの熱伝導特性が向上してスライドボート内の
熱特性か均一となり、結晶成長時の不純物濃度を
均一にして膜厚の一定な高品質の化合物半導体結
晶を得ることができる。
［実施例］
以下、本考案の一実施例を図により説明する。
第１図は本考案の化合物半導体結晶成長装置の
一実施例の説明図である。
一実施例の説明図である。
図において２はスライド板、３はスライド板２
に取付られた基板、４Ａ，４Ｂ，４Ｃは例えば
Ga溶液にGaAs結晶を溶解した原料融液で夫々組
成等が異なる。１は原料溶液４Ａ〜４Ｃを入れる
原料溶液溜である。５は支持体である。
に取付られた基板、４Ａ，４Ｂ，４Ｃは例えば
Ga溶液にGaAs結晶を溶解した原料融液で夫々組
成等が異なる。１は原料溶液４Ａ〜４Ｃを入れる
原料溶液溜である。５は支持体である。
この実施例では、基板３をスライド板２と共に
図の矢印×方向に移動させ、原料溶液４Ａ，４
Ｂ，４Ｃと次々に接触させることにより基板３の
上に性質の異なる単結晶を多層成長させることが
できる。
図の矢印×方向に移動させ、原料溶液４Ａ，４
Ｂ，４Ｃと次々に接触させることにより基板３の
上に性質の異なる単結晶を多層成長させることが
できる。
原料溶液溜治具１、スライド板２、及び支持体
５はグラフアイトを材料にして作成されている
が、これらの各部品を作るグラフアイトの成層格
子の方向を図の矢印×の方向、即ち基板３の移動
方向と一致するようにしてあるので、成長装置の
熱伝導度が良好となり、かつ均熱特性が著しく向
上し、高品質の多層エピタキシヤル成長層を得る
ことができる。
５はグラフアイトを材料にして作成されている
が、これらの各部品を作るグラフアイトの成層格
子の方向を図の矢印×の方向、即ち基板３の移動
方向と一致するようにしてあるので、成長装置の
熱伝導度が良好となり、かつ均熱特性が著しく向
上し、高品質の多層エピタキシヤル成長層を得る
ことができる。
第１図では原料溶液には４Ａ，４Ｂ，４Ｃと三
種類の溶液を用いる場合について示したが、二種
以下、或は四種以上用いる場合にも同様に適用す
ることができる。
種類の溶液を用いる場合について示したが、二種
以下、或は四種以上用いる場合にも同様に適用す
ることができる。
又、第２図に示すような基板３を縦に設置する
形式のスライドボートでは原料溶液溜治具６を形
成するグラフアイトの成層格子の方向を図の矢印
Ｙ方向と一致させることにより、成長装置熱伝導
度及び均熱特性が向上し、高品質の結晶を成長さ
せることができる。
形式のスライドボートでは原料溶液溜治具６を形
成するグラフアイトの成層格子の方向を図の矢印
Ｙ方向と一致させることにより、成長装置熱伝導
度及び均熱特性が向上し、高品質の結晶を成長さ
せることができる。
実施例 １
基板の移動方向とグラフアイトの成層格子の方
向を一致させた第２図に示したスライドボートに
より、GaAs基板上にSi濃度１×1018cm-3を目標
として20μｍのGaAs層を成長させた。得られた
GaAs層の面ない不純物濃度のばらつきは±８％
以下であり、膜厚のばらつきは±2μｍ以下であ
つた。
向を一致させた第２図に示したスライドボートに
より、GaAs基板上にSi濃度１×1018cm-3を目標
として20μｍのGaAs層を成長させた。得られた
GaAs層の面ない不純物濃度のばらつきは±８％
以下であり、膜厚のばらつきは±2μｍ以下であ
つた。
比較例 １
無配向性グラフアイトからなるスライドボート
を使用して、実施例１と同じ条件でGaAs層を成
長したところ、得られたGaAs層の面ない不純物
濃度のばらつきは±15％以上であり、膜厚のばら
つきは±5μｍ以上であつた。
を使用して、実施例１と同じ条件でGaAs層を成
長したところ、得られたGaAs層の面ない不純物
濃度のばらつきは±15％以上であり、膜厚のばら
つきは±5μｍ以上であつた。
以上、本考案の各実施例によれば、次のような
効果が得られる。
効果が得られる。
(1) 成長装置が大形となり熱特性が劣化する恐れ
がある場合でも、材料のグラフアイトの成層格
子の方向を基板の移動方向と一致させることに
より、成長装置自体の熱伝導特性及び均熱特性
を向上させることができる。
がある場合でも、材料のグラフアイトの成層格
子の方向を基板の移動方向と一致させることに
より、成長装置自体の熱伝導特性及び均熱特性
を向上させることができる。
(2) グラフアイトの成層格子の方向を考慮して成
長装置の各部品を作成したことにより、成層格
子の方向が不規則のまま成長装置を作成した場
合に比べ、熱伝導度を100〜1000倍上昇させる
ことができる。
長装置の各部品を作成したことにより、成層格
子の方向が不規則のまま成長装置を作成した場
合に比べ、熱伝導度を100〜1000倍上昇させる
ことができる。
［考案の効果］
以上詳細に説明したように本考案によれば、エ
ピタキシヤル層の面内の不純物濃度及び膜厚の均
一性を向上することができる均熱特性の良好なス
ライドボートを有する化合物半導体結晶成長装置
を提供することができる。
ピタキシヤル層の面内の不純物濃度及び膜厚の均
一性を向上することができる均熱特性の良好なス
ライドボートを有する化合物半導体結晶成長装置
を提供することができる。
第１図は本考案の化合物半導体結晶成長装置の
一実施例の説明図、第２図は同じく他の実施例の
説明図、第３図はグラフアイトの層状構造を示す
説明図である。 １，６……原料溶液溜治具、２……スライド
板、３……基板、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ……原料溶
液、５……支持体。
一実施例の説明図、第２図は同じく他の実施例の
説明図、第３図はグラフアイトの層状構造を示す
説明図である。 １，６……原料溶液溜治具、２……スライド
板、３……基板、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ……原料溶
液、５……支持体。
Claims (1)
- 原料溶液を収容する原料溶液溜治具と基板を設
置するスライド板とを備え前記原料溶液溜治具と
前記スライド板を相対的に移動して前記原料溶液
と前記基板とを接触させて前記基板上に化合物結
晶薄膜をエピタキシヤル成長させる化合物半導体
結晶成長装置において、前記原料溶液溜治具及び
前記スライド板が、成層格子の方向が前記基板の
移動方向と一致するグラフアイトよりなることを
特徴とする化合物半導体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987030658U JPH0543109Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987030658U JPH0543109Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140072U JPS63140072U (ja) | 1988-09-14 |
| JPH0543109Y2 true JPH0543109Y2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=30835673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987030658U Expired - Lifetime JPH0543109Y2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543109Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS591342B2 (ja) * | 1976-08-30 | 1984-01-11 | 三菱電機株式会社 | ソレノイド制御装置 |
| JPS5391921A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-12 | Kogyo Gijutsuin | Process for making highly oriented graphite material |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP1987030658U patent/JPH0543109Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63140072U (ja) | 1988-09-14 |
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