JPS60220911A - ソレノイド駆動電流制御装置 - Google Patents
ソレノイド駆動電流制御装置Info
- Publication number
- JPS60220911A JPS60220911A JP59077050A JP7705084A JPS60220911A JP S60220911 A JPS60220911 A JP S60220911A JP 59077050 A JP59077050 A JP 59077050A JP 7705084 A JP7705084 A JP 7705084A JP S60220911 A JPS60220911 A JP S60220911A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic flux
- solenoid
- signal
- flux density
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/08—Electromagnets; Actuators including electromagnets with armatures
- H01F7/18—Circuit arrangements for obtaining desired operating characteristics, e.g. for slow operation, for sequential energisation of windings, for high-speed energisation of windings
- H01F7/1805—Circuit arrangements for holding the operation of electromagnets or for holding the armature in attracted position with reduced energising current
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetically Actuated Valves (AREA)
- Relay Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ソレノイドバルブやソレノイドスイッチ等に
用いられるソレノイド駆動電流制御装ｊδに関する。
用いられるソレノイド駆動電流制御装ｊδに関する。
（従来技術）
従来のソレノイド駆動電流制御装置としては、例えば特
開昭５４−１５１６５号公報に記載されているような装
置が知られている。
開昭５４−１５１６５号公報に記載されているような装
置が知られている。
この従来装置は、ソレノイドに直列に微小抵抗を挿入し
、この端子電圧差を電流フィードバック信号として、ソ
レノイドに流れる駆動電流の制御を行なうもので、ソレ
ノイドの作動が完了したことを判断する手段としては、
駆動始めだけに定格の数倍の過大電流が流れるようにす
ることで行なっていた。
、この端子電圧差を電流フィードバック信号として、ソ
レノイドに流れる駆動電流の制御を行なうもので、ソレ
ノイドの作動が完了したことを判断する手段としては、
駆動始めだけに定格の数倍の過大電流が流れるようにす
ることで行なっていた。
しかしながら、このような従来装置にあっては、微小抵
抗の端子電圧差により駆動電流の制御を行なうものであ
るために、ソレノイドの温度上昇による内部抵抗の影響
や駆動電圧の電圧変動の影響を受けることが避けられず
、保持電流にバラツキを生じて、ソレノイドの離脱時間
が一定しないものであった。
抗の端子電圧差により駆動電流の制御を行なうものであ
るために、ソレノイドの温度上昇による内部抵抗の影響
や駆動電圧の電圧変動の影響を受けることが避けられず
、保持電流にバラツキを生じて、ソレノイドの離脱時間
が一定しないものであった。
また、ソレノイドの作動完了の判断を、予め過大電流を
流して行なうようにしていたために、必要以上の電流が
ソレノイドの作動完了後も流れ続けるもので、大幅な電
力消費量の低減を図り得ないものであった。
流して行なうようにしていたために、必要以上の電流が
ソレノイドの作動完了後も流れ続けるもので、大幅な電
力消費量の低減を図り得ないものであった。
（発明の目的）
本発明は、上述のような問題点を解消しようとなされた
ものであって、その目的とするところは、ソレノイドの
動作制御を安定して行なうことができ、かつ、電力消費
量を大幅に低減させることのできるソレノイド駆動電流
制御装置を提供することにある。
ものであって、その目的とするところは、ソレノイドの
動作制御を安定して行なうことができ、かつ、電力消費
量を大幅に低減させることのできるソレノイド駆動電流
制御装置を提供することにある。
（発明の構成）
即ち、上述した目的を達成するために本発明は、ソレノ
イドの励磁コイルによって発生する磁路に配設して磁束
密度を直接検出させ、磁束信号を出力させる磁束密度セ
ンサと、該磁束密度センサからの磁束信号を入力し、磁
束がツレ／イドを作動させるために必要な基準値に達し
たとき、磁束を所定の保持磁束まで低減させ、この保持
磁束が一定となるようにソレノイド駆動電流を制御させ
る駆動電流制御手段と、を備えた構成とした。
イドの励磁コイルによって発生する磁路に配設して磁束
密度を直接検出させ、磁束信号を出力させる磁束密度セ
ンサと、該磁束密度センサからの磁束信号を入力し、磁
束がツレ／イドを作動させるために必要な基準値に達し
たとき、磁束を所定の保持磁束まで低減させ、この保持
磁束が一定となるようにソレノイド駆動電流を制御させ
る駆動電流制御手段と、を備えた構成とした。
（発明の効果）
従って、かかる本発明のソレノイド駆動電流制御装置に
あっては、上述のように磁束密度を直接検出する磁束密
度センサからの磁束信号によりソレノイド駆動電流を制
御するものであるために、ソレノイドの温度上昇による
内部抵抗の影響や駆動電圧の電圧変動の影響を受けるこ
と無く、常に保持電流を一定とすることができ、安定し
たソレノイドの動作制御を行なうことができる。
あっては、上述のように磁束密度を直接検出する磁束密
度センサからの磁束信号によりソレノイド駆動電流を制
御するものであるために、ソレノイドの温度上昇による
内部抵抗の影響や駆動電圧の電圧変動の影響を受けるこ
と無く、常に保持電流を一定とすることができ、安定し
たソレノイドの動作制御を行なうことができる。
また、ソレノイドの作動完了の判断を、磁束がソレノイ
ドを作動させるために必要な基準値に達することで判断
し、その判断直後から駆動電流を保持電流まで低減させ
るものであるために、電力消費の無駄がなく、電力消費
量を大幅に低減させることができる。
ドを作動させるために必要な基準値に達することで判断
し、その判断直後から駆動電流を保持電流まで低減させ
るものであるために、電力消費の無駄がなく、電力消費
量を大幅に低減させることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面により詳述する。
尚、この実施例を述べるにあたって、ソレノイドバルブ
のソレノイド電流制御装置を例にとり説明する。
のソレノイド電流制御装置を例にとり説明する。
まず、第１〜第６図により実施例装置の構成を説明する
。
。
Ｓはソレノイドバルブのソレノイド部であって、このソ
レノイド部Ｓは、外ヨーク１、励磁コイル２、コイルポ
ビン３、内ヨーク４、非磁性体５、固定側プランジャ６
、スリーブ７及び可動側プランジャ８とによって構成さ
れている。
レノイド部Ｓは、外ヨーク１、励磁コイル２、コイルポ
ビン３、内ヨーク４、非磁性体５、固定側プランジャ６
、スリーブ７及び可動側プランジャ８とによって構成さ
れている。
尚、磁路Ｍは、内ヨーク４、固定側プランジャ６、スリ
ーブ７及び可動側プランジャ８によって、第１図に示す
ように、閉ループで形成される。
ーブ７及び可動側プランジャ８によって、第１図に示す
ように、閉ループで形成される。
９は磁束密度センサとしての磁電変換素子であって、前
記固定側プランジャ６に磁路Ｍの磁束方向と直交するよ
うに、しかも可動側プランジャ８からの衝撃にも十分耐
えることができる位置に配設させたもので、磁路Ｍの磁
束密度Ｂｉを検出して磁束信号（Ｂｉ）を出力するもの
である。
記固定側プランジャ６に磁路Ｍの磁束方向と直交するよ
うに、しかも可動側プランジャ８からの衝撃にも十分耐
えることができる位置に配設させたもので、磁路Ｍの磁
束密度Ｂｉを検出して磁束信号（Ｂｉ）を出力するもの
である。
尚、磁路Ｍの長さ見、両プランジャ６．８の空隙１０の
長さδ、磁路Ｍの透磁率ｐ、コイルターン数Ｎとし、磁
路Ｍ内部を通る磁束と空隙１０の磁束は等しく磁束のも
れがないとすると、空隙１０における磁束密度Ｂｉは次
式で与えられる。
長さδ、磁路Ｍの透磁率ｐ、コイルターン数Ｎとし、磁
路Ｍ内部を通る磁束と空隙１０の磁束は等しく磁束のも
れがないとすると、空隙１０における磁束密度Ｂｉは次
式で与えられる。
Ｂｉ＝ＮＩ／（δ／ル０＋（文−δ）／ル）従って、励
磁コイル２の励磁電流工と磁路の磁束密度Ｂｉは、第４
図に示すように、比例関係にあり、磁束密度Ｂｉを励磁
電流Ｉ（ソレノイド駆動電流）の制御データとして使用
できることを示している。
磁コイル２の励磁電流工と磁路の磁束密度Ｂｉは、第４
図に示すように、比例関係にあり、磁束密度Ｂｉを励磁
電流Ｉ（ソレノイド駆動電流）の制御データとして使用
できることを示している。
また、第５図は磁電変換素子として代表的なＧａ−Ａｓ
系ホール素子の磁束密度とホール電圧との関係を示した
もので、両者は比例関係にあり、かつ、温度特性も安定
しているために好ましいものである。
系ホール素子の磁束密度とホール電圧との関係を示した
もので、両者は比例関係にあり、かつ、温度特性も安定
しているために好ましいものである。
１１は信号増幅変換回路であって、前記磁電変換素子９
からの磁束信号（Ｂｉ）を増幅させると共に、デジタル
信号に変換させるもので、増幅器１２とＡ／Ｄ変換器１
３により構成されている。
からの磁束信号（Ｂｉ）を増幅させると共に、デジタル
信号に変換させるもので、増幅器１２とＡ／Ｄ変換器１
３により構成されている。
尚、信号増幅変換回路１１からは、デジタル磁束信号と
しての信号（ＰＩＯ）を後述するマイクロプロセッサ１
４に出力する。
しての信号（ＰＩＯ）を後述するマイクロプロセッサ１
４に出力する。
１４は駆動電流制御手段としてのマイクロプロセッサで
あって、前記デジタル磁束信号としての信号（ＰＩＯ）
を入力し、磁束Ｂｆがソレノイドを作動させるために必
要な基準値（最大磁束ＢＭ）に達したら、磁束密度Ｂｉ
を所定の保持磁束ＢＨまで低減させ、この保持磁束ＢＨ
が一定となるように、出力端子から後述する電源回路１
５の駆動トランジスタ１６にＯＮ・ＯＦＦ信号、として
の出力信号（Ｐ２Ｏ）を出力させるもので、ＣＰＵ、Ｒ
ＡＭ、ＲＯＭ、Ｉ１０ポートを含み、ＲＯＭでは第７図
のフローチャート図で示す制御プログラムが予め書き込
まれている。
あって、前記デジタル磁束信号としての信号（ＰＩＯ）
を入力し、磁束Ｂｆがソレノイドを作動させるために必
要な基準値（最大磁束ＢＭ）に達したら、磁束密度Ｂｉ
を所定の保持磁束ＢＨまで低減させ、この保持磁束ＢＨ
が一定となるように、出力端子から後述する電源回路１
５の駆動トランジスタ１６にＯＮ・ＯＦＦ信号、として
の出力信号（Ｐ２Ｏ）を出力させるもので、ＣＰＵ、Ｒ
ＡＭ、ＲＯＭ、Ｉ１０ポートを含み、ＲＯＭでは第７図
のフローチャート図で示す制御プログラムが予め書き込
まれている。
１５は電源回路であって、前記マイクロプロセッサ１４
からの出力信号（Ｐ ２０）を入力し、励磁コイル２に
対して電源からのソレノイド駆動電流Ｃｉを出力信号（
Ｐ ２０）に応じて通電させる回路であって、出力信号
（Ｐ ２０）がＯＮであれば駆動トランジスタ１６のベ
ース側にベース電流が流れ、励磁コイル２にソレノイド
駆動電流Ｃ１が流される。
からの出力信号（Ｐ ２０）を入力し、励磁コイル２に
対して電源からのソレノイド駆動電流Ｃｉを出力信号（
Ｐ ２０）に応じて通電させる回路であって、出力信号
（Ｐ ２０）がＯＮであれば駆動トランジスタ１６のベ
ース側にベース電流が流れ、励磁コイル２にソレノイド
駆動電流Ｃ１が流される。
尚、電源回路１５は、前記駆動トランジスタ１６と、コ
イルサージ吸収のためのフライホイールダイオード１７
と、トランジスタ保護用コンデンサ１８と、トランジス
タ保護用ツェナーダイオード１９とによって形成されて
いる。
イルサージ吸収のためのフライホイールダイオード１７
と、トランジスタ保護用コンデンサ１８と、トランジス
タ保護用ツェナーダイオード１９とによって形成されて
いる。
２０は電源スィッチであって、電源２１からの電圧をソ
レノイド指令信号（Ｎ Ｆ）として前記マイクロプロセ
ッサ１４に印加させるものである。
レノイド指令信号（Ｎ Ｆ）として前記マイクロプロセ
ッサ１４に印加させるものである。
尚、図中２２で示すものは励磁コイル用配線ポート、２
３は磁電変換素子用配線ボートである。
３は磁電変換素子用配線ボートである。
次に、第７図〜第９図により作用を説明する。
まず、マイクロプロセッサ１４の判断２０１でソレノイ
ド指令信号（ＮＦ）がＯＮになったがどうかを判別する
（第８図（Ｃ）−■工程）。
ド指令信号（ＮＦ）がＯＮになったがどうかを判別する
（第８図（Ｃ）−■工程）。
そして、ＯＮであれば処理２０２に進み、マイクロプロ
セッサ１４の出力信号（Ｐ２Ｏ）をＯＮにし、さらに処
理２０３に進む。
セッサ１４の出力信号（Ｐ２Ｏ）をＯＮにし、さらに処
理２０３に進む。
この処理２０３では、ソレノイド指令信号（ＮＦ）がＯ
Ｎになった後、時間と共に増加する磁束密度Ｂｉを磁電
変換素子９からの磁束信号（Ｂｉ）により読み込む（第
８図（Ｃ）−■工程）。
Ｎになった後、時間と共に増加する磁束密度Ｂｉを磁電
変換素子９からの磁束信号（Ｂｉ）により読み込む（第
８図（Ｃ）−■工程）。
尚、実際にマイクロプロセッサ１４に対して入力される
磁束信号は、増幅変換回路１１により磁束信号（Ｂｉ）
を増幅させ、かつ、デジタル変換させた入力信号（Ｐ
Ｉ Ｏ）である。
磁束信号は、増幅変換回路１１により磁束信号（Ｂｉ）
を増幅させ、かつ、デジタル変換させた入力信号（Ｐ
Ｉ Ｏ）である。
次に、判断２０４によって、磁束信号（Ｂｉ）がソレノ
イドを作動させるために必要な最大磁束信号（ＢＭ）に
達したかどうかをチェックし、磁束信号（Ｂｉ）が最大
磁束信号（ＢＭ）に達していればソレノイドは駆動し終
えたと判断し、マイクロプロセッサ１４の出力信号（Ｐ
２Ｏ）を処理２０５でＯＦＦにする（第８図（Ｃ）−■
工程）。
イドを作動させるために必要な最大磁束信号（ＢＭ）に
達したかどうかをチェックし、磁束信号（Ｂｉ）が最大
磁束信号（ＢＭ）に達していればソレノイドは駆動し終
えたと判断し、マイクロプロセッサ１４の出力信号（Ｐ
２Ｏ）を処理２０５でＯＦＦにする（第８図（Ｃ）−■
工程）。
そして、処理２０６では、最大磁束信号（ＢＭ）に達し
た後の磁束信号（Ｂｉ）を読み込み（第８図（Ｃ）−■
工程）、判断２０７で磁束信号（Ｂｉ）が可動側プラン
ジャ８を現状態に保つために必要な保持磁束信号（Ｂ
Ｈ）以上かどうかを判断する。
た後の磁束信号（Ｂｉ）を読み込み（第８図（Ｃ）−■
工程）、判断２０７で磁束信号（Ｂｉ）が可動側プラン
ジャ８を現状態に保つために必要な保持磁束信号（Ｂ
Ｈ）以上かどうかを判断する。
そして、磁束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（ＢＨ）のレ
ベルまで落ると、ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御部２０８に進み
、磁束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（Ｂ Ｈ）よりも大
きければ処理２０６に戻り、再度、磁束信号（Ｂｉ）の
読み込みを続ける。
ベルまで落ると、ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御部２０８に進み
、磁束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（Ｂ Ｈ）よりも大
きければ処理２０６に戻り、再度、磁束信号（Ｂｉ）の
読み込みを続ける。
そして、磁束信号（Ｂｉ）≦保持磁束信号（ＢＨ）とな
れば、ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御部２０８で、ソレノイドの
ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御を開始する。
れば、ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御部２０８で、ソレノイドの
ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御を開始する。
尚、実施例では、ソレノイドのＯＮ時間を一定（ｔｌ）
とし、ＯＦＦ時間の長さを制御して磁束４ｇ号（Ｂｉ）
を保持磁束信号（Ｂ Ｈ）のレベルになるようにしてい
る（第９図参照）。
とし、ＯＦＦ時間の長さを制御して磁束４ｇ号（Ｂｉ）
を保持磁束信号（Ｂ Ｈ）のレベルになるようにしてい
る（第９図参照）。
以下、ＯＮ１０ Ｆ Ｆ制御を第７図に沿って説明する
と、処理２０９は磁束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（Ｂ
Ｈ）まで下がったために、マイクロプロセッサ１４の出
力信号（Ｐ ２０）をＯＮにして、磁束信号（Ｂｉ）を
高めるもので、マイクロプロセッサ１４の出力信号（Ｐ
２０）のＯＮ時間をタイマ部２１０でタイマ管理し、
一定時間（ｔｌ）ＯＮ状態を保持し、次いで処理２１１
で出力信号（Ｐ２Ｏ）をＯＦＦにする。
と、処理２０９は磁束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（Ｂ
Ｈ）まで下がったために、マイクロプロセッサ１４の出
力信号（Ｐ ２０）をＯＮにして、磁束信号（Ｂｉ）を
高めるもので、マイクロプロセッサ１４の出力信号（Ｐ
２０）のＯＮ時間をタイマ部２１０でタイマ管理し、
一定時間（ｔｌ）ＯＮ状態を保持し、次いで処理２１１
で出力信号（Ｐ２Ｏ）をＯＦＦにする。
さらに、処理２１２では、前記処理２０６と同様に磁束
信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（ＢＨ）レベルに下がるま
で磁束信号（Ｂｉ）を読み続け、判断２１３において磁
束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（ＢＨ）まで下がったと
判断されると、判断２１４に進み、第８図（Ａ）に示す
ソレノイド指令信号（Ｎ Ｆ）がＯＮかどうかを判断し
、ＯＦＦになったら本ルーチンは終了する。
信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（ＢＨ）レベルに下がるま
で磁束信号（Ｂｉ）を読み続け、判断２１３において磁
束信号（Ｂｉ）が保持磁束信号（ＢＨ）まで下がったと
判断されると、判断２１４に進み、第８図（Ａ）に示す
ソレノイド指令信号（Ｎ Ｆ）がＯＮかどうかを判断し
、ＯＦＦになったら本ルーチンは終了する。
また、判断２１４でソレノイド指令信号（ＮＦ）がＯＮ
状態であれば、処理２０９に戻り、マイクロプロセッサ
１４の出力信号（Ｐ ２０）をＯＮにする。
状態であれば、処理２０９に戻り、マイクロプロセッサ
１４の出力信号（Ｐ ２０）をＯＮにする。
尚、前記判断２０１において、ツレ／イド指令信号（Ｎ
Ｆ）がＯＮでなければ、処理２１５に進み出力信号（
Ｐ２Ｏ）をＯＦＦとし、本ルーチンを終了する。
Ｆ）がＯＮでなければ、処理２１５に進み出力信号（
Ｐ２Ｏ）をＯＦＦとし、本ルーチンを終了する。
従って、かかる実施例のソレノイド駆動電流制御装置に
あっては、上述のように磁束密度Ｂｉを直接検出する磁
電変換素子９からの磁束信号（Ｂｉ）によりソレノイド
部動電ｆｆｔｃｉを制御するものであるために、ソレノ
イド電源側からの駆動電流制御のようなソレノイドの温
度上昇による内部抵抗の影響や駆動電圧の電圧変動の影
響を受けること無く、常に保持電流を一定とすることが
でき、安定したソレノイドの動作制御を行なうことがで
きる。
あっては、上述のように磁束密度Ｂｉを直接検出する磁
電変換素子９からの磁束信号（Ｂｉ）によりソレノイド
部動電ｆｆｔｃｉを制御するものであるために、ソレノ
イド電源側からの駆動電流制御のようなソレノイドの温
度上昇による内部抵抗の影響や駆動電圧の電圧変動の影
響を受けること無く、常に保持電流を一定とすることが
でき、安定したソレノイドの動作制御を行なうことがで
きる。
また、ソレノイドの作動完了の判断を、磁束がソレノイ
ドを作動させるために必要な基準値に達することで判断
し、その判断直後から駆動電流を保持電流まで低減させ
るものであるために、電力消費の無駄がなく、電力消費
量を大幅に低減させることができる。
ドを作動させるために必要な基準値に達することで判断
し、その判断直後から駆動電流を保持電流まで低減させ
るものであるために、電力消費の無駄がなく、電力消費
量を大幅に低減させることができる。
以上、本発明の実施例を図面により詳述してきたが、具
体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において設計変更等がなされ
ても本発明に含まれる。
体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲において設計変更等がなされ
ても本発明に含まれる。
第１図は本発明実施例のソレノイド駆動電流制御装置を
適応したソレノイドバルブのソレノイド部を示す断面図
、第２図は該ソレノイド部の固定側プランジャを示す断
面図、第３図は該固定側プランジャの側面図、第４図は
励磁電流と空隙磁束密度との関係線図、第５図は空隙磁
束密度とホール電圧の関係線図、第６図は実施例の制御
装置を示す全体図、第７図は実施例装置のマイクロプロ
センサにおける作動フローチャート図、第８図（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はソレノイド指令信号と出力信号と磁束
信号との対比図、第９図（Ａ）。 （Ｂ）は保持磁束信号の制御状態を示す対比図である。 Ｓ・・・ソレノイド部 ２・・・励磁コイル Ｍ・・・磁路 Ｂｉ・・・磁束密度 （Ｂｉ）’・・・磁束信号 ９・・・磁電変換素子（磁束密度センサ）１４・・・マ
イクロプロセッサ （駆動電流制御手段） Ｃｉ・・・ソレノイド駆動電流 第１図 第２図 第３図 旦
適応したソレノイドバルブのソレノイド部を示す断面図
、第２図は該ソレノイド部の固定側プランジャを示す断
面図、第３図は該固定側プランジャの側面図、第４図は
励磁電流と空隙磁束密度との関係線図、第５図は空隙磁
束密度とホール電圧の関係線図、第６図は実施例の制御
装置を示す全体図、第７図は実施例装置のマイクロプロ
センサにおける作動フローチャート図、第８図（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）はソレノイド指令信号と出力信号と磁束
信号との対比図、第９図（Ａ）。 （Ｂ）は保持磁束信号の制御状態を示す対比図である。 Ｓ・・・ソレノイド部 ２・・・励磁コイル Ｍ・・・磁路 Ｂｉ・・・磁束密度 （Ｂｉ）’・・・磁束信号 ９・・・磁電変換素子（磁束密度センサ）１４・・・マ
イクロプロセッサ （駆動電流制御手段） Ｃｉ・・・ソレノイド駆動電流 第１図 第２図 第３図 旦
Claims (1)
- １）ツレ／イドの励磁コイルによって発生する磁路に配
設して磁束密度を直接検出させ、磁束信号を出力させる
磁束密度センサと、該磁束密度センサからの磁束信号を
入力し、磁束がソレノイドを作動させるために必要な基
準値に達したとき、磁束を所定の保持磁束まで低減させ
、この保持磁束が一定となるようにソレノイド駆動電流
を制御させる駆動電流制御手段と、を備えたことを特徴
とするソレノイド駆動電流制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077050A JPS60220911A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ソレノイド駆動電流制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59077050A JPS60220911A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ソレノイド駆動電流制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220911A true JPS60220911A (ja) | 1985-11-05 |
| JPS6253928B2 JPS6253928B2 (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=13622952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59077050A Granted JPS60220911A (ja) | 1984-04-17 | 1984-04-17 | ソレノイド駆動電流制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220911A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289734A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-11-28 | イートン コーポレイション | 電磁接触器 |
| JPH02295016A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-05 | Siemens Ag | 少なくとも１つの電磁リレーの制御回路装置 |
| JP2002517105A (ja) * | 1998-06-02 | 2002-06-11 | エマーソン・エレクトリック・カンパニー | 軌道制御装置 |
| JP2008028083A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Shindengen Mechatronics Co Ltd | ソレノイド駆動制御回路およびソレノイド |
| CN112178213A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 赵鑫 | 高温高压环境电磁阀 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103708A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-08 | Ricoh Co Ltd | Control of electromagnetic solenoid |
-
1984
- 1984-04-17 JP JP59077050A patent/JPS60220911A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103708A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-08 | Ricoh Co Ltd | Control of electromagnetic solenoid |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289734A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-11-28 | イートン コーポレイション | 電磁接触器 |
| JPH02295016A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-12-05 | Siemens Ag | 少なくとも１つの電磁リレーの制御回路装置 |
| JP2002517105A (ja) * | 1998-06-02 | 2002-06-11 | エマーソン・エレクトリック・カンパニー | 軌道制御装置 |
| JP2008028083A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Shindengen Mechatronics Co Ltd | ソレノイド駆動制御回路およびソレノイド |
| CN112178213A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-05 | 赵鑫 | 高温高压环境电磁阀 |
| CN112178213B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-05-06 | 扬州苏油油成商贸实业有限公司 | 高温高压环境电磁阀 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6253928B2 (ja) | 1987-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4522372A (en) | Electromagnetic valve | |
| JPH04211777A (ja) | 電磁弁の故障検出装置 | |
| US4152637A (en) | Saturable reactor limiter for current | |
| JPS56127115A (en) | Gas flow rate control system | |
| JPS60220911A (ja) | ソレノイド駆動電流制御装置 | |
| JPS6220426B2 (ja) | ||
| US6874750B2 (en) | Electromagnetic actuator and valve driver and position or speed sensor comprising it | |
| JPH0997116A (ja) | 電磁弁の駆動制御方法および空気圧レギュレータ | |
| JPS55117050A (en) | Revolution speed controlling device for engine generator | |
| JP2005351701A (ja) | 電流検出装置 | |
| US2971332A (en) | Electrical timing control apparatus | |
| JPS63231079A (ja) | 電磁弁装置 | |
| Milano | Achieving Closed-Loop Accuracy in Open-Loop Current Sensors | |
| JPS5556495A (en) | A.c. motor controller | |
| JPS6030880A (ja) | 電磁弁 | |
| SU916994A1 (ru) | Поплавковый уровнемер | |
| JPH0325908A (ja) | 警報回路内蔵トランス | |
| JPH0227149Y2 (ja) | ||
| WO1995030127A1 (en) | A safety system comprising magnetic logic circuits | |
| JPS5642775A (en) | Driver for solenoid valve | |
| JPS6235239Y2 (ja) | ||
| JPS6316113Y2 (ja) | ||
| SU940132A1 (ru) | Устройство дл управлени регулирующим органом | |
| JPH0247556A (ja) | 直流電流検出装置および直流電流検出制御装置 | |
| JPS57130281A (en) | Driving method for magnetic bubble memory device |