JPS60220991A - 厚膜集積回路の半田付方法 - Google Patents
厚膜集積回路の半田付方法Info
- Publication number
- JPS60220991A JPS60220991A JP5830985A JP5830985A JPS60220991A JP S60220991 A JPS60220991 A JP S60220991A JP 5830985 A JP5830985 A JP 5830985A JP 5830985 A JP5830985 A JP 5830985A JP S60220991 A JPS60220991 A JP S60220991A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- integrated circuit
- soldering
- hole
- semiconductor integrated
- Prior art date
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- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、樹脂モールドされた半導体集積回路を赤外線
輻射加熱により、リフロー半田付する半導体集“積回路
の半田付方法に関するものである。
輻射加熱により、リフロー半田付する半導体集“積回路
の半田付方法に関するものである。
従来の厚膜集積回路装置を第１図により説明する。第１
図は従来技術にょる厚膜集積回路装置の厚膜基板の断面
図である。第ｔｐにおいて。
図は従来技術にょる厚膜集積回路装置の厚膜基板の断面
図である。第ｔｐにおいて。
１は回路基板、２は半導体集積回路、３はチップ部品、
４は外付端子、５は半導体集積回路のリード、６は半田
、７は孔部である。
４は外付端子、５は半導体集積回路のリード、６は半田
、７は孔部である。
従来技術による厚膜回路基板の半田付は、まず、セラミ
ックからなる厚膜基板１の上に回路を形成し５この厚膜
基板ｌ上の所定位置にペースト状の半田６を、印刷また
は、吐出して設け。
ックからなる厚膜基板１の上に回路を形成し５この厚膜
基板ｌ上の所定位置にペースト状の半田６を、印刷また
は、吐出して設け。
次いで、コンデンサ、トランジスタ等のチップ部品３の
搭載、および、半導体集積回路２の１１−ド５と、外付
端子４とを厚膜基板１に挿入した後、該厚膜基板１を、
赤外線輻射加熱により。
搭載、および、半導体集積回路２の１１−ド５と、外付
端子４とを厚膜基板１に挿入した後、該厚膜基板１を、
赤外線輻射加熱により。
ペースト状の半田６を溶融させてはんだ付を行っている
。
。
ところが、半導体集積回路２のリード５０半田付箇所に
おいては、半田が溶融する際、半田濡れ性の良いリード
５を伝わって、第１図に示す様に孔部７を通って、半田
が落下してしまい半田付工程での歩留まりが低下すると
共に、半田付の信頼性が著しく低下する欠点がある。ま
た、厚膜基板のリード挿入孔を小さくすれば。
おいては、半田が溶融する際、半田濡れ性の良いリード
５を伝わって、第１図に示す様に孔部７を通って、半田
が落下してしまい半田付工程での歩留まりが低下すると
共に、半田付の信頼性が著しく低下する欠点がある。ま
た、厚膜基板のリード挿入孔を小さくすれば。
半田の落下は防げるが部品の挿入が困難となり作業性が
著しく低下する欠点を有する。
著しく低下する欠点を有する。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、半
田付の信頼性及び半田刊工程での歩留まりを向上させた
厚膜集積回路装置を提供するにあ７−１） 〔発明の概要〕 本発明の要点は、厚膜基板のりフロー半田付における孔
部からの溶融半田の落下を防止するカーめ、厚膜基板の
孔部形状を片側のみ面取りしたテーパ一孔とし、かつ孔
の径を半田が滴下しない程度の孔径とした厚膜基板を用
いて、リフロー半田付することにある。
田付の信頼性及び半田刊工程での歩留まりを向上させた
厚膜集積回路装置を提供するにあ７−１） 〔発明の概要〕 本発明の要点は、厚膜基板のりフロー半田付における孔
部からの溶融半田の落下を防止するカーめ、厚膜基板の
孔部形状を片側のみ面取りしたテーパ一孔とし、かつ孔
の径を半田が滴下しない程度の孔径とした厚膜基板を用
いて、リフロー半田付することにある。
９下１本発明を第２図により説明する。第２図は本発明
の一実施例を示す厚膜基板の断面図である。第２ゾπお
いて、１は厚膜回路基板。
の一実施例を示す厚膜基板の断面図である。第２ゾπお
いて、１は厚膜回路基板。
２は半導体集積回路、３はチップ部品、４は外付端子、
５は半導体集積回路のリード、６は半田、７は孔部であ
る。
５は半導体集積回路のリード、６は半田、７は孔部であ
る。
本発明による厚膜基板は、第２図の孔部７に示す様に基
板１の孔７の径を、半導体集積回路２のリード５Ｉ７）
リード径より０１〜０．２朋程度大きい値とし、かつ基
板ｌの片側を基板板厚の１／３から１７５を面とりして
テーパ一部８を設け、孔７をテーパー付孔となし、孔７
０面とりのない面に回路を形成した厚膜基板ｌ上の半田
される配線パターンにペースト状の半田６を印刷または
、吐出して設けるものである。そして次いでコンデンサ
、トランジスタ等のチップ部品３の搭載及び、半導体集
積回路２のリード５と外付端子４とを基板ｌに挿入した
後、赤外線輻射加熱により、ペースト状の半田６を溶融
させて。
板１の孔７の径を、半導体集積回路２のリード５Ｉ７）
リード径より０１〜０．２朋程度大きい値とし、かつ基
板ｌの片側を基板板厚の１／３から１７５を面とりして
テーパ一部８を設け、孔７をテーパー付孔となし、孔７
０面とりのない面に回路を形成した厚膜基板ｌ上の半田
される配線パターンにペースト状の半田６を印刷または
、吐出して設けるものである。そして次いでコンデンサ
、トランジスタ等のチップ部品３の搭載及び、半導体集
積回路２のリード５と外付端子４とを基板ｌに挿入した
後、赤外線輻射加熱により、ペースト状の半田６を溶融
させて。
半田付を行うつ
本発明によれば基板の孔部形状な片方を面とりしたテー
パー付孔とし、かつ孔径が半導体集積回路のリードより
、わずか大きくした孔形状のセラミック基板を用いるた
め、ペースト状半田が溶融しても半田がリード方向には
落下せず。
パー付孔とし、かつ孔径が半導体集積回路のリードより
、わずか大きくした孔形状のセラミック基板を用いるた
め、ペースト状半田が溶融しても半田がリード方向には
落下せず。
救わめて良好な半田付が出来ろっまた半導体部品等のリ
ードはテーパー付穴のテーパ一部側から挿入千石から、
孔の径は見かげ北大きな径となるため１部品挿入は容易
に行うことができ。
ードはテーパー付穴のテーパ一部側から挿入千石から、
孔の径は見かげ北大きな径となるため１部品挿入は容易
に行うことができ。
作業性ケ向上させろことができろっ
〔発明の効果〕
上記に詳述した様て、本発明はりフロー半田付時におけ
る厚膜基板０孔部から半１Ｂが落下するととがなく、半
田付によろ接続が確実となり。
る厚膜基板０孔部から半１Ｂが落下するととがなく、半
田付によろ接続が確実となり。
半田付の信頼性の向上が図れる。又、半田付不良の発生
が著しく低下するから１作業性も向上するという効果を
奏する。
が著しく低下するから１作業性も向上するという効果を
奏する。
第１図は従来技術による厚膜回路基板の断面図、第２図
は本発明による厚膜回路基板の断面図である。 １・・厚膜回路基板、 ２・・・半導体集積回路。 代理人弁理士 小 川 ａ 男 オ １ ｌ 、＋ ２国
は本発明による厚膜回路基板の断面図である。 １・・厚膜回路基板、 ２・・・半導体集積回路。 代理人弁理士 小 川 ａ 男 オ １ ｌ 、＋ ２国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 厚膜基板の部品挿入孔を厚膜配線面と反対の裏面を面と
りしたテーパー付孔とし、半田付される配線パターンに
半田ペーストを印刷した後。 チップ部品、リードフレームを取付け、さらに半導体集
積回路のリードをテーパー付孔側カラ挿入し、該リード
が上向きになる様取付けた後半田付けを行うことを特徴
とした厚膜集積回路の半田付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830985A JPS60220991A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 厚膜集積回路の半田付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5830985A JPS60220991A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 厚膜集積回路の半田付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60220991A true JPS60220991A (ja) | 1985-11-05 |
Family
ID=13080636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5830985A Pending JPS60220991A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 厚膜集積回路の半田付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60220991A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131760B2 (ja) * | 1973-04-02 | 1976-09-08 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP5830985A patent/JPS60220991A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131760B2 (ja) * | 1973-04-02 | 1976-09-08 |
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