JPS60223020A - コバルトを含む磁気層 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産　上の利 この発明は、（垂直方向のまたは長さ方向の）磁気記録
のためのコバル１〜含有薄膜に関し、特に腐蝕、摩耗な
どに対してこれらを保護するための新規な方法に関する
。

背景、特徴 当業者が認めるように、マトリックス内に浮遊している
磁鉄粒子を含みかつ改良された性能を伴なったテープま
たはディスク駆動システムおよび同様なものの上に被覆
されるありふれた「酸化物」コーティングに対立するも
のとして、「垂直方向の」または「水平方向の」　（す
なわち、「長さ方向の」）磁気記録媒体に対して薄くて
連続的な金属膜を供給しかつ使用することにお番ノる興
味が増大している。

この発明は、「コバルトを含む」　（すなわち、コバル
トまたはコバルト合金からなる）゛タイプのそのような
薄い金属膜に向けられるものであり、特に、腐蝕および
摩耗から保護するための手段に関りる。

現在、色々な当業者が、長さ方向のまたは垂直方向の記
録において使用されるようなコバルト基台金を提案して
いる。実際、Ｃ０１Ｎｉ、Ｗ、Ｏｒ、ＲｅおよびＰの合
金成分を含有している二たい）。その主要な処理は、薄
いコバルトを含む記録膜、特にＧｏ　１０ｒおよびＧｏ
／Ｎｉ合金に向番プられる。

いくつかの研究は、コバルト（特にＣＯ１０ｒ　＞を含
む薄膜がいかに磁気記録、特に垂直磁気記録に対して適
合され得るかに専念し゛〔いる。１９８２年３月１１日
および１２日の日本国、仙台、東北大学の［垂直磁気記
録に関する１９８２年仙台シンポジウムの議事録」を参
照願いたい。また、１９８１年１１月のＲ，Ｄ、　）：
１ｓｈｅｒ　、　Ｌ。

Ｈｅｒｔｅ、およびＡ、Ｌａｎ０によるＩＥＥＥ磁気学
会報、Ｖｏｌ、ＭＡＧ−１７、−Ｎｏ、６を参照Ｉｎ　
イｔｃい。あるいは、１９７０年９月のＦ、Ｅ。

Ｌ　ｕｂｏｒｓｋｙによるＩＥＥＥｉｉ気学会報、ＶＯ
ｌ、　ＭＡＧ−６、Ｎｏ、３を参照願いたい。あるいは
、１９７９年９月のＳ　、ｌ　ｗａｓａｋｉ、ｌ（、［
１ｕｃｈｉによるＩＥＥＥ磁気学会報、ＶＯｌ、ＭＡＧ
、１４、Ｎｏ。

５を参照願いたい。あるいは、１９７９年９月のり、　
Ｗ、　Ｒｔｈｅ　、　Ｐ、　Ｂ、　Ｐｈ１ｐｐｓ　、　
ｉＪ３よびＲ１７’　ｊＱｌｌＱＬＩｒｅｕＸによるＪ
、　ｏｒ　ＥＧＳｌＶｏｌ、　１２６、ＮＯ６９を参照
願いたい。あるいは、１９７８年９月のＮ　、Ｓ　ｃｈ
ｗａｒｔｚおよびり、　Ｄ、　ＢａｃｏｎによるＪ、ｏ
ｒ　ＥＣ３１Ｖｏ１．１２５、Ｎｏ、９を参照願いたい
。いくつかは、硬い、または柔軟性のあるサブストレー
ト材料の上に二元または三元コバルト合金の薄膜を（ス
パッタによって）付着させることを考慮している。その
主要な教示は、摩耗および腐蝕を十分に防ぐためにコバ
ルトを含む記録膜を適合させることに向けられる。

いくつかの研究は、一般的に薄膜の（大気）腐蝕を取扱
っており、特に薄いコバルト合金膜の腐蝕を取扱ってい
る。１９８２年３月のＲ，Ｒ，Ｄｕｂｉｎ、　Ｋ、　Ｄ
、　Ｗｉｎｎ　、　Ｌ、　Ｐ、　ＤａｖｉｓおよびＲ０
△、　ＣｕｔｌｅｒによるＪ　、　ＡＩ）ｔｅｌ、Ｐｈ
ｙｓ、５３（３）を参照願いたい。あるいは、１９７９
年９月のり、　Ｗ、　Ｒｉｃｅ　ＳＰ、　Ｂ、　ｐＨｆ
ＤＤＳ　ｔｊよびＲｏＴ　ｒｅｎ＋ｏｕｒｅｕｘによる
Ｊ、　ｏｆ　ＥＣ３，、Ｖｏｌ、　１２６、ＮＯ３９を
参照願いたい。あるいは、１９７８年９月のＮ　、Ｓ　
ｃｈｗａｒｔｚおよびり、　Ｄ、　Ｂａｃｏｎによ８Ｊ
’、ｏｆ　ＥＣ３，Ｖｏｌ、１２５、Ｎ００９を参照願
いたい。しかしながら、ＣＯ１０ｒ垂直記録合金を取扱
っている限定された特定の情報がある。

”　の構Ｌｌｊ図） 第１図は、磁気記録用に採用されたものとして理解され
るａＳＳディスクＣＤの部分を示す断面図である。堅い
または柔軟性のあるサブストレートＳは、ベースとして
理解され、そのベースの上に、薄い金属下層（想像線の
ＵＬ）が付着され得る。

（垂直方向のまたは長さ方向の）磁気記録に対して適当
な特性を有している磁気記録［ＩＬは、その下層の上に
付着される。層となった構造ＣＤは、典型的には、この
図に示されるように露出表面ｍ−Ｓを有する別の耐腐蝕
性上層ＯＣを付着することによって完成される。この最
終ＷＩＯＣは、大気腐蝕および／または物理的摩耗（た
とえば、露出表面ｍ−ｓを１察っているＲ／Ｗヘッドに
対して）による退化から磁気記録層ＲＬを保護すること
を意図している。

そのような退化から磁気ＷＪＲＬを保Ｗ！覆るための従
来のコーティングＯＣは、通常、少なくとも３個の異な
った欠点を呈１゛る。

’）　１１１匹１組」 耐腐蝕性層ＯＣの厚さは非常に大きくなければならない
ので、記録ディスクと関連した記録ヘッドとの間に情報
を伝送マるＲ／Ｗ信号の強度をがなり弱める。

２）　［正＝ＩＪ 耐腐蝕性上層ＯＣの化学成分および重要な物理特性は、
記録層ＲＬのそれとは異なっている。このことは、層間
の物理特性において不一致を生じさせる（たとえば、熱
膨張の相違は、当業者が認めるように、割れなどを生じ
させる）。

３）　ｒＬＬＬＪ 上層の磁気特性は、磁気層のそれとは［マツチ］しない
。典型的には、被覆層は、全く非磁性である。

この明細書は、改良された薄いコバルトを含む記録層に
ついて記述し、そこでは、新規な被覆手段が、これらの
およびその他の欠点を克服するために用いられ、かつ、
摩耗および大気腐蝕に対して改良された表面抵抗を呈す
るために用いられる。

来の　護被　ＯＣ 当業者が認めるように、そのような被覆ＯＣは、典型的
には、適用することに問題があり、そして、特に腐蝕お
よび摩耗の度合が進展するとぎ維持することが困難であ
る。材料の問題がしばしば生ずる。たとえば、アルミニ
ウムのような保護膜を適用することを含むような製造工
程では、その後それを加熱する゛と、ＡＪｌｕは、記録
１ｉｉＲＬの内部へ拡散する。そのような場合、この記
録層ＲＬの一部はそれによって、弱められ、かつ損害を
被る（記録特性の低下）ことが明らかである。

しかしながら、より重大なことは、十分な拡散（特にア
ルミニウムのようなコーティング材料の場合）を覆るの
に必要となる強烈な加熱が、しばしば非実用的である。

たとえば、多くの最も望ましいザブストレート（プラス
チック、たとえばカプトン（Ｋａｐｔｏｎ　）または同
様なもの）に対して、特に垂直記録に対して特に興味の
あるフロッピィディスクに対してである。

その他の材料の問題は、（典型的に望まれる）被覆材料
が、しばしば記録層ＲＬのそれとは全く似ておらず、し
かも腐蝕の問題を容易に引起こしまたは悪化させるとい
うことである。たとえば、垂直記録に関しては、被覆は
、カーボン（たとえばグラファイトの形態）またはシリ
ケイト（たとえばＳｉＯ□）またはフルオロカーボンエ
クスト−マのような有機物から構成されるかもしれない
。

すべての特有な問題は、垂直記録ヘッドに普通に接触す
るときに生ずる。特に、通常望まれるように垂直記録ヘ
ッドがフロッピィディスクの上に置かれるときに生ずる
。

さらに、十分な耐腐蝕性および耐摩耗性に必要な非常に
大きな厚さは、ヘッド（ボール）ができる限り記録層Ｒ
Ｌに近づくようになされることを指示する最適な磁気読
取／書込操作の点において非生産的である。

そして、薄い被覆は、実用的であるとしても、十分な形
態で設けることは非常に困難かつ高価である。たとえば
、それらはしばしば、空隙（非連続な範囲）またはその
他の欠陥を生じさせる。その欠陥は、典型的には、最初
の腐蝕に対して優秀な核となるものである。さらに、垂
直方向の記録であろうと長さ方向の記録であろうと、当
業者は、典型的な被覆材料が「非磁性」であるというこ
とを認める。すなわら、磁気モーメントはほとんどある
いは全くない。実際、磁気的に見れば、それは、記録ｆ
ｆ１ＲＬよりもはるかに「エアギャップ」と似通ってい
る。こうして、必然的に、レコーディングおよびトラン
スクリプション特性を低下させる。

現在ある「コバルトを含む」磁気記録表面は、もし被覆
されなければ、かなり品質が低下するということを当業
者は知っている。すなわち、ヘッドの摩耗に対しておよ
び／または表面の腐蝕に対して保護するための被覆がな
ければ、品質はかなり低下する。ヘッドの摩耗および表
面の腐蝕のいずれかがあれば、記録特性をかなり悪化さ
せる。

たとえば、普通のＧＯ−Ｎｉ（長さ方向の）記録表面は
、特に湿気が存在するとき広範囲にわたって被覆されて
いなければ、普通に存在するまわりのたとえば塩素、硫
黄（またはそのコンパウンド）のような腐蝕物によって
悪い影響を受ける（たとえば、基本的な記録特性は根本
的に変えられる）。その危険性は、特に酸素が豊富であ
る場所では、被覆されていないｃｏ−Ｃｒ（垂直方向の
）記録層に対しても同様である（たとえは゛、Ｃ「部分
が通常は「耐食性」であると考えられていても）。

参考として、１９８３年９月のＲ，Ｒ，Ｄｕｂｉｎおよ
びに、Ｄ、Ｗｉｎｎによる「ＣｆＬおよびＳ含有雰囲気
における垂直記録材料の挙動Ｊ、ＩＥＥＥ磁気学会報を
参照願いたい。また、１９８２年のＲ，Ｒ，Ｄｕｂｉｎ
、に、Ｄ、Ｗｉｎｎ　％Ｌ、Ｐ。

Ｄａｖｉｓ、　Ｒ，Ａ、　Ｃｕｔｌｅｒによる［腐蝕雰
囲気下におけるＣＯ基薄膜記録材料の品質低下」、Ｊ。

Ａ　ｐｐｌ、Ｐ　ｈｙｓ、、Ｖｏｌ、５３、ｐａｒｔ　
ＩＩ、２５７９を参照願いたい。

ここにおける教示は、［半磁性Ｊ特性および記録層に類
似したその他の特性を呈する保護被覆を設けることによ
ってそのような欠点を改善づることに向゛けられる。

この　の　−゛　２　） 主題となるべき教示は、重要な局面において、複合記録
保護構造を含む。その構造は、（垂直方向のおよび長さ
方向の）磁気記録に対して適合されるものとして、特に
摩耗および腐蝕に対してコバルトを含む薄膜を保護１−
るのに適している。この発明は、第２図において理想的
におよび概念的に提案されているような複合構造ＣＤ’
　を教示する。その複合［ｉＣ；Ｄ’　は、サブストレ
ートＳ′と、複合記録保護磁気層ＣＬとを備えている。

複合記録保護磁気ｆｆ１ｃｌｌは、記録層を提供するよ
うに、かつ大気腐蝕および摩耗に対して抵抗するように
されＩＣ特別な保護層を１２供するように、特定的に構
成されかつ適用される。そして、一定の記録に対して適
合づるものとして、第１図におけるように、想像線ＵＬ
’で示されるような下層が、望ましいかもしれない。こ
うして、ザブストレートおよび下層は、第１図の従来の
構造に対して記）ホされたものと同一となり得る。

この磁性「自己保護」構造ＯＬは、２個の領域からなる
ものとして最もよくまとめられ得る。そのうちの１つは
、下方記録層、すなわち領域Ｉである。この領域Ｉは、
単−不変数（磁気記録）化学成分によって特徴付けられ
る。もう１つは、第２の上層、すなわち領域■である。

この領域■は、摩耗および腐蝕に対して抵抗し１ｑるよ
うに構成され、さらに、いくぶんか「磁性を帯びて」作
られ、しかも特性において、領域■と類似している。ぞ
して、重要なことには、領域■は「成分勾配」を呈し、
それによって、１個ま゛たは数個の成分は、ＭＣＬの表
面から１一定成分」領域Ｉに向って下方にいくにつれて
（層ＣＬ内で〉その濃度が連続的に変化する。

今、領域■は、領域Ｉよりも常に帯びている磁性が少な
い（そして、記録に対してはより適合しない）。しかし
、領域■は、常に「いくぶんか磁性を帯びている」もの
であり、そして「上アギャップ領域」を表わさない（た
とえば、領域■は、典型的には８０−８５ｗｔ、％ＣＯ
のｃｏ　／ｃｒ　Ｂ金であり、領域■は、ＧＯの含有量
が８０Ｗｔ、％よりも少ない）。特別な場合、肖業台は
、領域■が１個または数個の不連続な補助領域を比較的
異なった場所で構成づるのを好むであろうくしかし、た
とえば各補助領域内では均一な月料淵度となっている）
。

好ましくは、磁気構造ＯＬのうちの１可変成分」領域■
の部分は、クロム（Ｏｒ　）および／またはアルミニウ
ム（Ａｌのような腐蝕を禁する（および耐摩耗性の）化
学成分を記録成分（領１ｉｉ１ｉＩ）内に取入れること
によって形成される。この成分くたとえばＣｒ）は、領
域■内においてその含有用（％）が変化するようにされ
てもよく、それによって、物理的、化学的、および磁気
的特性において記録領域１の成分と非常に似通った耐腐
蝕性、耐摩耗性上方領域を形成する。これらの類似点は
、上述された欠点（たとえは、第１図におけるコーティ
ングＯＣのように、従来の複合構造が別のおよび全く異
なった保護被覆を有し、そして関連した記録領域ＲＬと
は全く異なっている場合において）を大幅に克服するこ
とができる。この発明は、以下の例に１二ってよりよく
理解され得る。

この発明のコバルトを含む磁性膜は、この分野において
よく知られているように、柔軟性のあるまたは堅いサブ
ストレート」二にスパッタににつて付着されまたは他の
方法で（＝Ｊ着され得る。たとえば第１図における層Ｒ
Ｌのような従来の記録層の厚さが５００ないし１０００
０オンゲス］〜ローム（いくつかは２０にオングストロ
ーム）のオーダであり、その磁気特性が予測される（垂
直方向のまたは長さ方向の）１１気記録に対して最高に
活用されるところでは、この発明−従〕た自己保護複合
層ＣＬの厚さは、同一オーダの人きさとなり得る（たと
えば、１００−３にオングストロームの領域■を伴なっ
て）。そ（）て、それは、全体がいくぶんか磁気を帯び
ており、記録−再生特性は、もちろん、領域１内で最高
に活用される。

スパッタは、通常好まれる付着である（特に垂直記録に
対して）。電気めっきはその実施が最も容易であるが、
それは、あまり好まれない。なぎなら、それは、不純物
および関連した「制御」の問題を導き入れやすくなるか
らである。領域■に対しては、徐々に注意深く制御され
た態様でしかも不純物％を生ずることなく比率を変化さ
せるために、スパッタが最も好ましい（ＲＦスパッタ、
または共通スパッタ、または反応性スパッタ）。

なお、共通スパッタは、焼結ではなく真空溶解された対
象物を用いてなされる。電子ビーム蒸着方法はあまり好
ましくない。好ましくは、領域■および領域■に対して
同一の付着方法が用いられる。

０．１ないし１ミクロンのオーダのコバルトを含む膜は
、典型的には、高い保磁力および高いヒステリシスルー
プスクエアネスを呈し、高濃度ディジタル記憶媒体とし
て使用されるのに適したものとなる。

磁気記録装置におけるそのような膜の成功した応用は、
大気腐蝕に対する適当な抵抗性、耐摩耗性および同様な
ものを必要とするので、上部の保１（ｉｆｉ性）領域Ｃ
Ｉ）は、もちろん、そのようなものを呈するのに最適に
活用される。記録領域（Ｉ）部分は、最も典型的には、
コバルトを、単独で、またはニッケル（ある場合にはこ
れに加えてタングステンとも）との合金として、あるい
はクロムとの合金として（すなわち、Ｃ０１ＧＯ／Ｎｔ
　ＳＣｏ　／Ｎｉ　／Ｗ、Ｃｏ　／Ｃｒ　）　、あるい
はこの分野において知られているその他の同様なコバル
トを含む合金として、備える。

い（つかの場合において、領域■は、領域１の成分（の
ほとんど）を備える。これらの成分のうちの１個または
数個は、一定成分領域■から全体の複合構造ＣＬの表面
ｍ−ｓにまで領域■を通って進むときその濃度が増加す
るように変化する。

冶金学的濃度は、記録領域■の特性（化学的Ｊ５よび物
理的および磁気的）とよりよく適合するように次第に変
化する。７ｊとえば、熱膨張を減じ、あるいは、割れや
この分野において知られているような他の同様な欠陥を
生じさせ冑るような他の力を減する。

この領域Ｈの新規な局面は、一定の他の特性と同様その
磁気的特性が、記録領域■のそれとはるかに親密に適合
するということである。たとえば、それはいくぶんか磁
気を帯びている（たとえば、読取／書込磁束の下でいく
らかの磁気モーメン１〜を有する）。

記録成分をそのように変化させるということの非常に有
用な補助的な利点は、製造が大幅に単純化され得るとい
うことであるということを当業者は認める。たとえば、
記録層（領域■）が要素△、Ｂ、Ｃを共通スパッタする
ことによって形成されるならば、−凹領域■が形成され
かつ完成されると、領域Ｕ（Ａ１ＢＪ３にび変化しつつ
あるＣ）を形成Ｊ゛るために、同一の付着モードを適当
に変化させて続１プることが可能である。たとえば、層
が形成されるにつれて成分Ｃの濃度を増加させるような
スパッタパラメータの段階的な修正が使われ得る。また
、単−何着容器などが使われ１ｑる。それは、この分野
において知られているようなめっきまたは真空付着に対
して応用され得る。スパッタにおいて、たとえば、当業
者が知っているように、サブストレート上に対象材料を
だんだん増加させて発射させるために、％が変化しつつ
ある対象材料に適用され得る電圧および付着速度を変化
させてもよい。このことは、上述されたように、被覆材
料を拡散することに必要とされる強烈な加熱と比較され
るべきである。この場合、サブストレートに対して関連
した熱損傷を与える。

理論上、記録Ｎ領域■に加えられ、またはその上に別に
形成されて領域■を構成するような付加的な（保護）材
料に対しては、特別な制限はない。

しかしながら、当業者は、一定の材料があまりにも反応
性があり過ぎ（たとえば、ナトリウムまたは同様なもの
）、好まれないということを認める。

これに反して、ここに提示される例に対しては、周囲温
度に近い温度でスパッタされ得る「遷移金属」または同
様な材料（非金属を含む）が最も好まれる。

［自己保護　記録層の　念（３） 概念的には、この新規な磁性自己保護記録領域を、第３
図におけるような単一の比較的統〜された層ＣＬＬとし
て考えてもよいかもしれない。その層ＯＬ’Ｌは、その
露出表面ｍ−ｓに隣接した部分で（りなわら、領域■内
でン最適な保護特性を呈し、ベースに近いところで（す
なわら、サブストレートＳ　ＬＪの上の領域■内で）最
適な記録特性を呈する。点線で示されるようにこれら２
個の領域工および■の間に拡がっている化学的および物
理的特性は、傾斜的な混合となる。もちろん、この「傾
斜または勾配」は、以下に詳細に記述されるように、Ｃ
ｒ　（クロム）のような１個またはそれ以上の「コント
ロール成分」の濃度を徐々に変化させることによって確
立されかつ規定される。

重要なことは、この保護上層（領域■）が、たしかに「
磁気を帯びている」ことであり、そして通常よりも記録
領域（Ｉ）により似通った他の特性を有しているという
ことである（摩耗および腐食に対する通常の表面保護を
与えることに加えて）。

以下の第１表は、領域■および領域■に対する顕著な成
分の組合せを要約している。

この発明のこれらのおよびその他の特徴および利点は、
図面を参照して行なわれる以下の詳細な説明から一層明
らかとなろう。なお、図中、同一参照符号は同一要素を
示している。

Ｔましい実施　の説明 一般的な説明、背景 第４図は、この発明の原理に従って構成された磁気記録
ディスクＣＤ、を略示的に示している。

ここで議論されるこのおよびその他の磁気記録手段は、
一般的に、異なって規定されていることを除いて、現在
この分野において知られているように構成されかつ動作
するものとして理解される。

そして、異なって規定されていることを除いて、すべて
の材料、方法および装置およびその中の器具は、現在の
良好なプラクティスに従っ１ｃ知られている手段によっ
【実行されるものとして理解される。

第４図に示されている好ましい実施例のように、垂直記
録用に適合された磁気記録ディスクＣＤ　Ｉが、提案さ
れている。そのディスクは、この発明に従って、第２図
のディスクＣＤ’に対してほぼ全体にわたって議論され
た改良がなされている。

一般的にいえば、ディスクＣＤ、は、磁気下層ＵＬ１を
有している堅いサブストレートＳ、を備える。磁気下層
ＵＬ＋の上には、変換器対向面ｍ−８を有している複合
記録自己保護層ＯＬ　＋が配置される。ＪＩＯＬ、は、
可変濃度コバルト−クロム保護層によって覆われた適当
なコバルト−クロム下方記録層（領域■）を備えている
ものとして理解される。クロム濃度は、領域工から領域
■を通って媒体表面ｍ−ｓで終わりをなり−まで上方に
いくほど増加している。

特に、サブストレートＳ、は、堅いアルミニウム合金デ
ィスク（たとえば、この分野において知られている合金
＃５０８６である）を備えている。

変形例として、たとえばポリエステル、ポリイミド、ま
たは同様なプラスチックのような柔軟性のあるサブスト
レートディスクが供給され得る。アルミニウムディスク
は、適当な厚さくたとえば、２０ないし８０ミル）およ
び適当な直径（たとえば、好ましくはここでは、５−１
／４”）を有しているものとして理解される。磁気下層
Ｕ　Ｌ　＋は、通常、好ましくは適当な厚さのパーマロ
イを備えて使用される（たとえば、ディスクＳ、の表面
上にスパッタされた０、１ないし１．０ミクロン、好ま
しくは１．０ミク０＞の８１　ｗｔ、％Ｎｉ／１９Ｆｅ
である。変形例として、電気メッキが実行され得る。）
。

さらに、よく知られているように、当業者は、（そのよ
うな垂直記録に対して）典型的には高透磁率材料からな
る磁気下１１ＵＬを好む。高透磁率材料としては、たと
えば、特にパーマロイ（Ｃ。

／Ｃｒ　フィルム用にはＮｉ−１”ｅまたはＮｉ−Ｆｅ
−ＭＯ０第１図において想像線で示される下１１１ＵＬ
を参照願いたい）である。

次に、化学的に均質なＧｏ　／Ｃｒ記録ＩＩ（領域工）
が、層ＯＬ、の最初の層（領域工）としてパーマ０イ下
層ＵＬ、の上に付着される。このために、適当な磁気記
録ＧＯ１Ｏｒ合金が付着される（８０−８５ｗｔ０％Ｃ
ｏ　／２０−１５Ｏｒ　、好ましくは８２Ｃｏ／１８Ｃ
ｒ）。すなわち、その合金は、適当な態様でＮｉ−［ｃ
下層の上に付着されて、重要な磁気結晶異方性を生み出
す（この分野においてよく知られているようなナブスト
レー１−ディスクＳ、の平面に対して垂直な「容易な軸
線」）。このために、スパッタで付着Ｊることが好まれ
る。一方、変形例としてメッキが可能である。このＧｏ
　／Ｃｒ　ｐ域１の厚サバ、約０．５ミクロンないし１
．０ミクロンである。そして、それは、比較的「適度な
」磁気保磁力を呈する（この分野においてよく知られて
いるように、平面Ｓ１に対して垂直に測定された＋−＋
Ｃ約２５０ないし７５０エルステツド）。

上述のようにこの発明に従って製造された記録層ＣＤ、
は、高い磁気保磁力を有する「欠陥のない」連続的なＷ
ｓ説を生み出す。それは、大気腐食に対して不活性であ
ることを必要とし、それによって領域■のフィルム内に
磁気転移として蓄えられたデータ、および最初のフィル
ム付着の後に達成された物理的構造の少ない表面を保護
する。

当業者が認めるように、腐食の挙動は非常に重要である
。なぜなら、フィルム表面特性（Ｉｃとえは、粗さ、化
学的性質、形Ｍ、）における小さな変化は、装置性能に
おいて本質的な変化を引起こし得るからである。たとえ
ば、引用されたトウービンウィン（Ｄｕｂｔｎ−Ｗｉｎ
ｎ　）の論文は、種々の適当な湿度で塩素、Ｓ　０２お
よび酸素含有テスト雰ｆｕｌｌ気に晒された後のＧｏ　
／Ｃｒフィルム（広ｉｌｌの合金、２個の層、異なった
ザブストレート、パーマロイ下層を有するいくつか）の
腐食の挙動を特徴イ」けでいる。

次に、ＩＦｊ！ＯＬ、は、領域■の上に置かれることに
Ｊ二つて完成される。好ましくは、これは、領域工に対
するスパッタの延長としてなされる。なぎなら、都合の
よいこの特徴によれば、領域■に対ＪるＣｏ　／Ｃｒの
共通スパッタの後にＣｒ１度を安定して増加させること
のみが必要となるからである。領域■の上に領域■を付
着して形成するものとして、単に「領域工合金」のクロ
ム濃縮を連続的に増加させることによって、この上部可
変成分層（領域■）がここに形成される。

これは、たとえば上述された共通スパッタのような知ら
れている方法によってなされ躾する。それは、クロム成
分の勾配を呈する領域■（好ましくはその厚さは１００
−３０００７１ングストＬ：１−ム）を作り出す。全体
の厚さＧ　Ｌ　＋を見ると、その最も外側、すなわち露
出表面ｍ−ｓでクロムが最も豊富となる。この表面は、
好ましくは、約０．−１０％Ｃｏ／１００−９０％Ｃｒ
　（好ましくは１００％Ｃｒ）の濃縮を呈する。こうし
て、Ｃｒ％は、領域■にわたって１８％から１００％ま
で上ｆ？？ｌする。そして、磁気モーメントを減少させ
る。なお、過剰ＣＯは、腐食および／または「脱磁」を
許容し得る。また、過剰Ｃｒは、磁気特性を減じる。

髭え 当業者が認めるように、そのような媒体は、優れた磁気
特性を呈する。たとえば、信号のｔ＼ラッド間損失は少
なくなる（あたかもヘッドが媒体の表面ｍ−ｓに近接し
て配置されているかのようである）。また、たとえば、
呼び戻し信号振幅は高くなり、書込磁束は増加し、ビッ
トサイズは可能な限り小さくなる。また、表面ｍ−ｓに
隣接した［上方１部分は、より小さな相対力、より小さ
な「表面の曇りＪｌおよびより小さな「くばみ形成」お
よびその他の表面腐食または汚染物質の侵入（そのよう
な表面の影響は、記録特性をかなり低下させるというこ
とが知られている）を呈する。

また、フレーキングまたはスケーリングが全くあるいは
ほとｌυど観察されない（これらは、常にそこにおける
磁気モーメントを低下させる）。一般的に、（塊の、粒
状の）金属上の腐食の発生は、関連した磁気特性への影
響と同様、観察されない。

そして、耐摩耗性が高められる。

２ｉ＠ｒ＠　（ｍ６ｓ１３．ｕＷ１７Ｎ’）−ここで考
えられる垂直磁気記録の種類はこの分野において十分知
られているものとして理解される。たとえば、第６図に
おいて略示的に示されているようなものである。そこぐ
は、通過する記録部分子ｐは、関連する変換器１−１１
１によって書込まれあるいは読み戻しされている。下記
変換器Ｈｐは１口の分野においてよく知られているよう
に、動作磁束φＡを発するようにされたビット規定、ギ
ャップポーチ（またはポール対面接触領域Ｈ１ｌ−ｐ）
によって分離された１対のブロック部分を含んでいる。

典型的には、記録部分子Ｉ）は、サブストレートベース
Ｂｌ）の上に記録厚さＲＬＦＩを備えており、ＲＬｐは
、保護液Ｗ１層ＯＣｐを有している。

第７図では対照的に、関連した通過媒体上に（すなわら
、サブストレート８し上に被覆されかつよく知られてい
る保護被覆層ＯＣＬによって覆われている記録層ＲＬ上
に）水平的に（または長さ方向に）記録するのに適した
水平記録磁気変換器１−Ｉ　Ｌの働きを略示的に示して
いる。ここでは、ギャップ９によって分離された対向し
た磁気ボールＨＬ−Ｐ１）ＩＬ−Ｐ’が、記録磁気磁束
φＬを発し、それによって層ＲＬ上に書込んでいると理
解される。

念＝１＋［！録層と「同種の」保護上層当業者が認める
ように、この発明によれば、例工は、所望の耐摩耗性お
よび耐腐食性を呈する（増加されたＣｒ）成分を付着す
ることによって、領域■部分の層ＣＬ　＋を作り出し、
こうして、特にその露出表面ｍ−ｓで耐摩耗性およびＷ
Ａ腐食性領域を形成する。一方、物理的、化学的、およ
び磁気的特性は、領域工のＧｏ　１０ｒ合金に類似した
ままで維持される。特に、化較的重要な磁気モーメント
を有している（領域■と同様に「磁気を帯びている」）
ものである。これは、典型的な従来技術が比較的非磁性
の保護層であることと対立している。また、熱膨張度に
おいても比較的に類似している。

そのような類似点は、普通の被覆に対して上述された欠
点を大幅に克服するものとして理解される。当業者がま
た認めるように、多くの場合「種々の８ｉ１度」を実験
的に最もよ（定める。たとえば、成る当業者が特別な磁
気記録特性および特別な摩耗および腐食の経験を心に有
しているならば、その当業者は、その記録層を明確にし
、かつそれに応じて関連した保護層を形成する。たとえ
ば、表面ｍ−ｓが特性において記録層と根本的に異なれ
ば異なるほど、領域■が形成されるとぎ領域■、の厚さ
および成分変化の度合は益々大きくなって（る。逆に、
もし摩耗および腐食の経験が相対的に「穏か」であるこ
とを予期するならば、領域■の厚さくおよび／または０
１％の推移）は、比較的小さくされるであろう。

いかなる場合でも、当業者が認めるように、従来の被覆
と異なって、この保護領域■の厚さは、磁気読取／＠込
の動作とほとんど妥協しない。なぜなら、その領域は「
磁気を帯びている。ｊものであり、一方、従来の保護被
覆は磁気を帯びていないからである。そして、従来技術
において当業者がそのような読取／書込の低下を避ける
ために結果としてこの保護厚さに関して少ししか与えな
いが（それらが危険なほど薄くあるいは部分的に存在し
なくなるほど下被種領域に関して冒険をし、こうしてそ
こでの腐食および劣化を促進するが）、私の非常に改良
された保護層は「磁気を帯びている」ので、これを行な
おうとする誘惑はほとんどない。

有利な特　ケース そしてその上に、この例■は、いくつかの特別な利点お
よび便宜として、下に位置する記録層の成分を単に修正
することによって保護被覆を作るということを示してい
る。こうしで、同一の付着装置および方法が、しばしば
領域■およびＨに対して使われることができる。たとえ
ば、例■において、我々は、領域■を形成するために８
２Ｇ。

−１８Ｏｒを共通スパッタし、その後付着されるＣｒの
濃度を単に（徐々に）増加させることによって（好まし
い表面濃度としては、示されるように、約８０−１００
ｗｔ、％で終わりをな１）、保護層を共通スパッタする
。明らかな理由により、これは２個のｆｒ４域を作るた
めのりＴましいモードである。

当業者が認めるように、領域■の成分は、これらと同一
の結果またはそのほとんどを達成する他の方法で変えら
れ得る。たとえば、クロムの濃縮に代えてまたはクロム
の濃縮に加えてアルミニウムを付加することができ、そ
れによって、領域■内ではＧｏ　１０ｒ　／Ａ　Ｑ三元
合金を作る（ＣｒおよびＡ１１１１度のうちの一方また
は両者は、当業者が認めるように、領域■を横切って増
加されることができる）。そのようなことは、以下の例
■において示される。

領域■のＣｏ１０ｒ合金が少なくとも部分的に領域■を
通って維持されるが、アルミニウムは濃度を増加させな
がらそれとともに共通スパッタされるということを除い
て、例■は、再現されかつ同様にテストされる。特に規
定されるものを除いて、たとえば領域Ｈの厚さなどのよ
うなすべての他のパラメータは同じである。

今、この（および大抵の）例では、「最後の」または領
域■の上に（表面ｍ−ｓに沿って）露出される合金は、
比較的完全に非反応性であり、また非腐食性であり、さ
らに耐摩耗性である。典型的には、これは、磁性材料が
ほとんどまたは全く存在しないということを意味する。

こうして、好ましい領域■の成分は、頂部表面−−Ｓ上
で１００％ＡｆＬであり、領域工に向って下に進むほど
その％は減少する（たとえば、領域■のすぐ上で終わり
をなし、そのときのＡＵはわずかな％である）領域■の
平衡は、好ましくはＣＯ／Ｃｒ合金であり、好ましくは
ＣＯ：Ｃｒの比は、一定に保たれる。そのような領域■
は、「次第にアルミニウム化された合金」として特徴付
けられるかもしれない（トウービン（Ｄ　ｕｂｉｎ）に
あたえられた米国特許第４．０４８．３９０号を参照願
いたい）。

現在、種々のアルミニウムおよびアルミナイド保護コー
ティングが、もちろんこの分野において知られている。

たとえば、いくつかは、「スーパアロイ」　（ジョンウ
ィリーおよびサンス（Ｊ　ｏｈｎＷｙｌｉｅ　＆　３ｏ
ｎｓ　）によって１９７２年に公表され、かつシムス（
３ｉｎ＋ｓ）によって編集されたものの第１２章）にお
いて議論されている。たとえば、その中の第３４６頁に
は、以下のように述べられている。［ニッケルおよびコ
バルトのスーパアロイの耐酸化性を向上するための一般
的な方法は、アルミニウムを表面内へ（その後それは酸
化露出される）拡散させることである。頑強なアルミニ
ウム酸化膜が、アルミナイドの表面上に形成し、そして
周囲の成分とのその後の反応に対して重要な障壁として
作用する。Ｊ０変形例として、そのような酸化物がここ
に形成されてもよい。

このテキストはまた、濃度勾配についても述べている。

すなわち、［アルミニウムが内方に拡散するにつれて、
全体のアルミニウム濃度勾配があられれてくる。同様な
勾配は、存在Ｊるまたは形成している各層においてあら
れれることができる。

なぜなら、はとんどのものは、許容され得るアルミニウ
ム８１度の範囲を有しているからである。」と述べてい
る。

その資料はまた、保護システムを形成するための種々の
付着工程を述べている。！ことえば、物理的な蒸着（た
とえば、アルミナイドコーティングの）が述べられてい
る。当業者は、その他の種々の付着方法に転じ得る。た
とえば、水溶液層または非水溶液層内の電気泳動のよう
な方法（イオンではなく粒子またはコロイドのメッキ）
である。

この場合、特にその後の拡散処理が生ずる。あるいは、
たとえば化学蒸着のような方法である（たとえば、ガス
状のアルミニウムコンパウンドに晒すことによって付着
する）。

１胆 領域πの上部領域がほとんど磁性を帯びていないという
ことを除いて、もちろん例■と同様である。

変形例として、当業者が理解するように、Ｃｒ含有最は
、好ましくは一定に保持されてもよく、あるいはある場
合には一様に増加されてもよい（たとえば、Ａ見含有聞
とともに、あるいはＡｍ含有量は均一に保持して）。そ
して、「より磁性を帯びている」領域■が必要とされる
ところでは、もちろん、以下の関連した例■によって示
されているように、Ａｍ含有量を減少させてもよい。

匠１」」ＬＬζ旦１」ツＬ弘屋工Ｊ」じ【ｆ喧町」とＬ
例■が再現されかつ同様にテストされる。、しかしなが
ら、ＡＩｌ含有量は、例■と比較して減少されている。

好ましくは、領域工のすぐ上では約Ｏ％かられずかなｗ
ｔ９％であり、領域■の上では最大５−１０ｗｔ、％で
ある。そしてその平衡は、Ｃｏ　／Ｃｒ合金を備えてい
る（好ましくは、ＣＯ：Ｏｒの比率は一定である）。

症１ ｆｆｉ域■がかなり［磁性を帯びている］ことを除いて
、例■と同じである。

例■が再現されかつ同様にテストされる。しかしながら
、酸化物のｗｔ、％が増加するようにされている。特に
、領域■は、（領域工の上で）特有の三元合金（たとえ
ば、９５ｗｔ０％ＣＯ１０ｒ、５、ｗｔ、％Ａ１１）と
して始まり、そしてその慢、次第に酸化される。たとえ
ば、最終的には、５ｗｔ。

％ＣＯ／ＣＩ”　、１　ｗｔ、％Ａｌ、Ａ１．Ｏｒまた
はＧｏ、または任意の組合せからなる平衡酸化物、とな
る。なお、メータードイン（ｍｅｔｅｒｅｄ、　−ｉｎ
）された０２がその％を増加するとき、好ましくは０２
の反応性スパッタが行なわれる。簡単な熱酸化は好まし
くない。なぜなら、ディスクを歪ませる危険があり、ま
た制御が正確ではないからである。

例工は、ある程度、長さ方向（水平方向）ｌａ磁気記録
意図されたディスク（第５図のＣＤ２）にとって第２の
好ましい実施例としてここに理解される。しかしながら
、ここでは、下層ＵＬ２は、クロム（変形例としてＷ）
を備える。そして、複合層Ｇ　Ｌ　２は、記録領域（領
域工）としてＧｏ　−Ｎ１から作られる。その記録領域
は、Ｏｒ　（その％は変化する）を付加している関連し
た保護領域（可変成分、領域■）を有している。すなわ
ち、記録領域は、当業者が理解しているような適当な態
様で適用されかつ付着されたＧｏ　−Ｎｉ　−Ｏｒであ
る。

ここで、ディスクサブストレートＳ２およびその他の特
徴および製造工程は、異なつ【特定されていることを除
いて、上述されたものと同じとして理解される。ここで
、下層ＵＬ２は、上述されたものと同じ厚さの範囲内に
あり、そして好ましくは、スパッタによって付着された
クロムからなる。化学的に同質な記録１１０Ｌ２　（領
域Ｉ）は、）３Ｑｗｔ、％Ｃｏ／２ＯＮｉからなり、そ
してその厚さは５０−３０００オングストローム（好ま
しくは１０００オングストローム）である。それは、サ
ブストレートＳ２の主表面の平面内に磁気結晶異方性（
容易な軸線）を呈し、そして当業名が理解しているよう
に、この平面内で測定されるような適当な保磁力（たと
えば、２５０−７５０　（エルステッド）／を有してい
る。

例■と対照的に、可変成分保護層（領域■）は、ここで
は好ましくは、三元合金を備える。その三元合金は、コ
バルト−ニッケルークロムである。

そして、Ｃｒの濃度は、前述したように、露出表面ｍ−
ｓに向って上方にいくほど増加する。好ましくは、最終
的に…−８で１００ｗｔ、％Ｃｒとなるようにされる（
そして好ましくは、領域工の上でわずかなｗｔ、％Ｃ「
から始まり、またそこでは、Ｇｏ−Ｎｉの平衡となって
いる。Ｃｏ二Ｎｉの比率は、好ましくは一定に保たれる
。たとえば、領域■において８０Ｃｏ−２ＯＮｉである
。）。この領域■は、好ましくは、１００−１０００オ
ングストロームのオーダの厚さであり、そして例■にお
いて記述したように、好ましくはＱｏ　−Ｎｉとともに
クロムを共通スパッタすることによって広く形成される
。

こうして、例■における全体の磁気ＦｉＣＬ、は、１１
００ないし１３０００オングストロームのオーダの厚さ
であったが、ここでは、当業者が理解するように、それ
よりもはるかに薄り、好ましくは約６００ないし４００
０オングストロームとなる。（Ｏｒ　）下層Ｕ　Ｌ　２
の働きは、当業者が知っているように、磁気記録を高め
ることである。前述したように、一定の場合に、アルミ
ニウムディスクＳ２に代えて［カプトン（Ｋａｐｔｏｎ
　）　Ｊまたは同様な有機サブストレートを用いること
が可能であるということを、当業者は理解する。

髭１ 長さ方向の記録がここに含まれ、はるかに薄い記録層（
１０００オングストロームないし１００００オンゲスト
０−ム）と、いくらか薄くてより脆く、しかもたとえば
ヘッドの着地−−１脱がらすりへらされそうな保護層（
約１００−１０００７１ングストロームないし５０００
オ゛ングストロームまたはそれ以上）と、を有している
ということを除いて、結果は概略例■に対して述べられ
たものと同様である。

例Ｖは、以下のことを除いて、再現されかつ同様にテス
トされる。すなわち、可変濃度液′ｆＩＩ（領域■）に
おいて、ア、ルミニウムが、クロムに置換えられ、その
伯は同様に適用されかつテストされる。好ましくは、Ａ
ｌｗｔ、％は、例Ｖのパターンに従う（わずかなｗｔ、
％から約１００Ｗｔ、％まで上昇する。Ｃｒと同様であ
る）。

胤」 一般的に、例Ｖにおりるのと同様である。

形例（たとえば酸化物％が変化する） 当業者が認めるように、前述した例の可変成分領域（Ｉ
Ｉ）は、前に提案された線に沿って修正されてもよい。

たとえば、邑々な形態の酸化物（Ｃｒ〜酸化物および／
またはＡＨ−酸化物）が付加えられまたは置換えられる
。あるいは、４成分が用いられてもよい。たとえば、Ａ
ｕをＱｒに付加え（または、Ｏｒをへ見に付加え）、お
よび１個または両方の成分を領域■の層にわたって増大
するように変化させてもよい。

そして、もちろん、その他のｃｏ−Ｎｉの比率（または
Ｃ０−Ｎｉ合金）が考えられる。たとえば、５５Ｃｏ−
１３，５Ｎｉ−３１，５Ｗである。

おそらく、領域工に１００％ＣＯを用いてもよいであろ
う。もしそうならば、領域■は、Ｃｏ　−Ｃｒ　（Ｏｒ
をその％を増加させながら付加える）となり得る。

また、当業者は、「勾配をもった」層（濃度が増加して
いる）で同様に保護的に被覆され得るようなその他の１
コバルトを含む」材料（たとえば、磁気記録のために使
われるようなＧｏ−Ｐ、またはｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ）を考
え得る。

結論 ここに記述された好ましい実施例は単なる例示的なもの
であり、この発明の思想から逸ｌｌ１２−することなく
、構成、配置ｔｔ−７よび使用において多くの修正また
は変形がなされ得るということが理解される。たとえば
、当業者が理解するように、一定の場合に付＠および関
連した製造ステップの技術として、層の厚さ、成分など
が修正され得る。一定の材料（たとえば、Ｎｉ１摩耗性
、耐腐食性）および／または厚さくたとえば、下層）が
、一定の場合に修正され、置換えられまたは除去されて
もよい。

さらに、ここに開示された手段および方法は、また、他
の同様なものを保護するのに適用され得る。特に、いく
ぶんか磁性を帯びている被覆が有利であるようなものを
保護するのに適用され得る。

また、ここに教示されたように保護されかつ修正された
記録フィルムは、また、たとえば光学的にデータを記録
したりまたは再生したりするような他の形態の記録およ
び／または再生システムにも適用され得る。

この発明の可能な変形を示している上述した例は、単に
例示的なものである。したがって、この発明は、特許請
求の範囲に規定されたこの発明の範囲内でのすべての可
能な限りの修正および変形を含ノνでいるものとしで考
慮されねばならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の保護被覆を有している磁気記録媒体の
部分断面図である。 第２図は、新規な自己保護的な２ｇの部分の記録保護層
を呈するように修正された媒体の同様な図Ｃある。 第３図は、第２図とは異なったように示されている図で
ある。 第４図は、より特定的な実施例の同様な図である（例工
を参照）。 第５図は、異なった特定の実施例の同様な図である（例
■）。 第６図および第７図は、それぞれ垂直および水平記録装
置を非常に簡単に示す図である。 図において、ＣＤ　＋は磁気記録ディスク、Ｓ。 はザブストレート、ＵＬ、は磁気下層、ＣＬＩは複合記
録自己保護層、１−　ｐは、通過記録部分、Ｈｐは変換
器、ＲＬＩ）は記録層、ＯＣｐは保護被覆層、ＨＬは水
平記録磁気変換器を示づ。 特許出願人　メモレックス・コーポレーション図面の浄
書（内容に変更なし） 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特許願第２８１９８９号 ２、発明の名称 コバルトを含む磁気層 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　アメリカ合衆国、カリフォルニア州、サンタ・ク
レラザン・トーマス・アット・セントラル・イクスブレ
スウエイ（番地なし） 名称　メモレックス・コーポレーション代表者　ジャッ
ク・アール・シルバーバーブ４、代理人 住　所　大阪市北区天神橋２丁目３番９号　八千代第一
ビル昭和６０年４月３０日 ６、補正の対象 願書の４．特許出願人の住所および代表者の欄、図面全
図、委任状および訳文、上申書、誤記理由書、法人・国
籍・代表者資格訂明書および訳文７、補正の内容 （１）願書の４．特許出願人の住所の欄に「アメリカ合
衆国、カリフォルニア州、サンタ・クレラ、サン・トー
マス・アンド・セン（−ラル・イクスプレスウエイ（番
地なし）」とあるを［アメリカ合衆国、カリフォルニア
州、サンタ・クレラ、サン・トーマス・アット・セント
ラル・イクスプレスウエイ（宮石なし）」に訂正致しま
ず。 （２）願書の４．特許出願人の代表者の欄に「ジャック
・アール・シルバーバーブ、１を補充致します。 なお、上記（１）および（２）の補正に伴い新たに調製
した訂正！ｉｒＩ＠を添イ」致します。 （３）濃墨で描いた図面全図を別紙の通り補充致します
。なお、内容についての変更はありません。 く４）委任状および訳文を別紙の通り補充致します。 （５）願書に記載の発明の名称が委任状に記載のものと
相違致しまずので、上申書を提出致します。 （６）上記（１）の補正に伴い、誤記理由書ならびに法
人・国籍・代表者資格証明書および訳文を別紙のとおり
提出致します。 ８、提出書類の目録 （１）訂正願書　１通 （２）図　面　１通 （３）委任状および訳文　各１通 （４）上申書　１通 （５）誤記理由内　１通。 （６）法人・国籍・代表者資格証明書および訳文　各１
通 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　その上に保＊ｇｉｏｃを有する、コバルトを含
   む磁気層Ｔｈであって、 前記ｇｏｃは、いくらか磁気を帯びており、かつ１個ま
   たはそれ以上の磁気成分Ｍを有し、さらに、１個または
   それ以上の他の成分Ｂを有し、そのうちの少なくともい
   くつかは、耐摩耗性／耐腐蝕性材料であり、少なくとも
   １個の８材料の濃度は、層ＯＣの断面を通過して増加す
   るように連続的に上昇している、コバルトを含む磁気Ｗ
   ６（２）　前記コバルトを含む層Ｔｈは、磁気記録用に
   適合されており、かつＣＯ合金または単独のＣＯを備え
   ており、そして層ＯＣは、Ｂ材料として、少なくとも１
   個のＣｒ　、Ａｌｌ、Ｗ、Ｍｏ　。 ＭＯ８２、または酸化物を備えている、特許請求の範囲
   第１項に記載のコバルトを含む磁気層。 （３）　前記層Ｔｈは、コバルトを単独でまたはＣｒま
   たはＮｌとの合金で備え、層ＯＣ内では、磁気成分Ｍが
   コバルトまたはコバルト−ニッケルを備えている、特許
   請求の範囲第２項に記載のコバルトを含む磁気層。 （４）　前記層Ｔｈ１．ｔＣｏ−Ｎｉを備え、前記磁気
   成分ＭはＣ０１Ｎｉまたはｃｏ−Ｎｉであり、前記層の
   成分ＢはＣｒを備える、特許請求の範囲第３項に記載の
   コバルトを含む磁気層。 （５）　前記１１Ｔｈは、７５−８５％ＣＯおよび平衡
   Ｎｉを備える、特許請求の範囲第４項に記載のコバルト
   を含む磁気層。 （６）　前記層ＯＣ内のＣ「％は、前記層ＯＣの露出表
   面で成分１００％にまで上昇づ“る、特許請求の範囲第
   ５項に記載のコバルトを含む磁気層。 （７）　前記成分Ｂは、１個またはそれ以上のＣ「の酸
   化物を備える、特許請求の範囲第３項に記載のコバルト
   を含む磁気層。 （８）　前記酸化物％は、前記ＪｉｌＯＣにわたって増
   加して上昇する、特許請求の範囲第７項に記載のコバル
   トを含む磁気層。 （９）　前記層Ｔｈは、８５Ｃｏ−１５Ｎｉを構成する
   、特ｇ！＋請求の範囲第５項に記載のコバルトを含む磁
   気層。 （１０）　前記層Ｔｈは８０Ｃｏ−２ＯＮｉを備え、前
   記磁気成分ＭはＣ０１ＮｉまたはＧｏ　−Ｎｉであり、
   前記成分ＢはＯｒを備える、特許請求の範囲第３項に記
   載のコバルトを含む磁気層。 （１１）　前記層ＯＣ内のＣｒ％は、前記層ＯＣの露出
   表面で１００％となるように増加する、特許請求の範囲
   第１０項に記載のコバルトを含む磁気層。 （１２）　前記層Ｔ’ｈは８０Ｃｏ−２ＯＮｉを備え、
   前記磁気成分ＭはＣＯ，ＮｉまたはＣＯ−Ｎｉであり、
   前記成分Ｂはへ見を備える、特許請求の範囲第３項に記
   載のコバルトを含む磁気層。 （１３）　前記層ＯＣ内のＣｒ％は、前記層ＯＣの露出
   表面で１００％となるように増加する、特Ｆｆ　請求の
   範囲第１２項に記載のコバルトを含む磁気層。 （１４）　前記成分Ｂは、Ａｍおよび１個またはそれ以
   上のＡｍの酸化物を備える、特許請求の範囲第１２項に
   記載のコバルトを含む磁気層。 （１５）　前記酸化物の％は、前記層ＯＣにわたって増
   加づるように上昇する、特許請求の範囲第１４項に記載
   のコバルトを含む磁気層。 （１６）　ｗｔ、％が、増加する前記Ｂ材料は、前記層
   ＯＣの露出表面で前記ＭＯＣの１００％を構成するよう
   に増加する、特許請求の範囲第３項に記載のコバルトを
   含む磁気層。 （１７）　前記層ＴｈはＧｏ−Ｃ’ｒを備え、前記成分
   ＭはＣＯである、特許請求の範囲第３項に記載のコバル
   トを含む磁気層。 （１８）　前記層Ｔｈは８０−８５％Ｇｏおよび平衡Ｃ
   ｒを備える、特許請求の範囲第１７項に記載のコバルト
   を含む磁気層。 （１９）　前記成分ＢはＣ：゛および１個またはそれ以
   上のＣｒの酸化物を備える、特許請求の範囲第１８項に
   記載のコバルトを含む磁気層。 （２０）　前記酸化物の％は、前記層ＯＣにわたって増
   加するように上昇する、特許請求の範囲第１９項に記載
   のコバルトを含む磁気層。 （２１）　前記１１ＪＴｈは８５％Ｇｏ−１５Ｏｒを備
   える、特許請求の範囲第２０項に記載のコバルトを含む
   磁気層。 （２２）　前記層ＯＣ内のＣｒ％は、前記層ＯＣの露出
   表面で１００％となるように増加する、特許請求の範囲
   第２１項に記載のコバルトを含む磁気層。 （２３）　前記層Ｔｈはコバルトを単独で備え、前記成
   分Ｍはｃｏを備える、特許請求の範囲第３項に記載のコ
   バルトを含む磁気層。 （２４）　前記成分ＢはＣ「および／または１個または
   それ以上のＣｒの酸化物を備える、特許請求の範囲第２
   ３項に記載のコバルトを含む磁気層。 （２５）　少なくとも１個の非磁性成分Ｂを含む保護被
   覆ＮＯＣを有する、コバルトを含む磁気記録層であって
   、前記成分Ｂのうちの少なくとも１個は、そのｗｔ８％
   が前記層Ｔ　１１から前記層ｏｃを通過するｒＩＩＪＪ
   ｊ！Ｊ加するように上昇する、コバルトを含む磁気記録
   層。 （２６）　前記層０’Ｃは、また、少なくとも１個の磁
   気成分Ｍを含んでいくぶんか磁気を帯びている、特許請
   求の範囲第２５項に記載のコバルトを含む磁気記録層。 （２７）　前記磁気成分Ｍのうちの少なくともいくつか
   は、前記層Ｔｈの磁気記録成分のうちのいくつかを含む
   、特許請求の範囲第２６項に記載のコバル１−を含む磁
   気記録層。 （２８）　前記ＷＩＯＣは、化学および冶金学上前記層
   Ｔｈと親密な関係にある、特許請求の範囲第２７項に記
   載のコバルトを含む磁気記録層。 （２９）　前記成分Ｂは、Ｃｒ、ＡＱ、Ｗ、Ｍｏ　、Ｍ
   Ｏ８２、炭素、およびその酸化物、およびＴｈ材料のコ
   バルト酸化物からなるクラスから選ばれた１個またはそ
   れ以上の成分である、特許請求の範囲第２８項に記載の
   コバルトを含む磁気記録層。 （３０）　前記１１ｉ１Ｔｈは、ＣＯ５ＣＯ−Ｎｉまた
   はＣｏ−０ｒを備え、前記成分Ｍは同じらのを備える、
   特許請求の範囲第２９項に記載のコバルトを含む磁気記
   録層。 （３１）　前記層ＴｈはＱｏ−ＮｉまたはＣ０−Ｃｒを
   備え、前記成分ＢはＯｒ、Ａ見および／またはその酸化
   物を備える、特許請求の範囲第３０項に記載のコバルト
   を含む磁気記録層。 （３２）　前記成分Ｂは、ｗｔ、％が増加する１個また
   はそれ以上の酸化物を含む、特許請求の範囲第３０項に
   記載のコバルトを含む磁気記録層。 （３３）　前記層Ｔｈは、反応性スパッタによって作ら
   れ、前記層ＯＣは、主として、層ＯＣが形成されるにつ
   れて濃度を増加させながらこのスパッタを０２で続ける
   ことによって作られる、特許請求の範囲第３２項に記載
   のコバルトを含む磁気記録層。 （３４）　記録材料Ｒとしてｃｏ　、ｃｏ　−Ｎｉまた
   はｃｏ−Ｏｒから構成されたコバルトを含む磁気記録層
   −ｒ　ｈのための磁性保護被覆ＯＣであって、 前記被覆ＯＣは、前記材料Ｒおよび非磁性保護成分Ｂを
   含み、前記成分Ｂのうちの少なくとも１個は、前記被覆
   ＯＣが前記層Ｔｈ上に形成されるにつれてそのｍａが増
   加し、記録材料Ｒのｗｔ、％は減少する、磁性保護被覆
   。 （３５）　前記成分Ｂは、Ｏｒ　、　Ａ　ｕ、ＷｌＭｏ
   　、ＭＯＳ２　、炭素、およびその酸化物、および材料
   Ｔｈのコバルト酸化物からなるクラスから選ばれた１個
   またはそれ以上の成分である、特許請求の範囲第３４項
   に記載の磁性保護被覆。 （３６）　前記成分Ｂのｗｔ、％は、前記被覆ＯＣの露
   出表面で１００ｗｔ１％となるように増加覆る、特許請
   求の範囲第３５項に記載の磁性保護被覆。 （３７）　前記Ｗ　Ｔ　ｈはディスクの上にある、特許
   請求の範囲第３６項に記載の磁性保護被覆。 （３８）　前記層Ｔｈは、テープサブストレートの上に
   ある、特許請求の範囲第３６項に記載の磁性保護被覆。 （３９）　前記層Ｔｈは、所定の付着工程によって作ら
   れ、この工程は、加えられる材料Ｂの濃度を増加させて
   被覆ＯＣを形成するために延長される、特許請求の範囲
   第３４項に記載の磁性保護被覆。 （４０）１１ｒＪ記層Ｔｈは、反応性スパッタによって
   作られ、前記層ＯＣは、主として、ｍｏｃが形成される
   につれて濃度を増加させるようにこのスパッタを０□で
   続けることによって作られる、特許請求の範囲第３９項
   に記載の磁性保護被覆。