JPS6022326A - 半導体集積回路の樹脂封止方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路の樹脂封止工程において使用
するもので、特に下型金型のポットから樹脂をキャビテ
ィに圧入する樹脂封止方法及びその装置に関するもので
ある。

この種の半導体集積回路の樹脂封止装置を第１図面の簡
単な説明すると、モールド金型下型１は、下部モールド
プレスペース２に固定され、モールド金型上型３は、上
部モールドプレスペース１８に固定された型締めシリン
ダー４により上下移動可能に取シ付けられており、モー
ルド金型下型１のポット５内にはタブレット化された樹
脂８（以下タブレットという）が所定位置にセットされ
、該モール、ド金型下型１内を上昇するプランジャー６
により樹脂８はキャビティーに向けて圧入される・樹脂
封止時に、前記モールド金型の上下型１゜３ともに加熱
され、このとき、モールド金型下型１のポット５にセッ
トされるタブレット８とのプランジャー６の平坦な上端
面ａが同時に加熱される。この状態で図示しない搬送手
段によりリードフレーム７とタブレット８を同時にモー
ルド金型下型ｌ内の所定位置にセットする。次に型締め
シリンダー４によりモールド金型上型３が下降し、リー
ドフレーム７をモールド金型下型１と上型３との間に挾
持する。次にプランジャー６が図示しない射出シリンダ
一手段により上昇し、２ブレツト８を上型３に向けて押
し上げ、タブレット８の上面すがカル溝９の平坦な天井
面Ｃに当接した状態でプランジャー６により加圧されて
、ゲル化した樹脂８がカル溝９、ゲート１０を通してキ
ャビティー１１に加圧移送され、樹脂封止が行なわれる
。

この時タブレット８の加熱ゲル化は次のようにして行な
われる。すなわち、タブレット８が下型７のボッし５内
に投入されると、捷ずタブレット８の下面ｄとプランジ
ャ−６上端面ａが接触する。

この接触は面接触であり一番加熱されやすい。またタブ
レット８の側面ｅとポット５の内面とが線接触し、下型
１の輻射熱により加熱される。タブレット８は上面すを
除いた側面ｅ及び下面ｄ°が、モールド金型上型３が下
降するまでの時間約４　ｓｅｃ加熱されている。モール
ド金型１，３の型締後、プランジャー６が上昇し、タブ
レット８の上面すがカル溝９の天井面Ｃと接触したとき
に、初めてタブレット８の上面すは金型３に直接接触し
加熱ゲル化される。さらに、プランジャー６が上昇し、
ゲル化されたタブレットはゲート１０に移送され、キャ
ビティー１１に充填される。ところで、キャビティー１
１に最初に充填されるタブレット８は上面すの樹脂であ
るが、前述したようにゲル化するのが一番遅く、逆にタ
ブレット８０下面ｄは最後にするのが一番早い。そのた
め次の問題がある。即ち、タブレット８の十面すの樹脂
が樹脂粘度の高い状態でキャビティー１１に圧入される
ため、第２図に示す封入すべきＩＣチップ１２の、ボン
ディングワイヤー１３が注入樹脂により一方に寄せ集め
られてワイヤー間がショートしたり時にはワイヤーが断
紳するという事故を引き起す。一方、タブレット８の下
面ｄの樹脂は早くからゲル化していて、逆に硬化の状態
に入ってしまうため、第３図に示すように未充填１４を
引き起こし、半導体集積回路の品質、信頼性上の重大欠
点があり、ひいては歩留が悪いという不都合があった・ 本発明の目的はタブレットの加熱状態を均一化し、ワイ
ヤー流れ、断線事故や未充填のない高品質、高信頼性の
半導体集積回路の樹脂封止方法及びその装置を提供する
ことにある。すなわち、本発明はプランジャー上端面の
中心に円錐状の突起を設けて、該突起によりタブレット
への熱伝導に時間差をもたせ、プランジャー射出上昇途
中で樹脂のゲル化のだめに一旦停止させ、タブレットへ
の熱伝導を均一化したことを特徴とするものである。

以下、本発明の一実施例を図により詳細に説明する。

第４図、第５図において、本発明のプランジャー１５の
上端面ａの中心には円錐状突起１６を設け、一方モール
ド金型上型３の断面ロ状カル満９の天井面Ｃに、プラン
ジャー１５の円錐状突起１６を°受は入れる円錐状逃げ
１７を付す。従来と同じようにタブレット８とリードフ
レーム７を搬送手段により下型金Ｍ１にセットすると、
ポット５内のタブレット８の下面ｄがプランジャー１５
の円錐状突起１６の先端ｆ点に当る。従来のプランジャ
ーはタブレットとの接触面が平面であり、タブレットと
面接触したため非常に熱伝導効率が良く、一番早くゲル
化されてしまったが、本発明ではタブレット８とプラン
ジャー１５の上端面ａとの接触は点接触になるため、熱
伝導効率を下げることができる。尚、ポット５内のタブ
レット８の側面ｅは従来と同じようにモールド金型下型
ｌの輻射熱により加熱される。この状態で型締めを行な
い、その後タブレット８の下面ｄと点接触状態を維持さ
せたまま、フラ７　シャー　１５を上昇させて、タブレ
ット８の上面すをカル溝９の天井面Ｃに接触させ、次い
で第５図で示すようにタブレット８の下面ｄに突起１６
を喰い込ませて、該タブレット８の下面ｄにプランジャ
ー１５の平坦な上端面ａを面接触させる。この状態でプ
ランジャー１５を一旦停止させ、若干の時間を取シタブ
レット８の上面す側をモールド金型上型３で、下面ｄ側
をプランジャー１５でそれぞれ加熱してタブレット８の
全体を同時に均一に加熱し、タブレット８をゲル化させ
る（プランジャーを停止させる位置、時間については一
般的なシーケンス制御手段により行なう）。その後、再
びプランジャー１５を上昇させ、ゲル化したタブレット
（樹脂）８をキャビティー１１に充填させ、樹脂封止を
行なう。尚、カル溝９の円錐状逃げ１７にプランジャー
１５の突起１６を受け入れ、タブレット８を入れないで
動作させたときに、プランジャー１５、上型金型３が破
損しないように保護する。

以上説明したように本発明によれば、プランジャー１５
の上端面に円錐状突起を備えているため、タブレットの
下面ｄとの接触が点接触になり、タブレット８への熱伝
導効率を下げることができる。

さらにタブレットへの熱伝導効率を下げだ状態でタブレ
ットの上面をカル溝内に嵌合させ、次いでプランジャー
１５の上端面をタブレットの下面に面接触させ、プラン
ジャーを一旦停止して加熱°するため、少なくともタブ
レットの上面が下面より同時か速く加熱を始めることが
でき、加熱を均一化できる。又、プランジャーの一旦停
止する時間を調整すればゲル化状態の最適条件を選定で
きる。

しだがって、最初にキャビティーに圧入されるべき樹脂
の粘度を最低粘度の状態で圧入できるため、ワイヤー流
れや断線事故をなくすことができ、又最後に圧入される
樹脂も硬化が始まる前に圧入できるだめ、未充填をなく
すことができ、非常に高品質、高信頼性をもち、かつ歩
留が良い封入方法及び装置を提供することができるもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の樹脂封止装置の一部破断の正面図、第２
図は封止される半導体集積回路の平面図、第３図は封入
した半導体集積回路の平面図、第４図は本発明による樹
脂封止装置の実施例の一部破断正面図、第５図は本発明
の動作を示す一部破断正面図である。 １・・・モールド金型下型、２・・・下部モールドプレ
スベース、３・・モールド金型上型、４・・・型締シリ
ンダー、５・・・ポット、７・・・リードフレーム、８
・・、タブレット、９・・・カル溝、１０・・・ゲート
、１１・・・キャビティー、１２・・・ＩＣチップ、１
３・・・ボンディングワイヤー、１４・・・未充填部、
１５・・・プランジャー、１６・・・突［，１７・・・
逃げ溝、１８・・・モールドプレスペース特許出願人　
日本電気株式会社 、〆 代理人　弁理士　菅　野　中１□　□ 第１図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）上下のモールド金型間を型締めし、モールド金型
   上型のカル溝を通してキャビティー内に、モールド金型
   下型のポット内からタブレット化された樹脂を加熱ゲル
   化してプランジャーにより圧入し、半導体集積回路に樹
   脂封止を行なう半導体集積回路の樹脂封止方法において
   、プランジャーの送９移動に関連して樹脂の一部が加熱
   されたモールド金型上型のカル溝に嵌合するまでの間、
   プランジャーから樹脂への熱伝導を可及的遮断し、樹脂
   がカル溝内に嵌合した後プランジャーの熱を樹脂に伝え
   、プランジャーの送りを一旦停止させて一定時間モール
   ド金型上型と、プランジャーとの熱を樹脂に伝導するこ
   とを特徴とする半導体集積回路の樹脂封止方法。
2. （２）上下のモールド金型間を型締めし、モールド金型
   上型のカル溝を通してキャビティ内に、モールド金型下
   型のポット内からタブレット化された樹脂を加熱ゲル化
   してプランジャーにより圧入して、半導体集積回路に樹
   脂封止を行なう半導体集積回路の樹脂封止装置において
   、プランジャーの上端面に可及的小面積の樹脂支持用突
   起を突設するとともに、モールド金型上型のカル溝内に
   、プランジャーの円錐状突起を受け入れる逃げを付した
   ことを特徴とする半導体集積回路の樹脂対゛止装置・