JPH11274196A - 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置Info
- Publication number
- JPH11274196A JPH11274196A JP10079874A JP7987498A JPH11274196A JP H11274196 A JPH11274196 A JP H11274196A JP 10079874 A JP10079874 A JP 10079874A JP 7987498 A JP7987498 A JP 7987498A JP H11274196 A JPH11274196 A JP H11274196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- semiconductor device
- resin
- semiconductor
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止するモールド工程における不良の発
生をなくす 【解決手段】 半導体アッセンブリ１０は、半導体チッ
プ１２がダイパッド１１４に固着してあって、金型キャ
ビティ３８内に配置される。下型３６には、金型キャビ
ティ３８内に出没自在な支持ピン４２が設けてある。支
持ピン４２は、下型３６に設けたモールドゲートの軸線
上に配置してあり、サーボモータ４８によって上下動す
るようになっていて、ダイパッド１４の下面に当接して
半導体アッセンブリ１０を支え、金型キャビティ３８に
注入された樹脂の流れによって半導体アッセンブリ１０
が傾斜したり、上下方向に変位するのを防止する。
生をなくす 【解決手段】 半導体アッセンブリ１０は、半導体チッ
プ１２がダイパッド１１４に固着してあって、金型キャ
ビティ３８内に配置される。下型３６には、金型キャビ
ティ３８内に出没自在な支持ピン４２が設けてある。支
持ピン４２は、下型３６に設けたモールドゲートの軸線
上に配置してあり、サーボモータ４８によって上下動す
るようになっていて、ダイパッド１４の下面に当接して
半導体アッセンブリ１０を支え、金型キャビティ３８に
注入された樹脂の流れによって半導体アッセンブリ１０
が傾斜したり、上下方向に変位するのを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを樹
脂封止した半導体装置の製造方法に係り、リードフレー
ムのダイパッドに半導体チップを固着した半導体アッセ
ンブリの全体を樹脂中に封止する半導体装置の製造方法
およびモールドシステム並びに半導体装置に関する。
脂封止した半導体装置の製造方法に係り、リードフレー
ムのダイパッドに半導体チップを固着した半導体アッセ
ンブリの全体を樹脂中に封止する半導体装置の製造方法
およびモールドシステム並びに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置には、リードフレームに設け
たダイパッドに半導体チップを接着剤により固着すると
ともに、半導体チップの電極とリードフレームのリード
とを金線によって接続して半導体アッセンブリとし、こ
の半導体アッセンブリを金型キャビティ内に配置し、そ
の後、金型キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、半
導体アッセンブリの全体を樹脂で覆ったものがある。図
９は、このような半導体アッセンブリの一部を示す平面
図である。
たダイパッドに半導体チップを接着剤により固着すると
ともに、半導体チップの電極とリードフレームのリード
とを金線によって接続して半導体アッセンブリとし、こ
の半導体アッセンブリを金型キャビティ内に配置し、そ
の後、金型キャビティ内に樹脂を注入して硬化させ、半
導体アッセンブリの全体を樹脂で覆ったものがある。図
９は、このような半導体アッセンブリの一部を示す平面
図である。
【０００３】図９において、半導体アッセンブリ１０
は、半導体チップ１２を固着したダイパッド１４が正方
形または長方形に形成してある。このダイパッド１４
は、４つの角部が吊りリード１６によってリードフレー
ム本体１８に接続してあり、吊りリード１６によってリ
ードフレーム１８に支持されている。そして、リードフ
レーム本体１８の各吊りリード１６の間には、多数のリ
ード２０が形成してあり、これらのリード２０にワイヤ
（金線）２２を介して半導体チップ１２の端子が接続し
てある。
は、半導体チップ１２を固着したダイパッド１４が正方
形または長方形に形成してある。このダイパッド１４
は、４つの角部が吊りリード１６によってリードフレー
ム本体１８に接続してあり、吊りリード１６によってリ
ードフレーム１８に支持されている。そして、リードフ
レーム本体１８の各吊りリード１６の間には、多数のリ
ード２０が形成してあり、これらのリード２０にワイヤ
（金線）２２を介して半導体チップ１２の端子が接続し
てある。
【０００４】このように構成された半導体アッセンブリ
１０は、リード２２の部分が上下の金型に挟持された状
態で金型キャビティ内に配置され、ダイパッド１４のい
ずれかの角部に対応して設けた金型の樹脂注入口から樹
脂が金型キャビティ内に注入されて樹脂封止される。
１０は、リード２２の部分が上下の金型に挟持された状
態で金型キャビティ内に配置され、ダイパッド１４のい
ずれかの角部に対応して設けた金型の樹脂注入口から樹
脂が金型キャビティ内に注入されて樹脂封止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ダイパッド
１４は、薄くて幅の狭い吊りリード１６によってリード
フレーム本体１８に支持されているため、半導体アッセ
ンブリ１０を配置した金型キャビティに樹脂を注入する
と、図１１に示したように、半導体アッセンブリ１０が
注入された樹脂の流れによって、金型キャビティ２４内
で樹脂の注入方向（樹脂注入口の軸線方向）において傾
斜したり、当初の配置位置から上下方向に移動したりす
る。このため、全体の厚さｔが１ｍｍや１．４ｍｍの薄
型の半導体装置においては、半導体アッセンブリ１０の
わずかな傾きや位置の変動によって、ダイパッド１４や
ワイヤ２２が金型に接触した状態で樹脂封止され、樹脂
の硬化後にダイパッド１４やワイヤ２２が樹脂の表面に
露出して見え、不良となってしまう。
１４は、薄くて幅の狭い吊りリード１６によってリード
フレーム本体１８に支持されているため、半導体アッセ
ンブリ１０を配置した金型キャビティに樹脂を注入する
と、図１１に示したように、半導体アッセンブリ１０が
注入された樹脂の流れによって、金型キャビティ２４内
で樹脂の注入方向（樹脂注入口の軸線方向）において傾
斜したり、当初の配置位置から上下方向に移動したりす
る。このため、全体の厚さｔが１ｍｍや１．４ｍｍの薄
型の半導体装置においては、半導体アッセンブリ１０の
わずかな傾きや位置の変動によって、ダイパッド１４や
ワイヤ２２が金型に接触した状態で樹脂封止され、樹脂
の硬化後にダイパッド１４やワイヤ２２が樹脂の表面に
露出して見え、不良となってしまう。
【０００６】そこで、従来は、半導体チップ１２とリー
ド２０とをワイヤ２２によって接続するワイヤボンディ
ング工程においてワイヤ２２の張る高さを調整したり、
金型キャビティ２４に樹脂を注入するためのモールド条
件を調整して不良の発生をなくすようにしているが、加
工のバラツキなどによりダイパッド１４やワイヤ２２が
外部から見える不良の発生をなくすことができなかっ
た。また、モールド条件の調整もモールド後の結果を見
て条件出しを行なっているため、材料の変化などに対す
る対応の遅れが生じたり、調整できる幅も小さく、上記
の不良をなくすことができなかった。
ド２０とをワイヤ２２によって接続するワイヤボンディ
ング工程においてワイヤ２２の張る高さを調整したり、
金型キャビティ２４に樹脂を注入するためのモールド条
件を調整して不良の発生をなくすようにしているが、加
工のバラツキなどによりダイパッド１４やワイヤ２２が
外部から見える不良の発生をなくすことができなかっ
た。また、モールド条件の調整もモールド後の結果を見
て条件出しを行なっているため、材料の変化などに対す
る対応の遅れが生じたり、調整できる幅も小さく、上記
の不良をなくすことができなかった。
【０００７】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、樹脂封止するモールド工程にお
ける不良の発生をなくすことを目的としている。
ためになされたもので、樹脂封止するモールド工程にお
ける不良の発生をなくすことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフ
レームのダイパッドに半導体チップを固着した半導体ア
ッセンブリを金型キャビティ内に配置し、金型キャビテ
ィ内に樹脂を注入して前記半導体アッセンブリを樹脂内
に封入する半導体装置の製造方法において、前記金型の
樹脂注入口のほぼ軸線上に配置した支持ピンを前記半導
体アッセンブリに当接させるとともに、前記樹脂注入口
から前記金型キャビティ内に前記樹脂を注入したのち、
前記支持ピンを前記金型内に引き込んで前記樹脂を硬化
させることを特徴としている。
めに、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフ
レームのダイパッドに半導体チップを固着した半導体ア
ッセンブリを金型キャビティ内に配置し、金型キャビテ
ィ内に樹脂を注入して前記半導体アッセンブリを樹脂内
に封入する半導体装置の製造方法において、前記金型の
樹脂注入口のほぼ軸線上に配置した支持ピンを前記半導
体アッセンブリに当接させるとともに、前記樹脂注入口
から前記金型キャビティ内に前記樹脂を注入したのち、
前記支持ピンを前記金型内に引き込んで前記樹脂を硬化
させることを特徴としている。
【０００９】このように構成した本発明は、支持ピンを
半導体アッセンブリに当接させた状態で樹脂を注入する
ため、支持ピンが樹脂の流動による半導体アッセンブリ
の傾斜や位置の変動を阻止し、ダイパッドやワイヤが金
型に接触するのを防止することができ、半導体アッセン
ブリの樹脂封止後にダイパッドやワイヤが外部から見え
るなどの不良をなくすことができる。しかも、樹脂を注
入したのち、樹脂が硬化する前に支持ピンを金型内に引
き込むようにしているため、ピンが存在した部分に孔を
生じて半導体アッセンブリが露出するなどを避けること
ができる。
半導体アッセンブリに当接させた状態で樹脂を注入する
ため、支持ピンが樹脂の流動による半導体アッセンブリ
の傾斜や位置の変動を阻止し、ダイパッドやワイヤが金
型に接触するのを防止することができ、半導体アッセン
ブリの樹脂封止後にダイパッドやワイヤが外部から見え
るなどの不良をなくすことができる。しかも、樹脂を注
入したのち、樹脂が硬化する前に支持ピンを金型内に引
き込むようにしているため、ピンが存在した部分に孔を
生じて半導体アッセンブリが露出するなどを避けること
ができる。
【００１０】支持ピンをダイパッドに当接させるように
すると、半導体チップを疵付けたりするおそれがない。
そして、複数の支持ピンを樹脂注入口のほぼ軸線に沿わ
せて配置すると、より安定して半導体アッセンブリを支
持することができ、半導体アッセンブリの傾きなどをさ
らになくすことができる。また、支持ピンによって半導
体アッセンブリを押圧し、支持ピンの当接前に対して変
位させると、リードフレームのリードと半導体チップと
を接続したワイヤや吊りリードの弾性により、半導体ア
ッセンブリによる支持ピンを金型に押し込む力が作用
し、高い圧力で樹脂が金型キャビティに流入したとして
も、半導体アッセンブリが樹脂によって持上げられるの
を阻止することができる。
すると、半導体チップを疵付けたりするおそれがない。
そして、複数の支持ピンを樹脂注入口のほぼ軸線に沿わ
せて配置すると、より安定して半導体アッセンブリを支
持することができ、半導体アッセンブリの傾きなどをさ
らになくすことができる。また、支持ピンによって半導
体アッセンブリを押圧し、支持ピンの当接前に対して変
位させると、リードフレームのリードと半導体チップと
を接続したワイヤや吊りリードの弾性により、半導体ア
ッセンブリによる支持ピンを金型に押し込む力が作用
し、高い圧力で樹脂が金型キャビティに流入したとして
も、半導体アッセンブリが樹脂によって持上げられるの
を阻止することができる。
【００１１】半導体アッセンブリは、顧客の要求などに
よって金型キャビティ内にダイパッドを下にして配置さ
れることもあり、ダイパッドを上にして配置されること
もあり、いずれの状態で配置してもよい。そして、ダイ
パッドを下側にして配置される場合、支持ピンは金型の
下型に設けることが望ましく、ダイパッドを上側にして
配置される場合、支持ピンを上型に設けることが望まし
い。また、支持ピンを半導体アッセンブリの上下に当接
させ、上下の支持ピンによって半導体アッセンブリを挟
持した状態にすると、樹脂注入時における半導体アッセ
ンブリの位置変動をより確実に防止することができる。
支持ピンを一対設けてこれらをダイパッドをリードフレ
ーム本体に支持している吊りリードに当接させると、支
持ピンの間隔を大きくすることができ、半導体アッセン
ブリの支持を安定して行なうことができる。
よって金型キャビティ内にダイパッドを下にして配置さ
れることもあり、ダイパッドを上にして配置されること
もあり、いずれの状態で配置してもよい。そして、ダイ
パッドを下側にして配置される場合、支持ピンは金型の
下型に設けることが望ましく、ダイパッドを上側にして
配置される場合、支持ピンを上型に設けることが望まし
い。また、支持ピンを半導体アッセンブリの上下に当接
させ、上下の支持ピンによって半導体アッセンブリを挟
持した状態にすると、樹脂注入時における半導体アッセ
ンブリの位置変動をより確実に防止することができる。
支持ピンを一対設けてこれらをダイパッドをリードフレ
ーム本体に支持している吊りリードに当接させると、支
持ピンの間隔を大きくすることができ、半導体アッセン
ブリの支持を安定して行なうことができる。
【００１２】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、金型キャビティ内に配置した放熱板を、金型の樹脂
注入口のほぼ軸線上に配置した支持ピンによって支え、
半導体チップを固着したリードフレームのダイパッドを
前記放熱板の上に配置して前記金型を閉じ、前記樹脂注
入口から前記金型キャビティ内に樹脂を注入したのち、
前記支持ピンを前記金型内に引き込んで前記樹脂を硬化
させる構成とした。このように構成した本発明は、樹脂
モールド（樹脂封止）の際に放熱板を半導体アッセンブ
リに装着することができ、工程の簡素化を図ることがで
きる。
は、金型キャビティ内に配置した放熱板を、金型の樹脂
注入口のほぼ軸線上に配置した支持ピンによって支え、
半導体チップを固着したリードフレームのダイパッドを
前記放熱板の上に配置して前記金型を閉じ、前記樹脂注
入口から前記金型キャビティ内に樹脂を注入したのち、
前記支持ピンを前記金型内に引き込んで前記樹脂を硬化
させる構成とした。このように構成した本発明は、樹脂
モールド（樹脂封止）の際に放熱板を半導体アッセンブ
リに装着することができ、工程の簡素化を図ることがで
きる。
【００１３】放熱板の下面に位置ずれ防止用の凹部を形
成し、この凹部を介して支持ピンにより放熱板を支持す
ると、放熱板の上に半導体アッセンブリを配置する際の
放熱板の変位を防止でき、放熱板に対する半導体アッセ
ンブリの位置を正確に決めることができる。そして、こ
の場合においても、支持ピンを樹脂注入孔のほぼ軸線に
沿って複数設けることができる。
成し、この凹部を介して支持ピンにより放熱板を支持す
ると、放熱板の上に半導体アッセンブリを配置する際の
放熱板の変位を防止でき、放熱板に対する半導体アッセ
ンブリの位置を正確に決めることができる。そして、こ
の場合においても、支持ピンを樹脂注入孔のほぼ軸線に
沿って複数設けることができる。
【００１４】上記の半導体装置の製造方法を実施するた
めの半導体装置のモールドシステムは、リードフレーム
のダイパッドに半導体チップを固着した半導体アッセン
ブリを配置するキャビティが設けられた開閉自在な金型
と、この金型に設けられて前記キャビティ内に樹脂を注
入する樹脂注入口と、前記金型キャビティ内に出没可能
に設けられて前記樹脂注入口のほぼ軸線上に配置され、
前記金型キャビティ内の前記半導体アッセンブリに当接
させる支持ピンと、この支持ピンを軸線方向に移動させ
るアクチュエータとを有する構成にした。これにより、
半導体アッセンブリが樹脂の流れによって傾斜したり上
下方向に移動するのを防止でき、ダイパッドやワイヤが
見えるような不良をなくすことができる。
めの半導体装置のモールドシステムは、リードフレーム
のダイパッドに半導体チップを固着した半導体アッセン
ブリを配置するキャビティが設けられた開閉自在な金型
と、この金型に設けられて前記キャビティ内に樹脂を注
入する樹脂注入口と、前記金型キャビティ内に出没可能
に設けられて前記樹脂注入口のほぼ軸線上に配置され、
前記金型キャビティ内の前記半導体アッセンブリに当接
させる支持ピンと、この支持ピンを軸線方向に移動させ
るアクチュエータとを有する構成にした。これにより、
半導体アッセンブリが樹脂の流れによって傾斜したり上
下方向に移動するのを防止でき、ダイパッドやワイヤが
見えるような不良をなくすことができる。
【００１５】支持ピンを樹脂注入口のほぼ軸線に沿って
複数設けることにより、半導体アッセンブリの傾きなど
をより確実に防止できる。また、支持ピンは、必要に応
じて金型の下型、上型のいずれに設けてもよい。そし
て、支持ピンを上型と下型との両方に設けてこれらの支
持ピンによって半導体アッセンブリを挟持するようにし
てもよい。さらに、支持ピンは、ダイパッドを支持でき
るようにダイパッドと対応した位置に設けることができ
る。また、樹脂注入口のほぼ軸線に沿って支持ピンを一
対設け、これらをキャビティ内に配置された半導体アッ
センブリのダイパッドをリードフレーム本体に支持して
いる吊りリードと対応した位置に配置し、吊りリードを
支持するようにしてもよい。そして、支持ピンをキャビ
ティ内に出没させるアクチュエータをサーボモータによ
って構成すると、支持ピンの上下方向の位置や支持ピン
の金型への引き込み速度、動作モードなどを任意に設定
することができ、各種のモールドタイプに容易に対応す
ることができ、また支持ピンの引き込み時に樹脂中に気
泡などが生ずるのを確実に防ぐことができる。 そし
て、本発明に係る半導体装置は、請求項１ないし１１の
いずれかの製造方法により製造されたことを特徴として
いる。これにより、ダイパッドやワイヤが見えるような
不良品をなくすことができる。
複数設けることにより、半導体アッセンブリの傾きなど
をより確実に防止できる。また、支持ピンは、必要に応
じて金型の下型、上型のいずれに設けてもよい。そし
て、支持ピンを上型と下型との両方に設けてこれらの支
持ピンによって半導体アッセンブリを挟持するようにし
てもよい。さらに、支持ピンは、ダイパッドを支持でき
るようにダイパッドと対応した位置に設けることができ
る。また、樹脂注入口のほぼ軸線に沿って支持ピンを一
対設け、これらをキャビティ内に配置された半導体アッ
センブリのダイパッドをリードフレーム本体に支持して
いる吊りリードと対応した位置に配置し、吊りリードを
支持するようにしてもよい。そして、支持ピンをキャビ
ティ内に出没させるアクチュエータをサーボモータによ
って構成すると、支持ピンの上下方向の位置や支持ピン
の金型への引き込み速度、動作モードなどを任意に設定
することができ、各種のモールドタイプに容易に対応す
ることができ、また支持ピンの引き込み時に樹脂中に気
泡などが生ずるのを確実に防ぐことができる。 そし
て、本発明に係る半導体装置は、請求項１ないし１１の
いずれかの製造方法により製造されたことを特徴として
いる。これにより、ダイパッドやワイヤが見えるような
不良品をなくすことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方
法およびモールドシステム並びに半導体装置の好ましい
実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。な
お、前記従来技術において説明した部分に対応する部分
については、同一の符号を付してその説明を省略する。
法およびモールドシステム並びに半導体装置の好ましい
実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。な
お、前記従来技術において説明した部分に対応する部分
については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１７】図１は、本発明の第１実施の形態に係る半
導体装置のモールドシステムの説明図である。図１にお
いて、モールドシステム３０は、金型３２を有してい
る。金型３２は、上型３４と下型３６とから構成してあ
り、上型３４と下型３６とが協働して半導体アッセンブ
リ１０のリード２０を把持するとともに、半導体アッセ
ンブリ１０を配置する金型キャビティ３８を形成するよ
うになっている。そして、下型３６には、一対の貫通孔
４０が形成され、これらの貫通孔４０を介して下型３６
を貫通し、金型キャビティ３８に出没自在な支持ピン４
２が設けてある。
導体装置のモールドシステムの説明図である。図１にお
いて、モールドシステム３０は、金型３２を有してい
る。金型３２は、上型３４と下型３６とから構成してあ
り、上型３４と下型３６とが協働して半導体アッセンブ
リ１０のリード２０を把持するとともに、半導体アッセ
ンブリ１０を配置する金型キャビティ３８を形成するよ
うになっている。そして、下型３６には、一対の貫通孔
４０が形成され、これらの貫通孔４０を介して下型３６
を貫通し、金型キャビティ３８に出没自在な支持ピン４
２が設けてある。
【００１８】支持ピン４２は、金型キャビティ３８に配
置された半導体アッセンブリ１０のダイパッド１４と対
応した位置に設けられ、ダイパッド１４に当接するよう
になっている。また、一対の支持ピン４２は、下端が連
結材４４に固定してあり、一体に上下動するようになっ
ている。そして、連結材４４の下部には、ロッド４６が
接続してあり、このロッド４６の下端がアクチュエータ
であるサーボモータ４８によって回転する正面カム５０
に係合しており、正面カム５０の回転によって矢印５２
のように上下動するようになっている。また、一対の支
持ピン４２は、図２に示したように、下型３６に形成し
た樹脂注入口であるモールドゲート５４の軸線５６上に
配置してある。
置された半導体アッセンブリ１０のダイパッド１４と対
応した位置に設けられ、ダイパッド１４に当接するよう
になっている。また、一対の支持ピン４２は、下端が連
結材４４に固定してあり、一体に上下動するようになっ
ている。そして、連結材４４の下部には、ロッド４６が
接続してあり、このロッド４６の下端がアクチュエータ
であるサーボモータ４８によって回転する正面カム５０
に係合しており、正面カム５０の回転によって矢印５２
のように上下動するようになっている。また、一対の支
持ピン４２は、図２に示したように、下型３６に形成し
た樹脂注入口であるモールドゲート５４の軸線５６上に
配置してある。
【００１９】なお、この実施形態においては、ダイパッ
ド１４は正方形に形成してあって、一片の長さＢが９．
５ｍｍ、また一対の支持ピン４２の間隔ｐが６．５ｍｍ
に設定してある。さらに、半導体アッセンブリ１０は、
図３に示したリード２０の下面とダイパッド１４の上面
との間隔、いわゆるデプレス量が通常より大きくしてあ
り、樹脂封止した半導体装置の総厚ｔ（図１参照）が１
ｍｍの場合、半導体アッセンブリ１０を下型３６にセッ
トしたときに、図３の二点鎖線に示したダイパッド１４
の下面と下型３６のキャビティ面と間隔ａが０．１７５
ｍｍとなるようにしてある。また、支持ピン４２は、ダ
イパッド１４の下面に当接させられ、これを図３の実線
に示したようにやや上方に押し上げるようになってい
て、実施の形態の場合、支持ピン４２によって押し上げ
られたダイパッド１４の下面と下型３６のキャビティ面
との間隔ｂが０．２６〜０．２８ｍｍとなるように設定
してある。
ド１４は正方形に形成してあって、一片の長さＢが９．
５ｍｍ、また一対の支持ピン４２の間隔ｐが６．５ｍｍ
に設定してある。さらに、半導体アッセンブリ１０は、
図３に示したリード２０の下面とダイパッド１４の上面
との間隔、いわゆるデプレス量が通常より大きくしてあ
り、樹脂封止した半導体装置の総厚ｔ（図１参照）が１
ｍｍの場合、半導体アッセンブリ１０を下型３６にセッ
トしたときに、図３の二点鎖線に示したダイパッド１４
の下面と下型３６のキャビティ面と間隔ａが０．１７５
ｍｍとなるようにしてある。また、支持ピン４２は、ダ
イパッド１４の下面に当接させられ、これを図３の実線
に示したようにやや上方に押し上げるようになってい
て、実施の形態の場合、支持ピン４２によって押し上げ
られたダイパッド１４の下面と下型３６のキャビティ面
との間隔ｂが０．２６〜０．２８ｍｍとなるように設定
してある。
【００２０】図４は、図１に示したモールドシステムに
よる半導体装置の製造工程のブロック図である。半導体
チップ１２の端子とリードフレームのリード２０とをワ
イヤ２２により接続した半導体アッセンブリ１０は、図
４のステップ６０に示したように、樹脂とのなじみを良
くするために１６５℃程度に余熱される。また、ステッ
プ６１に示したように、金型３２のクリーニングが行な
われる。金型３２のクリーニングが終了すると、下型３
６に余熱した半導体アッセンブリ１０をセットする（ス
テップ６２）。
よる半導体装置の製造工程のブロック図である。半導体
チップ１２の端子とリードフレームのリード２０とをワ
イヤ２２により接続した半導体アッセンブリ１０は、図
４のステップ６０に示したように、樹脂とのなじみを良
くするために１６５℃程度に余熱される。また、ステッ
プ６１に示したように、金型３２のクリーニングが行な
われる。金型３２のクリーニングが終了すると、下型３
６に余熱した半導体アッセンブリ１０をセットする（ス
テップ６２）。
【００２１】その後、サーボモータ４８を駆動して正面
カム５０を回転させ、ロッド４６、連結材４４を介して
支持ピン４２を上昇させ、図１に示したように、支持ピ
ン４２の上端を半導体アッセンブリ１０のダイパッド１
４の下面に当接させ、半導体アッセンブリ１０を支える
（ステップ６３）。このとき、支持ピン４２の上下方向
の位置を検出する位置センサ（図示せず）の検出信号を
図示しない制御装置に与え、サーボモータ４８を制御装
置で制御して支持ピン４２が当接する前に図１の二点点
鎖線の位置に有った半導体アッセンブリ１０をやや上方
に押し上げるようにする。具体的な押し上げ量は、樹脂
封止後の半導体装置の厚さｔが１ｍｍである場合、支持
ピン４２の当接前に対して０．０８〜０．２ｍｍ程度上
方に変位させる。これにより、ダイパッド１４をフレー
ム本体に支持している吊りリードやワイヤ２２の弾性に
よってダイパッド１４が支持ピン４２に押し付けられ、
下型３６に形成したモールドゲート５４から大きな圧力
でモールド樹脂が注入されたとしても、樹脂の流動によ
って半導体アッセンブリ１０が上方に押し上げられるの
を防止することができる。
カム５０を回転させ、ロッド４６、連結材４４を介して
支持ピン４２を上昇させ、図１に示したように、支持ピ
ン４２の上端を半導体アッセンブリ１０のダイパッド１
４の下面に当接させ、半導体アッセンブリ１０を支える
（ステップ６３）。このとき、支持ピン４２の上下方向
の位置を検出する位置センサ（図示せず）の検出信号を
図示しない制御装置に与え、サーボモータ４８を制御装
置で制御して支持ピン４２が当接する前に図１の二点点
鎖線の位置に有った半導体アッセンブリ１０をやや上方
に押し上げるようにする。具体的な押し上げ量は、樹脂
封止後の半導体装置の厚さｔが１ｍｍである場合、支持
ピン４２の当接前に対して０．０８〜０．２ｍｍ程度上
方に変位させる。これにより、ダイパッド１４をフレー
ム本体に支持している吊りリードやワイヤ２２の弾性に
よってダイパッド１４が支持ピン４２に押し付けられ、
下型３６に形成したモールドゲート５４から大きな圧力
でモールド樹脂が注入されたとしても、樹脂の流動によ
って半導体アッセンブリ１０が上方に押し上げられるの
を防止することができる。
【００２２】次に、上型３４を下降させて金型３２を閉
じる（ステップ６４）。なお、型締めは、支持ピン４２
を半導体アッセンブリ１０に当接する前に行なってもよ
い。支持ピン４２を半導体アッセンブリ１０に当接させ
る前に型締めを行なえば、支持ピン４２を半導体アッセ
ンブリ１０に当接させたときに、半導体アッセンブリ１
０が傾斜したり、位置ずれするなどのおそれがない。
じる（ステップ６４）。なお、型締めは、支持ピン４２
を半導体アッセンブリ１０に当接する前に行なってもよ
い。支持ピン４２を半導体アッセンブリ１０に当接させ
る前に型締めを行なえば、支持ピン４２を半導体アッセ
ンブリ１０に当接させたときに、半導体アッセンブリ１
０が傾斜したり、位置ずれするなどのおそれがない。
【００２３】型締めが終了したならば、金型キャビティ
３８内にモールド樹脂をモールドゲート５４を介して注
入する（ステップ６５）。このモールド樹脂は、実施の
形態の場合、約１８０秒で硬化するように調整してあ
る。そして、金型キャビティ３８への樹脂の注入が終了
したならば、金型キャビティ３８内の樹脂に圧力をかけ
た状態に保持するとともに、樹脂注入後の適宜のタイミ
ングでサーボモータ４８を逆回転させて支持ピン４２を
下型３６に引き込む（ステップ６６）。この実施の形態
の場合、樹脂の注入終了後、１２秒経過したときに支持
ピン４２を引き込むようにしている。また、支持ピン４
２の引き込み速度は、樹脂中に気泡を発生しないような
速度に制御している。そして、支持ピン４２が下型３６
に引き込まれると、支持ピン４２が抜けた空間に周囲の
樹脂が流入して空間を満たす。
３８内にモールド樹脂をモールドゲート５４を介して注
入する（ステップ６５）。このモールド樹脂は、実施の
形態の場合、約１８０秒で硬化するように調整してあ
る。そして、金型キャビティ３８への樹脂の注入が終了
したならば、金型キャビティ３８内の樹脂に圧力をかけ
た状態に保持するとともに、樹脂注入後の適宜のタイミ
ングでサーボモータ４８を逆回転させて支持ピン４２を
下型３６に引き込む（ステップ６６）。この実施の形態
の場合、樹脂の注入終了後、１２秒経過したときに支持
ピン４２を引き込むようにしている。また、支持ピン４
２の引き込み速度は、樹脂中に気泡を発生しないような
速度に制御している。そして、支持ピン４２が下型３６
に引き込まれると、支持ピン４２が抜けた空間に周囲の
樹脂が流入して空間を満たす。
【００２４】その後、金型キャビティ３８内の樹脂に圧
力をかけた状態を樹脂が硬化するまで保持する（ステッ
プ６７）。そして、樹脂が硬化したならば、ステップ６
８に示したように金型３２を開き、下型３６に設けたエ
ジェクタピンによって半導体アッセンブリ１０を突き上
げて金型３２から取り出す（ステップ６９）。また、金
型３２から取り出された半導体アッセンブリ１０は、次
の工程に搬送される（ステップ７０）。
力をかけた状態を樹脂が硬化するまで保持する（ステッ
プ６７）。そして、樹脂が硬化したならば、ステップ６
８に示したように金型３２を開き、下型３６に設けたエ
ジェクタピンによって半導体アッセンブリ１０を突き上
げて金型３２から取り出す（ステップ６９）。また、金
型３２から取り出された半導体アッセンブリ１０は、次
の工程に搬送される（ステップ７０）。
【００２５】このように、実施の形態においては、支持
ピン４２をダイパッド１４の下面に当接させて半導体ア
ッセンブリ１０を支えた状態で金型キャビティ３８に樹
脂を注入しているため、樹脂の流れによって半導体アッ
センブリ１０が傾斜したり、樹脂の流れに引き摺られて
半導体アッセンブリ１０が下方に移動するのを阻止する
ことができる。また、支持ピン４２によって半導体アッ
センブリ１０をピン４２の当接前に対して上方に変位さ
せているため、半導体アッセンブリ１０は、支持ピン４
２に押圧されるため、樹脂の流動によって上方に浮き上
がるのを防止できる。従って、ダイパッド１４やワイヤ
２２が外部から見えるような不良をなくすことができ
る。
ピン４２をダイパッド１４の下面に当接させて半導体ア
ッセンブリ１０を支えた状態で金型キャビティ３８に樹
脂を注入しているため、樹脂の流れによって半導体アッ
センブリ１０が傾斜したり、樹脂の流れに引き摺られて
半導体アッセンブリ１０が下方に移動するのを阻止する
ことができる。また、支持ピン４２によって半導体アッ
センブリ１０をピン４２の当接前に対して上方に変位さ
せているため、半導体アッセンブリ１０は、支持ピン４
２に押圧されるため、樹脂の流動によって上方に浮き上
がるのを防止できる。従って、ダイパッド１４やワイヤ
２２が外部から見えるような不良をなくすことができ
る。
【００２６】さらに、前記実施の形態においては、支持
ピン４２をサーボモータ４８によって作動させるように
しているため、支持ピン４２の突出高さ、動作速度、動
作方法などを自由に設定することができ、各種のパッケ
ージタイプに合った条件の設定が可能となる。そして、
前記実施の形態においては、樹脂の流動による半導体ア
ッセンブリの変位を防止できるため、モールド条件の調
整などを必要とせず、モールド工程の加工能力を向上す
ることができる。
ピン４２をサーボモータ４８によって作動させるように
しているため、支持ピン４２の突出高さ、動作速度、動
作方法などを自由に設定することができ、各種のパッケ
ージタイプに合った条件の設定が可能となる。そして、
前記実施の形態においては、樹脂の流動による半導体ア
ッセンブリの変位を防止できるため、モールド条件の調
整などを必要とせず、モールド工程の加工能力を向上す
ることができる。
【００２７】なお、前記実施の形態においては、支持ピ
ン４２を一対設けた場合について説明したが、支持ピン
４２は１本でも３本でもよい。そして、支持ピン４２を
１本とした場合、ダイパッド１４の中央部を支えるよう
にすることが望ましい。さらに、この場合、支持ピンの
形状をモールドゲート５４の軸線５６の方向に長い楕円
に形成すると、半導体アッセンブリ１０の支持をより安
定して行なうことができる。また、前記実施の形態にお
いては、アクチュエータがサーボモータ４８である場合
について説明したが、アクチュエータはシリンダなどで
あってもよい。
ン４２を一対設けた場合について説明したが、支持ピン
４２は１本でも３本でもよい。そして、支持ピン４２を
１本とした場合、ダイパッド１４の中央部を支えるよう
にすることが望ましい。さらに、この場合、支持ピンの
形状をモールドゲート５４の軸線５６の方向に長い楕円
に形成すると、半導体アッセンブリ１０の支持をより安
定して行なうことができる。また、前記実施の形態にお
いては、アクチュエータがサーボモータ４８である場合
について説明したが、アクチュエータはシリンダなどで
あってもよい。
【００２８】図５は、第２実施形態の説明図である。こ
のモールドシステム８０は、支持ピン６２が上型３４に
設けてある。そして、支持ピン８２は、矢印８４のよう
に上型３４に対して出没自在となっていて、金型キャビ
ティ３８の内部に半導体チップ１２を下向きにして配置
された半導体アッセンブリ１０のダイパッド１４に当接
するようにしてある。
のモールドシステム８０は、支持ピン６２が上型３４に
設けてある。そして、支持ピン８２は、矢印８４のよう
に上型３４に対して出没自在となっていて、金型キャビ
ティ３８の内部に半導体チップ１２を下向きにして配置
された半導体アッセンブリ１０のダイパッド１４に当接
するようにしてある。
【００２９】このように構成した第２実施の形態におい
ては、半導体チップ１２を下側にして配置された半導体
アッセンブリ１０のダイパッド１４を支持ピン８２によ
って支えた状態で金型キャビティ３８にモールド樹脂を
注入することにより、前記実施の形態と同様の効果を得
ることができる。勿論、この実施形態においても、支持
ピン８２を複数設けることができる。
ては、半導体チップ１２を下側にして配置された半導体
アッセンブリ１０のダイパッド１４を支持ピン８２によ
って支えた状態で金型キャビティ３８にモールド樹脂を
注入することにより、前記実施の形態と同様の効果を得
ることができる。勿論、この実施形態においても、支持
ピン８２を複数設けることができる。
【００３０】図６は、第３実施の形態の説明図である。
この実施の形態に係るモールドシステム８６は、上型３
４と下型３６とのそれぞれに支持ピン８２、４２が設け
てあって、金型キャビティ３８内に配置された半導体ア
ッセンブリ１０の上下を支持ピン８２、４２によって挟
持するようになっている。この実施の形態においては、
半導体アッセンブリ１０の上下を支持ピン８２、４２に
よって挟持するため、注入樹脂の流れによる半導体アッ
センブリ１０の変位を完全になくすことができる。
この実施の形態に係るモールドシステム８６は、上型３
４と下型３６とのそれぞれに支持ピン８２、４２が設け
てあって、金型キャビティ３８内に配置された半導体ア
ッセンブリ１０の上下を支持ピン８２、４２によって挟
持するようになっている。この実施の形態においては、
半導体アッセンブリ１０の上下を支持ピン８２、４２に
よって挟持するため、注入樹脂の流れによる半導体アッ
センブリ１０の変位を完全になくすことができる。
【００３１】図７は、第４実施の形態を示したものであ
る。この第４実施の形態においては、一対の支持ピン４
２が下型３６に出没自在に設けてある。これらの支持ピ
ン４２は、ダイパッド１４をリードフレーム本体に支持
している吊りリード１６と対応した位置に配置してあっ
て、吊りリード１６の下面に当接して半導体アッセンブ
リ１０を支えるようになっている。この支持ピン４２が
当接する吊りリード１６は、モールドゲートが設けられ
ている部分に対応したダイパッド１４の角部と、この角
部と対角位置にある角部に設けられている。この第４実
施形態においては、ダイパッド１４の対角位置にある吊
りリード１６を支えるようになっているため、支持ピン
４２の間隔ｐを大きくでき、半導体アッセンブリ１０を
より安定して支持することができる。
る。この第４実施の形態においては、一対の支持ピン４
２が下型３６に出没自在に設けてある。これらの支持ピ
ン４２は、ダイパッド１４をリードフレーム本体に支持
している吊りリード１６と対応した位置に配置してあっ
て、吊りリード１６の下面に当接して半導体アッセンブ
リ１０を支えるようになっている。この支持ピン４２が
当接する吊りリード１６は、モールドゲートが設けられ
ている部分に対応したダイパッド１４の角部と、この角
部と対角位置にある角部に設けられている。この第４実
施形態においては、ダイパッド１４の対角位置にある吊
りリード１６を支えるようになっているため、支持ピン
４２の間隔ｐを大きくでき、半導体アッセンブリ１０を
より安定して支持することができる。
【００３２】図８は、第５実施の形態を示したものであ
る。この実施形態は、ヒートシンクを有する半導体装置
を製造するためのものである。まず、下型３８の金型キ
ャビティ３８内に放熱板７０を配置し、図８の破線に示
したように支持ピン４２によって放熱板７０を支える。
この放熱板７０の下面中央部には、位置ずれ防止凹部７
２が形成してある。また、支持ピン４２は、上端部が位
置ずれ防止凹部７２に嵌入させてあって、凹部７２を介
して放熱板７０を支持している。そして、半導体アッセ
ンブリ１０は、支持ピン４２が支えている放熱板７０の
上面に配置される。半導体アッセンブリ１０を配置した
のちは、上型３４を閉じて樹脂をキャビティ３８に注入
し、樹脂の注入したのちに適宜のタイミングで図８の実
線に示したように支持ピン４２を下型３６に引き込み、
前記したように樹脂を硬化させる。
る。この実施形態は、ヒートシンクを有する半導体装置
を製造するためのものである。まず、下型３８の金型キ
ャビティ３８内に放熱板７０を配置し、図８の破線に示
したように支持ピン４２によって放熱板７０を支える。
この放熱板７０の下面中央部には、位置ずれ防止凹部７
２が形成してある。また、支持ピン４２は、上端部が位
置ずれ防止凹部７２に嵌入させてあって、凹部７２を介
して放熱板７０を支持している。そして、半導体アッセ
ンブリ１０は、支持ピン４２が支えている放熱板７０の
上面に配置される。半導体アッセンブリ１０を配置した
のちは、上型３４を閉じて樹脂をキャビティ３８に注入
し、樹脂の注入したのちに適宜のタイミングで図８の実
線に示したように支持ピン４２を下型３６に引き込み、
前記したように樹脂を硬化させる。
【００３３】この実施形態においては、樹脂封止時に放
熱板７０を半導体アッセンブリ１０に装着することがで
き、工程の簡素化を図ることができる。しかも、位置ず
れ防止凹部７２に支持ピン４２を嵌入させているため、
放熱板７０に半導体アッセンブリ１０を配置した際に、
放熱板７０がずれたり、支持ピン４２から落下するのを
防止でき、放熱板７０と半導体アッセンブリ１０との相
対位置の位置決めを正確に行なうことができる。なお、
この実施の形態においても支持ピン４２を複数設けてよ
い。
熱板７０を半導体アッセンブリ１０に装着することがで
き、工程の簡素化を図ることができる。しかも、位置ず
れ防止凹部７２に支持ピン４２を嵌入させているため、
放熱板７０に半導体アッセンブリ１０を配置した際に、
放熱板７０がずれたり、支持ピン４２から落下するのを
防止でき、放熱板７０と半導体アッセンブリ１０との相
対位置の位置決めを正確に行なうことができる。なお、
この実施の形態においても支持ピン４２を複数設けてよ
い。
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、支持ピンを半導体アッセンブリに当接させた状態で
樹脂を注入するため、支持ピンが樹脂の流動による半導
体アッセンブリの傾斜や位置の変動を阻止し、ダイパッ
ドやワイヤが金型に接触するのを防止することができ、
樹脂封止後に半導体アッセンブリのダイパッドやワイヤ
が外部から見えるなどの不良をなくすことができる。し
かも、樹脂を注入したのち、樹脂が硬化する前に支持ピ
ンを金型内に引き込むようにしているため、ピンが存在
した部分に孔を生じて半導体アッセンブリが露出するな
どを避けることができる。
ば、支持ピンを半導体アッセンブリに当接させた状態で
樹脂を注入するため、支持ピンが樹脂の流動による半導
体アッセンブリの傾斜や位置の変動を阻止し、ダイパッ
ドやワイヤが金型に接触するのを防止することができ、
樹脂封止後に半導体アッセンブリのダイパッドやワイヤ
が外部から見えるなどの不良をなくすことができる。し
かも、樹脂を注入したのち、樹脂が硬化する前に支持ピ
ンを金型内に引き込むようにしているため、ピンが存在
した部分に孔を生じて半導体アッセンブリが露出するな
どを避けることができる。
【００３５】また、本発明においては、金型キャビティ
内に放熱板を配置し、その上に半導体アッセンブリを配
置して樹脂を注入するため、樹脂モールド（樹脂封止）
の際に放熱板を半導体アッセンブリに装着することがで
き、工程の簡素化を図ることができる。
内に放熱板を配置し、その上に半導体アッセンブリを配
置して樹脂を注入するため、樹脂モールド（樹脂封止）
の際に放熱板を半導体アッセンブリに装着することがで
き、工程の簡素化を図ることができる。
【図１】本発明の第１実施の形態に係る半導体装置のモ
ールドシステムの説明図である。
ールドシステムの説明図である。
【図２】実施の形態に係る支持ピンの位置の説明図であ
る。
る。
【図３】実施の形態に係る支持ピンによる半導体アッセ
ンブリを支えた状態の説明図である。
ンブリを支えた状態の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方
法の説明ブロック図である。
法の説明ブロック図である。
【図５】第２実施の形態に係るモールドシステムの説明
図である。
図である。
【図６】第３実施の形態の説明図である。
【図７】第４実施の形態の説明図である。
【図８】第５実施の形態の説明図である。
【図９】半導体アッセンブリの一部平面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の説明図であ
る。
る。
１０ 半導体アッセンブリ １２ 半導体チップ １４ ダイパッド １６ 吊りリード １８ リードフレーム本体 ２０ リード ２２ ワイヤ ３０、８０、８６ モールドシステム ３２ 金型 ３４ 上型 ３６ 下型 ３８ 金型キャビティ ４２、８２ 支持ピン ４８ アクチュエータ（サーボモータ） ５０ 正面カ
Claims (20)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッドに半導体チ
ップを固着した半導体アッセンブリを金型キャビティ内
に配置し、金型キャビティ内に樹脂を注入して前記半導
体アッセンブリを樹脂内に封入する半導体装置の製造方
法において、前記金型の樹脂注入口のほぼ軸線上に配置
した支持ピンを前記半導体アッセンブリに当接させると
ともに、前記樹脂注入口から前記金型キャビティ内に前
記樹脂を注入したのち、前記支持ピンを前記金型内に引
き込んで前記樹脂を硬化させることを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記支持ピンを前記半導体アッセンブリ
のダイパッドに当接させることを特徴とする請求項１に
記載のを半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記支持ピンは、前記樹脂注入口のほぼ
軸線上に複数配置してあることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記支持ピンにより前記半導体アッセン
ブリを押圧し、半導体アッセンブリを前記支持ピンの当
接前に対して変位させることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体アッセンブリは、前記ダイパ
ッドを下側にして前記金型キャビティ内に配置すること
を特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記半導体アッセンブリは、前記ダイパ
ッドを上側にして前記金型キャビティ内に配置すること
を特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記支持ピンを前記半導体アッセンブリ
の上下に当接させることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記支持ピンを一対設け、前記ダイパッ
ドをリードフレーム本体に支持している吊りリードに当
接させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項９】 金型キャビティ内に配置した放熱板を、
金型の樹脂注入口のほぼ軸線上に配置した支持ピンによ
って支え、半導体チップを固着したリードフレームのダ
イパッドを前記放熱板の上に配置して前記金型を閉じ、
前記樹脂注入口から前記金型キャビティ内に樹脂を注入
したのち、前記支持ピンを前記金型内に引き込んで前記
樹脂を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記放熱板の下面に位置ずれ防止凹部
を形成し、この位置ずれ防止凹部を介して前記支持ピン
により前記放熱板を支持することを特徴とする請求項９
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記支持ピンは、前記樹脂注入口のほ
ぼ軸線上に複数配置してあることを特徴とする請求項９
または１０に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 リードフレームのダイパッドに半導体
チップを固着した半導体アッセンブリを配置するキャビ
ティが設けられた開閉自在な金型と、この金型に設けら
れて前記キャビティ内に樹脂を注入する樹脂注入口と、
前記金型キャビティ内に出没可能に設けられて前記樹脂
注入口のほぼ軸線上に配置され、前記金型キャビティ内
の前記半導体アッセンブリに当接させる支持ピンと、こ
の支持ピンを軸線方向に移動させるアクチュエータとを
有することを特徴とする半導体装置のモールドシステ
ム。 - 【請求項１３】 前記支持ピンは、前記樹脂注入口のほ
ぼ軸線に沿って複数設けてあることを特徴とする請求項
１２に記載の半導体装置のモールドシステム。 - 【請求項１４】 前記金型は協働して前記キャビティを
形成する上型と下型とからなり、前記支持ピンは前記下
型に設けてあることを特徴とする請求項１２または１３
に記載の半導体装置のモールドシステム。 - 【請求項１５】 前記金型は協働して前記キャビティを
形成する上型と下型とからなり、前記支持ピンは前記上
型に設けてあることを特徴とする請求項１２または１３
に記載の半導体装置のモールドシステム。 - 【請求項１６】 前記金型は協働して前記キャビティを
形成する上型と下型とからなり、前記支持ピンは前記上
型と前記下型とのそれぞれに設けてあることを特徴とす
る請求項１２または１３に記載の半導体装置のモールド
システム。 - 【請求項１７】 前記支持ピンは、前記キャビティ内に
配置された前記半導体アッセンブリの前記ダイパッドと
対応した位置に設けてあることを特徴とする請求項１２
ないし１６のいずれかに記載の半導体装置のモールドシ
ステム。 - 【請求項１８】 前記支持ピンは、前記樹脂注入口のほ
ぼ軸線に沿って一対設けられ、それぞれが前記キャビテ
ィ内に配置された前記半導体アッセンブリの前記ダイパ
ッドをリードフレーム本体に支持している吊りリードと
対応した位置に配置してあることを特徴とする請求項１
２に記載の半導体装置のモールドシステム。 - 【請求項１９】 前記アクチュエータは、サーボモータ
であることを特徴とする請求項１２ないし１９のいずれ
かに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１ないし１１のいずれかの製造
方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10079874A JPH11274196A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 |
| KR1019997010946A KR20010012976A (ko) | 1998-03-26 | 1999-03-25 | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 몰드 장치 및반도체 장치 |
| US09/424,500 US6821822B1 (en) | 1998-03-26 | 1999-03-25 | Method of manufacturing semiconductor device, molding device for semiconductor device, and semiconductor device |
| PCT/JP1999/001520 WO1999050908A1 (en) | 1998-03-26 | 1999-03-25 | Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for molding semiconductor device, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10079874A JPH11274196A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274196A true JPH11274196A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13702381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10079874A Pending JPH11274196A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6821822B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11274196A (ja) |
| KR (1) | KR20010012976A (ja) |
| WO (1) | WO1999050908A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069363A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 合成樹脂モールドパッケージの製造方法、アルコール濃度センサ及びアルコール濃度測定装置 |
| KR100566496B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2006-03-31 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 장치 |
| JP2008512647A (ja) * | 2004-09-07 | 2008-04-24 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法 |
| KR100848746B1 (ko) | 2006-08-25 | 2008-07-25 | 토와 가부시기가이샤 | 전자 부품의 수지 밀봉 성형 장치 |
| JP2015225874A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 半導体装置の樹脂成形装置及び半導体装置の樹脂成形方法 |
| JP2016082064A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| JP2019024032A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置用の封止型 |
| JPWO2019038857A1 (ja) * | 2017-08-23 | 2020-01-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN113611614A (zh) * | 2020-05-05 | 2021-11-05 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于封装电子器件的双面成型 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001672A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink |
| US7220615B2 (en) * | 2001-06-11 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Alternative method used to package multimedia card by transfer molding |
| WO2007074352A1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Electronic component and a method of fabricating an electronic component |
| WO2007110680A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Infineon Technologies Ag | Lead frame with non-conductive connective bar |
| US9022773B2 (en) * | 2011-12-29 | 2015-05-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Compensating mold plunger for integrated circuit manufacture |
| DE102012215449A1 (de) * | 2012-08-31 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein elektronisches bauelement, elektronische baugruppe, verfahren zum herstellen eines gehäuses für ein elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe |
| US9863828B2 (en) * | 2014-06-18 | 2018-01-09 | Seiko Epson Corporation | Physical quantity sensor, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and mobile object |
| US11211305B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components |
| US10861796B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Floating die package |
| US10132705B2 (en) * | 2016-07-19 | 2018-11-20 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Low-stress floating-chip pressure sensors |
| US10179730B2 (en) * | 2016-12-08 | 2019-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Electronic sensors with sensor die in package structure cavity |
| US10074639B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
| US10411150B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions |
| US9929110B1 (en) | 2016-12-30 | 2018-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit wave device and method |
| US10121847B2 (en) | 2017-03-17 | 2018-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolation device |
| CN108987292B (zh) * | 2017-06-05 | 2022-07-08 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 封装模具和半导体封装制程 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0257681A3 (en) | 1986-08-27 | 1990-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices and devices obtained thereby |
| DE68927295T2 (de) * | 1988-07-08 | 1997-05-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Kunstharzversiegeltes halbleiterbauelement |
| JP2890662B2 (ja) * | 1990-04-25 | 1999-05-17 | ソニー株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法とそれに用いるリードフレーム |
| JP3572628B2 (ja) * | 1992-06-03 | 2004-10-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3128976B2 (ja) | 1992-07-31 | 2001-01-29 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06177268A (ja) | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06244312A (ja) | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2580973B2 (ja) | 1993-08-25 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 |
| JP3293334B2 (ja) * | 1993-08-25 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3509274B2 (ja) * | 1994-07-13 | 2004-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP3199963B2 (ja) * | 1994-10-06 | 2001-08-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0976282A (ja) | 1995-09-20 | 1997-03-25 | Mitsubishi Eng Plast Kk | 電気・電子部品の樹脂封止成形方法及びそれに用いる金型 |
| JPH09312375A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Hitachi Ltd | リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JPH09260410A (ja) | 1996-03-21 | 1997-10-03 | Ricoh Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| CN1132244C (zh) * | 1996-07-03 | 2003-12-24 | 精工爱普生株式会社 | 树脂封装型半导体装置及其制造方法 |
| JP3359846B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2002-12-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JPH11111746A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JP4273592B2 (ja) * | 1999-10-08 | 2009-06-03 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP10079874A patent/JPH11274196A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-25 KR KR1019997010946A patent/KR20010012976A/ko not_active Ceased
- 1999-03-25 US US09/424,500 patent/US6821822B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-25 WO PCT/JP1999/001520 patent/WO1999050908A1/ja not_active Ceased
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100566496B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2006-03-31 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조 장치 |
| WO2005069363A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 合成樹脂モールドパッケージの製造方法、アルコール濃度センサ及びアルコール濃度測定装置 |
| JP2008512647A (ja) * | 2004-09-07 | 2008-04-24 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 空洞ハウジングおよびセンサチップを含む半導体センサ装置、および、その製造方法 |
| KR100848746B1 (ko) | 2006-08-25 | 2008-07-25 | 토와 가부시기가이샤 | 전자 부품의 수지 밀봉 성형 장치 |
| JP2015225874A (ja) * | 2014-05-26 | 2015-12-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 半導体装置の樹脂成形装置及び半導体装置の樹脂成形方法 |
| JP2016082064A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| JP2019024032A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-02-14 | アサヒ・エンジニアリング株式会社 | 樹脂封止装置用の封止型 |
| JPWO2019038857A1 (ja) * | 2017-08-23 | 2020-01-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN113611614A (zh) * | 2020-05-05 | 2021-11-05 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于封装电子器件的双面成型 |
| US11621181B2 (en) | 2020-05-05 | 2023-04-04 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Dual-sided molding for encapsulating electronic devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6821822B1 (en) | 2004-11-23 |
| KR20010012976A (ko) | 2001-02-26 |
| WO1999050908A1 (en) | 1999-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11274196A (ja) | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 | |
| US8497158B2 (en) | Leadframe strip and mold apparatus for an electronic component and method of encapsulating an electronic component | |
| KR200309906Y1 (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
| US5254501A (en) | Same-side gated process for encapsulating semiconductor devices | |
| CN112677422B (zh) | 树脂成形品的制造方法及树脂成形装置 | |
| JPH06124971A (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JP2003142510A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2004153045A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JPH0637130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000003923A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及びその樹脂封止装置 | |
| JP4202632B2 (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止構造およびその製造装置 | |
| JPH06232195A (ja) | 半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
| KR102087318B1 (ko) | 반도체 패키지의 몰딩성형 방법 및 그 장치 | |
| JPH07112453A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JP2580973B2 (ja) | 半導体封止用成形金型及び樹脂封止方法 | |
| JP2560975B2 (ja) | 樹脂封止用金型 | |
| JP2742638B2 (ja) | 半導体装置用の樹脂封止金型 | |
| JPH0864625A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法とその製造装置および半導体装置構成素子 | |
| JP3602422B2 (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JPH06177192A (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPH0637129A (ja) | モールド金型、リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3182302B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04225241A (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法及びリードフレーム | |
| JP3250460B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09181105A (ja) | 半導体樹脂封止用金型 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050411 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050411 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050411 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050705 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050831 |