JPS60224225A - 半導体焼付装置 - Google Patents
半導体焼付装置Info
- Publication number
- JPS60224225A JPS60224225A JP59080064A JP8006484A JPS60224225A JP S60224225 A JPS60224225 A JP S60224225A JP 59080064 A JP59080064 A JP 59080064A JP 8006484 A JP8006484 A JP 8006484A JP S60224225 A JPS60224225 A JP S60224225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shot
- wafer
- stage
- reticle
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体焼付装置に関し、特に縮小投影方式の
半導体焼付装置に関する。
半導体焼付装置に関する。
一般に縮小投影方式の半導体焼付装置すなわち所謂ステ
ッパは、レチクルの拡大された回路パターンを、縮小投
影光学系を通してウェハ上に繰返し縮小投影し、露光焼
付けする装置である。ここで、１回のショットでウエノ
・上に投影されるレチクルのパターンの面積は、通常ｌ
チップあるいは数チップに相当する小さな面積であシ、
従ってレチクルのパターンをウェハ全面に焼付けるため
には、ウェハをレチクルに対し、縮小投影光学系光軸に
直交する面内でＸＹ方向にステップ状に相対移動させな
がら露光をくシ返す（ステップ・アンド・リピート）。
ッパは、レチクルの拡大された回路パターンを、縮小投
影光学系を通してウェハ上に繰返し縮小投影し、露光焼
付けする装置である。ここで、１回のショットでウエノ
・上に投影されるレチクルのパターンの面積は、通常ｌ
チップあるいは数チップに相当する小さな面積であシ、
従ってレチクルのパターンをウェハ全面に焼付けるため
には、ウェハをレチクルに対し、縮小投影光学系光軸に
直交する面内でＸＹ方向にステップ状に相対移動させな
がら露光をくシ返す（ステップ・アンド・リピート）。
この焼付工程では多いもので士数回の重ね焼が行なわれ
るため、２回目以降の焼付工程については、レチクルパ
ターンとウェハの各チップパターンとの相対的な位置合
わせ（以下アライメントという。）が各ショットごとに
必要となる。このアライメントの方式の１つとしては、
投影レンズを介して各ショット毎にマスク又はレチクル
（以下、レチクルと総称する。）とウェハのアライメン
トを行なうＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ
）ダイ・バイ・ダイアライメント方式があシ、各ショッ
ト毎の高精度の自動位置合わせ（オートアライメント）
が可能である。したがって、このステップ−アンド・リ
ピートを行なう装置においては、オートアライメントに
費やす時間を短縮することが、装置のスループットの向
上に大きく影響を与えることになる。
るため、２回目以降の焼付工程については、レチクルパ
ターンとウェハの各チップパターンとの相対的な位置合
わせ（以下アライメントという。）が各ショットごとに
必要となる。このアライメントの方式の１つとしては、
投影レンズを介して各ショット毎にマスク又はレチクル
（以下、レチクルと総称する。）とウェハのアライメン
トを行なうＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ
）ダイ・バイ・ダイアライメント方式があシ、各ショッ
ト毎の高精度の自動位置合わせ（オートアライメント）
が可能である。したがって、このステップ−アンド・リ
ピートを行なう装置においては、オートアライメントに
費やす時間を短縮することが、装置のスループットの向
上に大きく影響を与えることになる。
従来この種の装置は、ウェハステージがステップ移動後
に位置ズレ量を補正しながら駆動され、かつ、レチクル
ステージの駆動をもって、オート・アライメントが行わ
れている。第４図ρを参照して従来の両ステージの駆動
を説明すると、ウェハステージが理想駆動距離Ｓに対し
て△ｓ１の誤差を生じて移動すると、レチクルステージ
はその補正のためその誤差分△Ｈだけ移動する。次のシ
ョットでウェハステージが△ｓ２の誤差を生じて移動し
たとすると、レチクルステージはその補正のため（、ｙ
ｘ＋△Ｓ２ ）の誤差分を移動しなければならない。
に位置ズレ量を補正しながら駆動され、かつ、レチクル
ステージの駆動をもって、オート・アライメントが行わ
れている。第４図ρを参照して従来の両ステージの駆動
を説明すると、ウェハステージが理想駆動距離Ｓに対し
て△ｓ１の誤差を生じて移動すると、レチクルステージ
はその補正のためその誤差分△Ｈだけ移動する。次のシ
ョットでウェハステージが△ｓ２の誤差を生じて移動し
たとすると、レチクルステージはその補正のため（、ｙ
ｘ＋△Ｓ２ ）の誤差分を移動しなければならない。
すなわち従来この種の装置においては、レチクルステー
ジは、ウェハステージの各ショットごとの移動誤差分に
応じて駆動されるのみで、レチクルステージの駆動手段
に最適化が計られておらず、したがってスループットの
向上に障害となる欠点があった。
ジは、ウェハステージの各ショットごとの移動誤差分に
応じて駆動されるのみで、レチクルステージの駆動手段
に最適化が計られておらず、したがってスループットの
向上に障害となる欠点があった。
本発明の目的は、上記従来例の欠点に鑑み、アライメン
トの時間を短縮した半導体焼付装置を提供することにあ
る。
トの時間を短縮した半導体焼付装置を提供することにあ
る。
本発明は、上記目的を達成するために、オートアライメ
ント時、レチクルステージを駆動させる場合に、レチク
ルステージの駆動を最適化し、スループットを向上させ
ることを特徴とする。
ント時、レチクルステージを駆動させる場合に、レチク
ルステージの駆動を最適化し、スループットを向上させ
ることを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例の外観図であり、第２図は第
１図のアライメント機構の概略構成図であシ、第３図は
第２図のアライメントを説明するためのフローチャート
であり、第４図は第８図で行なわれるアライメントの説
明図である。
１図のアライメント機構の概略構成図であシ、第３図は
第２図のアライメントを説明するためのフローチャート
であり、第４図は第８図で行なわれるアライメントの説
明図である。
第１図において、■はレチクルであシ、このレチクルｌ
はＸ方向、Ｙ方向、θ方向に移動可能なレチクルステー
ジｚ上に載置されておシ、その下方には縮小投影レンズ
８を介してウェハ４が配置されている。このウェハ４は
Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に移動可能なウェハステージ５
上に載置されている。６はＴＴＬアライメント及び観察
用のアライメントスコープ６ａを収容したハウジングで
ある。７はテレビアライメント用の対物レンズであって
、得られた像はテレビプリアライメント用撮像管８で撮
像できるようになっている。なお、９は縮小投影レンズ
８を介してウェハ４を観察するための撮像管、１０はレ
チクルｌを照明する焼ア、１２ａ、１２１）はウェハ回
収用キャリアである。また、１３はプリアライメント用
撮像管８及びＴＴＬ観察用撮像管９で撮像した映像を選
択的に写し出すモニタテレビ、■４はジョイスティック
やスイッチ等を有する操作パネル、１５はＣＲ１画面と
連動し装置を制御するコンソールである。
はＸ方向、Ｙ方向、θ方向に移動可能なレチクルステー
ジｚ上に載置されておシ、その下方には縮小投影レンズ
８を介してウェハ４が配置されている。このウェハ４は
Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に移動可能なウェハステージ５
上に載置されている。６はＴＴＬアライメント及び観察
用のアライメントスコープ６ａを収容したハウジングで
ある。７はテレビアライメント用の対物レンズであって
、得られた像はテレビプリアライメント用撮像管８で撮
像できるようになっている。なお、９は縮小投影レンズ
８を介してウェハ４を観察するための撮像管、１０はレ
チクルｌを照明する焼ア、１２ａ、１２１）はウェハ回
収用キャリアである。また、１３はプリアライメント用
撮像管８及びＴＴＬ観察用撮像管９で撮像した映像を選
択的に写し出すモニタテレビ、■４はジョイスティック
やスイッチ等を有する操作パネル、１５はＣＲ１画面と
連動し装置を制御するコンソールである。
操作パネル１４のジョイスティックは複数の機能を有し
ておシ、例えばレチクルステージ２及びウェハステージ
５のＸ方向、Ｙ方向、θ方向の移動、アライメントスコ
ープ６ａのＸ方向、Ｙ方向、フォーカスであるＺ方向の
移動及びズーム動作等を行わせることができる。これら
は予め設定により、シーケンスの特定個所でその個所に
関連のある機能が自動的に選択される。具体的には、ス
タート待ちの状態ではレチクルステージ２及びアライメ
ントスコープ６鴫の駆動、プリアライメント後やオート
アライメント後にはウェハステージ５の駆動がそれぞれ
可能になシ、それに対応する機能が自動的に選択される
。
ておシ、例えばレチクルステージ２及びウェハステージ
５のＸ方向、Ｙ方向、θ方向の移動、アライメントスコ
ープ６ａのＸ方向、Ｙ方向、フォーカスであるＺ方向の
移動及びズーム動作等を行わせることができる。これら
は予め設定により、シーケンスの特定個所でその個所に
関連のある機能が自動的に選択される。具体的には、ス
タート待ちの状態ではレチクルステージ２及びアライメ
ントスコープ６鴫の駆動、プリアライメント後やオート
アライメント後にはウェハステージ５の駆動がそれぞれ
可能になシ、それに対応する機能が自動的に選択される
。
ｍ Ｑ−ＦＭ Ｗ ”ｂ ｌバイ 内丁へフ卆−１・−
に糾 ＾イハステージ駆動装置２０により各ショットご
とに所定の位置にステップ移動され、その位置は、お互
いに直交して取付けられた反射ミラーｚ１を８つのレー
ザ干渉計２２ａ、２２１）、 ２２Ｑの参照面として、
ウェハステージ５の移動したＸ及びＹ座標及びθ方向の
回転ズレが８つのディテクタ２３ａ、２８ｂ、２８Ｃで
測定される。尚、図中、漣はレーザヘッド、２５ａ、２
５ｂはレーザヘッド１からのレーザ光を分割するための
ビームスプリッタ、２６はレーザ光を折曲げるためのビ
ームベンダである。
に糾 ＾イハステージ駆動装置２０により各ショットご
とに所定の位置にステップ移動され、その位置は、お互
いに直交して取付けられた反射ミラーｚ１を８つのレー
ザ干渉計２２ａ、２２１）、 ２２Ｑの参照面として、
ウェハステージ５の移動したＸ及びＹ座標及びθ方向の
回転ズレが８つのディテクタ２３ａ、２８ｂ、２８Ｃで
測定される。尚、図中、漣はレーザヘッド、２５ａ、２
５ｂはレーザヘッド１からのレーザ光を分割するための
ビームスプリッタ、２６はレーザ光を折曲げるためのビ
ームベンダである。
以下演算装置２７の動作を第３図のフローチャートを参
照して説明する。前述したように、半導体回路のパター
ンの焼付工程は多いもので士数回の重ね焼きが行われる
ため、２回目以降の焼付工程においては、当該レチクル
パターンと前の工程で焼付けられたウェハの各チップパ
ターンとの相対的位置合わせ（アライメント）が各ショ
ットごとに必要になる。すなわち第１行程（１枚目）の
レチクルパターンがウェハ上に焼付けられた後、第２工
程以後のレチクルパターンが重ね合わせられる。
照して説明する。前述したように、半導体回路のパター
ンの焼付工程は多いもので士数回の重ね焼きが行われる
ため、２回目以降の焼付工程においては、当該レチクル
パターンと前の工程で焼付けられたウェハの各チップパ
ターンとの相対的位置合わせ（アライメント）が各ショ
ットごとに必要になる。すなわち第１行程（１枚目）の
レチクルパターンがウェハ上に焼付けられた後、第２工
程以後のレチクルパターンが重ね合わせられる。
まず、ステップＳ１においてウェハ４がウエノ１ステー
ジ５に供給され、そして、ウエノ１ステージ５は、第１
ショット位置へ移動する（ステップＳ２）。その時、ウ
ェハステージ５の位置ズレが、第２図のレーザー干渉計
（２２ａ〜２２Ｃ）などによって測定される（ステップ
８８）。
ジ５に供給され、そして、ウエノ１ステージ５は、第１
ショット位置へ移動する（ステップＳ２）。その時、ウ
ェハステージ５の位置ズレが、第２図のレーザー干渉計
（２２ａ〜２２Ｃ）などによって測定される（ステップ
８８）。
次に、レチクルステージ２が、ステップＳ３において測
定された位置ズレ量をレチクル駆動装置２８（第２図）
によシ移動し、第１シヨツトのオートアライメントを完
了しくステップ５４ａ）、同時にこの時のレチクルステ
ージ２の位置が記憶される（ステップ８４ｂ）。このと
きレチクルステージ２０基準位置が決定される。そして
、露光が行なわれ、第１シヨツトの焼付けが終了する、
（ステップ８５）。
定された位置ズレ量をレチクル駆動装置２８（第２図）
によシ移動し、第１シヨツトのオートアライメントを完
了しくステップ５４ａ）、同時にこの時のレチクルステ
ージ２の位置が記憶される（ステップ８４ｂ）。このと
きレチクルステージ２０基準位置が決定される。そして
、露光が行なわれ、第１シヨツトの焼付けが終了する、
（ステップ８５）。
上記の如く第１シヨツトの焼付けが終了すると、第２シ
ヨツトのアライメント及び露光が行われるが、まずウェ
ハステージ５が第２ショット位置に移動する（ステップ
５６ａ）が、但し、第２シヨツトのみに関しては第３図
のフローチャートのステップＳＱａに示された補正は行
われない。また同時に、レチクルステージ２は、第１シ
ヨツトのアライメント完了位置にあるだめ、レチクルス
テージ２を基準位置に修正する動作（ステップＳ６ｂ
）は行われない。そして、ウェハステージ５が第２ショ
ット位置へ移動した位置のズレ量がレーザー干渉計（２
２ａ〜２２ｂ）などにより測定される（ステップｓ７）
。次に、レチクルステージ２が前述ズレ量分だけ移動し
、第２シヨツトのアライメントが完了しくステップＳ８
）、そして露光される（ステップ８９）。
ヨツトのアライメント及び露光が行われるが、まずウェ
ハステージ５が第２ショット位置に移動する（ステップ
５６ａ）が、但し、第２シヨツトのみに関しては第３図
のフローチャートのステップＳＱａに示された補正は行
われない。また同時に、レチクルステージ２は、第１シ
ヨツトのアライメント完了位置にあるだめ、レチクルス
テージ２を基準位置に修正する動作（ステップＳ６ｂ
）は行われない。そして、ウェハステージ５が第２ショ
ット位置へ移動した位置のズレ量がレーザー干渉計（２
２ａ〜２２ｂ）などにより測定される（ステップｓ７）
。次に、レチクルステージ２が前述ズレ量分だけ移動し
、第２シヨツトのアライメントが完了しくステップＳ８
）、そして露光される（ステップ８９）。
次に、予め指定されたショツト数を満たしていれば（ス
テップ５１０）、ウニ／・４は回収され（ステップ５１
１）、新しいウェハ４の供給（ステップ８１）に戻る。
テップ５１０）、ウニ／・４は回収され（ステップ５１
１）、新しいウェハ４の供給（ステップ８１）に戻る。
指定されたショツト数を満たしていなければ（ステップ
５ＩＯ）ステップ８（３ａ、 ８６ｂ に戻シ、第８シ
ヨツト以降のアライメント及び露光が続けられる。すな
わちウエノ・ステージ４が、前のショットのステップＳ
７で計測された位置ズレ量を補正して、ステップ送シを
行う（ステップ５６ａ）ト同時に、レチクルステージ２
は、基準位置に戻される（ステップ８６ｂ）。以降は、
前述したように動作を行っていく。
５ＩＯ）ステップ８（３ａ、 ８６ｂ に戻シ、第８シ
ヨツト以降のアライメント及び露光が続けられる。すな
わちウエノ・ステージ４が、前のショットのステップＳ
７で計測された位置ズレ量を補正して、ステップ送シを
行う（ステップ５６ａ）ト同時に、レチクルステージ２
は、基準位置に戻される（ステップ８６ｂ）。以降は、
前述したように動作を行っていく。
次に上記の如く行なわれるアライメント時間を、第４図
を参照して詳述する。第４図＾は、第１シヨツトにおけ
るレチクルステージ２とウェハステージ５の駆動を説明
する図である。ウエノ・４が供給された位置から第１シ
ョット位置棟での距離に関して、ウェハステージ５の実
際の駆動距離Ｄ （ｄ）は、目標とする理想距離ｄを中
心にバラつき、正規分布Ｎで示すことができる。したが
って本実施例では、２回目以降特に３回目以降のショッ
トごとのレチクルステージ２の基準位置を、第１シヨツ
トで位置合わせを完了した位置りに設定している。
を参照して詳述する。第４図＾は、第１シヨツトにおけ
るレチクルステージ２とウェハステージ５の駆動を説明
する図である。ウエノ・４が供給された位置から第１シ
ョット位置棟での距離に関して、ウェハステージ５の実
際の駆動距離Ｄ （ｄ）は、目標とする理想距離ｄを中
心にバラつき、正規分布Ｎで示すことができる。したが
って本実施例では、２回目以降特に３回目以降のショッ
トごとのレチクルステージ２の基準位置を、第１シヨツ
トで位置合わせを完了した位置りに設定している。
第４図０は、上記実施例におけるレチクルステージ２と
ウェハステージ５の２回目以降のショツトごとの駆動を
説明する図であシ、Ｓはウエノ・ステージ５の各ショッ
ト間の理想駆動距離、５（ｓ）。
ウェハステージ５の２回目以降のショツトごとの駆動を
説明する図であシ、Ｓはウエノ・ステージ５の各ショッ
ト間の理想駆動距離、５（ｓ）。
Ｓ（ｓ＋△ｓｔ）、Ｓ（ｅ＋△８２ ）・・・はウェハ
ステージ５の実際の駆動距離、 ン１ 、 Δ８２ 、
△ｓ３ ＋＋＋はそれぞれの位置ズレ量である。すな
わち、ｎ番目のショットの露光が終シ次のショットのア
ライメントに移るとき、ウェハステージ５の駆動とレチ
クルステージ２の基準位置りへの駆動が同時に行われる
ため、それ以降の動作に時間的な影響を与えない。した
がって、アライメント時におけるレチクルステージ２の
駆動距離の最適化、短縮化を図ることができ、第８図Ｇ
の従来例に比ベスループット向上を図ることができる。
ステージ５の実際の駆動距離、 ン１ 、 Δ８２ 、
△ｓ３ ＋＋＋はそれぞれの位置ズレ量である。すな
わち、ｎ番目のショットの露光が終シ次のショットのア
ライメントに移るとき、ウェハステージ５の駆動とレチ
クルステージ２の基準位置りへの駆動が同時に行われる
ため、それ以降の動作に時間的な影響を与えない。した
がって、アライメント時におけるレチクルステージ２の
駆動距離の最適化、短縮化を図ることができ、第８図Ｇ
の従来例に比ベスループット向上を図ることができる。
前記実施例では、ウェハステージ５の補正移動をレーザ
干渉計により絶対位置ズレ量を測定し、て行なっている
が、代りに磁気テープに長さ情報を記録した磁気式スケ
ール、或いはスリットを形成して干渉稿を読み取る光学
式スケールを用いて絶対位置ズレ量を測定してもよい。
干渉計により絶対位置ズレ量を測定し、て行なっている
が、代りに磁気テープに長さ情報を記録した磁気式スケ
ール、或いはスリットを形成して干渉稿を読み取る光学
式スケールを用いて絶対位置ズレ量を測定してもよい。
また別法としてＴＴＬアライメント、つまシ、゛エバ４
上の位置合せマークとレチクル２上の位置合せマークと
レチクル２上の位置合せマークとのズレ量をレンズを通
して計測し、それをウエノ・ステージ５の移動補正とす
るようにしてもよい。
上の位置合せマークとレチクル２上の位置合せマークと
レチクル２上の位置合せマークとのズレ量をレンズを通
して計測し、それをウエノ・ステージ５の移動補正とす
るようにしてもよい。
以上説明したように、本発明は、ステッパーにおいて、
オートアライメント時に、レチクルの基準位置を各ウェ
ハ毎の第１シヨツトのアライメント完了位置に定めて記
憶し、ウエノ・ステージが、次のステップに移動する間
にレチクルステージを前記基準位置に戻すことにより、
レチクルステージの最適駆動及びオートアライメント時
間の短縮によるスループット向上が得られるという効果
がある。
オートアライメント時に、レチクルの基準位置を各ウェ
ハ毎の第１シヨツトのアライメント完了位置に定めて記
憶し、ウエノ・ステージが、次のステップに移動する間
にレチクルステージを前記基準位置に戻すことにより、
レチクルステージの最適駆動及びオートアライメント時
間の短縮によるスループット向上が得られるという効果
がある。
第１図は、本発明の一実施例を示す、半導体焼付装置の
外観図、第２図は第１図のアライメント機構の概略構成
図、第８図は、第２図の動作を説明するためのフローチ
ャート、第４図面は、第１シヨツトのアライメントの説
明図、第４図■は、第２シヨツト以降の本発明の実施例
のアライメントの説明図、第４図Ｏは、第２シヨツト以
降の従来例のアライメントの説明図である。 １・・・レチクル。 ２・・・レチクルステージ。 ４・・・ウェハ。 ５・・・ウェハステージ。 ２０・・・ウェハステージ駆動装置。 ２２ａ、 ２２ｔ）、 ２２Ｃ・・・レーザ干渉計。 ２８ａ、 ２８ｂ、 ２８ｃｍ・・ディテクタ。 ２７・・・演算装置。 ２８・・・レチクルステージ駆動装置。 第２図 第３１ｍｌ
外観図、第２図は第１図のアライメント機構の概略構成
図、第８図は、第２図の動作を説明するためのフローチ
ャート、第４図面は、第１シヨツトのアライメントの説
明図、第４図■は、第２シヨツト以降の本発明の実施例
のアライメントの説明図、第４図Ｏは、第２シヨツト以
降の従来例のアライメントの説明図である。 １・・・レチクル。 ２・・・レチクルステージ。 ４・・・ウェハ。 ５・・・ウェハステージ。 ２０・・・ウェハステージ駆動装置。 ２２ａ、 ２２ｔ）、 ２２Ｃ・・・レーザ干渉計。 ２８ａ、 ２８ｂ、 ２８ｃｍ・・ディテクタ。 ２７・・・演算装置。 ２８・・・レチクルステージ駆動装置。 第２図 第３１ｍｌ
Claims (1)
- （１）ウェハをステップ移動し、レチクルのパターンを
ウェハ上に各ショット毎に位置合わせして焼き付ける半
導体焼付装置において、 、レチクルを移動する手段と
、 ウェハを移動する手段と、 各ショット毎に前記ウェハ移動手段の位置ズレ量を検知
する手段と、 前記ウェハ移動手段が各７ヨツト毎に前記位置ズレ量検
知手段により得られた位置ズレ量を補正するために移動
するときに、前記レチクル移動手段を各ショット毎に所
定の位置に移動す゛る手段を有することを特徴とする半
導体焼付装置。 ０）前記所定の位置は、第１シヨツトでの位置合せを完
了したレチクル移動手段の位置であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体焼付装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080064A JPS60224225A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体焼付装置 |
| US06/701,623 US4669867A (en) | 1984-02-20 | 1985-02-14 | Alignment and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080064A JPS60224225A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体焼付装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224225A true JPS60224225A (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=13707797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080064A Pending JPS60224225A (ja) | 1984-02-20 | 1984-04-23 | 半導体焼付装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224225A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345819A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP59080064A patent/JPS60224225A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345819A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Hitachi Ltd | 投影露光装置におけるステ−ジ誤差測定装置 |
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