JP3302876B2

JP3302876B2 - 磁気ヘッドの製造方法

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Publication number: JP3302876B2
Application number: JP06287196A
Authority: JP
Inventors: 光司大塚
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-03-19
Filing date: 1996-03-19
Publication date: 2002-07-15
Anticipated expiration: 2016-03-19
Also published as: JPH09259407A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲ等の磁気記
録再生装置において、情報の記録再生等に用いられる磁
気ヘッド、より詳細には、磁性薄膜部を形成した当該ヘ
ッドの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化に伴って、メ
タルテープのような高保磁力媒体が主流になっている。
このため、磁気ヘッドに使用されているコア材料も高い
飽和磁束密度を有するものが要求されている。そこで、
非磁性材料からなる基板に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系の高い
飽和磁束密度を有する軟磁性合金（センダスト）からな
る薄膜を設けた構成の薄膜積層ヘッドが使用されてい
る。ここでは、基板として、上部側の端面が磁気テープ
の摺動面となることから、結晶化ガラス，セラミック等
の耐摩耗性の優れた材料が選定されている。

【０００３】この薄膜積層ヘッドの従来の製造方法を添
付図面を参照して以下に説明する。図１０は、従来の製
造方法により製造された磁気ヘッドチップの斜視図
（Ａ）を示し、同図（Ｂ）に、同図（Ａ）のＨ−Ｈ線断
面構造図を示す。なお、図１０において、１７０はこの
製造方法によって形成された薄膜コイル、１３５はリー
ド線取り出し端子部、１２２，１２８はコイルである。

【０００４】図１１は、上記磁気ヘッドチップの製造過
程における部材の様子を示す図である。図１１におい
て、精度１０００程度のブレードを用いたダイシング加
工によって、図１１（Ａ）に示すように、結晶化ガラス
基板１０１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝１０５を
形成する。その後、これら溝１０５の表面に真空蒸着又
はスパッタ法等によって、磁性薄膜１０２が形成され
る。ここで、磁性薄膜１０２は、高周波領域での特性向
上（損失改善）のため、軟磁性薄膜（センダスト合金
膜）と層間絶縁膜（ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｓｉ₃
Ｎ₄等）とを交互に成膜して所定の膜厚（トラック幅に
相当する寸法）を有する積層構造の磁性薄膜部となる。
その後は、図１１（Ｂ）に示すように、各溝１０５上に
低融点ガラス１０３が充填され、次いで、図１１（Ｃ）
に示すように、上記低融点ガラス１０３の表面が各溝１
０５の表面側の頂点部に達するまで、研磨され、平面状
の研磨面１０８が形成され、全体が片側コアブロックと
して作製される。

【０００５】次いで、上記片側コアブロック上の研磨面
１０８側に薄膜コイルを形成する。図１２は、図１１
（Ｃ）の研磨面に薄膜コイルを形成する工程を説明する
ための図を示すもので、図１１（Ｃ）のＡ−Ｂ，Ｃ−
Ｄ，Ａ−Ｅ，Ｃ−Ｆ断面で切断したチップについて、薄
膜コイル形成後の斜視図を示す。

【０００６】図１２の薄膜コイルの形成方法について
は、ドライエッチング法及び選択メッキ法が適用でき
る。

【０００７】ドライエッチング法は、軟磁性膜１０２の
上にスパッタ法、ＥＢ蒸着法等により絶縁層１２１（Ａ
ｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｓｉ₃Ｎ₄）を形成した後、
導電層１２２をスパッタ法、ＥＢ蒸着法等により形成す
る。次に、導電層１２２を加工するために、導電層１２
２の上にフォトレジストをパターニングし、このフォト
レジストをマスクにして導電層１２２を加工する。導電
層１２２を加工後、フォトレジストを酸素プラズマ又は
ロゾリンIV等の剥離液を用いて除去する。

【０００８】次に、絶縁層を形成後、平坦化を行なう。
図１３は、薄膜層の上に絶縁層を形成した後の平担化の
工程を説明するための図である。図１３において、ま
ず、同図（Ａ）に示すように、導電層２２上にＰ−ＣＶ
Ｄ法、スパッタ法、ＴＥＯＳ等により、ＳｉＯ₂，Ａｌ₂
Ｏ₃，ＳｉＯ，Ｓｉ₃Ｎ₄等から成る絶縁層１２４を形成
し、その後、同図（Ｂ）に示すように、フォトレジスト
１２５を全面に形成して、平坦化を行う。次に、図１３
（Ｃ）に示すように、イオンミリング法、又は、ＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）法を用いて全面
エッチングし、絶縁層１２４の平坦化を行う。

【０００９】そして、導電層の多層化を行うが、このた
めに一層目の導電層１２２と二層目の導電層を接続する
ための加工を必要とする以外、第二層目となる導電層１
２８を第一層目と同様な方法で形成する。次に、図１２
に示すフロント・ギャップ部１３２及びバックコア部１
３３の絶縁層１２１を加工する。加工方法はフォトレジ
ストをマスクにして、ＲＩＥ法により絶縁層１２１をエ
ッチングし、レジストを除去することにより、薄膜コイ
ルが完成する。ここで、図１２の薄膜コイルのリード取
り出し部分１３５については、積層構造、即ち、導電層
１２８上にスクリーン印刷、メッキ法等により、導電層
１３５を形成する。

【００１０】もう一方の選択メッキ法は、軟磁性薄膜１
０２の上にＡｌ₃Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，Ｓｉ₃Ｎ₄等か
ら成る絶縁層１２１をスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法等で形
成し、その後、メッキベース層をスパッタ法、ＥＢ法等
により形成し、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｎｉ−Ｆｅ合金
膜から成る密着層を介して、導電層として、Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を形成する。その後、目的の薄膜
コイルパターンと逆のパターンをフォトレジストで形成
する。フォトレジスト１５３で逆パターンを形成した
後、導体コイルとして、Ａｕ，Ｃｕを選択メッキし、さ
らに、上部絶縁層との密着性を向上させるため、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜又はＮｉ膜を選択メッキする。次いで、上記
フォトレジストを除去することにより、一層目の薄膜コ
イルが形成される。

【００１１】次に、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ｓ
ｉＯ等から成る絶縁層をＰ−ＣＶＤ法、スパッタ法等に
より形成するか、ＰＩＱ等の有機膜を塗布法により形
成、焼成した後、平坦化処理をする。次に、第一層目と
第二層目の薄膜コイルを接続するために、フォトレジス
トをマスクに絶縁層の一部をエッチングし、その後、第
二層の薄膜コイル用にメッキベース層を上記メッキベー
ス層と同様に形成する。後は、第一層目と同様に、多層
化を行い、薄膜コイルが完成する。

【００１２】上述の方法により、片側コアブロックの研
磨面側に薄膜コイルが形成され、もう一方のコアブロッ
クの研磨面側には、図１４（Ａ）に示すように、凹形状
の溝が形成され、これらコアブロックを、図１４（Ｂ）
に示すように、研磨面同士が対面すると共に、各溝の平
滑面に沿って研磨面へと延びる各軟磁性薄膜が同一直線
上に位置する状態で加圧溶着，固定して、相互に接合す
ることにより、コアブロックとして形成される。その
後、上記コアブロックを溝の幅に合わせて図１４（Ｂ）
におけるＢの幅にて切り出すことで、図１０に示したヘ
ッドチップに用いる部材が作製される。そして、このヘ
ッドチップはベース板に接着、固定され、さらにコイル
のリード取り出し、テープ研磨が施されて、磁気ヘッド
として完成される。

【００１３】また、この種の磁気ヘッドとして磁気抵抗
効果型ヘッドが知られている。これは、磁気テープ等の
磁気記録媒体に書き込まれた信号磁界を受けることによ
り、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略す）内部の
磁化方向が変化し、この磁化方向の変化に応じたＭＲ素
子の内部抵抗の変化を、外部出力として取り出すもので
ある。従って、薄膜ＭＲヘッドは、磁束応答型のヘッド
であり、磁気記録媒体の移動速度に依存せずに信号磁界
を再生できる。このようなＭＲ素子は、外部磁界に対し
て２乗変化を示す感応特性をもつことから、ＭＲ素子を
再生ヘッドとして構成する場合には、素子形状をストラ
イプ状にするとともに、線形応答特性を得るために所定
のバイアス磁界を印加する構成を備えることが必要であ
る。このバイアス磁界を印加する方法には、導体に直流
電流を流すことにより、バイアス磁界を誘起する方法及
びＣｏ−Ｐ層等の高抗磁力薄膜を用いて、バイアス磁界
を印加する方法等が知られている。

【００１４】一方、ＭＲ素子単体で構成したＭＲヘッド
よりもＭＲ素子をヘッド先端から離して磁気記録媒体に
発生した磁束をＭＲ素子まで導く磁束導入路（以下、ヨ
ークと略す）を配置した構造のヨーク・タイプＭＲヘッ
ド（以下、ＹＭＲヘッドと略す）と呼ばれる磁気ヘッド
の方が信号の分解能の向上や、ＭＲ素子の耐久性の向上
に有効であることが知られている。

【００１５】図１５は、この従来のＹＭＲヘッドの構成
の概要を示す図で、（Ａ）は、断面構造を示し、（Ｂ）
は、磁気テープ摺動面を部分的に示すものである。図１
５において、磁気記録テープと相互作用する磁界を生成
するギャップ１８１をはさんでフェライト基板１０１と
上部ヨーク部１８８を有し、上部ヨーク部１８８の磁路
の一部の絶縁層１８２中にバイアス層１８３に近接して
ＭＲ素子１８５が設けられている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た薄膜積層ヘッドの製造方法で作製される磁気ヘッドに
おいては、低融点ガラス上に絶縁層を介して形成された
薄膜コイルが、溶着工程におけるガラス溶着の温度に耐
えることができずに絶縁層にクラックが入り、また、薄
膜コイルの断線及びショートが発生し、出力の低下等信
頼性に問題があった。さらに、溶着後、ギャップデプス
を５μ〜３０μになるように円筒研削，テープ研磨を行
うが、絶縁層の段差のみでは境界線がわからず、ギャッ
プデプスを正確に測定することができなかった。さら
に、生産性を考慮した結果として基板サイズを大きくす
ると、Ｖ溝加工後に、低融点ガラスを充填して、基板表
面を平担化するために、研削，研磨した時に、研磨液に
よってセンダスト表面，低融点ガラス表面が腐食される
問題があった。

【００１７】また、上記で従来技術として上げたＹＭＲ
ヘッドにおいては、トラック幅が狭トラック化すると、
下部ヨークがフェライト基板であると、飽和磁束密度が
小さいために再生出力が低下することになる。この場合
に、フェライト基板上に高飽和磁束密度のセンダスト
（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）膜を形成しても、断面積が小
さいために、有効な手段とはならないので、再生出力の
低下については問題を解決するまでに至っていない。

【００１８】本発明は、上述したような従来技術の問題
点に鑑みてなされたもので、高保磁力媒体に対応する高
飽和磁束密度をもつコア材料を用いた薄膜積層ヘッドと
して高出力で性能が良く、かつ、信頼性の高いものを効
率良く製造し得る当該ヘッドの製造方法を提供すること
をその解決すべき課題とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板の表面に
略Ｖ字状の複数の溝を形成し、該溝の一方の溝壁面に磁
性薄膜を成膜して磁性薄膜部を設け、該溝に低融点ガラ
スを充填して作成したコアブロックを少なくとも２個用
意し、前記コアブロックの一方には前記磁性薄膜部と相
互作用する導電層からなる薄膜コイル及び凹部を形成
し、他方には前記凹部に係合する凸部を形成した後、該
凹部に該凸部を係合させるとともに両コアブロックの磁
性薄膜部同士がギャップ部を介して整合するようにして
前記両コアブロックを接合させて、磁気ヘッドを製造す
る磁気ヘッド製造方法において、前記溝に充填する低融
点ガラスは、凸部が形成される前記コアブロックより、
薄膜コイルが形成される前記コアブロックの方が３０〜
１５０℃高い軟化点を有するようにし、溶融接着時に薄
膜コイルの損傷やコアブロック製造工程での基板の軟化
をさけることを可能とするものである。

【００２０】さらに、本発明は、前記磁気ヘッドの製造
方法において、前記凸部が形成されたコアブロックの該
凸部上であって、かつ、前記薄膜コイルが形成されたコ
アブロックと接合したとき該薄膜コイルの両端部となる
箇所に、モニタ層を形成した後、前記両コアブロックを
接合し、磁気記録媒体との作用面を形成するために、前
記モニタ層を指標として、研磨するようにしたものであ
る。

【００２１】さらに、本発明は、前記モニタ層を、ニオ
ブ層，チタン層，モリブデン層，ニッケル層，パーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）層のいずれかによる密着層と、銅等の
金属膜から形成し、見やすいＣｕ膜等により良好な結果
が得られるようにしたものである。

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明に係る巻線型磁気ヘッドの
製造方法の一実施形態について、以下に図面を用いて詳
細に説明する。図１は、基板のＶ字溝に軟磁性薄膜を成
膜し、低融点ガラスを充填する工程を（Ａ）から（Ｅ）
の順に示す図である。図１（Ａ）の斜視図に示すよう
に、精度３００〜５００程度のブレードを用いたダイシ
ング加工によって、結晶化ガラス、或いは、セラミック
からなる基板１に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝１Ｇ
を形成した後に、精度１０００〜２０００程度のブレー
ドを用いて、再度ダイシング加工によって、図１（Ｂ）
の断面図に示すように、断面表面状態を良好に加工す
る。このように２段階加工することにより、時間の短縮
化を図ることができる。

【００２７】この後、溝１Ｇの表面にＥＢ蒸着等により
軟磁性薄膜２が図１（Ｃ）の断面図に示されるように形
成される。ここで、軟磁性薄膜２は、高周波領域での特
性向上（周波数特性改善）のため、軟磁性薄膜と層間絶
縁膜（ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｓｉ₃Ｎ₄）とを交互に成膜
して、積層構造とする。次に、図１（Ｄ）の断面図に示
されるように、各溝１Ｇ上に低融点ガラス３が充填さ
れ、さらに、図１（Ｅ）の斜視図に示されるように、上
記低融点ガラス３の表面が溝の頂点に達するまで、研磨
され、片側コアブロックとして作製される。

【００２８】図２は、図１に示されると同様に行われる
もう一方の片側コアブロックの製造工程を示す図であ
る。図２に示すように、ここでは、Ｖ溝の図１とは逆の
斜面に磁性膜が形成されるが、その点を除いて図１と同
じ方法で製造が可能である。

【００２９】なお、図１のコアブロックには、薄膜コイ
ルが形成され、図２のコアブロックには、凸部が形成さ
れることになる。従って、先の工程において、溝に充填
する低融点ガラスとしては、凸部を形成する側のコアブ
ロック（図２）より薄膜コイルが形成される側のコアブ
ロックの方が３０〜１５０℃高い軟化点を有するものに
する。その理由は、一対の上記基板１を接合する工程に
よって、磁気ヘッドを製造した時に、薄膜コイルの断線
を防止することができるようになるからである。３０〜
１５０℃という条件は、３０℃以内であると、薄膜コイ
ルの断線を有効に防止することができないし、１５０℃
以上であると、薄膜コイルの断線を防止することができ
るが、溝にガラスを充填する時に、基板１が軟化し、磁
性薄膜２の特性が劣化するからである。

【００３０】ここで、図１（Ｅ），図２（Ｅ）に示され
るように、低融点ガラス３の表面を溝１Ｇの頂点部に達
するまで研磨する方法について述べる。まず、♯３００
〜♯１０００の砥石で横型研削盤を用いて研削後、♯１
５００〜♯３０００の砥石で３０〜２００μさらに研削
する。この状態では、表面荒さは５００〜３０００Å程
度であり、薄膜コイルを形成することが困難である。そ
こで、高速研磨機を用いて表面をラップするが、低融点
ガラスは、アルカリ性に弱く、酸性には強いため、研磨
液は通常酸性のものを用いる。しかし、基板が小さい時
は問題ないが、生産性を上げるために基板を大きくし、
基板の大きさが３０mm〜１００mmと大きくなると、均一
に基板が研磨されないため、研磨するのに長時間かかる
ので、研磨液で低融点ガラス及び磁性薄膜（センダスト
薄膜＝Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜）が腐食されることにな
って歩留が悪くなる。また、中性の研磨液と言われるも
のでも、センダスト薄膜及び低融点ガラスが腐食される
ものがある。

【００３１】しかし、酸性の研磨液をアルカリで中和し
て中性にしたものを用いると、センダストの薄膜の腐食
を防止し、この工程の改善ができることが判明した。使
用するアルカリとしては、水酸化ナトリウム（ＮａＯ
Ｈ），水酸化カリウム（ＫＯＨ），炭酸ナトリウム（Ｎ
ａ₂ＣＯ₃），炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃）及び炭酸水
素ナトリウム（ＮａＨＣＯ₃）などが適当である。

【００３２】引き続く工程として、図１に示したコアブ
ロック上に薄膜コイルを形成する方法について述べる。
図３は、コアブロックに薄膜コイルを形成する工程を説
明するための図である。図３（Ａ）の断面図に示すよう
に、ＲＦスパッタ法，ＥＢ蒸着法等により、Ａｌ₂Ｏ₃か
らなる絶縁層４を形成する。この絶縁層４は、動作磁界
を形成する磁気ヘッドのＧａｐ（ギャップ）層をなすこ
とになる。さらに、ＳｉＯ₂，ＳｉＯ等からなる下部絶
縁層５を形成した後、導電層６をＥＢ蒸着法等により形
成する。上記導電層６は、３層構造とするが、それは、
高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ）からなる３００Å〜０．３μ
の膜厚の密着層上に導電層（Ｃｕ）が１μ〜５μ形成さ
れ、さらに、密着層として高融点金属（Ｔｉ，Ｎｂ）が
５００Å〜０．３μ形成される。なお、密着層の材料と
して、上記以外にＮｉ及びパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）で
もよい。

【００３３】次に、フォトレジストをマスクに導電層６
を加工する。導電層６を加工する方法としては、イオン
ミリングを用いて導入ガス純Ａｒ又はＡｒ＋Ｏ₂、出力
４００Ｖ〜１ＫＶ，０．３Ａ〜０．６Ａの条件で、Ｃｕ
のエッチング速度は４００〜１０００Å／分、密着層の
エッチング速度は１０〜１００Å／分として加工するこ
とができる。図３（Ｂ）に斜視図として、また、同図
（Ｃ）に断面図として加工後の状態が示されている。そ
の後、層間絶縁層７を形成後、図３（Ｄ）に示されるよ
うに、平担化を行う。

【００３４】次に、導電層の多層化の工程に移る。図４
は、導電層の多層化の工程を説明するための図である。
まず、後の工程で行う第一層目の導電層６と、二層目の
導電層の接続のために、図４（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、絶縁層の一部８をフォトレジストを用いてＲＩＥ等
でエッチングする。次に、第二層目となる導電層９を第
一層目６と同様な方法で形成して、図４（Ｃ），（Ｄ）
に示すような結果を得、さらに、図４（Ｅ）に示すよう
に、絶縁層１０を形成する。

【００３５】次に、絶縁層を加工する工程に移る。図５
は、絶縁層を加工する工程を説明するための図である。
まず、図５に示すように、コイル側フロント・ギャップ
部１１及びコイル側バックコア部１２の絶縁層５（Ｓｉ
Ｏ₂等）を図５に示されるように、ＲＩＥ等で加工後、
さらに、コイル側バックコア部１２のＧａｐ層４（Ａｌ
₂Ｏ₃）を図５（Ｄ）に示されるように加工する。

【００３６】上記した薄膜コイルを形成したブロックと
ペアをなす凸部を形成したコアブロックの加工方法につ
いて述べる。なお、これは、図２からの後工程になる。
図６は、凸部を形成したコアブロックの加工工程を説明
するための図である。まず、図６（Ａ）に示すように、
後で密着層となる３００Å〜１０００Åの膜厚の金属膜
（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｆｅ）２５と１００
０Å〜３０００Åの膜厚の銅（Ｃｕ）膜２６を図２
（Ｅ）に示されるコアブロックに形成する。次に、フォ
トレジストを用いて凸部側フロント凸部２１及び凸部側
バックコア部２２を残して加工する。加工方法は、イオ
ンミリング装置を用い、エッチングする深さは５μ〜２
０μである。エッチングして残った部分が凸部となる
が、図６（Ｂ）に加工後の状態が示されている。

【００３７】次に、図６（Ｄ）に示されるように、凸部
側フロント凸部２１の一部（基板１ｂの端部）の密着層
をなす金属膜２５と銅膜２６を残してエッチングする。
従って、図６（Ｄ），（Ｅ）に示されるように、凸部側
バックコア部２２の金属層は除去される。エッチングす
る方法は、まず、銅膜２６をＨＣｌ，ＨＮＯ₃等の水溶
液で加工し、その後、Ｎｂ，Ｔｉ，Ｍｏ，金属膜２５
は、ＲＩＥ又はプラズマエッチング法等により加工す
る。導入ガスは、フレオン系のガスを用いれば良い。な
お、Ｎｉ，Ｎｉ−Ｆｅ，金属膜２５の場合は、ＨＣｌ，
ＨＮＯ₃等でＣｕをエッチングする時に同時に加工され
る。

【００３８】次に、これまでに製作された薄膜コイルを
形成されたコアブロックと凸部を形成されたコアブロッ
クの溶着工程について説明する。図７は、一対のコアブ
ロックの溶着工程を説明し、溶着後の状態を示す図であ
る。図７（Ａ）に示されるように、薄膜コイルを形成さ
れたコアブロックのフロントギャップ部１１と凸部を形
成されたコアブロックのフロント凸部２１、同様に、バ
ックコア部１２と凸部側バックコア部２２が合致するよ
うに一対のペアブロックのガラス溶着を行う。溶着後、
ギャップデプスが５μ〜３０μになるように、円筒研
削，テープ研磨を行って完成する。ここでは、図７
（Ｃ）に示されるように、凸部を形成したコアブロック
上のフロント凸部２１上で、かつ、基板１ｂの端部にＣ
ｕ膜２６が露出している。Ｃｕ膜２６は、銅色をしてい
ることから見やすいので、ギャップデプスを正確に測定
し、管理をすることができる。

【００３９】本発明に係るヨークタイプ磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの製造方法の一実施形態について以下に図面
を用いて詳細に説明する。まず、基板部分の加工工程に
ついて説明する。なお、この工程は、先に説明した本願
の発明の実施形態におけると同様な工程で行われるの
で、図１をそのまま参照して説明を行うこととする。図
１（Ａ）の斜視図に示すように、精度３００〜５００程
度のブレードを用いたダイシング加工によって、基板１
として結晶化ガラス，セラミック等の非磁性基板又はＭ
ｎ−Ｚｎフェライト，Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の磁性基
板に断面形状が略Ｖ字状の連続した溝１Ｇを形成した後
に、精度１０００〜２０００程度のブレードを用いて、
再度ダイシング加工によって、図１（Ｂ）の断面図に示
すように、断面表面状態を良好に加工する。このよう
に、２段階加工によって時間の短縮化を図ることができ
る。

【００４０】この後、溝１Ｇの表面にＥＢ蒸着等によ
り、高飽和磁束密度をもつ磁性薄膜２（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金（センダスト）膜等）が図１（Ｃ）の断面図に示
されるように形成される。ここで、磁性薄膜２は、軟磁
性薄膜と層間絶縁膜とを交互に成膜して積層構造にして
も良い。次に、図１（Ｄ）の断面図に示すように、各溝
１Ｇ上に低融点ガラス３が充填され、さらに、図１
（Ｅ）の斜視図に示されるように、上記低融点ガラス３
の表面が溝の頂点部に達するまで研磨される。

【００４１】図８は、本発明の製造方法によって作られ
るＹＭＲヘッドの構成の概要を斜視図で示すものであ
る。また、図９は、図８のＹＭＲヘッドの要部を示すも
ので、（Ａ）は、図８のＧ−Ｇ断面を、（Ｂ）は、磁気
テープ摺動面を表わすものである。図８及び図９を参照
して上記した工程に続く製造工程を説明する。上記で得
たコアブロックにさらに下部ヨーク部を構成することと
なる高飽和磁束密度をもつ磁性薄膜（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
合金膜等）８１を形成する。上記の工程により、下部ヨ
ーク部は、磁性薄膜２と８１の積層構造にすることによ
り、高飽和磁束密度の磁性薄膜の断面積を大きくするこ
とができる。

【００４２】次にＳｉＯ₂膜等からなる絶縁層８２を介
して、Ａｌ，Ａｌ−Ｃｕ，Ｃｕ等からなるバイアス層８
３が形成される。さらに、絶縁層８４を介して、ＭＲ素
子８５，リード層８６が形成され、フロントギャップ部
及びバックコア部を加工した後ＳｉＯ₂層等からなるＧ
ａｐ（ギャップ層）８７が形成される。最後に、上部ョ
ーク部８８を形成し、ヨークタイプ磁気抵抗効果型磁気
ヘッドが作成される。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、コアブロックの接合を
溶着により行う場合に従来において、薄膜コイル等に起
きていた損傷が軟化点の異なる低融点ガラスを適切に選
ぶことにより生じなくなる、具体的に、溝に充填する低
融点ガラスは、凸部を形成するコアブロックより、薄膜
コイルを形成するコアブロックの方が３０〜１５０℃高
い軟化点を有しているので、コアブロックを溶着して
も、絶縁層にクラックが入ることがなくなり、巻線の断
線及びショートを防止することができる。また、コアブ
ロックの製造においても基板の軟化がさけられる。

【００４４】さらに、本発明によれば、コアブロックに
形成した凸部の端部にモニタ層を形成して、それを位置
の基準として用いることにより、精度の良く信頼性の高
い磁気ヘッドが製造できる、具体的に、コアブロックの
凸部上に密束層をなす金属膜とＣｕからなるモニタ層を
形成したので、溶着後、ギャップデプスが５μ〜３０μ
になるように、円筒研削，テープ研磨する時に、Ｃｕ膜
は見やすいために、正確に測定できるので、ギャップデ
プスのばらつきがなくなり、信頼性が向上する。

【００４５】

【００４６】

【図面の簡単な説明】

【図１】基板のＶ字溝に軟磁性薄膜を成膜し、低融点ガ
ラスを充填する工程を（Ａ）から（Ｅ）の順に示す図で
ある。

【図２】図１に示されると同様に行われるもう一方の片
側コアブロックの製造工程を示す図である。

【図３】図１で作製されたコアブロックに薄膜コイルを
形成する工程を説明するための図である。

【図４】図３の工程に引き続く導電層の多層化の工程を
説明するための図である。

【図５】図４の工程に引き続く絶縁層を加工する工程を
説明するための図である。

【図６】図２で作製されたコアブロックに凸部を形成す
る加工工程を説明するための図である。

【図７】一対のコアブロックの溶着工程を説明し、溶着
後の状態を示す図である。

【図８】本発明の製造方法によって作られるＹＭＲヘッ
ドの構成の概要を斜視図で示すものである。

【図９】図８のＹＭＲヘッドの要部を示すもので、
（Ａ）は、図８のＡ−Ａ断面を、（Ｂ）は、磁気テープ
摺動面を表わすものである。

【図１０】従来の製造方法により製造された磁気ヘッド
チップの斜視図（Ａ）を示し、同図（Ｂ）に、同図
（Ａ）のＨ−Ｈ線断面構造図を示すものである。

【図１１】図１０の磁気ヘッドチップの製造過程におけ
る部材の様子を示す図である。

【図１２】図１１（Ｃ）の研磨面に薄膜コイルを形成す
る工程を説明するための図を示すもので、図１１（Ｃ）
のＡ−Ｂ，Ｃ−Ｄ，Ａ−Ｅ，Ｃ−Ｆ断面で切断したチッ
プについて、薄膜コイル形成後の斜視図を示すものであ
る。

【図１３】図１２の薄膜コイル形成の一工程で薄膜層の
上に絶縁層を形成した後の平担化の工程を説明するため
の図である。

【図１４】凹形状の溝が形成される片側コアブロック
（Ａ）と、薄膜コイルを形成されたもう一つのコアブロ
ックとを組合わせる工程（Ｂ）を説明するための図であ
る。

【図１５】従来のＹＭＲヘッドの構成の概要を示す図
で、（Ａ）は、断面構造を示し、（Ｂ）は、磁気テープ
摺動面を部分的に示すものである。

【符号の説明】

１，１ｂ…基板、１Ｇ…溝、２，８１…磁性（軟磁性）
薄膜（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）膜等）、３
…低融点ガラス、４，１０，８２，８４…絶縁層（Ｇａ
ｐ層）、５…下部絶縁層、６，９…導電層、８…絶縁層
の一部、１１…コイル側フロント・ギャップ部、１２…
コイル側バックコア部、２１…凸部側フロント凸部、２
２…凸部側バックコア部、２５…金属膜（Ｎｂ，Ｔｉ，
Ｍｏ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｆｅ）、２６…銅（Ｃｕ）膜、８３
…バイアス層、８５…ＭＲ素子、８６…リード層、８７
…Ｇａｐ（ギャップ層）、８８…上部ヨーク部、１０１
…基板、１０２…磁性（軟磁性）薄膜、１０３…低融点
ガラス、１０５…溝、１０８…研磨面、１２１，１２
４，１８２…絶縁層、１２２，１２８，１３５…導電層
（コイル）、１２５，１５３…フォトレジスト、１３２
…フロント・ギャップ、１３３…バックコア部、１３５
…リード線取り出し端部、１７０…薄膜コイル、１８１
…ギャップ、１８３…バイアス層、１８５…ＭＲ素子、
１８８…上部ヨーク部。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に略Ｖ字状の複数の溝を形成
し、該溝の一方の溝壁面に磁性薄膜を成膜して磁性薄膜
部を設け、該溝に低融点ガラスを充填して作成したコア
ブロックを少なくとも２個用意し、前記コアブロックの
一方には前記磁性薄膜部と相互作用する導電層からなる
薄膜コイル及び凹部を形成し、他方には前記凹部に係合
する凸部を形成した後、該凹部に該凸部を係合させると
ともに両コアブロックの磁性薄膜部同士がギャップ部を
介して整合するようにして前記両コアブロックを接合さ
せて、磁気ヘッドを製造する磁気ヘッド製造方法におい
て、前記溝に充填する低融点ガラスは、凸部が形成され
る前記コアブロックより、薄膜コイルが形成される前記
コアブロックの方が３０〜１５０℃高い軟化点を有する
ようにしたことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法に
おいて、前記凸部が形成されたコアブロックの該凸部上
であって、かつ、前記薄膜コイルが形成されたコアブロ
ックと接合したとき該薄膜コイルの両端部となる箇所
に、モニタ層を形成した後、前記両コアブロックを接合
し、磁気記録媒体との作用面を形成するために、前記モ
ニタ層を指標として、研磨することを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項３】前記モニタ層を、ニオブ層，チタン層，
モリブデン層，ニッケル層，パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）
層のいずれかによる密着層と、銅等の金属膜から形成し
たことを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドの製造方
法。