JPS60227251A - 記録材料およびその製造法 - Google Patents
記録材料およびその製造法Info
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- JPS60227251A JPS60227251A JP59084340A JP8434084A JPS60227251A JP S60227251 A JPS60227251 A JP S60227251A JP 59084340 A JP59084340 A JP 59084340A JP 8434084 A JP8434084 A JP 8434084A JP S60227251 A JPS60227251 A JP S60227251A
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- reducing agent
- recording
- layers
- hydrate
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は音声５画像、電気信号を記憶、再生。
消去するための記録材料およびその製造法に関する。
従来例の構成とその問題点
音声２画像、電気信号を記憶、再生、消去するために従
来から磁気および光記憶方式が取られている。光記憶方
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く出来る
可能性があるので注目されて来ている。光記憶方式のも
のは、樹脂ディスク面に信号に応じてレーザ光を照射し
て穿孔して記憶し、読取り再生を静電ヘッドで行なうも
のとレーザ光によって金属カルコゲン化物の晶質−非晶
質化の変化を行なわせ、反射光の変化で読取シ再生する
方式が行なわれて来ている。前者の方法は、記憶を消去
することが難かしいが、後者の方法は別の波長の光で消
去することが試みられている。
来から磁気および光記憶方式が取られている。光記憶方
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く出来る
可能性があるので注目されて来ている。光記憶方式のも
のは、樹脂ディスク面に信号に応じてレーザ光を照射し
て穿孔して記憶し、読取り再生を静電ヘッドで行なうも
のとレーザ光によって金属カルコゲン化物の晶質−非晶
質化の変化を行なわせ、反射光の変化で読取シ再生する
方式が行なわれて来ている。前者の方法は、記憶を消去
することが難かしいが、後者の方法は別の波長の光で消
去することが試みられている。
しかし、何れの方法とも記憶の場合のＳｌＮ比を高くし
たり、可逆的消去を行なうことが難かしい状態にあり、
記憶密度が高くできる可能性を持ちなからＳ／Ｎ 比と
消去の可逆性の面から磁気方式を凌駕できず両方式併存
の形で推移しているのが実態である。
たり、可逆的消去を行なうことが難かしい状態にあり、
記憶密度が高くできる可能性を持ちなからＳ／Ｎ 比と
消去の可逆性の面から磁気方式を凌駕できず両方式併存
の形で推移しているのが実態である。
発明の目的
本発明は光記憶方式の従来のこの欠点を改善する新しい
記録材料およびその製造法に関する。
記録材料およびその製造法に関する。
発明の構成
本発明はＷＯ３上にアルコール、アルデヒド。
酸からなる還元剤を含んだ水利層を形成するとともにｐ
ｔを部分的に付着させた記録材料であシ、また、前記水
和層をＰＨ３のアルコール、アルデヒド、酸からなる還
元剤の水溶液中に浸漬することによって水和し、またｐ
ｔを光メッキ法によって付着するものである。
ｔを部分的に付着させた記録材料であシ、また、前記水
和層をＰＨ３のアルコール、アルデヒド、酸からなる還
元剤の水溶液中に浸漬することによって水和し、またｐ
ｔを光メッキ法によって付着するものである。
実施例の説明
ＷＯ３に少量のｐｔを付着したものにＷＯ３のバンドギ
ャップ以上のエネルギーをもつ光を当てると、電流２倍
効果によって励起された電子がｐｔ付着部分で吸着水と
反応して ＷＯ＋ｘＨＯ＋ｘｅ−ＨｘＷＯｓ＋ｘＯＨ−２ ＷＯ３を着色させ、他方、ｐｔの無い部分で生成したホ
ールによって還元剤を酸化してＣＯ２とＨ２Ｏを生成す
ることが起る。この反応は光メッキによって蒸着Ｗ０３
にｐｔ をつけたものでは効率よく進行し、非晶質−品
質変化を利用するよシ高いコントラストの記録を行なう
ことができる。また、熱や電解によって逆反応を行わな
い限り、長く色の退化がない。
ャップ以上のエネルギーをもつ光を当てると、電流２倍
効果によって励起された電子がｐｔ付着部分で吸着水と
反応して ＷＯ＋ｘＨＯ＋ｘｅ−ＨｘＷＯｓ＋ｘＯＨ−２ ＷＯ３を着色させ、他方、ｐｔの無い部分で生成したホ
ールによって還元剤を酸化してＣＯ２とＨ２Ｏを生成す
ることが起る。この反応は光メッキによって蒸着Ｗ０３
にｐｔ をつけたものでは効率よく進行し、非晶質−品
質変化を利用するよシ高いコントラストの記録を行なう
ことができる。また、熱や電解によって逆反応を行わな
い限り、長く色の退化がない。
この反応は、ＷＯ３のバンドギャップ以上のエネルギー
をもつ光を入射しないと進行しないが、Ｒｕ Ｏ２とか
ＲｈＯ２をＷＯ３に付着させると低エネルギー化できる
。
をもつ光を入射しないと進行しないが、Ｒｕ Ｏ２とか
ＲｈＯ２をＷＯ３に付着させると低エネルギー化できる
。
一方、このようにして記憶したものを熱的に。
あるいは電解酸化すると可逆的に元の状態に復する。
図の基本的構成に基すいて光ディスクを作製した。１は
α−Ａ２２０３セラミツクからなる基板１の表面を研磨
して平滑化したものである。表面の凹凸は、６０人程度
が望まれる。この材料は２６０°Ｃ程度の耐熱性がある
ことおよびコントラストが大きくとれるところから白色
であることが望まれる。そのような条件を満足するとい
うことからポリイミドのような樹脂、ガラスでもよいが
実施例としてはα−Ａ２２０３を主体とするセラミック
を用いた。その上に電極層２を形成する。そして、その
上にＷＯ３を蒸着によって約３０００〜６０００人の厚
さにつけ水和する。蒸着以外にスパッタでつけたものも
支障なく使用できる。前記水和物層はＷＯ３を基板の両
側につけた後、ＰＨ３のアルコール。
α−Ａ２２０３セラミツクからなる基板１の表面を研磨
して平滑化したものである。表面の凹凸は、６０人程度
が望まれる。この材料は２６０°Ｃ程度の耐熱性がある
ことおよびコントラストが大きくとれるところから白色
であることが望まれる。そのような条件を満足するとい
うことからポリイミドのような樹脂、ガラスでもよいが
実施例としてはα−Ａ２２０３を主体とするセラミック
を用いた。その上に電極層２を形成する。そして、その
上にＷＯ３を蒸着によって約３０００〜６０００人の厚
さにつけ水和する。蒸着以外にスパッタでつけたものも
支障なく使用できる。前記水和物層はＷＯ３を基板の両
側につけた後、ＰＨ３のアルコール。
アルデヒド、酸からなる還元剤の塩化白金酸溶液に浸漬
し、１ＫＷ高圧水銀灯で５０口の距離からＷＯ３面を１
０分間照射してｐｔを光メッキしてつくる。ｐｔの光メ
ッキは高いコントラスト（光記録の効率が高い）を得る
上に望ましいが、その効果を見るために同じ溶液中で電
解メッキした場合とホルマリン還元した場合の試料も作
った。それらの条件は肉眼的にはソ同じ黒化度になる所
に定めた。前記水和物層の中にｌｌ１ＷＯ３が点在し、
その水和物層の上に部分的にｐｔが付着しておシ、ｐｔ
付着の際に生成していることが赤外吸収スペクトルによ
７て確認されているので図示した。特に作ろうとして作
ったものではない。なお２は電解消去の時のみ必要なＳ
ｎＯ２（Ｉｎ２０ｓ）電極である。
し、１ＫＷ高圧水銀灯で５０口の距離からＷＯ３面を１
０分間照射してｐｔを光メッキしてつくる。ｐｔの光メ
ッキは高いコントラスト（光記録の効率が高い）を得る
上に望ましいが、その効果を見るために同じ溶液中で電
解メッキした場合とホルマリン還元した場合の試料も作
った。それらの条件は肉眼的にはソ同じ黒化度になる所
に定めた。前記水和物層の中にｌｌ１ＷＯ３が点在し、
その水和物層の上に部分的にｐｔが付着しておシ、ｐｔ
付着の際に生成していることが赤外吸収スペクトルによ
７て確認されているので図示した。特に作ろうとして作
ったものではない。なお２は電解消去の時のみ必要なＳ
ｎＯ２（Ｉｎ２０ｓ）電極である。
上記試料に対して１ＫＷＮ２レーザの光をチＥ！７ピン
グしながら記録を行ない、ルビー・レーザで読取りを行
なってコントラストをめる。
グしながら記録を行ない、ルビー・レーザで読取りを行
なってコントラストをめる。
第１表は、Ｐｔの付着法によってコントラストがどのよ
うに変るかを示したものである。
うに変るかを示したものである。
第１表
光メッキを行なったものは他の方法でｐｔをつけたもの
に較べてコントラストが大きい。これは光電気化学反応
のサイトにｐｔが都合よく付着しているためと考えられ
る。また、これらのコントラストは金属カルコゲン化物
を用い、Ｇ ａ −Ａ ｓ系のレーザで書込みを行なっ
た従来の晶質−非晶質の変化を利用するもの＼コントラ
スト（約２．６）より高い。
に較べてコントラストが大きい。これは光電気化学反応
のサイトにｐｔが都合よく付着しているためと考えられ
る。また、これらのコントラストは金属カルコゲン化物
を用い、Ｇ ａ −Ａ ｓ系のレーザで書込みを行なっ
た従来の晶質−非晶質の変化を利用するもの＼コントラ
スト（約２．６）より高い。
次に異なる実施例について説明する。
ＷＯ３にＲｕ Ｏ２あるいはＲｈ０２１０％加えたもの
を作り、Ｎ ２ ｒ Ｇ ａ Ａ ａ 、−ｘ Ｐ ｘ
レーザで書込み、ルビーレーザでコントラストの読取
りを行なった。
を作り、Ｎ ２ ｒ Ｇ ａ Ａ ａ 、−ｘ Ｐ ｘ
レーザで書込み、ルビーレーザでコントラストの読取
りを行なった。
第２表は、その結果を示したものである。ＷＯ３をＲｕ
Ｏ２あるいはＲｈＯ２でドープすることによって半導
体レーザで書込みが行なえるようにできる。
Ｏ２あるいはＲｈＯ２でドープすることによって半導
体レーザで書込みが行なえるようにできる。
第２表
また、消去については触れなかったが、ＣＯ２レーザの
ような赤外や電解酸化によって可逆的に元に復しうるも
のが得られる。
ような赤外や電解酸化によって可逆的に元に復しうるも
のが得られる。
発明の効果
以上のようにＷＯ３の表面に還元剤を含んだ水和物を形
成するとともにｐｔを部分的に付着させることにより、
コントラストの高い記録（Ｓ／Ｎ比の高い記録）が可能
になるばかりでなく、とのＷＯ３をＲｕ Ｏ２あるいは
ＲｈＯ２でドープすることによって半導体レーザで記録
が可能にできる。
成するとともにｐｔを部分的に付着させることにより、
コントラストの高い記録（Ｓ／Ｎ比の高い記録）が可能
になるばかりでなく、とのＷＯ３をＲｕ Ｏ２あるいは
ＲｈＯ２でドープすることによって半導体レーザで記録
が可能にできる。
図は本発明の一実施例の記録材料の基本的構造図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極層、３・・・
・・・水和物層。
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極層、３・・・
・・・水和物層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） ＷＯｓの表面に還元剤を含んだ水和物を形成す
るとともにｐｔ を部分的に付着させたことを特徴とす
る記録材料。 ？）ＷＯ［ＲｕＯもしくはＲｈＯ２を単独もしく３ ２ は両方を添加した合金の表面に還元剤を含んだ水和物を
形成するとともにｐｔを部分的に付着した特許請求の範
囲第１項記載の記録材料。 （３）ＷＯ３の表面に、約ＰＨ３付近に保った還元剤の
水溶液中で水和すると共に、Ｐｔを光メッキ法によって
付着したことを特徴とする記録材料の製造法。 ←）基板上にＷＯとＲｕ Ｏ２あるいはＲｈＯ２を蒸着
した面にＰＨ３付近に保った還元剤の水溶液中で水和す
ると共に光メッキでｐｔを部分的に付着させたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の記録材料の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084340A JPS60227251A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 記録材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084340A JPS60227251A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 記録材料およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227251A true JPS60227251A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13827774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084340A Pending JPS60227251A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 記録材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227251A (ja) |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59084340A patent/JPS60227251A/ja active Pending
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