JPS6198595A - 記録材料およびその製造法 - Google Patents
記録材料およびその製造法Info
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- JPS6198595A JPS6198595A JP59219501A JP21950184A JPS6198595A JP S6198595 A JPS6198595 A JP S6198595A JP 59219501 A JP59219501 A JP 59219501A JP 21950184 A JP21950184 A JP 21950184A JP S6198595 A JPS6198595 A JP S6198595A
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- Japan
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- proton donor
- layer
- recording material
- adsorbed
- recording materials
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は音声１画像、！気信号を記憶、再生。
消去するための記録材料およびその製造法に関する。
従来例の構成とその問題点
音声２画像、電気信号を記憶、再生、消去するために従
来から磁気および光記憶方式がとられている。光記憶方
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く、出来
ることから注目されて来ている。光記憶方式のものは、
アクリル基板上に形成されたＴｅＣ記録膜等に信号に応
じてレーザー光を照射して熱モードで記録膜に孔をあけ
ることにより情報を記録するものと、記録膜としてＴｅ
Ｏ工膜等を用いてレーザー光照射により熱モードで晶質
−非晶質の変化を行なわせ光反射率の異なる状態を作る
方式が一般的である。これらの光記録方式は、いずれも
熱モードによる伏皿変化を利用したものでちり光書き込
みの時間（パルス幅）は数十ｎｓ以上必要である。すな
わち従来の光記録方式は、記憶密度を高くできる可能性
を持ちながら、情報処理は、数十ＭＨｚ ｉでに限定さ
れるものでる。
来から磁気および光記憶方式がとられている。光記憶方
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く、出来
ることから注目されて来ている。光記憶方式のものは、
アクリル基板上に形成されたＴｅＣ記録膜等に信号に応
じてレーザー光を照射して熱モードで記録膜に孔をあけ
ることにより情報を記録するものと、記録膜としてＴｅ
Ｏ工膜等を用いてレーザー光照射により熱モードで晶質
−非晶質の変化を行なわせ光反射率の異なる状態を作る
方式が一般的である。これらの光記録方式は、いずれも
熱モードによる伏皿変化を利用したものでちり光書き込
みの時間（パルス幅）は数十ｎｓ以上必要である。すな
わち従来の光記録方式は、記憶密度を高くできる可能性
を持ちながら、情報処理は、数十ＭＨｚ ｉでに限定さ
れるものでる。
る。
発明の目的
本発明は熱モードによる光記憶方式のこの欠点を改善す
る新しい記録材料およびその製造法に関する。
る新しい記録材料およびその製造法に関する。
発明の構成
本発明は酸化タングステン（ＷＯ２）層に、水。
アルコール、もしくは酸からなるプロトン供与体を吸着
させた記録材料であり、また該ＷＯ３層をプロト／供与
体の存在する雰囲気中で真空蒸着するか、もしくは蒸着
後プロトン供与体の存在する雰囲気に暴露することによ
ってＷＯ３層にプロトン供与体を吸着させるものである
。尚プロト／供与体とは、イオン解離によシＨを放出し
うる化合物の総称とする。
させた記録材料であり、また該ＷＯ３層をプロト／供与
体の存在する雰囲気中で真空蒸着するか、もしくは蒸着
後プロトン供与体の存在する雰囲気に暴露することによ
ってＷＯ３層にプロトン供与体を吸着させるものである
。尚プロト／供与体とは、イオン解離によシＨを放出し
うる化合物の総称とする。
実施例の説明
無色状態のＷＯ３層にＷＯ２のバンドギャップ（約２．
８ｅＶ）以上のエネルギーを有する光（波長的４４０
ｎｍ以下）を当てると光の照射された部分が青色（吸収
ピーク約９００ ｎｍ ）に発色する。
８ｅＶ）以上のエネルギーを有する光（波長的４４０
ｎｍ以下）を当てると光の照射された部分が青色（吸収
ピーク約９００ ｎｍ ）に発色する。
また、熱や電解もしくは化学的に逆反応を行なわない限
り、長く退色がない。この光照射によるＷＯ３層の色変
化を利用して光記録を行なうことができる。
り、長く退色がない。この光照射によるＷＯ３層の色変
化を利用して光記録を行なうことができる。
本発明は、ＷＯ３層の光による発色（ホトクロミズム）
が、特にＷＯ３層にプロトン供与体を吸着させたものに
ついて効率よく進行することを見い出したことに基づく
ものである。
が、特にＷＯ３層にプロトン供与体を吸着させたものに
ついて効率よく進行することを見い出したことに基づく
ものである。
以下、実施例を用いて説明する。
（実施例１）
図に示すごとく基板１（ガラス、プラスチックス、金属
、もしくはセラミックス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法
もしくは電子ビーム法）によりＷＯ３層２を３，０００
人蒸着した。蒸着に際し、ガス導入パルプより、Ｎ２ガ
スもしくはプロトン供与体く水、アルコールもしくは酸
）を別々に導入し、蒸着時の真空度及びプロトン供与体
分圧の蒸着雰囲気を制御しながら蒸着を行なった。
、もしくはセラミックス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法
もしくは電子ビーム法）によりＷＯ３層２を３，０００
人蒸着した。蒸着に際し、ガス導入パルプより、Ｎ２ガ
スもしくはプロトン供与体く水、アルコールもしくは酸
）を別々に導入し、蒸着時の真空度及びプロトン供与体
分圧の蒸着雰囲気を制御しながら蒸着を行なった。
蒸着された各種の試料に、Ｎ２レーザーを用いてパルス
光（λ＝＝３３７．１ｎｍ、ｔ＝２００ｐｍ）照射を、
不活性ガス雰囲気中で行なったところ光照射部分が青色
に発色した。発色濃度をＤ７・レーザー（λ＝＝６０９
ｎｍ）を用いて測定しその結果を第１表に示す。
光（λ＝＝３３７．１ｎｍ、ｔ＝２００ｐｍ）照射を、
不活性ガス雰囲気中で行なったところ光照射部分が青色
に発色した。発色濃度をＤ７・レーザー（λ＝＝６０９
ｎｍ）を用いて測定しその結果を第１表に示す。
第１表
第１表の結果から蒸着時にプロトン供与体を導入するこ
とにより、時間２００ｐｌの短かいパルス光に対してホ
トクロミック特性の優れたＷＯ３層を得ることができた
。尚、第１表に示した結果は、ガラス基板を用いた試料
に関するものでらるが、ガラス基板に限定されることな
く、アクリル樹脂基板、ポリエステル基板、アルミナ基
板、ステンレス基板においても同様の効果が確認された
。
とにより、時間２００ｐｌの短かいパルス光に対してホ
トクロミック特性の優れたＷＯ３層を得ることができた
。尚、第１表に示した結果は、ガラス基板を用いた試料
に関するものでらるが、ガラス基板に限定されることな
く、アクリル樹脂基板、ポリエステル基板、アルミナ基
板、ステンレス基板においても同様の効果が確認された
。
また、ＷＯ３層の膜厚は５００人から１μまでの試。
料を作成し同様の光照射実験を行なったところ膜厚の厚
いものほど発色濃度が高い結果が得られた。
いものほど発色濃度が高い結果が得られた。
（実施例２）
基板（ガラス、プラスチック、金属、もしくはセラミッ
クス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法もしくは電子ビーム
法）によりＷＯ２を３０００人蒸着した。蒸着は、最初
１．３ｘ１０−’Ｐａまで減圧したのち乾燥Ｎ２ガスを
導入して所望の真空度下で行なった。
クス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法もしくは電子ビーム
法）によりＷＯ２を３０００人蒸着した。蒸着は、最初
１．３ｘ１０−’Ｐａまで減圧したのち乾燥Ｎ２ガスを
導入して所望の真空度下で行なった。
蒸着したＷｏ３基板をプロトン供与体（水、アルコール
、もしくは酸）の飽和状態の大気中に１時間保存しＷＯ
３層に該プロトン供与体を吸着させた。
、もしくは酸）の飽和状態の大気中に１時間保存しＷＯ
３層に該プロトン供与体を吸着させた。
次に、各種のプロトン供与体が吸着された試料を不活性
ガス雰囲気（Ｎ２ガス）中にセットし、Ｎ２レーザーを
用いて実施例１と同様に２００ｐｓの単一パルスの光照
射実験を行なった。その結果ｔａＥ２ｆｉＫ示す０なお
、第２表には比較のためにガラス基板上にスパッタ法で
形成したＷ２Ｂ層（３０００人）の試料に関する実験結
果も併記した。
ガス雰囲気（Ｎ２ガス）中にセットし、Ｎ２レーザーを
用いて実施例１と同様に２００ｐｓの単一パルスの光照
射実験を行なった。その結果ｔａＥ２ｆｉＫ示す０なお
、第２表には比較のためにガラス基板上にスパッタ法で
形成したＷ２Ｂ層（３０００人）の試料に関する実験結
果も併記した。
第２表
第２表の結果から、Ｗ２Ｂ層を真空蒸着後、プロトン供
与体ガスの存在するデシケータ（室温でほぼ飽和状態）
中に保存することにより、優れたホトクロミック特性を
有するＷＯ２層を得ることができた。
与体ガスの存在するデシケータ（室温でほぼ飽和状態）
中に保存することにより、優れたホトクロミック特性を
有するＷＯ２層を得ることができた。
さらに、ＷＯ３膜の初期の状態は、蒸着真空度の低い条
件で形成された充填密度の低いアモルファス状態の膜は
ど発色濃度が高く、充填密度が高くなり、さらには多結
晶化（スパッタ膜）する程、発色効率が低下することが
判った。
件で形成された充填密度の低いアモルファス状態の膜は
ど発色濃度が高く、充填密度が高くなり、さらには多結
晶化（スパッタ膜）する程、発色効率が低下することが
判った。
尚第２表に示したプロトン供与体の他に、蓚酸塩酸、硝
酸、ブチルアルコール等も効率は低いものの発色効果が
認められた。
酸、ブチルアルコール等も効率は低いものの発色効果が
認められた。
また、消去については触れなかったが、Ｃ０２レーザー
のような赤外や電解酸化によって可逆的に元に戻しうる
ものが得られる。さらに、ＷＯ２を主体として他の酸化
物Ｍｏｂ３．Ｒｕｂ２．Ｒｈｏ２を添加しても同様の効
果が得られるものである。
のような赤外や電解酸化によって可逆的に元に戻しうる
ものが得られる。さらに、ＷＯ２を主体として他の酸化
物Ｍｏｂ３．Ｒｕｂ２．Ｒｈｏ２を添加しても同様の効
果が得られるものである。
Ｗ２Ｂ層へのプロトン供与体の吸着は、Ｓｌ ウェハー
基板上に形成したＷＯ３膜を用いて、赤外吸収スペクト
ル（ＩＲ分析）法により所望のプロトン供与体が吸着し
ていることを確認した。
基板上に形成したＷＯ３膜を用いて、赤外吸収スペクト
ル（ＩＲ分析）法により所望のプロトン供与体が吸着し
ていることを確認した。
発明の効果
以上のようＫＷＯ３膜にプロトン供与体を吸着させるこ
とにより、ピコ秒（２００ｐｓ以下） の速い速度で光
書き込みが可能な記録材料を提供することができる。
とにより、ピコ秒（２００ｐｓ以下） の速い速度で光
書き込みが可能な記録材料を提供することができる。
図は本発明の一実施例の記録材料の基本的構造図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＷＯ２暦。
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＷＯ２暦。
Claims (3)
- （１）酸化タングステン層にプロトン供与体を吸着させ
たことを特徴とする記録材料。 - （２）プロトン供与体として、水、アルコールもしくは
酸を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の記録材料。 - （３）基板上に酸化タングステンを蒸着する工程と、前
記基板をプロトン供与体の気体分子の存在する雰囲気中
に配置する工程を有し、前記二工程のうち、前記蒸着工
程を先か、もしくは前記二工程を同時にし、酸化タング
ステン層にプロトン供与体を吸着させたことを特徴とす
る記録材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219501A JPS6198595A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219501A JPS6198595A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198595A true JPS6198595A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16736438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219501A Pending JPS6198595A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045889A (en) * | 1997-09-25 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Recording medium |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59219501A patent/JPS6198595A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6045889A (en) * | 1997-09-25 | 2000-04-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Recording medium |
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