JPS6199949A - 記録材料およびその製造法 - Google Patents
記録材料およびその製造法Info
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- JPS6199949A JPS6199949A JP59219568A JP21956884A JPS6199949A JP S6199949 A JPS6199949 A JP S6199949A JP 59219568 A JP59219568 A JP 59219568A JP 21956884 A JP21956884 A JP 21956884A JP S6199949 A JPS6199949 A JP S6199949A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00455—Recording involving reflectivity, absorption or colour changes
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- G—PHYSICS
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
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- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は音声２画像、電気信号を記憶、再生。
消去するための記録材料およびその製造法に関するＯ
従来例の構成とその問題点
音声１画像、電気信号を記憶、再生、消去するために従
来から磁気および光記憶方式がとられている０光記憶力
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く出来る
ことから注目されて来ている。光記憶方式のものは、ア
クリル基板上に形成されたＴｅＣ記録膜等に信号に応じ
てレーザー光を照射して熱モードで記録膜に孔をあける
ことによシ情報を記録するものと、記録膜としてＴｅＯ
工膜等を用いてレーザー光照射により熱モードで晶質−
非晶質の変化を行なわせ光反射率の異なる状態を作る方
式が一般的である。これらの光記録方式は、いずれも熱
モードによる状態変化を利用したものであシ光書き込み
の時間（パルス幅）は数十ｎ Ｓ以上必要である・すな
わち従来の光記録方式は、記憶密度を高くできる可能性
を持ちながら、情報処理は、数十ＭＨ，までに限定され
るものである。
来から磁気および光記憶方式がとられている０光記憶力
式のものは磁気記憶方式に較べて記憶密度が高く出来る
ことから注目されて来ている。光記憶方式のものは、ア
クリル基板上に形成されたＴｅＣ記録膜等に信号に応じ
てレーザー光を照射して熱モードで記録膜に孔をあける
ことによシ情報を記録するものと、記録膜としてＴｅＯ
工膜等を用いてレーザー光照射により熱モードで晶質−
非晶質の変化を行なわせ光反射率の異なる状態を作る方
式が一般的である。これらの光記録方式は、いずれも熱
モードによる状態変化を利用したものであシ光書き込み
の時間（パルス幅）は数十ｎ Ｓ以上必要である・すな
わち従来の光記録方式は、記憶密度を高くできる可能性
を持ちながら、情報処理は、数十ＭＨ，までに限定され
るものである。
発明の目的
゛ 本発明は熱モードによる光記憶方式のこの欠
点を改善する新しい記録材料およびその製造法に関する
。
点を改善する新しい記録材料およびその製造法に関する
。
発明の構成
本発明は酸化モリブデン（ＭｏＯ３）層に水、アルコー
ル、もしくは酸からなるプロトン供与体を吸着させた記
録材料であり、また該Ｍ ｏ Ｏｓ層をプロトン供与体
の存在する雰囲気中で真空蒸着するか、もしくは蒸着後
プロトン供与体の存在する雰囲気に暴露することによっ
てＭ ｏ Ｏｓ層にプロトン供与体を吸着させるもので
ある。尚プロトン供与体とは、イオン解離によ＃）Ｈ＋
を放出しうる化合物のの総称とする。
ル、もしくは酸からなるプロトン供与体を吸着させた記
録材料であり、また該Ｍ ｏ Ｏｓ層をプロトン供与体
の存在する雰囲気中で真空蒸着するか、もしくは蒸着後
プロトン供与体の存在する雰囲気に暴露することによっ
てＭ ｏ Ｏｓ層にプロトン供与体を吸着させるもので
ある。尚プロトン供与体とは、イオン解離によ＃）Ｈ＋
を放出しうる化合物のの総称とする。
実施例の説明
無色状態のＭｏＯ層にＭｏ Ｏｓのバンドギャップ（約
３．０ｅＶ）以上のエネルギーを有する光（波長約４１
０ｎｍ以下）を当てると光の照射される部分が青色に発
色する。また、熱や電解もしくは化学的に逆反応を行な
わない限シ、長く退色がない。
３．０ｅＶ）以上のエネルギーを有する光（波長約４１
０ｎｍ以下）を当てると光の照射される部分が青色に発
色する。また、熱や電解もしくは化学的に逆反応を行な
わない限シ、長く退色がない。
この光照射によるＭ ｏ ０３層の色変化を利用して光
記録を行うことができる。
記録を行うことができる。
本発明は、Ｍｏ５ｓ層の光による発色（ホトクロミズム
）が、特にＭ ｏ ０３層にプロトン供与体を吸着させ
たものについて効率よく進行することを見い出したこと
に基づくものである。
）が、特にＭ ｏ ０３層にプロトン供与体を吸着させ
たものについて効率よく進行することを見い出したこと
に基づくものである。
以下実施例を用いて説明する。
（実施例１）
図に示すごとく基板１（ガラス、プラスチック。
金属もしくはセラミックス）上に真空蒸着法（抵抗加熱
法もしくは、電子ビーム法）により Ｍｏ５ｓ層２を３
０００人蒸着した。蒸着に際し、ガス導入パルプよシ、
Ｎ２ ガスもしくはプロトン供与体（水、アルコール、
もしくは酸）を別々に導入し、蒸着時の真空度及びプロ
トン供与体分圧の蒸着雰囲気を制御しながら蒸着を行な
った。
法もしくは、電子ビーム法）により Ｍｏ５ｓ層２を３
０００人蒸着した。蒸着に際し、ガス導入パルプよシ、
Ｎ２ ガスもしくはプロトン供与体（水、アルコール、
もしくは酸）を別々に導入し、蒸着時の真空度及びプロ
トン供与体分圧の蒸着雰囲気を制御しながら蒸着を行な
った。
蒸着された各種の試料に、Ｎ２レーザーを用いてパルス
光（λ＝３３７．１ｎｍ、ｔ＝２００Ｐｓ ）照射を不
活性ガス雰囲気中で行なったところ光照射部分が青色に
発色した０発色濃度をＤｙｅレーザー（λ＝６０９ｎｍ
）を用いて測定しその結果を表−１に示す。
光（λ＝３３７．１ｎｍ、ｔ＝２００Ｐｓ ）照射を不
活性ガス雰囲気中で行なったところ光照射部分が青色に
発色した０発色濃度をＤｙｅレーザー（λ＝６０９ｎｍ
）を用いて測定しその結果を表−１に示す。
第１表
第１表の結果から蒸着時にプロトン供与体を導入するこ
とにより、時間２００ Ｐａ１ の短かいパルス光に対
してホトクロミック特性の優れたＭｏ５ｓ層を得ること
ができた。尚、第１表に示した結果は、ガラス基板を用
いた試料に関するものであるが、ガラス基板゛に限定さ
れることなく、アクリル樹脂基板、ポリエステル基板、
アルミナ基板、ステンレス基板においても同様の効果が
確認された。
とにより、時間２００ Ｐａ１ の短かいパルス光に対
してホトクロミック特性の優れたＭｏ５ｓ層を得ること
ができた。尚、第１表に示した結果は、ガラス基板を用
いた試料に関するものであるが、ガラス基板゛に限定さ
れることなく、アクリル樹脂基板、ポリエステル基板、
アルミナ基板、ステンレス基板においても同様の効果が
確認された。
また、ＷＯ２層の膜厚は、６００人から１μまでの試料
を作成し同様の光照射実験を行なったところ膜厚の厚い
ものほど発色濃度が高い結果が得られた。
を作成し同様の光照射実験を行なったところ膜厚の厚い
ものほど発色濃度が高い結果が得られた。
（実施例２）
基板（ガラス、プラスチック、金属、もしくはセラミッ
クス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法もしくは電子ビーム
法）によりＭｏ Ｏｓを３００ｏ人蒸着した。蒸着は、
最初１．３Ｘ１０−’Ｐａまで減圧したのち乾燥Ｎ２ガ
スを導入して所望の真空度下で行なった。
クス）上に真空蒸着法（抵抗加熱法もしくは電子ビーム
法）によりＭｏ Ｏｓを３００ｏ人蒸着した。蒸着は、
最初１．３Ｘ１０−’Ｐａまで減圧したのち乾燥Ｎ２ガ
スを導入して所望の真空度下で行なった。
蒸着したＭ ｏ Ｏｓ基板をプロトン供与体（水、アル
コール、もしくは酸）の飽和状態の大気中に１時間保存
しＭ ｏ Ｏｓ層に該プロトン供与体を吸着させた。
コール、もしくは酸）の飽和状態の大気中に１時間保存
しＭ ｏ Ｏｓ層に該プロトン供与体を吸着させた。
次に、各種のプロトン供与体が吸着された試料を不活性
ガス雰囲気（Ｎ２ガス）中にセットし、Ｎ２レーザーを
用いて実施例１と同様に２００ Ｐｓの単−パルスの光
照射実験を行なった。その結果を第２表に示す。なお、
第２表には比較のためにガラス基板上にスパッタ法で形
成したＭ ｏ Ｏ３層（３０００人）の試料に関する実
験結果も併記した。
ガス雰囲気（Ｎ２ガス）中にセットし、Ｎ２レーザーを
用いて実施例１と同様に２００ Ｐｓの単−パルスの光
照射実験を行なった。その結果を第２表に示す。なお、
第２表には比較のためにガラス基板上にスパッタ法で形
成したＭ ｏ Ｏ３層（３０００人）の試料に関する実
験結果も併記した。
第 ２ 表
第２表の結果から、Ｍ ｏ ０３層を真空蒸着後、プロ
トン供与体ガスの存在するデシケータ（室温でほぼ飽和
状態）中に保存することにより、優れたホトクロミック
特性を有するＭ ｏ Ｏａ層を得ることができた。さら
に、Ｍ２Ｏ３膜の初期の状態は、蒸着真空度の低い条件
で形成された充填密度の低いアモルファス状態の膜はど
発色濃度が高く、充填密度が高くなり、さらには多結晶
化（スパッタ膜）する程、発色効率が低下することが判
った。尚表２に示したプロトン供与体の他に、修酸、塩
酸。
トン供与体ガスの存在するデシケータ（室温でほぼ飽和
状態）中に保存することにより、優れたホトクロミック
特性を有するＭ ｏ Ｏａ層を得ることができた。さら
に、Ｍ２Ｏ３膜の初期の状態は、蒸着真空度の低い条件
で形成された充填密度の低いアモルファス状態の膜はど
発色濃度が高く、充填密度が高くなり、さらには多結晶
化（スパッタ膜）する程、発色効率が低下することが判
った。尚表２に示したプロトン供与体の他に、修酸、塩
酸。
硝酸、ブチルアルコール等も効率は低いものの発色効果
が認められた。
が認められた。
また、消去については触れなかったが、Ｃ０２レーザー
のような赤外や電解酸化によって可逆的に元に戻しうる
ものが得られる。さらに、Ｍ ｏ Ｏ３を や、主体と
して他の酸化物Ｗｏ３．Ｒｕｏ２．Ｒｈｏ２を添加して
も同様の効果が得られるものである。
のような赤外や電解酸化によって可逆的に元に戻しうる
ものが得られる。さらに、Ｍ ｏ Ｏ３を や、主体と
して他の酸化物Ｗｏ３．Ｒｕｏ２．Ｒｈｏ２を添加して
も同様の効果が得られるものである。
Ｍ ｏ Ｏｓ層へのプロトン供与体の吸着は、ＳＬウェ
ハー基板上に形成したＭ ｏ Ｏｓ膜を用いて、赤外吸
収スペクトル（ＩＲ分析）法により所望のプロトン供与
体が吸着していることを確認した。
ハー基板上に形成したＭ ｏ Ｏｓ膜を用いて、赤外吸
収スペクトル（ＩＲ分析）法により所望のプロトン供与
体が吸着していることを確認した。
発明の効果
以上のようにＭ ｏ Ｏ３膜にプロトン供与体を吸着さ
せることにより、ピコ秒（２００Ｐ８以下）の速い速度
で光書き込みが可能な記録材料を提供することができる
。
せることにより、ピコ秒（２００Ｐ８以下）の速い速度
で光書き込みが可能な記録材料を提供することができる
。
図は本発明の一実施例の記録材料の基本的構造図である
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・Ｍ２Ｏ３層。
。 １・・・・・・基板、２・・・・・・Ｍ２Ｏ３層。
Claims (3)
- （１）酸化モリブデン層にプロトン供与体を吸着させた
ことを特徴とする記録材料。 - （２）プロトン供与体として水、アルコール、もしくは
酸の１種以上を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の記録材料。 - （３）基板上に酸化モリブデンを蒸着する工程と、前記
基板をプロトン供与体の気体分子の存在する雰囲気中に
配置する工程を有し、前記二工程のうち、前記蒸着工程
を先かもしくは前記二工程を同時に行なうことにより酸
化モリブデン層にプロトン供与体を吸着させたことを特
徴とする記録材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219568A JPS6199949A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59219568A JPS6199949A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199949A true JPS6199949A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16737547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59219568A Pending JPS6199949A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 記録材料およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199949A (ja) |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP59219568A patent/JPS6199949A/ja active Pending
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