JPS60227345A - けい光表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はけい光表示装置、特に加速制御電圧が低く、一
般には１００Ｖ以下で動作させる低速電子線によるけい
光表示装置に関するものである。

〔従来技術〕

従来、この種の低速電子線による真空けい光表示装置は
、第１図に断面模式図を示すごとく、絶縁基板１の上に
けい光セグメント層６を形成し。

このけい光セグメントＷｉ６の上方に対向して架設配置
したメツシュ状の加速制御電極１５と、更に加速制御電
極１５の上方に架張配置した線状の電子放出フィラメン
ト１６から成り、これらの内部電極６，１５．１６は絶
縁基板１と透明ガラス板などから成る上板１７および側
面板１２から形成される気密容器内に収納され、且つ中
が高真空に維持されている。

しかしながら、この種の真空けい光表示装置において５
通常けい光セグメント電極は絶縁基板上に厚膜印刷や薄
膜エツチング等の技法を用いて形成されるのに対し、電
子放射源は極めて細いタングステン等の金属線に電子放
射物質を塗布したものを架張設置する方法がとられ、ｔ
た加速制御電極は外部リードフレームと一体となった金
属板支持体（通常鉄−クローム合金）　Ｋ　Ｏ，１〜０
．０５ｍｍ厚程度の薄い金域板を７オトレジスト法等に
よりメツシュ状にエツチングしたものを溶接して架設さ
れる。このため、従来の真空けい光表示装置においては
、電子放射源及び加速制御電極の設置方法と、けい光セ
グメント電極の設置方法が本質的に異なる工程内容とな
シ、大量生産においてインライン化、自動化が困難Ｖｃ
ｆｘっていた。

また、上述した様な欠点を除くため、加速制御電極をけ
い光セグメント電極の周囲に、且っけい光セグメント電
極と同一基板上に形成する方法が提案実用化されている
が、この場合けい光セグメント電極はすべて独立させた
いわゆるスタティック駆動の場合の用途に限られ、多桁
のダイナミック駆動ではけい光セグメントの周囲Ｔ／Ｃ
加速加速制御金棒置することが一般には困難であるため
、採用しにくいという欠点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は従来の欠点を除去するため、基本的には
電極形成をすべて厚膜、薄膜等の技術により形成可能な
ものとし、作業性を大幅に改善すると共に、大量生産に
際しインライン化、自動化が容易であシ、且つ従来に比
し薄形コンパクトなけい光表示装置を提供することにあ
る。

〔発明の構成〕

本発明によると複数のけい光セグメント群から成る表示
部を電子線で衝撃して発光させるけい光表示装＃におい
て、前記表示部に対向する絶縁基板面上に電子放射源を
、また該電子放射源に近接して前記各けい光セグメント
群に対向して各々導体電極を設置し、前記導体電極及び
けい光セグメントに選択的に電圧を印加することによシ
前記電子放射源よシ放出される電子を加速制御し１選択
的にけい光セグメントを衝撃発光させることを特徴とす
るけい光表示管が得られる。

〔実施例〕

以下に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第２図は本発明によるけい光表示装置の一実施例の構造
を示す分解破断斜視図、第３図は第２図の実施例におけ
る電子放射源及び導体電極部の破断切欠き図である。第
２図において、１はガラス等の透明絶縁基板で、この上
にスパッター法等にヨシアルミニウム薄膜を形成したあ
と、フォトレジスト法等によシエッチングを行い、リー
ド配線部２．下地セグメント部３及び外部接続用のリー
ド端子４を形成する。下地セグメント部３はけい光体の
発光を透明絶縁基板１の外側へ透過させるためｌ細いメ
ツシュ状とじ透光性電極とする。また本実施例ではダイ
ナミック動作を例とするため。

各セグメント群間の共通セグメントはアルミニウム配線
で連結されている。

次にセグメントパターン部及びリード端子側の基板外縁
部を除く部分に不透明な絶縁層５を印刷焼成して形成し
、更に電着法等により下地セグメント部３の上に所定の
セグメント形状のけい光体層６を形成する。

次に第２図及び第３図において、透明絶縁基板１に対向
する絶縁基板７はホルステライト等のセラミックよシな
シ、絶縁基板７の上にはタングステンペーストを所定の
パターンに印刷し、焼成してタングステンｗＩ８を形成
したあと、銀ペースト等の低抵抗ペーストラ印刷・焼成
してタングステン＃８及び後述の導体電極１１．１１’
・・・の外部リードとの接続用配線９及びリード端子９
′を形成する。次にタングステンＮｌｌ８及び基板外縁
部を除く部分に絶縁材１−１０を例えばアルミナペース
ト等を印刷・焼成して形成する。更に絶縁層１゜の上に
前記透明絶縁基板１上のセグメント群に対向する位置に
タングステン層８の部分を避けて。

タングステン層８の周囲に導体電極１１．１１’・・・
を例えばグラファイトペースト等を印刷焼成して形成す
る。尚導体電極１１．１１’・・・は絶縁層１０に設け
たスルホールを通して外部リードとの接続用配線９及び
リード端子９′に接続する。次にタングステン層８の上
に電着法等によりバリウム等の炭酸塩層を形成する。

上述の様な工程を経た透明絶縁基板１と絶縁基板７は、
電極間の間隔を適切に保持するために。

フレーム状のスペーサーガラス１２を間に挾みフリット
ガラス等で封着して気密シールを行うとともに、排気管
１３を取シ付は排気台で内部を高真空にし、更にタング
ステン層８に電流を流して炭酸塩を加熱分解しいわゆる
酸化物陰極として電子放射源１４を得る。これらの作業
後封止し、真空けい光表示装置が完成する。

尚木実流側においては、封止後内部を高真空に継続して
維持するため、あらかじめ排気管部内にバリウムゲッタ
ー材を装置し、封止稜高周波加熱法によシ排気管内壁に
バリウムを飛着させ、ゲッター作用を持たせる様にした
。

上述した方法によシ製造した真空けい光表示装置におい
て、外部接続端子よシタングステン層８に所定の電流を
流し発熱させることによりタングステンＷｉＩ８の上に
形成した酸化物陰極から成る電子放射源１４は一足の温
度に保持され熱電子の放出が得られる。更にタングステ
ン層８を基準に導体電極１１．１１’・・・及び対向す
るセグメントニ適当な電圧を印加すると、電子がけい光
体層を衝撃し１発光表示が得られるが、以下に動作方法
について説明する。

第５図、第６図は第２図に示す装置において。

電子放射源１４に対する導体電極１１，１１’・・・の
位置、高さを変え、この時導体電極印加電圧に対しセグ
メントに流れる電流がどの様に変化するかを測定したも
のの一例である。ダイナミック動作において最も問題と
なるのはカットオフ特性で。

セグメントに一定の正の動作電圧を印加した時に導体電
極印加電圧を変えることによシ、セグメントに電流を流
したシミ流を遮断したりできねばならないが、このカッ
トオフ特性は第４図１〜第６図よシミ子放射源に対する
導体電極の位置、高さに大きく影響されることがわかシ
、導体電極面の高さを電子放射源より高くシ、且つ導体
電極と電子放射源の間隔をＱ、　３　ｍｍ以下にするこ
とによシ有効なカットオフ特性が得られた。

本発明によるダイナミック動作の一例として第４図に示
す導体電極１１．１１’・・・の高さａを電子放射源１
４よ！＋　０．１　ｍｍ高くし且つ、導体電極１１．１
１’・・・と電子放射源１４の間隔すを０．２５ｍｍと
したうえで、電子放射源を加熱して熱電子を放出させ、
電子放射源１４を基準に導体電極１１．１１’・・・に
Ｏｖから３５ｖＶｃかわるパルス電圧を順次印加し、且
つセグメントに一５ｖから＋２０ｖにかわるパルス電圧
を順次印加する。この時選択されたセグメントの電圧が
＋２０ｖで。

同時に対向する導体電極の電圧がＯｖの時に選択された
セグメントに電流が流れ発光が得られ、更に対向する導
体電極の電圧が＋３５ｖにかわると選択されたセグメン
トには発光に有効な電流は流れず発光は得られなかった
。また選択されたセグメントの電圧が一５ｖの時は対向
する導体電極の電圧がＯｖ〜３５ｖの間では発光り二有
効な電流は流れず発光は得られなかった。

この実施例によればすべての電極が基本的に基板上への
印刷や薄膜エツチング等の技術で形成可能であり、工程
が同質作業となるため、自動化。

インライン化が容易であシ、大量生産に非常に適したも
のとなる。またスペーサーガラスは基板間の間隔を保持
するためのものであり、これまでの説明でわかる様に従
来のようなフィラメント構造やメツシュ状制御電極の様
に真空容器内に突出した部分が無いため、動作電圧や電
子放出源形状を適当に選ぶならは、この間隔は縮小可能
でｓｂ薄形化が従来になく可能となる。また、従来の真
空けい光表示装置では面積が大きくなるにつれ大気圧に
対する真空容器の耐圧性を持たせるためガラス基板厚を
厚くする必要を伴ったが、この実施例によれば、パター
ン部をさけてサポートなる支柱構造を容易に内部に形成
可能であシ、従来よシ薄いガラス板で製造可能という利
点も生ずる。また。

すでに説明したように、ダイナミック動作も十分可能で
あシ、従来の真空けい光表示装置全般に実施可能である
。

尚１本実施例では電子放射源としては従来と同じく熱電
子放出陰極により説明したが、冷陰極を使用できること
はいうまでもなく、冷陰極の場合。

動作電圧を本実施例より高くする必要があるが。

加熱の必要が無いため大面積の表示等に有効である。ま
た制御電極としての導体電極１１・・・は本実施例では
基板に印刷法で形成したが、金属板（例えばｐｅ　−Ｎ
　ｉ　−Ｃｒ系合金）を使用し、フォトエツチング技術
により、電子放射源に対向する部分をエツチングし電子
を透過できる様にすると共に外部リードフレームも一体
形成し、スペーサーガラス１２と、絶縁基板７の間には
さみ込んで気密シールすることによシ導体電極１１．１
１’・・・全形成しても全く同等の効果が得られること
はいうまでもない。

〔発明の効果〕

本発明は基本的には電極形成をすべて厚膜、薄膜等の技
術によシ形成可能なものとし１作業性を大幅に改善する
と共に、大量生産に際しインライン化、自動化が容易で
あシ、且つ従来に比しけい光表示装置か薄形コンパクト
となる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の真空けい光表示装置の断面模式図、第２
図は本発明の一実施例の分解破断斜視図。 第３図は第２図の実施例における電子放出源及び導体電
極部の破断切欠き図、第４図は第２図の電極の寸法説明
図、第５図、第６図は本発明の一実施例における代表的
なカットオフ特性図である。 １・・・・・・透明絶縁基板、２・・・・・・リード配
線、３・・・・・・下地セグメント電極、４・・・・・
・リード端子、５・・・・・・不透明絶縁層、６・・・
・・・螢光体層ｓ　７・・・・・・絶縁基板、８・・・
・・・タングステン層、９・・・・・・低抵抗配線、１
０・・・・・・絶縁層、１１・・・・・・導体ｍ、１２
・・・・・・スペーサーガラス、１３・・・・・・排気
管、１４・・・・・・電子放射源、１５・・・・・・メ
ツシュ状加速制御電極、１６・・・・・・フィラメント
、１７・・・・・・上板。 ＼ゝ− 隼（父 事２＠ ￥４回 牛左回 ４４事）アｔｏｇＩｊｉ（Ｖｄｅ） 茅ＩＴ２１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　複数のけい光セグメント群から成る表示部を電
   子線で衝撃して発光させるけい光表示装置において、前
   記表示部に対向する絶縁基板面上に電子放射源を、また
   該電子放射源に近接して前記各けい光セグメント群に対
   向して各々導体電極を設置し、前記導体電極及びけい光
   セグメントに選択的に電圧を印加することにより前記電
   子放射源より放出される電子を加速制御し選択的にけい
   光セグメントを衝撃発光させることを特徴とするけい光
   表示管。 （匈　電子放射源との間隔を０．３　ｍｍ以下に近接し
   て導体電極を設置し、且つ導体電極表面位置を電子放射
   源表面位置よルミ子放射方向に高くしたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項記載のけい光表示装置