JPS6022826A - 遅延回路 - Google Patents
遅延回路Info
- Publication number
- JPS6022826A JPS6022826A JP58130045A JP13004583A JPS6022826A JP S6022826 A JPS6022826 A JP S6022826A JP 58130045 A JP58130045 A JP 58130045A JP 13004583 A JP13004583 A JP 13004583A JP S6022826 A JPS6022826 A JP S6022826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- constant current
- discrimination level
- current source
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 2
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 101150067539 AMBP gene Proteins 0.000 description 1
- 101100282617 Bovine herpesvirus 1.1 (strain Cooper) gC gene Proteins 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 241001125048 Sardina Species 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 235000019512 sardine Nutrition 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
木兄りJば、入力信号を予め定めた時1!Iだけ遅咄さ
せて出力する遅延回路に関する。
せて出力する遅延回路に関する。
背景技術
UA型的な光行技術は第1図に示されている。入力端子
lには、452図(υで示される15号が入力される。
lには、452図(υで示される15号が入力される。
時刻tlにおいて入力端子lがハイレベル(7,) 状
iAJかもローレベルに灰化するす、トランジスタQ1
か逃所状席から導通状帳にスイツヂング粘様が灰化する
。トランジスタQlが瑯通することによって、トランジ
スタQ2が得辿状台から価4r状囮に便わる。これによ
ってコンデンサCには、定’41nLIItAとしての
トランジスタQ6から゛耐流11が01シれ、コン1ン
サCが充′屯される。トランジスタQ3.Q4は7e
mJ 渭1111j g’r 2 ?f 構成し、抵抗
R1゜R2によって′ボまる電圧V T rよJP別レ
ベルを決定する。
iAJかもローレベルに灰化するす、トランジスタQ1
か逃所状席から導通状帳にスイツヂング粘様が灰化する
。トランジスタQlが瑯通することによって、トランジ
スタQ2が得辿状台から価4r状囮に便わる。これによ
ってコンデンサCには、定’41nLIItAとしての
トランジスタQ6から゛耐流11が01シれ、コン1ン
サCが充′屯される。トランジスタQ3.Q4は7e
mJ 渭1111j g’r 2 ?f 構成し、抵抗
R1゜R2によって′ボまる電圧V T rよJP別レ
ベルを決定する。
入力(tA +3がハイレベルからローレベルになった
時刻tiから時間W1経過後に、差動増IRW器2のス
イッチング態様かλ化し、トランジスタQ3は避に)r
状)町から’桿Jlll状!房となる。コンデンサCの
出力111圧は弔2図(2)に示されているとおりであ
り、トランジスタQ3のスイッチング心様は、第2図(
,3)に下されているとおりである。ここでコンデンサ W1=−C・VT ・・・(1) 1 トランジスタQ3か譬聞することによつτ、トランジス
タQ5か悪1厨状態から線辿状忌に及ILすふ。コンデ
ンサCは充電され続けて行き、li4刻t3で予め定め
た一定の電圧11[j Vcc に至る。
時刻tiから時間W1経過後に、差動増IRW器2のス
イッチング態様かλ化し、トランジスタQ3は避に)r
状)町から’桿Jlll状!房となる。コンデンサCの
出力111圧は弔2図(2)に示されているとおりであ
り、トランジスタQ3のスイッチング心様は、第2図(
,3)に下されているとおりである。ここでコンデンサ W1=−C・VT ・・・(1) 1 トランジスタQ3か譬聞することによつτ、トランジス
タQ5か悪1厨状態から線辿状忌に及ILすふ。コンデ
ンサCは充電され続けて行き、li4刻t3で予め定め
た一定の電圧11[j Vcc に至る。
時刻t2において、入力端子1がローレベルからハイレ
ベルになると−トランジスタQ2が’!y’ JIUす
る。しだがってコンデンサCの放゛屯、↓j流12がト
ランジスタQ2および抵抗R3を介して1Aシれる。
ベルになると−トランジスタQ2が’!y’ JIUす
る。しだがってコンデンサCの放゛屯、↓j流12がト
ランジスタQ2および抵抗R3を介して1Aシれる。
時開W2経過後にコンデンサCの出力重圧は、JT−別
レベルVTに達し、これによってトランジスタQ3が)
ηノ舟状yルから遮μlr状腓に灰化L、)ランジスタ
Q5が両断する。
レベルVTに達し、これによってトランジスタQ3が)
ηノ舟状yルから遮μlr状腓に灰化L、)ランジスタ
Q5が両断する。
このような先行技術では、遅延時IAJ Wl 、 W
2を比軟的長い時間に設定するには、コンデンサCの
容量を大きくする必要かあり、しかもこのコンデンサC
1,/)電圧が予め定めた一定の′重圧VCCになるま
での時刻t1〜t3の期間か比較的長い。
2を比軟的長い時間に設定するには、コンデンサCの
容量を大きくする必要かあり、しかもこのコンデンサC
1,/)電圧が予め定めた一定の′重圧VCCになるま
での時刻t1〜t3の期間か比較的長い。
これによって時刻t3以RiJにおいて、入力端子1に
入力される1目号か灰化したときには、正確な遅延時間
をイ4することが固成となり、応答性が低下することK
なった。
入力される1目号か灰化したときには、正確な遅延時間
をイ4することが固成となり、応答性が低下することK
なった。
1 日−ノ
不発を夕1の自白・Jは、コンデンサの谷量を比較的小
さくてすむようにし、しかも人力信号の繰り返し灰化の
許容周期を短くすることができるようにした改良された
遅延回路を捉θにすることである。
さくてすむようにし、しかも人力信号の繰り返し灰化の
許容周期を短くすることができるようにした改良された
遅延回路を捉θにすることである。
実施例
第3図は、本発明の一実施例の′「に気回路図である。
この実施例では、入力端子1からの信号はトランジスタ
Q1のベースに与えられる。コンデンサCKは、直列に
一定のpK lftを供給する第1′ポ市流源としての
トランジスタQ13およヒu 抗R11が接続されてい
る。このコンデンサCKはまた、11列にもう1つの刀
2定+114: tfiL 源としてのトランジスタQ
19および抵抗R6が1に続されており、電流13を供
給する。コンデンサCには、トランジスタQ1に関ノ止
するトランジスタQ20 、Q21 。
Q1のベースに与えられる。コンデンサCKは、直列に
一定のpK lftを供給する第1′ポ市流源としての
トランジスタQ13およヒu 抗R11が接続されてい
る。このコンデンサCKはまた、11列にもう1つの刀
2定+114: tfiL 源としてのトランジスタQ
19および抵抗R6が1に続されており、電流13を供
給する。コンデンサCには、トランジスタQ1に関ノ止
するトランジスタQ20 、Q21 。
Q2および、li記1化R3〃1ら成る弔3足屯l光紡
ξがt友峙でされ、一定の144υ1j i 2 k
tfiLすことができる。
ξがt友峙でされ、一定の144υ1j i 2 k
tfiLすことができる。
トランジスタQ3..Ql−j仝蛎’W 11:!=
ij神2を・;旧式する。トランジスタQ4に1薊連し
て弁別レベルj化手段3が接続される。この升)JIJ
レベルメ化手段3 e−1、L−L抗R7,R8,u−
u#プしR8に 並夕υンr I’7j 枕されたトラ
ンジスタリlOとを含む。トランジスタQ10が載断す
ることによって、差!II/J謂φl+f iia 2
は第1弁別レベルVTIを仔し、トランジスタQ10が
萼>111することによって、第1升別しベルV Tl
よりも吐い第2弁別レベルVT2を自する。
ij神2を・;旧式する。トランジスタQ4に1薊連し
て弁別レベルj化手段3が接続される。この升)JIJ
レベルメ化手段3 e−1、L−L抗R7,R8,u−
u#プしR8に 並夕υンr I’7j 枕されたトラ
ンジスタリlOとを含む。トランジスタQ10が載断す
ることによって、差!II/J謂φl+f iia 2
は第1弁別レベルVTIを仔し、トランジスタQ10が
萼>111することによって、第1升別しベルV Tl
よりも吐い第2弁別レベルVT2を自する。
トランジスタQ19.Q25は、カレントミラー 回;
:’h ヲ+q立1祝する。差切j着ψ品1針2のトラ
ンジスタQ3に接続きれているトランジスタQ25にI
WJ連してトランジスタQ23.Q24か接続さ力2て
いる。トランジスタQ24にP4I辿してトランジスタ
11および抵抗R9かJG 紛さfする。
:’h ヲ+q立1祝する。差切j着ψ品1針2のトラ
ンジスタQ3に接続きれているトランジスタQ25にI
WJ連してトランジスタQ23.Q24か接続さ力2て
いる。トランジスタQ24にP4I辿してトランジスタ
11および抵抗R9かJG 紛さfする。
入力端子1に与えられる入力値リーカ弓(′J4図(1
)に示されるように時刻t4においてハイレベルからo
−L/ /<ルに灰化すると、トランジスタQ1 r
:i Ay向状台から得通状]+%となる。この1〜ラ
ンジスクQlかベメ刑することによって、トランジスタ
c72 i、1ノ÷1刑状1υから遮1jfB状書にス
イツチングf7り様が狭止する。コンテン”)−Cの′
@シ比は、弔4図(2)で示されるように第1升別しベ
ル■]゛1木満であり、差刺増11’f+!イ’+2の
トランジスタQ 3 ):i i!↑H41ノ?してお
り、トランジスタQ25vC4ま′+Ii、++1ff
iがItiL nなl/−1,したカッて、コンデンサ
CVよトランジスタQ13を介スる一定のrl<ンノ+
jilによって充′L(1、される。
)に示されるように時刻t4においてハイレベルからo
−L/ /<ルに灰化すると、トランジスタQ1 r
:i Ay向状台から得通状]+%となる。この1〜ラ
ンジスクQlかベメ刑することによって、トランジスタ
c72 i、1ノ÷1刑状1υから遮1jfB状書にス
イツチングf7り様が狭止する。コンテン”)−Cの′
@シ比は、弔4図(2)で示されるように第1升別しベ
ル■]゛1木満であり、差刺増11’f+!イ’+2の
トランジスタQ 3 ):i i!↑H41ノ?してお
り、トランジスタQ25vC4ま′+Ii、++1ff
iがItiL nなl/−1,したカッて、コンデンサ
CVよトランジスタQ13を介スる一定のrl<ンノ+
jilによって充′L(1、される。
時刻t5eζおいて、コンデンサCの出力、R圧が弔1
1Pす1jレベルVTIを越える。したがって遅7+1
呂時ll′JIW3は′弔1a式で示されるとおりとな
る。
1Pす1jレベルVTIを越える。したがって遅7+1
呂時ll′JIW3は′弔1a式で示されるとおりとな
る。
■
W 3 =−C−VT l ・=(la)1
時亥りt5において、)・ランジスタQ3が)Fp 川
i する。これによってトランジスタQ25rこは一定
の’+it LAN、’ i 0かiALノLる。トラ
ンジスタQ3の・リメjlllによって、トランジスタ
QIOおよびトランジスタQ11け遮16r状し9から
21−11通状囚に変化し、心して矛5νJ増i1m
j:斥2はり″J2升別弁別しVT2を刊する。この’
R別フレベルX化状J島Qま弔4 FJ (3)に示さ
れている。トランジスタQllのスイッチングlJ様は
第4図(4)にノドされるとおりである。トランジスタ
Q25に一定i蒐流i25が7通れることによって、カ
レントミラー効果によってトランジスタQl!lこは一
定の電流i3が1fit、れる。こうして時刻t5〜t
6のJIJJ ++′Ij VCおいてはコ’y テン
”j CKi、1:(i l+i 3)の充電小流が7
11シれ、コンデンサ″Cは、に−速しくブI−市され
る。こうしてコンデンサCは11”)4 AIJ t
6において一定の電圧Vcc K達する。
i する。これによってトランジスタQ25rこは一定
の’+it LAN、’ i 0かiALノLる。トラ
ンジスタQ3の・リメjlllによって、トランジスタ
QIOおよびトランジスタQ11け遮16r状し9から
21−11通状囚に変化し、心して矛5νJ増i1m
j:斥2はり″J2升別弁別しVT2を刊する。この’
R別フレベルX化状J島Qま弔4 FJ (3)に示さ
れている。トランジスタQllのスイッチングlJ様は
第4図(4)にノドされるとおりである。トランジスタ
Q25に一定i蒐流i25が7通れることによって、カ
レントミラー効果によってトランジスタQl!lこは一
定の電流i3が1fit、れる。こうして時刻t5〜t
6のJIJJ ++′Ij VCおいてはコ’y テン
”j CKi、1:(i l+i 3)の充電小流が7
11シれ、コンデンサ″Cは、に−速しくブI−市され
る。こうしてコンデンサCは11”)4 AIJ t
6において一定の電圧Vcc K達する。
時刻t7において人カシ1、d子10M +Jかローレ
ベルからハイレベルに変化すると、トランジスタQ1が
避萌する。これによってトランジスタQ2か郷114す
る。このトランジスタQ2のη通によってトランジスタ
Q2には電流12か(AC,れる。ここて、i2>il
+i3 ・・・(2) と疋めである。したがって、コンデンサ゛Cから(rよ
掲3式で示される放電電流i4が汎れ11−1す。
ベルからハイレベルに変化すると、トランジスタQ1が
避萌する。これによってトランジスタQ2か郷114す
る。このトランジスタQ2のη通によってトランジスタ
Q2には電流12か(AC,れる。ここて、i2>il
+i3 ・・・(2) と疋めである。したがって、コンデンサ゛Cから(rよ
掲3式で示される放電電流i4が汎れ11−1す。
i 4=i 2−(i 1+i 3 ) ・・(3ンこ
うして時刻t7から時刻Jt8まての11ny同W4畦
Jl→後に、コンデンサCの電圧は弔2升がリレベル■
T2に遁する。
うして時刻t7から時刻Jt8まての11ny同W4畦
Jl→後に、コンデンサCの電圧は弔2升がリレベル■
T2に遁する。
時刻tsでu、b: 畷IJJ ’I!+ 444’:
j; 2 ))ランジスタQ3か価1σrする。これに
よって屯rAシi 0が流れなくなり、ししてrJf
It i 3かl/iシれなくなる。したかつてコンデ
ンサCは放電電流i5で急速に放電される。
j; 2 ))ランジスタQ3か価1σrする。これに
よって屯rAシi 0が流れなくなり、ししてrJf
It i 3かl/iシれなくなる。したかつてコンデ
ンサCは放電電流i5で急速に放電される。
i5:=i2−i1 ・・・(5)
これと同時K l−ランジスタQIO、Ql 1も蟲1
4丁シ、差tH+J3増1・’IV !j’i 2は謁
1弁別レベルV1”lを有する。
4丁シ、差tH+J3増1・’IV !j’i 2は謁
1弁別レベルV1”lを有する。
ltt嫉時間W3.W4を孕しくするには、第6式%式
% () ) −に述の夷す巨細では、時刻t5〜E6間においてコン
デンサCは思速充屯され、したかつてその充’「1tI
Jp圧か−7,5の1+4 V c c VCjjlJ
dすルt4c7)時間がへIAvlされる。捷だ、こ
の時刈t5以1庫においては弁別レベルか低いI+u
V T 2に狭止される。七のだめ遅延時間W 4 i
得るためにコンデンサCを光′屯しておくに必要な電圧
Vcc を比・灰「h3低く収ることかできる。しかも
時刻18〜t9において0よコンチングCけ急速に放電
される。このより(・こして、コンデンサCの五瓦を小
きくシ、シかも必胃な11延時間W3.W4を得ること
ができるとともに、時刻[5以降において入力信号か茨
化するli、!i□ ilJ [7までの時間を少なく
ても1吟刻t6以降のIt llk laJ短時間にす
るこ吉ができ、人力侶−号か巣すノスし入力されること
か許容される時間t5〜t6か翫A狛されることになり
、このこ吉は時刻t 73〜t9に1幻しても同イ求で
ある。
% () ) −に述の夷す巨細では、時刻t5〜E6間においてコン
デンサCは思速充屯され、したかつてその充’「1tI
Jp圧か−7,5の1+4 V c c VCjjlJ
dすルt4c7)時間がへIAvlされる。捷だ、こ
の時刈t5以1庫においては弁別レベルか低いI+u
V T 2に狭止される。七のだめ遅延時間W 4 i
得るためにコンデンサCを光′屯しておくに必要な電圧
Vcc を比・灰「h3低く収ることかできる。しかも
時刻18〜t9において0よコンチングCけ急速に放電
される。このより(・こして、コンデンサCの五瓦を小
きくシ、シかも必胃な11延時間W3.W4を得ること
ができるとともに、時刻[5以降において入力信号か茨
化するli、!i□ ilJ [7までの時間を少なく
ても1吟刻t6以降のIt llk laJ短時間にす
るこ吉ができ、人力侶−号か巣すノスし入力されること
か許容される時間t5〜t6か翫A狛されることになり
、このこ吉は時刻t 73〜t9に1幻しても同イ求で
ある。
功 果
以上のよう((本究明によれば、JP別(ノベルを1に
U力増怖:者の出力に端づいて人力fl:i号の玄化力
回と反対方間に変化しているので、コンデンサの充1b
。
U力増怖:者の出力に端づいて人力fl:i号の玄化力
回と反対方間に変化しているので、コンデンサの充1b
。
76了′1に)王を低下することがでさ、したがってコ
ンデンサの、イ旬t1氏くしてもが姑時間を大きく、ゾ
モすることかrJf能であるとともに1.計容される入
力1d号の繰り返し周波数を高くすることかできる。
ンデンサの、イ旬t1氏くしてもが姑時間を大きく、ゾ
モすることかrJf能であるとともに1.計容される入
力1d号の繰り返し周波数を高くすることかできる。
4、間開のl1flI単な祝明
弔11メツは先行技術の屯気回路1−4、名132図は
り51図に示された光行(り術のi:iJ作f:説り1
するだめの波形図、弔3図は木兄1月の一実1111例
の′屯気回11?i図、・x< 4図は弔3図に示され
た夾施例を説明するための波形図である。
り51図に示された光行(り術のi:iJ作f:説り1
するだめの波形図、弔3図は木兄1月の一実1111例
の′屯気回11?i図、・x< 4図は弔3図に示され
た夾施例を説明するための波形図である。
2・・・絵はIJ A’J l鰯4.3・・・弁別レベ
ル変化手段、Ql〜Q25・・・トランジスタ、1り1
〜R17・・・抵抗、C・・コンデンサ、 代理人 弁理士 四教圭一部 第1図 第2図 第3図 1A 第4図 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭58−130045 2、発明の名称 遅延回路 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称(583)松下電工株式会社 代表者 4、代理人 住 所 大阪市西区西本町1丁目13番38号 新興産
ビル国装置EX 0525−5985 INTAPT
J国際FAX GIII&GII (06)538−0
2476、補正の対象 明細台の特許請求の範囲の憫す)よび発明の詳細な説明
の欄 7、補正の内容 (1)特許請求の範囲は別紙のとJ5す。
ル変化手段、Ql〜Q25・・・トランジスタ、1り1
〜R17・・・抵抗、C・・コンデンサ、 代理人 弁理士 四教圭一部 第1図 第2図 第3図 1A 第4図 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭58−130045 2、発明の名称 遅延回路 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称(583)松下電工株式会社 代表者 4、代理人 住 所 大阪市西区西本町1丁目13番38号 新興産
ビル国装置EX 0525−5985 INTAPT
J国際FAX GIII&GII (06)538−0
2476、補正の対象 明細台の特許請求の範囲の憫す)よび発明の詳細な説明
の欄 7、補正の内容 (1)特許請求の範囲は別紙のとJ5す。
(2)明細書第3頁第2()行目を下記のとおりにシf
正する。
正する。
記
すC1,を第1式で示される。
(3ン明細書第8頁第1行目において1一定電流 12
5」とあるを、 「一定電流 i()」に訂正する。
5」とあるを、 「一定電流 i()」に訂正する。
以」ニ
特許請求の範囲
コンデンサと、
コンデンサに直列に接続されて一定の電流を供給するt
IS1定電流源と、 コンデンサに直列に接続されて一定の電流を供給するも
う1つの第2定電流源と、 コンデンサに並列に接続されて一定の電流を放電させる
第3定電流源と、 第1弁別レベルと@i弁別レベルよりも低い第2弁別レ
ベルとに弁別レベルを変化する手段と、コンデンサの出
力電圧が与えられる一方の入力端子と弁別レベル変化手
段からの弁別レベルを定める信号が与えられる他方の入
力端子とを有する差動増幅器とを含み、 コンデンサの充電時において第1定電流源を能動化し且
つ第3定電流源を不能動化し、コンデンサの出力電圧が
第1弁別レベル未満のとき、差動増幅器2の出力によっ
て第2定電流源を休止し、コンデンサの出力電圧が第1
弁別レベル以上になったとぎ、第2定電流源を能動化し
且つ弁別レベル変化手段によって差動増幅器には第2弁
別レベルの信号を与え、 コンデンサの放電時に第1定電流源を能動化し、コンデ
ンサの出力電圧が第2弁別レベル以上のとき、第1、第
2及び第3定電流源を能動化し、コンデンサの出力電圧
が第2弁別レベル未満のとき、第2定電流源を不能動化
し且つ第3定電流源を能動化し、 tISlおよび第2定電流源のコンデンサへの電流の和
は第3定電流源のコンデンサからの放電電流未満に選ん
であることを特許とする遅延回路。
IS1定電流源と、 コンデンサに直列に接続されて一定の電流を供給するも
う1つの第2定電流源と、 コンデンサに並列に接続されて一定の電流を放電させる
第3定電流源と、 第1弁別レベルと@i弁別レベルよりも低い第2弁別レ
ベルとに弁別レベルを変化する手段と、コンデンサの出
力電圧が与えられる一方の入力端子と弁別レベル変化手
段からの弁別レベルを定める信号が与えられる他方の入
力端子とを有する差動増幅器とを含み、 コンデンサの充電時において第1定電流源を能動化し且
つ第3定電流源を不能動化し、コンデンサの出力電圧が
第1弁別レベル未満のとき、差動増幅器2の出力によっ
て第2定電流源を休止し、コンデンサの出力電圧が第1
弁別レベル以上になったとぎ、第2定電流源を能動化し
且つ弁別レベル変化手段によって差動増幅器には第2弁
別レベルの信号を与え、 コンデンサの放電時に第1定電流源を能動化し、コンデ
ンサの出力電圧が第2弁別レベル以上のとき、第1、第
2及び第3定電流源を能動化し、コンデンサの出力電圧
が第2弁別レベル未満のとき、第2定電流源を不能動化
し且つ第3定電流源を能動化し、 tISlおよび第2定電流源のコンデンサへの電流の和
は第3定電流源のコンデンサからの放電電流未満に選ん
であることを特許とする遅延回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コンデンサと、 コンデンサに]ば列に接続されて一定の電流を供給する
第1定’+=Il流源と、 コンデンサに11列に接続されて一足の一流を供給する
もう1つの第2定電流源と、 コンデンサに並列に接続されて一足のitj流を放電さ
せる弔3定′■1(l)尾諒と、 第1弁別レベルと第l弁別レベルよりも低い第2弁別レ
ベルとに升5Iリレベルを変化する手段と、コンデンサ
の出力′[電圧が与えられる一方の入力端子と弁別レベ
ル変化手段からの弁別レベルを足める信号が与えられる
叱方の入力端子とを有するtcE動増IWii器とを含
み、 コンデンサの充i1):時において第1定電流源を能l
Qj化し且つ第3疋屯丸源を不能動化し、コンデンサの
出力′電圧が第1弁別レベル未式のとき、龜姻増幅器6
の出力によって第2定電7Aシ諒を休止し、コンデンサ
の出力′電圧が第1ff別レベル以上になったとき、第
2定電流源を能動化し且つ弁別ノベル変化手段によって
差すνJ型幅器には952升別弁別ルの信号を与え、 コンデンサの放電時に第1定電流源を能動化し、コンデ
ンサの出力電圧が第2弁別レベル以上のとき、弔11第
2及びfJ3定軍流源を能動化し、コンデンサの出力電
圧が第2弁別レベル未1両のとき、5B2定電流源を不
能動化し且っ第3定軍流源を11ヒ姑化し、 第1および第2定電流源のコンデンサへの一流の相は第
3定t1工流源のコンデンサからの涙′「江’LU i
l屯未満に選んであることを特徴とする遅延回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130045A JPS6022826A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 遅延回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58130045A JPS6022826A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 遅延回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022826A true JPS6022826A (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=15024751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58130045A Pending JPS6022826A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | 遅延回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022826A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134968U (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-05 | ||
| JPH0671492A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-15 | Ebara Infilco Co Ltd | 含水物の脱水処理装置 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP58130045A patent/JPS6022826A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134968U (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-05 | ||
| JPH0671492A (ja) * | 1992-05-27 | 1994-03-15 | Ebara Infilco Co Ltd | 含水物の脱水処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4757214A (en) | Pulse generator circuit | |
| JPS6337269A (ja) | モ−ド選定回路 | |
| KR940006137A (ko) | 자기 재생기능을 갖는 반도체 메모리 장치 | |
| JPH0748307B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| CA1134439A (en) | Time dependent master reset | |
| US4633102A (en) | High speed address transition detector circuit for dynamic read/write memory | |
| JP3408851B2 (ja) | 同期信号検出装置 | |
| JPH05342873A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| EP0845784A1 (en) | Method and corresponding circuit for generating a syncronization ATD signal | |
| US12165698B2 (en) | Circuitry for adjusting retention voltage of a static random access memory (SRAM) | |
| JPH0758887B2 (ja) | Rc時定数を利用した可変クロック遅延回路 | |
| TW382708B (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| KR100897295B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 벌크 바이어스 전압 생성 회로 | |
| KR0138700B1 (ko) | 반도체 장치의 리프레쉬 제어방법 및 그 장치 | |
| KR0183936B1 (ko) | 프로그래머블한 신호지연회로 | |
| JPS63282992A (ja) | 半導体記憶回路 | |
| JP3211881B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH048668Y2 (ja) | ||
| KR930008419B1 (ko) | 내부전원 발생회로 | |
| JPH0750981B2 (ja) | 基板電位発生回路 | |
| JPS5936036Y2 (ja) | Cmos発振回路 | |
| US6549486B1 (en) | Circuit for generating an ATD pulse signal independent of voltage and temperature variations | |
| KR940001490Y1 (ko) | 전원공급 리세트신호 발생회로 | |
| JPS6289297A (ja) | プログラマブル集積回路 | |
| JPH03259493A (ja) | 半導体記憶装置 |