JPS60228637A - 磁気記録媒体用Co基合金 - Google Patents
磁気記録媒体用Co基合金Info
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- JPS60228637A JPS60228637A JP59081992A JP8199284A JPS60228637A JP S60228637 A JPS60228637 A JP S60228637A JP 59081992 A JP59081992 A JP 59081992A JP 8199284 A JP8199284 A JP 8199284A JP S60228637 A JPS60228637 A JP S60228637A
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- JP
- Japan
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- alloy
- magnetic recording
- recording medium
- elements
- target
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- Pending
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- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、磁気記録媒体用OO基合金に関する。
一般に磁気ディスク、フロッピーディスクオーディオ用
磁気テープ、VTR用磁気テープ、磁気写真用ディスク
、さらにコンピュータ用磁気テープなどに、プラスティ
ックフィルムや金属シート等の基体の表面にOo −O
r合金薄膜を形成した垂直磁気記録媒体を使うことが試
みられている。
磁気テープ、VTR用磁気テープ、磁気写真用ディスク
、さらにコンピュータ用磁気テープなどに、プラスティ
ックフィルムや金属シート等の基体の表面にOo −O
r合金薄膜を形成した垂直磁気記録媒体を使うことが試
みられている。
このOo −Or合金の磁気記録媒体は、大きな磁気異
方性と飽和磁化をもつことから、薄膜化しても信号レベ
ルを保持しやすく、特に垂直磁化膜用として開発されて
いるものである。
方性と飽和磁化をもつことから、薄膜化しても信号レベ
ルを保持しやすく、特に垂直磁化膜用として開発されて
いるものである。
この薄膜を形成する方法として、スパッタリング法があ
る。これは、不活性ガス雰囲気(例えばAr)中で、O
o −Or合金を陰極とし、この陰極を不活性ガス陽イ
オンでたたくことにより、OQ原子+ Or原子を飛び
出させ、基板を被覆する方法である。
る。これは、不活性ガス雰囲気(例えばAr)中で、O
o −Or合金を陰極とし、この陰極を不活性ガス陽イ
オンでたたくことにより、OQ原子+ Or原子を飛び
出させ、基板を被覆する方法である。
しかし、スパッタリング法によりOo −Or合金(以
下、ターゲットと称す)をスパツタしている膜中、ター
ゲットにクラックが入ることがあった。このようにター
ゲットにクラックが入ると、スパッタに異常を生じ、不
均一なOo −Or被檀膜ができやすく、さらにはター
ゲットボンディング用半田成分が膜中に混入するという
問題が起る場合があった。
下、ターゲットと称す)をスパツタしている膜中、ター
ゲットにクラックが入ることがあった。このようにター
ゲットにクラックが入ると、スパッタに異常を生じ、不
均一なOo −Or被檀膜ができやすく、さらにはター
ゲットボンディング用半田成分が膜中に混入するという
問題が起る場合があった。
しかも、こうした傾向はスパッタ速度を増加させたマグ
ネトロンスパッタ法においてより顕著である。
ネトロンスパッタ法においてより顕著である。
更に最近スパッタリングの量産化に向け、更に大型のタ
ーゲットが望まれているが、このようにターゲットが大
型化した場合も、この問題は顕著であった。一方、Oo
−Or合金は、大型化しようとしても加工性が悪く、
大型が困難であり、歩留りも低くかった。
ーゲットが望まれているが、このようにターゲットが大
型化した場合も、この問題は顕著であった。一方、Oo
−Or合金は、大型化しようとしても加工性が悪く、
大型が困難であり、歩留りも低くかった。
本発明は、スパッタリングターゲットとして、クラック
が生じにくく、かつ加工性が良好なCO−Orr合金提
供することを目的とする。
が生じにくく、かつ加工性が良好なCO−Orr合金提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を達成する為、Orを9、0〜22
.5重量%含有させ、Sc、V。
.5重量%含有させ、Sc、V。
N b 、 T a 、 W 、 M n 、 T c
、 Re 、 F e 。
、 Re 、 F e 。
0atIr、Nt+Pa+PtsOusAgAusZr
、Oct、B、Al、Oa、In。
、Oct、B、Al、Oa、In。
TA!、O,Si、Go、8n+Pb、P。
As、Sb、Bi、S、Se、Tθ、ランタノイド元素
及びアクチノイド元素から選択された1種又は2種以上
の元素を0.001〜5重量%含有させ、残部が実質的
にCOである磁気記録媒体用CO基合金を提供する。
及びアクチノイド元素から選択された1種又は2種以上
の元素を0.001〜5重量%含有させ、残部が実質的
にCOである磁気記録媒体用CO基合金を提供する。
ここで、この発明の00基合金において成分組成範囲を
上記の通りに限定した理由を説明する。
上記の通りに限定した理由を説明する。
(1)Or酸成分
Or酸成分こけ、飽和磁化を実用範囲である80〜85
0ガウスに調整する作用がある。その含有量が多すぎる
と、十分な飽和磁化が得られに<<、一方その含有量が
少=3− なすぎると、飽和磁化が850ガウス以上となりやすい
、したがって、Orの成分範囲は、9.0〜225%、
更には12〜22.5%、更には14〜22%が好まし
い。
0ガウスに調整する作用がある。その含有量が多すぎる
と、十分な飽和磁化が得られに<<、一方その含有量が
少=3− なすぎると、飽和磁化が850ガウス以上となりやすい
、したがって、Orの成分範囲は、9.0〜225%、
更には12〜22.5%、更には14〜22%が好まし
い。
以上、説明した飽和磁化に関して、その値として、80
〜850ガウス必要なのは飽和磁化が太きすぎると、例
えば垂直磁化膜として使用した場合、膜面に垂直の磁化
配向を得にくく、一方飽和磁化が小さすぎると、再生出
力が小さくなり、87N比が悪化して実用に供し得なく
なりやすい為である。
〜850ガウス必要なのは飽和磁化が太きすぎると、例
えば垂直磁化膜として使用した場合、膜面に垂直の磁化
配向を得にくく、一方飽和磁化が小さすぎると、再生出
力が小さくなり、87N比が悪化して実用に供し得なく
なりやすい為である。
(2) S c + V 、N b 、T a + W
t M n + ’II’ cRe、Fe、Os、I
r、Ni、Pd。
t M n + ’II’ cRe、Fe、Os、I
r、Ni、Pd。
Pt、Ou、Ag、Au、Zn、Od、Bi7.Oa、
In、Tl+0.81.GeSn、Pb、PtAtz8
b+Bi +S+8e、Tθ、ランタノイド元素及びア
クチノイド元素: これらの元素は、Oo −Or合金の加工4− 性を向上させ、かつターゲットに生じるクラックを発生
させにくくさせるが、含有量が多すぎると、加工性磁気
特性及びクランク発生防止率を低下させ、一方、少なす
ぎると、その効果が低下する。したがって、上記元素群
から選択された1種又は2種以上の元素の含有量は、0
.001〜5重t%更にけo、 o l、−/i量%、
更に0.1〜2重量%が好ましい。
In、Tl+0.81.GeSn、Pb、PtAtz8
b+Bi +S+8e、Tθ、ランタノイド元素及びア
クチノイド元素: これらの元素は、Oo −Or合金の加工4− 性を向上させ、かつターゲットに生じるクラックを発生
させにくくさせるが、含有量が多すぎると、加工性磁気
特性及びクランク発生防止率を低下させ、一方、少なす
ぎると、その効果が低下する。したがって、上記元素群
から選択された1種又は2種以上の元素の含有量は、0
.001〜5重t%更にけo、 o l、−/i量%、
更に0.1〜2重量%が好ましい。
次に本発明について、実施例を用いて説明する。
通常の溶解鋳造法により、それぞれ表に示される成分組
成をもった本発明00基合金1〜5及び比較CO基合金
1及び2の鋳塊をそれぞれ調製し、ついでこれらの鋳塊
から表に示す如く、スパッタリング用ターゲットを作製
した。その際、加工性及び歩留りが調べられた。引き続
いて、これらのターゲットを用い雰囲気+、 A r
r雰囲気圧力ニ5X10 torrの条件でDoマグネ
トロンスパッタリングを行ない、厚さ10μmのポリエ
ステルフィルム基体の表面に実質的lこ合金組成と同一
の成分組成をもつ厚さ約0.5μmの磁気記録媒体とし
ての薄膜を形成した。電力投入量は約5w / crd
とした。この際、ターゲットのクラック発生率が試料1
00個に対して調べられた。
成をもった本発明00基合金1〜5及び比較CO基合金
1及び2の鋳塊をそれぞれ調製し、ついでこれらの鋳塊
から表に示す如く、スパッタリング用ターゲットを作製
した。その際、加工性及び歩留りが調べられた。引き続
いて、これらのターゲットを用い雰囲気+、 A r
r雰囲気圧力ニ5X10 torrの条件でDoマグネ
トロンスパッタリングを行ない、厚さ10μmのポリエ
ステルフィルム基体の表面に実質的lこ合金組成と同一
の成分組成をもつ厚さ約0.5μmの磁気記録媒体とし
ての薄膜を形成した。電力投入量は約5w / crd
とした。この際、ターゲットのクラック発生率が試料1
00個に対して調べられた。
以下余白
この表から明らかな如く、本発明の実施例は、比較例に
比べて、加工性及びクラック防止効果が高く、量産化に
有効な方法となる。
比べて、加工性及びクラック防止効果が高く、量産化に
有効な方法となる。
又、ターゲットが大型化しても、加工性及びクラック防
止効果が高い。
止効果が高い。
本発明は、CO基合金に、Orを9.0〜22.5重量
%含有させ、8 c s V r N b *T a
、 W 、 M n 、 T c 、 Re 、 F
e 、 Os 。
%含有させ、8 c s V r N b *T a
、 W 、 M n 、 T c 、 Re 、 F
e 、 Os 。
I r+ N i 、* P d r P t * O
u + A g + A uZn、Od、B、A1.O
a、In、T/。
u + A g + A uZn、Od、B、A1.O
a、In、T/。
0 、81 、 G o 、 S n 、 P b 、
P 、 A s 。
P 、 A s 。
Sb、Bi、8.8e 、Te、ランタノイド元素及び
アクチノイド元素から選択された1種又は2種以上の元
素を0.001〜5重量%含有させることにより、クラ
ックが生じにくく、かつ加工性が良好な磁気記録媒体用
C。
アクチノイド元素から選択された1種又は2種以上の元
素を0.001〜5重量%含有させることにより、クラ
ックが生じにくく、かつ加工性が良好な磁気記録媒体用
C。
基合金を提供できる。
代理人弁理士 則 近 憲 佑
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Orを9.0〜22.5重量%含有させ、8 c +V
、Nb、Ta、W、Mn、Tc、Re、Fe0ssIr
tNitPa*Pt+Ou、Ag*A u 、 Z n
、 Oet 、 B a A It 、 Oa 、
I n 。 TJ、0eSi 、Go、Sn、Pb、P、AsS b
、 B i 、 S 、 S e 、 T o 、ラ
ンタノイド元素及びアクチノイド元素から選択された1
種又Fi2種以上の元素を0.001〜5重量%含有さ
せ、残部が実質的にOoである磁気記録媒体用00基合
金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081992A JPS60228637A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 磁気記録媒体用Co基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59081992A JPS60228637A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 磁気記録媒体用Co基合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60228637A true JPS60228637A (ja) | 1985-11-13 |
Family
ID=13761968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59081992A Pending JPS60228637A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 磁気記録媒体用Co基合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60228637A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611004A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | CoCr系垂直磁気記録媒体 |
| JPS6339122A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
| JPS6396259A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 蒸着用Co−Cr基合金 |
| JPS63100149A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-05-02 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 蒸着用Fe−Co基合金 |
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| KR100390391B1 (ko) * | 2001-01-31 | 2003-07-07 | 한국과학기술연구원 | 고밀도 수평 자기 기록매체의 하지층용 합금 조성물 |
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| RU2647955C1 (ru) * | 2017-07-11 | 2018-03-21 | Юлия Алексеевна Щепочкина | Спеченный антифрикционный материал на основе кобальта |
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| CN109022927A (zh) * | 2018-10-05 | 2018-12-18 | 广州宇智科技有限公司 | 一种水面艇和潜水艇用耐腐蚀具备优异铸造性能的钴合金 |
| CN111566253A (zh) * | 2018-08-09 | 2020-08-21 | Jx金属株式会社 | 溅射靶以及磁性膜 |
| CN112585295A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-30 | Jx金属株式会社 | 溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59081992A patent/JPS60228637A/ja active Pending
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